RU2013132691A - Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала - Google Patents

Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала Download PDF

Info

Publication number
RU2013132691A
RU2013132691A RU2013132691/07A RU2013132691A RU2013132691A RU 2013132691 A RU2013132691 A RU 2013132691A RU 2013132691/07 A RU2013132691/07 A RU 2013132691/07A RU 2013132691 A RU2013132691 A RU 2013132691A RU 2013132691 A RU2013132691 A RU 2013132691A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mhz
microwave
cavity resonator
range
plasma reactor
Prior art date
Application number
RU2013132691/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2540399C1 (ru
Inventor
Джон Роберт БРЭНДОН
Александр Лэмб КАЛЛЕН
Стивен Дэвид УИЛЛЬЯМС
Джозеф Майкл ДОДСОН
Джонатан Джеймс УИЛМАН
Кристофер Джон Ховард УОРТ
Original Assignee
Элемент Сикс Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Элемент Сикс Лимитед filed Critical Элемент Сикс Лимитед
Publication of RU2013132691A publication Critical patent/RU2013132691A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2540399C1 publication Critical patent/RU2540399C1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
    • H01J37/32284—Means for controlling or selecting resonance mode

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

1. Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы, причем микроволновый плазменный реактор содержит:плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от упомянутого основания до упомянутой верхней пластины, задавая объемный резонатор, для поддержания микроволновой резонансной моды, причем объемный резонатор имеет центральную вращательную ось симметрии, простирающуюся от основания до верхней пластины, и причем верхняя пластина установлена поперек упомянутой центральной вращательной оси симметрии;конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру;систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда; идержатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки, на которую осаждается синтетический алмазный материал при ее использовании;причем объемный резонатор сконфигурирован как имеющий высоту, измеряемую от основания до верхней пластины плазменной камеры, которая поддерживает резонансную моду TMмежду основанием и верхней пластиной на частоте в диапазоне от 400 МГц до 500 МГц, от 800 МГц до 1000 МГц или от 2300 МГц до 2600 МГц,причем объемный резонатор дополнительно сконфигурирован как имеющий диаметр, измеряемый на высоте меньшей, чем 50% от высоты объемного резонатора, измеряемой от основания, который удовлетворяет условию того, что отношение высоты объемного резонатора к диаметру объемного резонатора находится в предела

Claims (17)

1. Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы, причем микроволновый плазменный реактор содержит:
плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от упомянутого основания до упомянутой верхней пластины, задавая объемный резонатор, для поддержания микроволновой резонансной моды, причем объемный резонатор имеет центральную вращательную ось симметрии, простирающуюся от основания до верхней пластины, и причем верхняя пластина установлена поперек упомянутой центральной вращательной оси симметрии;
конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру;
систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда; и
держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки, на которую осаждается синтетический алмазный материал при ее использовании;
причем объемный резонатор сконфигурирован как имеющий высоту, измеряемую от основания до верхней пластины плазменной камеры, которая поддерживает резонансную моду TM011 между основанием и верхней пластиной на частоте в диапазоне от 400 МГц до 500 МГц, от 800 МГц до 1000 МГц или от 2300 МГц до 2600 МГц,
причем объемный резонатор дополнительно сконфигурирован как имеющий диаметр, измеряемый на высоте меньшей, чем 50% от высоты объемного резонатора, измеряемой от основания, который удовлетворяет условию того, что отношение высоты объемного резонатора к диаметру объемного резонатора находится в пределах от 0,3 до 1,0.
причем объемный резонатор содержит внутренние стенки, сконфигурированные для воздействия плазмы, сформированной внутри объемного резонатора, при его использовании, причем упомянутые внутренние стенки содержат металлические поверхности, формирующие, по меньшей мере, 75% общей площади поверхности упомянутых внутренних стенок в пределах объемного резонатора, и
причем участок упомянутых внутренних стенок сформирован кольцевым диэлектрическим окном, сформированным в одной или нескольких секциях, причем упомянутое кольцевое диэлектрическое окно формирует не больше, чем 25% общей площади поверхности внутренних стенок в пределах объемного резонатора.
2. Микроволновый плазменный реактор по п. 1, в котором отношение высоты объемного резонатора к диаметру объемного резонатора находится в пределах от 0,4 до 0,9 или от 0,5 до 0,8.
3. Микроволновый плазменный реактор по любому предшествующему пункту, в котором высота объемного резонатора, измеряемая от основания до верхней пластины плазменной камеры, находится в пределах:
от 300 мм до 600 мм, от 300 мм до 500 мм или от 400 мм до 500 мм на микроволновой частоте f в диапазоне от 400 МГц до 500 МГц;
от 150 мм до 300 мм, от 150 мм до 250 мм или от 200 мм до 250 мм на микроволновой частоте f в диапазоне от 800 МГц до 1000 МГц; или
от 50 мм до 110 мм, от 50 мм до 90 мм или от 70 мм до 90 мм на микроволновой частоте f в диапазоне от 2300 МГц до 2600 МГц.
4. Микроволновый плазменный реактор по п. 1 или 2, в котором диаметр объемного резонатора находится в пределах:
от 400 мм до 1000 мм, от 500 мм до 900 мм или от 600 мм до 800 мм на микроволновой частоте f в диапазоне от 400 МГц до 500 МГц;
от 200 мм до 500 мм, от 250 мм до 450 мм или от 300 мм до 400 мм на микроволновой частоте f в диапазоне от 800 МГц до 1000 МГц; или
от 70 мм до 180 мм, от 90 мм до 160 мм или от 110 мм до 150 мм на микроволновой частоте f в диапазоне от 2300 МГц до 2600 МГц.
5. Микроволновый плазменный реактор по п. 1 или 2, в котором объемный резонатор имеет объем в пределах:
от 0,018 м3 до 0,530 м3, от 0,062 м3 до 0,350 м3, от 0,089 м3 до 0,270 м3 или от 0,133 м3 до 0,221 м3 на микроволновой частоте f в диапазоне от 400 до 500 МГц;
от 0,002 м3 до 0,06 м3, от 0,007 м3 до 0,04 м3, от 0,01 м3 до 0,03 м3 или от 0,015 м3 до 0,025 м3 на микроволновой частоте f в диапазоне от 800 МГц до 1000 МГц; или
от 9,8×10-5 м3 до 2,9×10-3 м3, от 3,4×10-4 м3 до 1,96×10-3 м3, от 4,9×10-4 м3 до 1,47×10-3 м3 или от 7,35×10-4 м3 до 1,23×10-3 м3 на микроволновой частоте f в диапазоне от 2300 до 2600 МГц.
6. Микроволновый плазменный реактор по п. 1 или 2, в котором объемный резонатор является цилиндрическим.
7. Микроволновый плазменный реактор по п. 1 или 2, в котором верхний участок объемного резонатора имеет больший диаметр, чем нижний участок объемного резонатора, причем верхний участок объемного резонатора сконфигурирован для поддержания, по меньшей мере, одной вторичной микроволновой моды, которая, по меньшей мере, частично устраняет пучность большого электрического поля в верхнем участке объемного резонатора при его использовании.
8. Микроволновый плазменный реактор по п. 7, в котором отношение нижнего диаметра к верхнему диаметру объемного резонатора больше, чем 0,4, и меньше, чем 1, причем нижний диаметр измеряется на высоте меньшей, чем 50% от высоты объемного резонатора, измеряемой от основания, и верхний диаметр измеряется на высоте большей, чем 50% от высоты объемного резонатора, измеряемой от основания.
9. Микроволновый плазменный реактор по п. 8, в котором упомянутое отношение находится в пределах от 0,5 до 0,9, от 0,6 до 0,9 или от 0,7 до 0,8.
10. Микроволновый плазменный реактор по п. 8 или 9, в котором:
на микроволновой частоте f в диапазоне от 400 до 500 МГц нижний диаметр находится в пределах от 400 мм до 900 мм, от 500 мм до 900 мм, от 600 мм до 800 мм или от 650 мм до 800 мм, и верхний диаметр может находиться в пределах от 600 мм до 1000 мм, от 700 мм до 1000 мм, от 700 мм до 900 мм или от 800 мм до 900 мм;
на микроволновой частоте f в диапазоне от 800 МГц до 1000 МГц нижний диаметр находится в пределах от 200 мм до 450 мм, от 250 мм до 450 мм, от 300 мм до 400 мм или от 330 мм до 400 мм, и верхний диаметр находится в пределах от 300 мм до 500 мм, от 350 мм до 500 мм, от 350 мм до 450 мм или от 400 мм до 450 мм; или
на микроволновой частоте f в диапазоне от 2300 до 2600 МГц нижний диаметр находится в пределах от 70 мм до 160 мм, от 90 мм до 160 мм, от 100 мм до 150 мм или от 120 мм до 150 мм, и верхний диаметр может находиться в пределах от 100 мм до 200 мм, от 120 мм до 200 мм, от 130 мм до 170 мм или от 150 мм до 170 мм.
11. Микроволновый плазменный реактор по п. 1 или 2, в котором металлические поверхности внутренних стенок объемного резонатора формируют, по меньшей мере, 80%, 85%, 90% или 95% общей площади поверхности упомянутых внутренних стенок в пределах объемного резонатора.
12. Микроволновый плазменный реактор по п. 11, в котором упомянутые металлические поверхности сделаны из алюминия или его сплава, содержащего, по меньшей мере, 80%, 90%, 95% или 98% по весу алюминия.
13. Микроволновый плазменный реактор по п. 1 или 2, в котором кольцевое диэлектрическое окно формирует не больше, чем 20%, 15%, 10% или 5% от общей площади поверхности внутренних стенок в пределах объемного резонатора.
14. Микроволновый плазменный реактор по п. 1 или 2, в котором микроволновый плазменный реактор дополнительно содержит электропроводящую поверхность, расположенную в пределах плазменной камеры поверх области пучности большого электрического поля, которая существовала бы в соответствующей плазменной камере, не содержащей проводящую поверхность.
15. Микроволновый плазменный реактор по п. 14, в котором проводящая поверхность имеет форму конуса.
16. Микроволновый плазменный реактор по п. 15, в котором имеющая форму конуса проводящая поверхность содержит закругленный наконечник.
17. Микроволновый плазменный реактор по п. 15 или 16, в котором имеющая форму конуса проводящая поверхность формирует кольцевую выемку в плазменной камере, и кольцевое диэлектрическое окно располагается в упомянутой выемке.
RU2013132691/07A 2010-12-23 2011-12-14 Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала RU2540399C1 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB1021865.9A GB201021865D0 (en) 2010-12-23 2010-12-23 A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB1021865.9 2010-12-23
US201161439313P 2011-02-03 2011-02-03
US61/439,313 2011-02-03
PCT/EP2011/072824 WO2012084660A1 (en) 2010-12-23 2011-12-14 A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013132691A true RU2013132691A (ru) 2015-01-27
RU2540399C1 RU2540399C1 (ru) 2015-02-10

Family

ID=43598912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013132691/07A RU2540399C1 (ru) 2010-12-23 2011-12-14 Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала

Country Status (11)

Country Link
US (2) US10403477B2 (ru)
EP (1) EP2656372B1 (ru)
JP (1) JP5746367B2 (ru)
KR (1) KR101401691B1 (ru)
CN (1) CN103339707B (ru)
CA (1) CA2821624C (ru)
GB (2) GB201021865D0 (ru)
MY (1) MY166639A (ru)
RU (1) RU2540399C1 (ru)
SG (1) SG191217A1 (ru)
WO (1) WO2012084660A1 (ru)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8316797B2 (en) 2008-06-16 2012-11-27 Board of Trustees of Michigan State University Fraunhofer USA Microwave plasma reactors
US10689753B1 (en) * 2009-04-21 2020-06-23 Goodrich Corporation System having a cooling element for densifying a substrate
KR101255152B1 (ko) * 2010-12-01 2013-04-22 한국기초과학지원연구원 플라즈마 가스화기를 이용한 발전 시스템
GB201021865D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
EP2707521B1 (en) 2011-05-13 2018-08-08 Board Of Trustees Of Michigan State University Improved microwave plasma reactors
US9720133B2 (en) 2011-12-16 2017-08-01 Element Six Technologies Limited Large area optical quality synthetic polycrystalline diamond window
GB201121640D0 (en) 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Large area optical synthetic polycrystalline diamond window
SG10201900327YA (en) * 2013-03-15 2019-02-27 Plasmability Llc A method of cvd plasma processing with a toroidal plasma processing apparatus
GB201410703D0 (en) * 2014-06-16 2014-07-30 Element Six Technologies Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
US10373725B2 (en) 2014-11-06 2019-08-06 Ii-Vi Incorporated Highly twinned, oriented polycrystalline diamond film and method of manufacture thereof
JP6455783B2 (ja) * 2015-03-11 2019-01-23 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置
CN107810542A (zh) 2015-05-21 2018-03-16 普拉斯玛比利提有限责任公司 具有成形工件夹具的环形等离子体处理装置
CN105845301B (zh) * 2015-08-13 2019-01-25 北京中科三环高技术股份有限公司 稀土永磁体及稀土永磁体的制备方法
KR102334378B1 (ko) 2015-09-23 2021-12-02 삼성전자 주식회사 유전체 윈도우, 그 윈도우를 포함한 플라즈마 공정 시스템, 및 그 시스템을 이용한 반도체 소자 제조방법
GB201516814D0 (en) 2015-09-23 2015-11-04 Element Six Technologies Ltd Method of fabricating a plurality of single crystal CVD synthetic diamonds
EP3276651A1 (en) * 2016-07-28 2018-01-31 NeoCoat SA Method for manufacturing an annular thin film of synthetic material and device for carrying out said method
RU2637187C1 (ru) * 2016-11-29 2017-11-30 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Плазменный свч реактор
FR3060024B1 (fr) * 2016-12-09 2019-05-31 Diam Concept Reacteur modulaire pour le depot assiste par plasma microonde
CN106987827B (zh) * 2017-04-14 2019-03-29 太原理工大学 等离子体化学气相沉积微波谐振腔及装置
TWI648905B (zh) * 2017-11-23 2019-01-21 國立虎尾科技大學 Standing wave phase shift concentrating device
US11469077B2 (en) 2018-04-24 2022-10-11 FD3M, Inc. Microwave plasma chemical vapor deposition device and application thereof
CN108468086B (zh) * 2018-04-24 2020-12-15 Fd3M公司 微波等离子体化学气相沉积装置及其应用
NO345052B1 (en) * 2018-05-08 2020-09-07 Bergen Teknologioverfoering As Large area microwave plasma chemical vapour deposition (la mpcvd) reactor apparatus and method for providing same
CN108770175B (zh) * 2018-05-25 2019-07-16 中国科学院微电子研究所 用于微波等离子体发生装置的微孔微纳结构双耦合谐振腔
CN108770174B (zh) * 2018-05-25 2019-07-19 中国科学院微电子研究所 具有微孔微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置
US11261522B2 (en) * 2018-10-18 2022-03-01 Diamond Foundry Inc. Axisymmetric material deposition from plasma assisted by angled gas flow
US11183369B2 (en) * 2018-12-27 2021-11-23 Industrial Technology Research Institute Focalized microwave plasma reactor
WO2021069620A1 (en) 2019-10-11 2021-04-15 Neocoat Sa Cvd reactor for manufacturing synthetic films and methods of fabrication
US11961714B2 (en) * 2021-03-08 2024-04-16 Linco Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN113463065A (zh) * 2021-06-17 2021-10-01 湖南良诚新材料科技有限公司 一种化学气相沉积钻石的设备
GB2614521A (en) 2021-10-19 2023-07-12 Element Six Tech Ltd CVD single crystal diamond
CN115274395B (zh) * 2022-09-27 2022-12-09 北京芯美达科技有限公司 一种扩大等离子体有效反应面积的方法
CN116254523B (zh) * 2023-02-17 2024-02-20 北方工业大学 一种高调谐灵敏度的915MHz微波等离子体化学气相沉积装置
CN118028972B (zh) * 2024-01-29 2024-09-27 北京科技大学 一种tm多模微波等离子体化学气相沉积装置
CN118655504B (zh) * 2024-08-21 2024-10-18 中北大学 一种自旋态的微波谐振腔及其制作工艺

Family Cites Families (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62162366A (ja) 1981-09-17 1987-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素被膜を有する複合体
US4507588A (en) * 1983-02-28 1985-03-26 Board Of Trustees Operating Michigan State University Ion generating apparatus and method for the use thereof
JPS61251158A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 放熱基板
JPS62235393A (ja) 1986-04-07 1987-10-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高硬度固体潤滑膜およびその形成方法
DE3622614A1 (de) * 1986-07-05 1988-01-14 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von elektrisch leitenden formkoerpern durch plasmaaktivierte chemische abscheidung aus der gasphase
JPS62167886A (ja) 1986-11-19 1987-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素被膜を有する複合体
KR900008505B1 (ko) 1987-02-24 1990-11-24 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 탄소 석출을 위한 마이크로파 강화 cvd 방법
US5273790A (en) 1987-03-30 1993-12-28 Crystallume Method for consolidating diamond particles to form high thermal conductivity article
JPS6424094A (en) 1987-07-21 1989-01-26 Nat Inst Res Inorganic Mat Synthesizing apparatus for diamond
JPH01198478A (ja) * 1988-02-01 1989-08-10 Canon Inc マイクロ波プラズマｃｖｄ装置
JPH01297141A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
US5261959A (en) 1988-05-26 1993-11-16 General Electric Company Diamond crystal growth apparatus
US5370912A (en) 1988-10-31 1994-12-06 Norton Company Diamond film deposition with a microwave plasma
US5258206A (en) 1989-01-13 1993-11-02 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Method and apparatus for producing diamond thin films
JPH02260470A (ja) 1989-03-30 1990-10-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子
EP0402867B1 (en) 1989-06-15 1995-03-01 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for microwave processing in a magnetic field
US5273731A (en) 1989-09-14 1993-12-28 General Electric Company Substantially transparent free standing diamond films
US5091208A (en) 1990-03-05 1992-02-25 Wayne State University Novel susceptor for use in chemical vapor deposition apparatus and its method of use
JPH03281594A (ja) 1990-03-29 1991-12-12 Hitachi Ltd 発光材料及び表示装置
JPH049471A (ja) 1990-04-27 1992-01-14 Seiko Instr Inc ダイヤモンドの合成方法
US5264071A (en) 1990-06-13 1993-11-23 General Electric Company Free standing diamond sheet and method and apparatus for making same
US6020579A (en) * 1997-01-06 2000-02-01 International Business Machines Corporation Microwave applicator having a mechanical means for tuning
JPH04259378A (ja) 1990-09-10 1992-09-14 Applied Sci & Technol Inc 再循環高速対流リアクター
EP0478283B1 (en) * 1990-09-26 1996-12-27 Hitachi, Ltd. Microwave plasma processing method and apparatus
DE69117140T2 (de) 1990-11-22 1996-07-04 Sumitomo Electric Industries Polykristallines Dimantwerkzeug und Verfahren für seine Herstellung
JPH04238896A (ja) 1991-01-10 1992-08-26 Nachi Fujikoshi Corp 気相法によるダイヤモンド板の製造方法
WO1992014861A1 (en) 1991-02-26 1992-09-03 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Microwave plasma cvd device, and method for synthesizing diamond by device thereof
AU1240692A (en) * 1991-05-21 1992-12-30 Materials Research Corporation Cluster tool soft etch module and ecr plasma generator therefor
JPH0513342A (ja) 1991-06-20 1993-01-22 Kawasaki Steel Corp 半導体ダイヤモンド
CA2082711A1 (en) 1991-12-13 1993-06-14 Philip G. Kosky Cvd diamond growth on hydride-forming metal substrates
US5302803A (en) 1991-12-23 1994-04-12 Consortium For Surface Processing, Inc. Apparatus and method for uniform microwave plasma processing using TE1101 modes
EP0725164A3 (en) * 1992-01-30 1996-10-09 Hitachi Ltd Method and apparatus for generating plasma and semiconductor processing methods
US5311103A (en) * 1992-06-01 1994-05-10 Board Of Trustees Operating Michigan State University Apparatus for the coating of material on a substrate using a microwave or UHF plasma
EP0582397A3 (en) 1992-08-05 1995-01-25 Crystallume CVD diamond material for radiation detector and method for manufacturing the same.
US5314652A (en) 1992-11-10 1994-05-24 Norton Company Method for making free-standing diamond film
JPH06251158A (ja) 1993-02-26 1994-09-09 N T T Data Tsushin Kk パタ−ン認識辞書作成方法
US5501740A (en) * 1993-06-04 1996-03-26 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma reactor
SE500740C2 (sv) * 1993-06-28 1994-08-22 Ladislav Bardos Mikrovågsapparat för plasmaprocesser
JPH07142195A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 New Japan Radio Co Ltd マイクロ波プラズマ装置
US5397396A (en) 1993-12-27 1995-03-14 General Electric Company Apparatus for chemical vapor deposition of diamond including thermal spreader
US5587124A (en) 1994-07-05 1996-12-24 Meroth; John Method of making synthetic diamond film with reduced bowing
US5551983A (en) 1994-11-01 1996-09-03 Celestech, Inc. Method and apparatus for depositing a substance with temperature control
JP3653758B2 (ja) 1994-11-07 2005-06-02 住友電気工業株式会社 自立したダイヤモンドウェハーおよびその製造方法
DE19507077C1 (de) * 1995-01-25 1996-04-25 Fraunhofer Ges Forschung Plasmareaktor
US6533869B1 (en) 1995-02-15 2003-03-18 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Apparatus and method for making free standing diamond
JP3041844B2 (ja) * 1995-08-11 2000-05-15 住友電気工業株式会社 成膜又はエッチング装置
US6132550A (en) 1995-08-11 2000-10-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatuses for desposition or etching
KR970071945A (ko) 1996-02-20 1997-11-07 가나이 쯔도무 플라즈마처리방법 및 장치
TW328617B (en) 1996-03-28 1998-03-21 Sumitomo Metal Ind Plasma processing device and plasma processing method
US6106678A (en) 1996-03-29 2000-08-22 Lam Research Corporation Method of high density plasma CVD gap-filling
US5643365A (en) 1996-07-25 1997-07-01 Ceram Optec Industries Inc Method and device for plasma vapor chemical deposition of homogeneous films on large flat surfaces
GB9616043D0 (en) 1996-07-31 1996-09-11 De Beers Ind Diamond Diamond
JP3281594B2 (ja) 1998-01-12 2002-05-13 マルマテクニカ株式会社 建設作業機用起振型油圧シリンダ装置
DE19802971C2 (de) * 1998-01-27 1999-12-02 Fraunhofer Ges Forschung Plasmareaktor
WO1999049705A1 (fr) 1998-03-20 1999-09-30 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement plasmique
US6582513B1 (en) 1998-05-15 2003-06-24 Apollo Diamond, Inc. System and method for producing synthetic diamond
JP3507331B2 (ja) 1998-05-20 2004-03-15 松下電器産業株式会社 基板温度制御方法及び装置
DE19841777C1 (de) 1998-09-12 2000-01-05 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur plasmatechnischen Abscheidung von polykristallinem Diamant
US6414338B1 (en) 1998-11-30 2002-07-02 Sandia National Laboratories n-Type diamond and method for producing same
JP3496560B2 (ja) 1999-03-12 2004-02-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6388632B1 (en) 1999-03-30 2002-05-14 Rohm Co., Ltd. Slot antenna used for plasma surface processing apparatus
TW516113B (en) 1999-04-14 2003-01-01 Hitachi Ltd Plasma processing device and plasma processing method
KR100352985B1 (ko) 1999-04-30 2002-09-18 한국과학기술연구원 균열이 없고 평탄한 다이아몬드막 합성 방법
US6565661B1 (en) 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
US6528752B1 (en) 1999-06-18 2003-03-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP3590883B2 (ja) 1999-06-21 2004-11-17 独立行政法人 科学技術振興機構 紫外線発光デバイス及びその製造方法
FR2798552B1 (fr) 1999-09-13 2001-11-30 Centre Nat Rech Scient Dispositif assurant une division de puissance micro-onde predeterminee sur une pluralite de charges, notamment pour la production de plasma
US6622650B2 (en) 1999-11-30 2003-09-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
GB0006318D0 (en) 2000-03-15 2000-05-03 De Beers Ind Diamond Radiation detector
JP2001267305A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6527909B2 (en) 2000-04-27 2003-03-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4598247B2 (ja) 2000-08-04 2010-12-15 東京エレクトロン株式会社 ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ装置
KR100375335B1 (ko) 2001-01-17 2003-03-06 한국과학기술연구원 다이아몬드막의 제조방법 및 장치
JP2002265296A (ja) 2001-03-09 2002-09-18 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド薄膜及びその製造方法
WO2002077319A1 (en) * 2001-03-27 2002-10-03 Small & Medium Industry Promotion Corporation Diamond film depositing apparatus using microwaves and plasma
RU2205893C2 (ru) * 2001-04-23 2003-06-10 ООО "Инженерно-физический центр" Способ и устройство нанесения покрытий методом плазмохимического осаждения
JP2003045810A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Canon Inc プラズマ処理装置
DE10138693A1 (de) 2001-08-07 2003-07-10 Schott Glas Vorrichtung zum Beschichten von Gegenständen
JP3907444B2 (ja) 2001-11-01 2007-04-18 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置及び構造体の製造方法
UA81614C2 (ru) 2001-11-07 2008-01-25 Карнеги Инститьюшн Ов Вашингтон Устройство для изготовления алмазов, узел удержания образца (варианты) и способ изготовления алмазов (варианты)
GB0130005D0 (en) 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Boron doped diamond
US20030152700A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-14 Board Of Trustees Operating Michigan State University Process for synthesizing uniform nanocrystalline films
JP4009471B2 (ja) 2002-02-27 2007-11-14 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 ラビング装置
JP2003321296A (ja) 2002-04-25 2003-11-11 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイヤモンド膜及びその製造方法
FR2848335B1 (fr) 2002-12-06 2005-10-07 Centre Nat Rech Scient Procede d'elaboration de diamant de type n a haute conductivite electrique
JP2004244298A (ja) 2002-12-17 2004-09-02 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法
JP2004235434A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Rohm Co Ltd プラズマ処理装置
US20060105182A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
JP2005044822A (ja) 2003-07-22 2005-02-17 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
US20050016445A1 (en) 2003-07-24 2005-01-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for producing diamond film
JP2006128075A (ja) 2004-10-01 2006-05-18 Seiko Epson Corp 高周波加熱装置、半導体製造装置および光源装置
JP4673111B2 (ja) 2005-03-31 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
GB0508889D0 (en) 2005-04-29 2005-06-08 Element Six Ltd Diamond transistor and method of manufacture thereof
EP1907320A4 (en) 2005-05-25 2010-05-05 Carnegie Inst Of Washington COLORLESS CRYSTALLINE CVD DIAMOND WITH FAST GROWTH RATE
JP4613314B2 (ja) 2005-05-26 2011-01-19 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶の製造方法
JP5376750B2 (ja) 2005-11-18 2013-12-25 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
JP5068458B2 (ja) 2006-01-18 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
EP1996751A2 (en) 2006-02-07 2008-12-03 Target Technology Company, LLC. Materials and methods for the manufacture of large crystal diamonds
KR100980529B1 (ko) 2006-03-27 2010-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP4683334B2 (ja) 2006-03-31 2011-05-18 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマ処理装置
JP2007284773A (ja) 2006-04-20 2007-11-01 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの合成方法
JP2007331955A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ダイヤモンド製造方法
JP5161086B2 (ja) 2006-07-28 2013-03-13 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
FR2905312B1 (fr) 2006-08-30 2008-10-31 Vernet Sa Vanne thermostatique destinee a etre interposee entre un reservoir de carburant et un moteur thermique, et circuit de circulation de carburant correspondant
JP5503287B2 (ja) 2006-09-05 2014-05-28 エレメント シックス リミテッド 固体電極
US9034200B2 (en) 2007-01-22 2015-05-19 Element Six Limited Technologies Limited Plasma etching of diamond surfaces
JP5142074B2 (ja) 2007-01-29 2013-02-13 住友電気工業株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ装置
US7776408B2 (en) 2007-02-14 2010-08-17 Rajneesh Bhandari Method and apparatus for producing single crystalline diamonds
US20100101728A1 (en) 2007-03-29 2010-04-29 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus
US20080303744A1 (en) 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system
US20100028556A1 (en) 2008-05-09 2010-02-04 Apollo Diamond Gemstone Corporation Chemical vapor deposition colored diamond
JP5261690B2 (ja) 2008-05-20 2013-08-14 貞雄 竹内 高強度ダイヤモンド膜工具
US8316797B2 (en) 2008-06-16 2012-11-27 Board of Trustees of Michigan State University Fraunhofer USA Microwave plasma reactors
WO2010004836A1 (ja) 2008-07-09 2010-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN102027575B (zh) 2008-08-22 2012-10-03 东京毅力科创株式会社 微波导入机构、微波等离子源以及微波等离子处理装置
JP2010159185A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 積層基板とその製造方法及びダイヤモンド膜とその製造方法
JP5222744B2 (ja) 2009-01-21 2013-06-26 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
US8747963B2 (en) 2009-01-23 2014-06-10 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for diamond film growth
US9637838B2 (en) * 2010-12-23 2017-05-02 Element Six Limited Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area
GB201021865D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Also Published As

Publication number Publication date
GB2486782B (en) 2014-03-19
KR101401691B1 (ko) 2014-05-29
US20140230729A1 (en) 2014-08-21
US20190318917A1 (en) 2019-10-17
US11488805B2 (en) 2022-11-01
EP2656372A1 (en) 2013-10-30
CA2821624A1 (en) 2012-06-28
MY166639A (en) 2018-07-17
RU2540399C1 (ru) 2015-02-10
JP2014506292A (ja) 2014-03-13
CA2821624C (en) 2016-01-26
KR20130126676A (ko) 2013-11-20
CN103339707A (zh) 2013-10-02
GB201021865D0 (en) 2011-02-02
EP2656372B1 (en) 2018-07-25
GB201121494D0 (en) 2012-01-25
WO2012084660A1 (en) 2012-06-28
US10403477B2 (en) 2019-09-03
SG191217A1 (en) 2013-07-31
GB2486782A (en) 2012-06-27
JP5746367B2 (ja) 2015-07-08
CN103339707B (zh) 2016-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013132691A (ru) Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала
RU2013132695A (ru) Микроволновые плазменные реакторы и подложки для производства синтетического алмаза
JP5525111B2 (ja) 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器
RU2016148886A (ru) Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала
WO2012084659A3 (en) A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
US11270869B2 (en) Plasma chemical vapor deposition reactor with a microwave resonant cavity
CN114438473B (zh) 一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置
CN103695867B (zh) 一种微波等离子体化学气相沉积装置
JP6037281B2 (ja) カーボンナノチューブ合成装置
CN106835070A (zh) 微波等离子体化学气相沉积金刚石反应装置
CN105013419B (zh) 用于减少有害物质的等离子体反应器
CN101673655A (zh) 一种用于沉积金刚石薄膜的微波等离子体谐振腔
CN107578975B (zh) 反应腔室及半导体加工设备
RU2686897C1 (ru) Устройство для получения порошка на основе карбида титана
CN203653691U (zh) 一种微波等离子体化学气相沉积装置
CN101770971B (zh) 晶圆承载装置
KR101538388B1 (ko) 디실란과 트리실란과 테트라실란의 제조를 위한 유전체 장벽 방전 반응장치
CN102339710B (zh) 一种磁控管
JP2016132812A (ja) 堆積膜形成装置
KR101071543B1 (ko) 표면조도를 이용한 플라즈마 제어가 가능한 기판처리장치