KR970706916A - 초미립자 반도체 세척기(ultra-low particle semiconductor cleaner) - Google Patents

초미립자 반도체 세척기(ultra-low particle semiconductor cleaner)

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KR970706916A
KR970706916A KR1019970703216A KR19970703216A KR970706916A KR 970706916 A KR970706916 A KR 970706916A KR 1019970703216 A KR1019970703216 A KR 1019970703216A KR 19970703216 A KR19970703216 A KR 19970703216A KR 970706916 A KR970706916 A KR 970706916A
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부샨 아브헤이
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모힌드라 라즈
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Abstract

반도체 웨이퍼 세척 방법(400), 본 발명은 수용액에 웨이퍼를 침지(420)시키는 것을 포함한다. 상기 웨이퍼는 전면 후면 및 테두리를 가진다 상기 방법은 상기 물을 제거했을 때 부가적으로 전면 및 후면에 인접한 무입자 환경을 제공한다. 공급 단계(450)가 일어나는 동안 세척 강화 물질로 구성된 캐리어 가스를 공급하는 단계이다 세척 강화 물질은 전면 및 후면에 달라 붙어있는 액체를 도핑하고 달라 붙어있는 액체속에 있는 세척 강화 물질의 농도 비율이 웨이퍼상에 있는 상기 액체를 제거하는 유체의 흐름을 가속화 시킨다

Description

초미립자 반도체 세척기(ULTRA-SOW PARTICLE SEMICONDUCTOR CLEANER)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 세척 시스템 실시예에 관한 간략한 블록도, 제2도는 본 발명에 따른 용매 분사기에 관한 간략한 단면도, 제3도는 세척실 몸체에 대한 간략한 측면도, 제4도는 상기 세척실 몸체에 대한 간략한 정면도, 제5도는 본 발명에 따른 세척방법 실시예에 대한 간략한 흐름도, 제6도는 본 발명에 따른 고속 흐름장치에 대한 간략한 도면, 제6A도와 제6B도는 본 발명에 따른 노즐의 간략도 제7도와 제8도는 제6도에 대한 고속 흐름 장치의 간략한 유체 흐름도, 제9도는 본 발명에 따른 고속도 흐름 장치의 대체 실시예에 관한 간략도 제10A도와 제10B도는 본 발명에 따른 기판 캐리어 대체 장치에 관한 간략한 단면도.

Claims (48)

  1. 반도체 웨이퍼 세척 방법에 있어서 : 수용액 속에 전면, 후면, 및 테두리를 가진 웨이퍼를 침지시키는 단계와; 상기 액체를 제거하였을 때, 상기 전면 및 후면 근처에 실질적인 무입자 환경을 제공하는 단계와; 상기 무입자 환경 제공 단계가 이루어지는 동안 세척 강화 물질을 도입시키는 단계를 포함하고 상기 세척강화 물질은 상기 전면 및 후면에 달라붙은 액체를 도핑하여, 상기 달라붙은 액체 속에 있는 세척 강화 물질의 농도 변화도가 상기 웨이퍼의 달라붙은 액체를 분리하는 유체의 흐름을 가속시키는 반도체 웨이퍼 세척 방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 에지에 달라붙은 상기 액체를 제거하는 건조원을 상기 웨이퍼 부근으로 도입시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 무입자 환경 제공 단계는 상기 전면 및 후면에 달라 붙은 상기 액체의 얇은 경계층을 남기는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 경계층이 약1,000Å이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 경계층이 약 100Å이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법
  6. 제1항에 있어서, 상기 세척 강화 물질은 계면활성제 이소프로필 알코올 디-아세톤 알코올 헬륨 이산화탄소, 암모니아, 및1-메톡시-2-프로파놀로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  7. 제1항에 있어서 상기 도입 단계 동안의 상기 액체가 상기 전면 및 후면에서 입자들을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 입자는 직경이 약0.2 마이크론 보다 적은 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척방법.
  9. 제1항에 있어서 상기 액체는 직경이 약0.2 마이크론 보다 더 큰 입자를 실질적으로 갖지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  10. 제1항에 있어서 상기 세척 강화 물질은 캐리어 가스와 혼합되고 상기 캐리어 가스는 공기, 질소, 비활성 기체 및 아르곤으로 구성된 그룹에서 선택한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  11. 제1항에 있어서 상기 세척 강화 물질은 캐리어 가스와 혼합되고 상기 캐리어 가스는 상기 세척 강화물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  12. 제1항에 있어서 상기 웨이퍼는 수직 위치로부터 임의의 각도로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  13. 제12항에 있어서 상기 임의 각도는 약 15° 이하인 것을 특지으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  14. 제1항에 있어서 상기 웨이퍼는 상기 침지 단계 이전에 산화작용이 없는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 세척 방법.
  15. 제1항에 있어서 상기 웨이퍼는 최근에 에치된 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  16. 제1항에 있어서 상기 웨이퍼는 상기 무입자 환경 제공 단계와 상기 도입 단계인 동안 실질적으로 고정상태로 유지되고 상기 실질적인 고정상태의 웨이퍼는 기계적 움직임이 없는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 세척 강화 물질은 약 1,000ppm 이하인 농도 범위의 소량의 극성 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 세척 강화 물질이 약 500ppm 이하인 농도 범위의 소량의 극성 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  19. 제1항에 있어서, 상기 액체는 상기 전면에서 측정했을 때 약 5.0mm/sec,이하의 속도로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  20. 제1항에 있어서 상기 액체는 상기 전면에서 측정했을 때 약 0.25mm/sec 내지 5.0mm/sec 의 속도로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  21. 제1항에 있어서 상기 액체는 상기 전면에서 측정했을 때 약 0.5mm/sec 내지 2.5mm/sec 의 속도로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법.
  22. 반도체 웨이퍼 세척 장치에 있어서; 전면, 후면, 및 테두리를 가진 웨이퍼를 수용액 속에 담그도록 만들어진 용기와; 상기 용기에 작용적으로 결합되고 상기 액체를 제거했을 때 상기 전면과 후면 근처에 실질적인 무입자 환경을 제공하도록 구성된 제1제어 밸브와; 상기 용기에 작용적으로 결합되고 세척 강화 물질을 도입하도록 구성된 제2제어 밸브를 포함하며 상기 세척 강화 물질은 상기 전면과 후면에 달라붙은 액체를 도핑하여 상기 달라붙은 액체 속에 있는 세척 강화 물질의 농도 변화도가 상기 웨이퍼의 달라붙은 액체를 분리하는 유체의 흐름을 가속화 시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치.
  23. 제22항에 있어서 복수의 노즐과 연결되고 상기 복수의 노즐로부터 상기 부분 완성된 반도체 웨이퍼의 상기 에지로 건조 유체를 포함한 건조원을 도입시키도록 구성된 제어기를 추가로 포함하며 상기 노즐들은 상기 에지로부터 상기 액체를 제거하기 위하여 상기 건조 유체를 가속시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  24. 제22항에 있어서 상기 복수의 노즐은 제1노즐 세트와 제2노즐 세트를 포함하고 상기 제1노즐 세트는 제1선택된 시간동안 건조 유동체를 상기 테두리와 전면으로 보내도록 방향 설정되고 상기 제2노즐 세트는 제2선택된 시간동안 제2상기 테두리와 배면으로 건조 유동체를 보내도록 방향 설정된 것을 특징으로 .하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  25. 제23항에 있어서 상기 제2선택된 시간이 상기 제1선택된 시간보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  26. 제24항에 있어서 상기 제2선택된 시간이 상기 제1선택된 시간보다 2배 혹은 그 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  27. 제22항에 있어서 상기 액체는 직경이 약 0.2 마이크론 보다 더 큰 입자가 없는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  28. 제22항에 있어서 상기 세척 강화 물질은 캐리어 가스와 혼합되고 상기 캐리어 가스를 공기 비활성 기체 질소, 및 아르곤으로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치.
  29. 제28항에 있어서 상기 캐리어 가스는 약 75° 내지 약175°의 범위의 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  30. 제 22항에 있어서 상기 웨이퍼는 수직 위치로부터 임의의 각도로 배치된 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 세척 장치
  31. 제22항에 있어서, 상기 각도는 약 15° 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 방법
  32. 제22항에 있어서, 상기 웨이퍼는 실질적으로 산화작용이 없는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  33. 제22항에 있어서, 상기 웨이퍼는 최근에 에치된 웨이퍼인 것을 특징으로하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  34. 제22항에 있어서, 상기 웨이퍼는 실질적으로 고정상태인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  35. 제22항에 있어서, 상기 세척 강화 물질은 약 1,000ppm 이하 농도의 범위를 갖는 소량의 극성 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  36. 제22항에 있어서, 상기 세척 강화 물질은 약 500ppm 이하 농도의 범위를 갖는 소량의 극성 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  37. 제22항에 있어서, 상기 제1컨트롤 밸브는 상기 전면에서 측정했을 때 약 5.0mm/sec 의 선택된 속도로 상기 액체를 제거하도록 만들어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치
  38. 제22항에 있어서, 상기 컨트롤 밸브는 전면에서 측정했을 때 약 0.33mm/sec 내지 2.5mm/sec 의 선택된 속도로 상기 액체를 제거하도록 만들어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척 장치.
  39. 다수의 기판을 홀딩하는 장치에 있어서; 하위 기판 부분을 각각 지지하는 다수의 제1지지를 포함하는 하위 지지대와 ; 상위 기판부분을 각각 지지하는 다수의 제2리지를 포함하는 상위 지지대를 구비하고 ; 상기 하위 기판 부분과 상기 기판 부분은 기판위에 한정되며; 상기 제1리지와 제2리지는 상기 기판에서 액체를 뽑아 내는 것을 특징으로 하는 다수의 기판 홀딩 장치.
  40. 제39항에 있어서 중앙 기판 부분을 각각 지지하는 다수의 제3리지를 포함하는 중앙 지지대를 추가로 구비하고 상기 리지는 기판에서 액체를 뽑아내는 것을 특징으로 하는 다수의 기판 홀딩 장치.
  41. 제39항에 있어서 상기 제1리지와 제2리지는 각각 하위 중앙 부분과 상위 중앙 부분에서 만나는 비스듬히 잘린 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 기판 홀딩 장치.
  42. 제39항에 있어서 상기 하위 기판 부분은 상기 기판의 테두리인 것을 특징으로 하는 다수의 기판 홀딩 장치.
  43. 제39항에 있어서, 상기 상위 기판 부분은 상기 기판의 상기 테두리인 것을 특징으로 하는 다수의 기판 홀딩 장치
  44. 표면을 가지는 물체를 세척하고 건조시키는 방법에 있어서 면을 가진 물체를 수용액에 침지시키는 단계와 상기 면에 인접한 무입자 환경을 제공하는 단계와, 세척 강화 물질을 포함하는 캐리어 가스를 도입하고 상기 캐리어 가스를 상기 실질적인 무입자 환경과 혼합하는 단계를 포함하며 상기 세척 강화 물질은 상기면에 붙은 액체를 도핑하여 상기 붙어 있는 액체 속의 세척 강화 물질의 농도 변화도가 상기 물체에서 뽑아지는 상기 달라붙은 액체의 유체 흐름을 가속화시키도록 하는 것을 특징으로 하는 방법
  45. 제44 항에 있어서 상기 물체는 평판 디스플레이 디스크 드라이브 디스크 반도체 웨이퍼, 패턴화된 반도체 웨이퍼, 및 마스크된 반도체 웨이퍼로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
  46. 면을 가진 물체를 세척하고 건조시키는 방법에 있어서 면을 가진 물체를 약 0.5 마이크론 보다 더 큰 입자가 없는 액체내에 침지하는 단계와; 상기면에 인접한 약 0.5 마이크론 보다 더 큰 입자가 없는 실질적인 무입자 환경을 제공하는 단계를 포함하고 상기 실질적인 무입자 환경은 상기면에서 측정했을 때 약 2.5mm/sec 이하의 선택된 속도로 제공되어 상기면에서 제거되는 부착 액체의 유체 흐름을 가속화시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제46항에 있어서 상기 실질적인 무입자 환경은 약 0.1 마이크론 보다 더 큰 입자가 없는 것을 특징으로 하는 방법
  48. 제46항에 있어서 상기 액체는 약 0.1 마이크론 보다 더 큰 입자가 없는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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