KR20100087106A - 무기 실란으로부터 이물 금속의 제거 - Google Patents

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에보니크 데구사 게엠베하
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Abstract

본 발명은 무기 실란 및 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물을 함유하는 조성물을 하나 이상의 흡착제와 접촉시켜, 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 감소된 조성물을 얻는, 상기 조성물의 처리 방법, 및 감소된 이물 금속 함량을 갖는 상응하는 조성물, 및 또한 무기 실란의 조성물 중 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 감소를 위한 유기 수지, 활성탄, 실리케이트, 및/또는 제올라이트의 용도에 관한 것이다.

Description

무기 실란으로부터 이물 금속의 제거 {REMOVAL OF FOREIGN METALS FROM INORGANIC SILANES}
본 발명은 무기 실란 및 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물을 함유하는 조성물을 하나 이상의 흡착제와 접촉시켜 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 감소된 조성물을 얻는, 상기 조성물을 처리하는 방법, 및 또한 감소된 이물 금속 함량을 갖는 상응하는 조성물, 및 또한 무기 실란의 조성물 중 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 양을 감소시키기 위한 유기 수지, 활성탄, 실리케이트 및/또는 제올라이트의 용도에 관한 것이다.
초소형 전자공학에서, 예를 들어 에피택시(epitaxy)에 의한 고순도 규소의 제조를 위해 사용되는 규소 화합물, 또는 질화규소 (SiN), 산화규소 (SiO), 산질화규소 (SiON), 산탄화규소 (SiOC) 또는 탄화규소 (SiC)는 이들의 순도에 대한 특히 높은 요구를 만족시켜야 한다. 이는 특히 이들 재료의 박층을 제조하는 경우에 해당된다. 칩 생산에서, 규소 화합물의 금속성 불순물에 의한 오염은 에피택시층, 예를 들어 에피택시 규소층의 바람직하지 못한 도핑을 초래한다.
예를 들어, 사염화규소 (SiCl4)의 사용은 광 도파로의 제조에 포함된다. 이들 적용을 위해, 매우 고순도의 SiCl4가 요구된다. 보다 특히, 금속성 및/또는 금속-기재의 불순물은, 이들이 단지 검출 한계 범위 내에 또는 약간의 ㎍/㎏ (= ppb) 양으로 존재한다 하더라도, 결정적인 단점이 된다. 할로실란 중 금속성 불순물은 댐핑값을 증가시켜 신호 전달을 감소시킴으로써, 광 도파로의 댐핑 거동에 부정적인 영향을 미친다.
또한, 고순도 HSiCl3는 실리콘 태양 전지의 생산에서 중요한 원료이다. 일반적으로, 고순도의 할로실란 및/또는 히드로할로실란은 전자공학, 반도체 산업의 분야에서, 또한 제약 산업에서 수요가 많은 출발 화합물이다.
예를 들어, 규소로부터 테트라클로로실란을 제조하는 공정의 결과로서, 규소에 존재하는 불순물은 통상적으로 염소화되고 이들의 일부는 후속 합성 단계로 비말 동반된다. 특히, 이들 염소화된 금속성 불순물은 전자공학의 분야에서의 구성요소의 제조에 부정적인 영향을 미친다.
EP 0 684 245 A2호에는 할로실란 중 탄화수소를 흡착제 상에 흡착시켜 탄화수소의 함량을 감소시키는 것이 기재되어 있다.
본 발명의 목적은 무기 실란 중 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량을 감소시키는 방법을 제공하는 것이다. 또한, 이 방법은 수행하기에 단순하고 저가이어야 한다. 본 발명의 추가 목적은 매우 낮은 이물 금속 함량 및/또는 매우 낮은 함량의, 이물 금속을 함유하는 화합물을 갖는 무기 실란을 제공하는 것이다.
이들 목적은 청구항의 정보에 따라 달성된다.
놀랍게도, 무기 실란 및 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물을 포함하는 조성물을 하나 이상의 흡착제, 특히 건조 흡착제와 접촉시킴으로써 처리하고 조성물을 얻음으로써, 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 상당히 감소된다는 것을 발견하였다.
따라서, 본 발명은 무기 실란 및 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물을 함유하는 조성물을 하나 이상의 흡착제, 특히 건조 흡착제와 접촉시켜, 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 하나 이상의 화합물의 함량이 감소된 조성물을 얻는, 상기 조성물을 처리하는 방법을 제공한다. 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량 (이는 일반적으로 증류에 의해 제거하기 어렵거나 임의의 다른 방법으로 제거될 수 없는 이물 금속 또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 잔류 함량임)은 특히 독립적으로, 각 경우에 100 ㎍/㎏ 미만, 특히 25 ㎍/㎏ 미만, 바람직하게는 15 ㎍/㎏ 미만, 보다 바람직하게는 10 ㎍/㎏ 미만의 범위 내의 함량으로 감소될 수 있다는 점이 특히 유리하다.
이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물은 일반적으로 당업계의 숙련자에게 그 자체로 알려진 정량적 분석 방법에 의해, 예를 들어 원자 흡수 분광법 (AAS) 또는 측광법에 의해, 특히 유도 결합 플라즈마 질량 분광법 (ICP-MS) 및 유도 결합 플라즈마 광학 방출 분광법 (ICP-OES) (단지 몇 가지 선택을 언급함)에 의해 측정할 수 있다.
무기 실란은 특히 할로실란, 히드로할로실란, 하나 이상의 유기 라디칼로 치환된 할로실란 및/또는 하나 이상의 유기 라디칼로 치환된 히드로할로실란, 및 또한 이들 실란의 혼합물을 의미하는 것으로 이해된다. 한 실시양태에서, 순수한 히드로실란이 또한 포함될 수 있다. 할로겐-함유 무기 실란에서, 각 할로겐이 다른 할로겐 원자와 독립적으로 불소, 염소, 브롬 및 요오드의 군으로부터 선택될 수 있으므로, 예를 들어 SiBrCl2F 또는 SiBr2ClF와 같은 혼합된 할로실란으로 존재하는 것도 가능하다.
무기 실란은 바람직하게는 염소 치환된, 우세하게는 단량체 실란, 예를 들어 테트라클로로실란, 트리클로로실란, 디클로로실란, 모노클로로실란, 메틸트리클로로실란, 트리클로로메틸실란, 트리메틸클로로실란, 디메틸디클로로실란, 페닐메틸디클로로실란, 페닐트리클로로실란, 비닐트리클로로실란, 디히드로디클로로실란을 포함한다. 그러나, 단량체 실란, 예컨대 테트라메틸실란, 트리메틸실란, 디메틸실란, 메틸실란, 모노실란 또는 유기히드로실란, 또는 그밖의 디실란, 트리실란, 테트라실란 및/또는 펜타실란 및 고급 동종 실란의 이물 금속 함량 또한 본 발명에 따른 방법에 의해 감소될 수 있다. 그러나, 상기 바람직한, 우세하게는 단량체인 화합물 이외에, 추가 이량체 화합물, 예컨대 헥사클로로디실란, 올리고머 화합물, 예컨대 옥타클로로트리실란, 데카클로로테트라실란, 및 고급 동종 할로폴리실란, 및 혼합된-수소화 할로겐화된 폴리실란, 예를 들어 펜타클로로히드로디실란 또는 테트라클로로디히드로디실란, 및 이들의 단량체, 선형, 분지형 및/또는 환형 올리고머 및/또는 중합체 무기 실란과의 혼합물의 이물 금속 함량을 상응하게 감소시킬 수 있다. 환형 올리고머 화합물은 SinX2n 유형의 화합물 (여기서 n > 3), 예컨대 Si5Cl10을 포함하고, 중합체 무기 화합물은 예를 들어, 할로폴리실란, 즉 폴리실리콘 할라이드 SinX2n +2 (여기서, n ≥ 5) 및/또는 폴리실리콘 히드로할라이드 SinHaX[(2n+2)-a] (여기서 n ≥ 2 및 0 ≤ a ≤ (2n+2)임)를 포함하고, 각 경우에서 X는 할로겐, 예컨대 F, Cl, Br, I, 특히 Cl이다.
이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물은 금속이 규소에 상응하지 않는 것으로 간주된다. 특히, 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 하나 이상의 화합물은 무기 실란을 함유하는 조성물로부터 선택적으로 흡착되고; 흡착은 상기 경우에 기체 상에서 또는 용액 중에서 수행할 수 있다. 이물 금속 또는 이물 금속을 함유하는 화합물은 또한 반금속 또는 반금속을 함유하는 화합물, 예를 들어 붕소 및 삼염화붕소를 의미하는 것으로 이해된다.
양이 감소되는 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물은 특히 금속 할라이드, 금속 히드로할라이드 및/또는 금속 수소화물 및 이들 화합물의 혼합물이다. 그러나, 유기 라디칼, 예컨대 알킬 또는 아릴 기에 의해 관능화된 금속 할라이드, 금속 히드로할라이드 또는 금속 수소화물 또한 무기 실란으로부터 매우 양호하게 제거될 수 있다. 이들의 예는 삼염화알루미늄 또는 그밖의 염화철(III), 및 또한 연속 공정으로부터 기인할 수 있는 비말 동반된 미립자 금속일 수 있다.
바람직하게는, 붕소, 알루미늄, 칼륨, 리튬, 나트륨, 마그네슘, 칼슘 및/또는 철의 함량이 감소될 수 있고; 보다 특히는, 이들 금속 기재의 화합물이 제거된다.
본 발명에 따른 방법은 특히 이물 금속을 함유하고 그의 비점이 무기 실란의 비점의 범위 내에 있거나 공비혼합물로서 함께 증류될 수 있는 화합물을 제거하거나 이의 양을 감소시키는 데에 적합하다. 이물 금속을 함유하는 이들 화합물의 일부는 전혀 제거될 수 없거나, 증류에 의해 제거될 수 있다 하더라도 이는 어렵다. 무기 실란 화합물의 비점의 범위 내의 비점은 표준 압력 (약 1013.25 hPa 또는 1013.25 mbar)에서의 무기 실란 중 하나의 비점 ±20℃ 범위 내의 비점으로 간주된다.
일반적으로, 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 양은 50 내지 99 중량％ 만큼 감소될 수 있다. 이물 금속 함량은 바람직하게는 70 내지 99 중량％, 보다 바람직하게는 85 내지 99 중량％ 만큼 감소된다. 철 함유 조성물에 대해, 본 발명의 방법은 잔류 함량을 95 내지 99 중량％ 만큼 감소시킬 수 있다. 일반적으로, 예를 들어, 무기 실란의 조성물 중 알루미늄 함량은 50 내지 99 중량％, 바람직하게는 85 내지 99 중량％ 만큼 감소될 수 있고, 붕소 함량은 70 중량％ 이상, 바람직하게는 95 내지 99.5 중량％ 만큼 감소될 수 있다.
조성물 중 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량은 바람직하게는 금속성 화합물과 관련하여, 특히는 서로 독립적으로, 각 경우에 100 ㎍/㎏ 미만, 특히는 25 ㎍/㎏ 미만, 바람직하게는 15 ㎍/㎏ 미만, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10 ㎍/㎏의 범위 내의 함량으로, 특정 검출 한계까지 감소될 수 있다.
상기 방법을 수행하기 위해, 적절하게는, 추가적으로 친수성 및/또는 소수성일 수 있는 무기 흡착제 또는 유기 흡착제를 사용할 수 있다. 어떤 이물 금속 또는 이물 금속을 함유하는 화합물이 제거되어야 하는지에 따라, 친수성 흡착제 및 소수성 흡착제의 혼합물 또는 두 기능을 모두 갖는 하나의 흡착제를 사용하는 것이 적절할 수 있다. 이 흡착제는 유기 수지, 활성탄, 실리케이트, 특히 실리카 겔, 및/또는 제올라이트의 군으로부터 선택될 수 있다. 바람직한 흡착제는 룀 하스(Roehm Haas) 사의 암베를라이트(Amberlite, 상표명) XAD-4 수지, 활성탄, 특히 노리트(Norit) 활성탄, 몬모릴로나이트, 특히 K 10 몬모릴로나이트, 제올라이트, 예컨대 베살리트(Wessalith) F 20, 및 또한 실리카 겔, 예컨대 퓸드(fumed) 실리카 또는 침강 실리카, 특히 그레이스 유형(Grace type) 432 실리카 겔 (550℃에서 압출됨) 또는 에어로실(Aerosil, 등록상표) 200이다.
일반적으로, 무기 실란을 함유하는 조성물의 본 발명의 처리는, 정제될 실란의 가수분해를 막기 위해 흡착제를 먼저 조심스럽게 건조시키는 방식으로 수행한다. 후속적으로, 건조된 흡착제를 보호성 기체 분위기 하에, 임의로는 교반하면서 조성물과 접촉시킨다. 처리는 적합하게는 실온 및 표준 압력에서 몇 시간에 걸쳐 수행한다. 조성물을 통상적으로 흡착제와 1분 내지 10시간 이하, 일반적으로 5시간 이하 동안 접촉시킨다. 정제된 조성물은 일반적으로 여과, 원심분리 또는 침강에 의해 얻어지거나 제거된다. 필요에 따라, 본 발명의 방법은 배치식이거나 연속식일 수 있다. 생성되는 무기 실란 기재의 조성물은 50 내지 99 중량％ 만큼 감소된 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량을 갖는다.
본 발명은 또한 상기 기재한 방법에 따라, 무기 실란 및 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물을 함유하는 조성물을 처리하는 방법을 제공하고, 여기서 하나 이상의 무기 실란은 하기 화학식 1에 상응한다.
Figure pct00001
식 중, 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12이고 상기 실란 중 각각의 X는 독립적으로 불소, 염소, 브롬 및 요오드의 군으로부터 선택되는 할로겐이고, 상기 실란 중 각각의 R기는 독립적으로 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기이다. 아릴기는 또한 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 또는 환형 알킬기를 갖는, 알킬-치환된 아릴을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 보다 바람직하게는, 하나 이상의 실란이 n = 1, X = 염소, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 및 a + b ≤ 3이고 R이 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기인, 화학식 1에 상응한다.
특히 바람직한 무기 실란은 n = 1 및 X = Cl인 염소-치환된 단량체 실란, 예를 들어 테트라클로로실란, 트리클로로실란, 트리클로로메틸실란, 트리메틸클로로실란, 디메틸디클로로실란, 페닐메틸디클로로실란, 페닐트리클로로실란, 비닐트리클로로실란, 디히드로디클로로실란, 디클로로실란, 모노클로로실란, 메틸트리클로로실란을 포함한다.
본 발명의 방법은 또한 우선적으로는 하기 화학식 1의 유형의 화합물을 함유하는 조성물의 처리에 적합하다.
<화학식 1>
Figure pct00002
식 중, n = 1, a = 4 또는 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 및 a + b ≤ 3이거나, n = 2, 0 ≤ a ≤ 4, 0 ≤ b ≤ 4 (이량체 화합물)이고, 상기 실란 중 각각의 X는 독립적으로 불소, 염소, 브롬 및 요오드의 군으로부터 선택되는 할로겐이고, 상기 실란 중 각각의 R기는 독립적으로 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기에 상응한다. 아릴기는 또한 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 또는 환형 알킬기를 갖는, 알킬-치환된 아릴을 의미하는 것으로 이해된다. 삼량체 선형 화합물에서, n = 3, 0 ≤ a ≤ 8, 0 ≤ b ≤ 8이며, 여기서 X 및 R의 치환 패턴은 상기 기재한 바와 같을 수 있다. 상응하게, 사량체 화합물에서의 치환 패턴은 n = 4, 0 ≤ a ≤ 10, 0 ≤ b ≤ 10이고, 오량체 선형 화합물에서는 n = 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12이고, 여기서 X 및 R의 치환 패턴은 상기 기재한 바와 같을 수 있고, 할로겐-치환된 화합물이 바람직하다.
상기 조성물 중 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량은 바람직하게는, 금속성 화합물과 관련하여, 특히는 독립적으로 각 경우에 100 ㎍/㎏ 미만, 특히는 25 ㎍/㎏ 미만, 바람직하게는 15 ㎍/㎏ 미만, 보다 바람직하게는 10 ㎍/㎏ 미만의 범위 내의 함량으로 감소될 수 있다.
상기 방법을 수행하기 위해, 이미 언급한 유기 또는 무기, 친수성 및/또는 소수성 흡착제를 사용할 수 있다.
본 발명은 또한 하기 화학식 1의 하나 이상의 무기 실란을 함유하는 조성물이며, 조성물의 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 특히 각 경우에 독립적으로 100 ㎍/㎏ 미만, 특히 25 ㎍/㎏ 미만, 바람직하게는 15 ㎍/㎏ 미만, 보다 바람직하게는 10 ㎍/㎏ 미만인 조성물에 관한 것이다.
<화학식 1>
Figure pct00003
식 중, 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12이고 상기 실란 중 각각의 X는 독립적으로 할로겐이고 상기 실란 중 각각의 R기는 독립적으로 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기이다. 이물 금속은 특히 붕소, 알루미늄, 철, 칼슘, 마그네슘, 칼륨 및/또는 리튬이다. 특히 바람직한 조성물은 n = 1, X = 염소, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 및 a + b ≤ 3이고, R이 특히 독립적으로, 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기에 상응하는, 하나 이상의 무기 실란을 함유한다.
본 발명은 또한 하기 화학식 1의 무기 실란을 함유하는 조성물로부터 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 하나 이상의 화합물의 함량을 감소시키기 위한 유기 수지, 활성탄, 실리케이트, 특히 실리카 겔, 및/또는 제올라이트의 용도를 제공한다.
<화학식 1>
Figure pct00004
식 중, 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12이고 상기 실란 중 각각의 X는 독립적으로 할로겐이고 상기 실란 중 각각의 R기는 독립적으로 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기이다. 상기 조성물은 바람직하게는 n = 1, X = 염소, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 및 a + b ≤ 3이고, R이 독립적으로 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기에 상응하는, 화학식 1의 화합물로부터 선택되는 무기 실란을 함유한다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 상세하게 설명된다.
실시예
실시예 1.1
흡착제의 예비처리:
흡착제는 정제될 실란의 가수분해를 막기 위해 공정에 사용하기 전에 조심스럽게 건조시켰다.
실시예 1.2
이물 금속 및/또는 금속성 화합물로 오염된 실란을 처리하는 일반적인 처리 방법:
한정된 양의 흡착제를 초기에, 응축기 (물, 드라이아이스), 적하 깔때기, 교반기, 온도계 및 질소 연결부가 장착된 유리 4구 플라스크를 포함하는 500 ml 교반형 장치에 충전하고, 감압 (< 1 mbar)하에 약 170℃에서 5시간에 걸쳐 건조시킨 후, 건조 질소 기체를 점차적으로 주입하고 냉각시켰다. 후속적으로, 250 ml의 정제될 실란을 적하 깔때기를 통해 첨가하였다. 5시간에 걸쳐, 표준 압력 하에 실온에서 보호성 기체 분위기 하에 흡착 작업을 수행하였다. 흡착제를 프릿 (por. 4)을 통해 배출 장치가 장착된 비어있는 500 ml 유리 플라스크로 이동시킴으로써 실란으로부터 흡착제를 제거하였다. 후속적으로, 유리 플라스크에 질소 기체를 주입하고 질소-퍼징된 쇼트(Schott) 유리병으로 배출시켰다.
실시예 1.3
하기 실시예는 일반적인 처리 방법에 따라 하기에 명시된 양으로 수행하였다.
119.97 g의 암베를라이트(상표명) XAD 4를 실시예 1.2에 기재한 일반적인 방법에 따라 예비처리하고, 250 ml의 트리클로로실란을 첨가하였다. 처리 전 및 처리 후의 금속 함량을 ICP-MS로 측정하였다.
[표 1.3]
처리 전 및 처리 후의 이물 금속 함량:
Figure pct00005
실시예 1.4
하기 실시예는 일반적인 처리 방법에 따라 하기에 명시된 양으로 수행하였다.
40.01 g의 K 10 몬모릴로나이트를 실시예 1.2에 일반적인 방법으로 기재한 바와 같이 예비처리하고 250 ml의 트리클로로실란을 첨가하였다. 처리 전 및 처리 후의 금속 함량을 ICP-MS로 측정하였다.
[표 1.4]
처리 전 및 처리 후의 이물 금속 함량:
Figure pct00006
실시예 1.5
하기 실시예는 일반적인 처리 방법에 따라 하기에 명시된 양으로 수행하였다.
20.17 g의 베살리트 F 20을 실시예 1.2에 일반적인 방법으로 기재한 바와 같이 예비처리하고 250 ml의 트리클로로실란을 첨가하였다. 처리 전 및 처리 후의 금속 함량을 ICP-MS로 측정하였다.
[표 1.5]
처리 전 및 처리 후의 이물 금속 함량:
Figure pct00007

Claims (20)

  1. 무기 실란 및 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물을 함유하는 조성물을 하나 이상의 흡착제와 접촉시켜 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 감소된 조성물을 얻는 것을 특징으로 하는, 상기 조성물의 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 무기 실란이 할로실란, 히드로할로실란, 유기히드로실란, 하나 이상의 유기 라디칼로 치환된 할로실란으로부터 형성된 히드로실란 및/또는 하나 이상의 유기 라디칼로 치환된 히드로할로실란으로부터 형성된 히드로실란 및/또는 이들 실란의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 할로겐이 염소인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 무기 실란이 단량체, 이량체, 올리고머 및/또는 중합체 형태인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 이물 금속을 함유하는 화합물이 금속 할라이드, 금속 수소화물, 유기 라디칼로 치환된 금속 할라이드 및/또는 유기 라디칼로 치환된 금속 수소화물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 이물 금속을 함유하는 화합물의 비점이 표준 압력에서의 무기 실란의 비점 ±20℃의 범위 내인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물이 붕소, 알루미늄, 나트륨, 칼륨, 리튬, 마그네슘, 칼슘 및/또는 철을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 50 내지 99 중량％ 만큼 감소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 각 경우에 100 ㎍/㎏ 미만으로 감소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 흡착제가 친수성 및/또는 소수성인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 흡착제가 유기 수지, 활성탄, 실리케이트 및/또는 제올라이트의 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 배치식으로 또는 연속식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 무기 실란이 하기 화학식 1에 상응하는 것을 특징으로 하는, 무기 실란 및 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물을 함유하는 조성물의 처리 방법.
    <화학식 1>
    Figure pct00008

    식 중, 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12이고 상기 실란 중 각각의 X는 독립적으로 할로겐이고 상기 실란 중 각각의 R기는 독립적으로 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기이다.
  14. 제13항에 있어서, 무기 실란이 n = 1, X = 염소, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 및 a + b ≤ 3이고, R이 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기에 상응하는 것인 하기 화학식 1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 방법.
    <화학식 1>
    Figure pct00009
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 실란이 모노실란, 모노클로로실란, 디클로로실란, 트리클로로실란, 테트라클로로실란, 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란 및/또는 트리메틸클로로실란인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 하기 화학식 1의 하나 이상의 무기 실란을 함유하는 조성물이며, 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 각 경우에 100 ㎍/㎏ 미만인 것을 특징으로 하는 조성물.
    <화학식 1>
    Figure pct00010

    식 중, 1 ≤ n ≤ 5, 0 ≤ a ≤ 12, 0 ≤ b ≤ 12이고, 상기 실란 중 각각의 X는 독립적으로 할로겐이고, 상기 실란 중 각각의 R기는 독립적으로 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기이다.
  17. 제16항에 있어서, 무기 실란이 n = 1, X = 염소, 0 ≤ a ≤ 3, 0 ≤ b ≤ 3 및 a + b ≤ 3이고, R이 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및/또는 환형 알킬기 또는 아릴기에 상응하는 것인 하기 화학식 1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 조성물.
    <화학식 1>
    Figure pct00011
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서, 이물 금속 함량 및/또는 이물 금속을 함유하는 화합물의 함량이 각 경우에 25 ㎍/㎏ 미만인 것을 특징으로 하는 조성물.
  19. 무기 실란을 함유하는 조성물로부터 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 하나 이상의 화합물의 함량을 감소시키기 위한 유기 수지, 활성탄, 실리케이트 및/또는 제올라이트의 용도.
  20. 제19항에 있어서, 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 무기 실란을 함유하는 조성물로부터 하나 이상의 이물 금속 및/또는 이물 금속을 함유하는 하나 이상의 화합물의 함량을 감소시키기 위한 용도.
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