RU2010119943A - Удаление посторонних металлов из неорганических силанов - Google Patents

Удаление посторонних металлов из неорганических силанов Download PDF

Info

Publication number
RU2010119943A
RU2010119943A RU2010119943/05A RU2010119943A RU2010119943A RU 2010119943 A RU2010119943 A RU 2010119943A RU 2010119943/05 A RU2010119943/05 A RU 2010119943/05A RU 2010119943 A RU2010119943 A RU 2010119943A RU 2010119943 A RU2010119943 A RU 2010119943A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
foreign metal
content
foreign
silanes
silane
Prior art date
Application number
RU2010119943/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Хартвиг РАУЛЕДЕР (DE)
Хартвиг Рауледер
Эккехард МЮ (DE)
Эккехард Мю
Ярослав МОНКИВИЧ (DE)
Ярослав МОНКИВИЧ
Ханс Юрген ХЕНЭ (DE)
Ханс Юрген ХЕНЭ
Раймунд ЗОННЕНШАЙН (DE)
Раймунд Зонненшайн
Original Assignee
Эвоник Дегусса ГмБх (DE)
Эвоник Дегусса Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эвоник Дегусса ГмБх (DE), Эвоник Дегусса Гмбх filed Critical Эвоник Дегусса ГмБх (DE)
Publication of RU2010119943A publication Critical patent/RU2010119943A/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • C01B33/046Purification
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/10778Purification
    • C01B33/10784Purification by adsorption
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2253/00Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
    • B01D2253/10Inorganic adsorbents
    • B01D2253/106Silica or silicates
    • B01D2253/108Zeolites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/02Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)

Abstract

1. Способ обработки состава, содержащего неорганические силаны и по крайней мере один посторонний металл и/или включающего посторонний металл соединение, отличающийся тем, что состав вводят в контакт с не менее чем одним адсорбционным средством и получают состав, в котором снижено содержание постороннего металла и/или включающего посторонний металл соединения. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что неорганические силаны выбирают из галогенсиланов, гидридных галогенсиланов, гидридных органосиланов, гидридных силанов, из галогенсиланов, замещенных по крайней мере одним органическим остатком, и/или из гидридных галогенсиланов, замещенных по крайней мере одним органическим остатком, и/или из смесей этих силанов. ! 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что галогеном является хлор. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что неорганические силаны представляют собой мономеры, димеры, олигомеры и/или полимеры. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что включающее посторонний металл соединение выбирают из галогенидов металлов, гидридов металлов, из замещенных органическими остатками галогенидов металлов и/или из замещенных органическими остатками гидридов металлов. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура кипения включающего посторонний металл соединения лежит в пределах ±20°С по отношению к температуре кипения неорганического силана при нормальном давлении. ! 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что посторонний металл и/или включающее посторонний металл соединение представлены бором, алюминием, натрием, калием, литием, магнием, кальцием и/или железом. ! 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание постороннего м�

Claims (20)

1. Способ обработки состава, содержащего неорганические силаны и по крайней мере один посторонний металл и/или включающего посторонний металл соединение, отличающийся тем, что состав вводят в контакт с не менее чем одним адсорбционным средством и получают состав, в котором снижено содержание постороннего металла и/или включающего посторонний металл соединения.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что неорганические силаны выбирают из галогенсиланов, гидридных галогенсиланов, гидридных органосиланов, гидридных силанов, из галогенсиланов, замещенных по крайней мере одним органическим остатком, и/или из гидридных галогенсиланов, замещенных по крайней мере одним органическим остатком, и/или из смесей этих силанов.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что галогеном является хлор.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что неорганические силаны представляют собой мономеры, димеры, олигомеры и/или полимеры.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что включающее посторонний металл соединение выбирают из галогенидов металлов, гидридов металлов, из замещенных органическими остатками галогенидов металлов и/или из замещенных органическими остатками гидридов металлов.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура кипения включающего посторонний металл соединения лежит в пределах ±20°С по отношению к температуре кипения неорганического силана при нормальном давлении.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что посторонний металл и/или включающее посторонний металл соединение представлены бором, алюминием, натрием, калием, литием, магнием, кальцием и/или железом.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание постороннего металла и/или включающего посторонний металл соединения снижается на 50-99 мас.%.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание постороннего металла и/или содержание включающего посторонний металл соединения в каждом отдельном случае снижается до менее 100 мкг/кг.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что адсорбционное средство является гидрофильным и/или гидрофобным.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что адсорбционное средство выбирают из группы органических смол, активированных углей, силикатов и/или цеолитов.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что его реализуют в периодическом или в непрерывном режиме.
13. Способ по одному из пп.1-12, отличающийся тем, что по крайней мере один неорганический силан соответствует общей формуле I
Figure 00000001
где 1≤n≤5, 0≤a≤12, 0≤b≤12;
Х в силане в каждом отдельном случае независимо от других означает атом галогена и
R в силане в каждом отдельном случае независимо от других означает линейную, разветвленную и/или циклическую алкильную группу с числом атомов углерода от одного до шестнадцати или арильную группу.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что неорганический силан, у которого n=1, Х означает атом хлора, 0≤a≤3, 0≤b≤3 и a+b≤3, соответствует общей формуле
Figure 00000002
и
R означает линейную, разветвленную и/или циклическую алкильную группу с числом атомов углерода от одного до шестнадцати или означает арильную группу.
15. Способ по п.13, отличающийся тем, что силан представляет собой моносилан, монохлорсилан, дихлорсилан, трихлорсилан, тетрахлорсилан, метилтрихлорсилан, диметилдихлорсилан и/или триметилхлорсилан.
16. Состав, содержащий по крайней мере один неорганический силан общей формулы I
Figure 00000003
где 1≤n≤5, 0≤a≤12, 0≤b≤12;
Х в силане в каждом отдельном случае независимо от других означает атом галогена и
R в силане в каждом отдельном случае независимо от других означает линейную, разветвленную и/или циклическую алкильную группу с числом атомов углерода от одного до шестнадцати или арильную группу, отличающийся тем, что содержание постороннего металла и/или содержание включающего посторонний металл соединения в каждом отдельном случае не превышает 100 мкг/кг.
17. Состав по п.16, отличающийся тем, что неорганический силан, у которого n=1, Х означает атом хлора, 0≤a≤3, 0≤b≤3 и a+b≤3, соответствует общей формуле
Figure 00000004
и
R означает линейную, разветвленную и/или циклическую алкильную группу с числом атомов углерода от одного до шестнадцати или означает арильную группу.
18. Состав по п.16 или 17, отличающийся тем, что содержание постороннего металла и/или содержание включающего посторонний металл соединения в каждом отдельном случае составляет менее 25 мкг/кг.
19. Применение органической смолы, активированного угля, силиката и/или цеолита для снижения содержания по крайней мере одного постороннего металла и/или по крайней мере одного включающего посторонний металл соединения на составах, содержащих неорганические силаны.
20. Применение по п.19 для снижения содержания по крайней мере одного постороннего металла и/или по крайней мере одного включающего посторонний металл соединения на составах, содержащих неорганические силаны по одному из пп.16-18.
RU2010119943/05A 2007-10-20 2008-08-20 Удаление посторонних металлов из неорганических силанов RU2010119943A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007050199A DE102007050199A1 (de) 2007-10-20 2007-10-20 Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen
DE102007050199.6 2007-10-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010119943A true RU2010119943A (ru) 2011-11-27

Family

ID=40032410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010119943/05A RU2010119943A (ru) 2007-10-20 2008-08-20 Удаление посторонних металлов из неорганических силанов

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20100266489A1 (ru)
EP (1) EP2203384A1 (ru)
JP (1) JP2011500489A (ru)
KR (1) KR20100087106A (ru)
CN (1) CN101412513A (ru)
BR (1) BRPI0817668A2 (ru)
CA (1) CA2701771A1 (ru)
DE (1) DE102007050199A1 (ru)
RU (1) RU2010119943A (ru)
WO (1) WO2009049944A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2605126C1 (ru) * 2014-06-05 2016-12-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВПО ВГУ) Способ получения гидрофобизированного клиноптилолитового туфа

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004045245B4 (de) * 2004-09-17 2007-11-15 Degussa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE102005041137A1 (de) 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
DE102005046105B3 (de) * 2005-09-27 2007-04-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Monosilan
DE102006003464A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
DE102007007874A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane
DE102007059170A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Evonik Degussa Gmbh Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen
DE102008002537A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
JP5206185B2 (ja) * 2008-07-14 2013-06-12 東亞合成株式会社 高純度クロロポリシランの製造方法
DE102008054537A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-17 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration
DE102009027729A1 (de) 2009-07-15 2011-01-27 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen
DE102009027730A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-27 Evonik Degussa Gmbh Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen
KR101629061B1 (ko) * 2009-08-27 2016-06-09 덴카 주식회사 클로로실란의 정제 방법
DE102009053804B3 (de) 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen
DE102010002342A1 (de) 2010-02-25 2011-08-25 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren
CN101913610B (zh) * 2010-09-21 2012-07-25 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 去除三氯氢硅中硼杂质的方法
DE102011004058A1 (de) 2011-02-14 2012-08-16 Evonik Degussa Gmbh Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
WO2012167126A1 (en) 2011-06-03 2012-12-06 Purdue Research Foundation Ion generation using modified wetted porous materials
CN102701217A (zh) * 2012-06-19 2012-10-03 中国恩菲工程技术有限公司 一种二氯二氢硅除杂设备
CN102701216B (zh) * 2012-06-19 2015-06-03 中国恩菲工程技术有限公司 一种二氯二氢硅除杂方法
JP6069167B2 (ja) * 2013-10-23 2017-02-01 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの製造方法
CN103553058B (zh) * 2013-11-11 2015-07-22 新特能源股份有限公司 一种高纯精制三氯氢硅的生产工艺
DE102014203810A1 (de) * 2014-03-03 2015-09-03 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung reiner Octachlortrisilane und Decachlortetrasilane
DE102014013250B4 (de) * 2014-09-08 2021-11-25 Christian Bauch Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane
DE102014220539A1 (de) * 2014-10-09 2016-04-14 Wacker Chemie Ag Reinigung von Chlorsilanen mittels Destillation und Adsorption
US9786478B2 (en) 2014-12-05 2017-10-10 Purdue Research Foundation Zero voltage mass spectrometry probes and systems
JP6948266B2 (ja) 2015-02-06 2021-10-13 パーデュー・リサーチ・ファウンデーションPurdue Research Foundation プローブ、システム、カートリッジ、およびその使用方法
DE102016206090A1 (de) 2016-04-12 2017-10-12 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Abtrennung von Aluminiumchlorid aus Silanen
CN109553636B (zh) * 2017-09-27 2021-03-09 湖北兴瑞硅材料有限公司 一种有机硅氧烷混合环体除杂的方法
CN109179426A (zh) * 2018-11-19 2019-01-11 天津科技大学 一种反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法
CN109575065B (zh) * 2018-12-25 2023-05-16 金宏气体股份有限公司 一种高纯正硅酸乙酯的生产方法及生产系统
WO2021034526A1 (en) * 2019-08-22 2021-02-25 Dow Silicones Corporation Process for purifiying silicon compounds
CN114247180B (zh) * 2021-12-24 2023-07-04 亚洲硅业(青海)股份有限公司 一种含氧基团的活性炭在去除四氯化硅中的杂质的应用
CN116459788B (zh) * 2022-01-11 2024-09-17 烟台万华电子材料有限公司 一种乙硅烷提纯剂及其制备方法和应用
CN116924415B (zh) * 2023-06-26 2024-10-25 中化学华陆新材料有限公司 一种超高纯度石英砂的制备方法

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2877097A (en) * 1958-05-06 1959-03-10 Guenter A Wolff Method of purification of silicon compounds
DE2546957C3 (de) * 1975-10-20 1980-10-23 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Reinigung von Halogensilanen
IT1088820B (it) * 1977-12-05 1985-06-10 Smiel Spa Processo di purificazione di clorosilani impiegabili nella preparazione di silicio per elettronica
US4713230A (en) * 1982-09-29 1987-12-15 Dow Corning Corporation Purification of chlorosilanes
JPH0688772B2 (ja) * 1985-02-27 1994-11-09 昭和電工株式会社 ジクロロシランの精製法
US4786493A (en) * 1985-11-22 1988-11-22 Estee Lauder Inc. Hair protection composition
DE3711444A1 (de) * 1987-04-04 1988-10-13 Huels Troisdorf Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan
DE3744211C1 (de) * 1987-12-24 1989-04-13 Huels Troisdorf Verfahren zur Herstellung von Cyanopropylalkoxysilanen und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE3828549A1 (de) * 1988-08-23 1990-03-08 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen
JP2570409B2 (ja) * 1988-12-06 1997-01-08 三菱マテリアル株式会社 クロロポリシランの精製方法
DE3908791A1 (de) * 1989-03-17 1990-09-20 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur herstellung von siliciumorganischen verbindungen
DE4021869A1 (de) * 1990-07-09 1992-01-16 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur verhinderung von verfaerbungen in vinylacetoxysilanen
US5208359A (en) * 1990-07-09 1993-05-04 Huels Aktiengesellschaft Process for the preparation of di-tert.butoxydiacetoxysilane
DE4025866A1 (de) * 1990-08-16 1992-02-20 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur herstellung von mercaptosilanen
US5445742A (en) 1994-05-23 1995-08-29 Dow Corning Corporation Process for purifying halosilanes
EP0702017B1 (de) * 1994-09-14 2001-11-14 Degussa AG Verfahren zur Herstellung von chloridarmen bzw. chloridfreien aminofunktionellen Organosilanen
DE4434200C2 (de) * 1994-09-24 2002-06-27 Degussa Verfahren zur Herstellung von 3-Acryloxypropylalkoxysilanen
DE4435390C2 (de) * 1994-10-04 2001-07-26 Degussa Verfahren zur Herstellung von Aminopropylalkoxysilanen in Gegenwart von geformten polymeren Rhodiumkomplex-Katalysatoren und deren Verwendung
CA2161181A1 (en) * 1994-10-25 1996-04-26 Frank Kropfgans Process for the preparation of 3-halo- and -pseudohaloalkylsilane esters
DE4438032C2 (de) * 1994-10-25 2001-09-27 Degussa Verfahren zur Herstellung von Hydrogenalkoxysilanen
DE19516386A1 (de) * 1995-05-04 1996-11-07 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von an chlorfunktionellen Organosilanen armen bzw. freien aminofunktionellen Organosilanen
DE19520737C2 (de) * 1995-06-07 2003-04-24 Degussa Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen
US6168652B1 (en) * 1995-10-23 2001-01-02 Dow Corning Corporation Process for purifying halosilanes
DE19632157A1 (de) * 1996-08-09 1998-02-12 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von 3-Halogen-Propyl-Organosilanen
JP3965734B2 (ja) * 1997-09-11 2007-08-29 株式会社ニコン 石英ガラスおよびその製造方法
DE19644561C2 (de) * 1996-10-26 2003-10-16 Degussa Verfahren zur Herstellung von Fluoralkyl-Gruppen tragenden Silicium-organischen Verbindungen
DE19649027A1 (de) * 1996-11-27 1998-05-28 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von Organocarbonoyloxysilanen
DE19649028A1 (de) * 1996-11-27 1998-05-28 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Carbonoyloxysilanen
DE19649023A1 (de) * 1996-11-27 1998-05-28 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Entfernung von Restmengen an acidem Chlor in Carbonoyloxysilanen
TW436500B (en) * 1997-06-17 2001-05-28 Huels Chemische Werke Ag N-[ω-(methyl),ω-(silyl)]alkyl-N-organocarboxamides, oligomeric and polycondensed Si-containing compounds thereof, processes for their preparation, and their use
DE19746862A1 (de) * 1997-10-23 1999-04-29 Huels Chemische Werke Ag Vorrichtung und Verfahren für Probenahme und IR-spektroskopische Analyse von hochreinen, hygroskopischen Flüssigkeiten
DE19805083A1 (de) * 1998-02-09 1999-08-12 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von 3-Glycidyloxypropyltrialkoxysilanen
DE19821156B4 (de) * 1998-05-12 2006-04-06 Degussa Ag Verfahren zur Minderung von Resthalogengehalten und Farbzahlverbesserung in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen und die Verwendung von Aktivkohle dazu
DE19837010A1 (de) * 1998-08-14 2000-02-17 Degussa Verfahren zur Herstellung von Acetoxysilanen
DE19847786A1 (de) * 1998-10-16 2000-04-20 Degussa Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters
DE19849196A1 (de) * 1998-10-26 2000-04-27 Degussa Verfahren zur Neutralisation und Minderung von Resthalogengehalten in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen
EP0999215B1 (de) * 1998-11-06 2004-07-28 Degussa AG Verfahren zur Herstellung von Alkoxysilanen
EP0999214B1 (de) * 1998-11-06 2004-12-08 Degussa AG Verfahren zur Herstellung von chloridarmen oder chloridfreien Alkoxysilanen
DE19918115C2 (de) * 1999-04-22 2002-01-03 Degussa Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE19918114C2 (de) * 1999-04-22 2002-01-03 Degussa Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE19934576C2 (de) * 1999-07-23 2003-12-18 Degussa Verfahren zur Herstellung von Epoxysilanen
DE19954635A1 (de) * 1999-11-13 2001-05-17 Degussa Verfahren zur Herstellung von Alkoxysilanen
DE19963433A1 (de) * 1999-12-28 2001-07-12 Degussa Verfahren zur Abscheidung von Chlorsilanen aus Gasströmen
DE10057482A1 (de) * 2000-11-20 2002-05-23 Solarworld Ag Verfahren zur Reinigung von Trichlorsilan
DE10058620A1 (de) * 2000-11-25 2002-05-29 Degussa Verfahren zur Herstellung von Aminoalkylsilanen
DE10116007A1 (de) * 2001-03-30 2002-10-02 Degussa Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von im Wesentlichen halogenfreien Trialkoxysilanen
DE10126669A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-05 Degussa Verfahren zur Spaltung von cyclischen Organosilanen bei der Herstellung von aminofunktionellen Organoalkoxysilanen
EP1306381B1 (de) * 2001-10-10 2012-09-12 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur Hydrosilylierung ungesättigter aliphatischer Verbindungen
DE10243022A1 (de) * 2002-09-17 2004-03-25 Degussa Ag Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor
DE10330022A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-20 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Iow-k dielektrischen Filmen
DE10357091A1 (de) * 2003-12-06 2005-07-07 Degussa Ag Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung feinster Partikel aus der Gasphase
DE102004008442A1 (de) * 2004-02-19 2005-09-15 Degussa Ag Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips
DE102004010055A1 (de) * 2004-03-02 2005-09-22 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium
EP1761460A2 (en) * 2004-03-19 2007-03-14 Entegris, Inc. Method and apparatus for purifying inorganic halides and oxyhalides using zeolites
DE102004025766A1 (de) * 2004-05-26 2005-12-22 Degussa Ag Herstellung von Organosilanestern
DE102004027563A1 (de) * 2004-06-04 2005-12-22 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Silizium sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004037675A1 (de) * 2004-08-04 2006-03-16 Degussa Ag Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid
DE102004038718A1 (de) * 2004-08-10 2006-02-23 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reaktor sowie Verfahren zur Herstellung von Silizium
DE102004045245B4 (de) * 2004-09-17 2007-11-15 Degussa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen
WO2006094714A1 (de) * 2005-03-05 2006-09-14 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reaktor und verfahren zur herstellung von silizium
DE102005041137A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
DE102005046105B3 (de) * 2005-09-27 2007-04-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Monosilan
DE102006003464A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
DE102007023759A1 (de) * 2006-08-10 2008-02-14 Evonik Degussa Gmbh Anlage und Verfahren zur kontinuierlichen industriellen Herstellung von Fluoralkylchlorsilan
DE102007007874A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane
DE102007052325A1 (de) * 2007-03-29 2009-05-07 Erk Eckrohrkessel Gmbh Verfahren zum gleitenden Temperieren chemischer Substanzen mit definierten Ein- und Ausgangstemperaturen in einem Erhitzer und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102007048937A1 (de) * 2007-10-12 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen
DE102007059170A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Evonik Degussa Gmbh Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen
DE102009053804B3 (de) * 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2605126C1 (ru) * 2014-06-05 2016-12-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВПО ВГУ) Способ получения гидрофобизированного клиноптилолитового туфа

Also Published As

Publication number Publication date
CN101412513A (zh) 2009-04-22
JP2011500489A (ja) 2011-01-06
BRPI0817668A2 (pt) 2015-03-31
WO2009049944A1 (de) 2009-04-23
EP2203384A1 (de) 2010-07-07
DE102007050199A1 (de) 2009-04-23
CA2701771A1 (en) 2009-04-23
KR20100087106A (ko) 2010-08-03
US20100266489A1 (en) 2010-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010119943A (ru) Удаление посторонних металлов из неорганических силанов
JP2012511529A5 (ru)
JP5653427B2 (ja) 無機シランからの異種金属の除去
KR101037641B1 (ko) 통합 클로로실란 시스템 내에서 고비점 화합물의 재순환
JP5738289B2 (ja) ハロゲンシランを不均化するため及び異種金属を除去するための方法及びアミノ官能性樹脂の使用
JP5579078B2 (ja) ハロゲンシラン中の元素、例えばホウ素の含分を低減させるための装置及び方法
US9669400B2 (en) Method for purifying silane compound or chlorosilane compound, method for producing polycrystalline silicon, and method for regenerating weakly basic ion-exchange resin
JP2011514871A5 (ru)
CN114258396B (zh) 用于纯化硅化合物的方法
JP2005067979A (ja) クロロシラン類の精製方法
KR20170027824A (ko) 클로로실레인의 정제 방법
JP7301998B2 (ja) オルガノシランを変換する方法
JP2000159779A (ja) 濃アルキル・シルアルキレン含有残渣におけるシルアルキレンの再分配法
JP2004250317A (ja) クロロシラン類の精製方法
EP0474394B1 (en) Silane products from reaction of silicon monoxide with organic halides
KR102618387B1 (ko) 할로실란 함유 조성물내 보론 화합물의 함량을 감소시키는 방법
US5095131A (en) Metal assisted alkylation of silica
JP6743326B1 (ja) 精製クロロシラン類の製造方法
KR20100098725A (ko) 알킬 클로로실란의 직접 합성의 잔류물로부터의 알킬 클로로실란의 제조 방법