JPH04151835A - 洗浄乾燥方法 - Google Patents
洗浄乾燥方法Info
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- JPH04151835A JPH04151835A JP14130890A JP14130890A JPH04151835A JP H04151835 A JPH04151835 A JP H04151835A JP 14130890 A JP14130890 A JP 14130890A JP 14130890 A JP14130890 A JP 14130890A JP H04151835 A JPH04151835 A JP H04151835A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、液晶用ガラス基板、眼鏡用プラスチックレン
ズ（例えばアリルジグリコールカーボネート製レンズ）
、半導体部品などの被洗浄物の洗浄乾燥に極めて好適な
洗浄乾燥方法に関する。
ズ（例えばアリルジグリコールカーボネート製レンズ）
、半導体部品などの被洗浄物の洗浄乾燥に極めて好適な
洗浄乾燥方法に関する。
［従来の技術］
液晶用ガラス基板、眼鏡用プラスチックレンズ、半導体
部品のように異物の付着を極度に嫌う被洗浄物の洗浄乾
燥（精密洗浄乾燥）方法としては、イオン交換水、有機
溶媒等による洗浄を行なった後、有機溶媒による蒸気乾
燥又は加温純水中から低速て引上げつつ自然乾燥する方
法が広く行なわれている。
部品のように異物の付着を極度に嫌う被洗浄物の洗浄乾
燥（精密洗浄乾燥）方法としては、イオン交換水、有機
溶媒等による洗浄を行なった後、有機溶媒による蒸気乾
燥又は加温純水中から低速て引上げつつ自然乾燥する方
法が広く行なわれている。
［発明が解決しようとする課題］
従来技術は次のような問題点を有する。
有機溶媒による蒸気乾燥方法では、溶剤を沸点まで加熱
するため、被洗浄物にヒートショックか発生したり、又
溶剤の大気中への逸散によるロスや公害問題が生じ、更
に又火災を発生し易い等の安全上の問題が生ずる難点が
ある。
するため、被洗浄物にヒートショックか発生したり、又
溶剤の大気中への逸散によるロスや公害問題が生じ、更
に又火災を発生し易い等の安全上の問題が生ずる難点が
ある。
純水から被洗浄物を引上げ自然乾燥すると、洗浄槽内の
微粒子か耐着し、良好な洗浄が行なわれず、洗浄不良を
生ずる。
微粒子か耐着し、良好な洗浄が行なわれず、洗浄不良を
生ずる。
又洗浄能力を高め、乾燥速度を高めるために加温水を用
いると、水中の溶存シリカ、溶存酸素の量にバラツキが
生じ、乾燥時にシミ（ウォーターマーク）が発生する。
いると、水中の溶存シリカ、溶存酸素の量にバラツキが
生じ、乾燥時にシミ（ウォーターマーク）が発生する。
被洗浄物の引上げ速度を小とすることにより、洗浄水の
耐着量を減少させることはできるか、水分の耐着量を零
とすることはできず、上記問題点を完全に解消すること
ばてきない。
耐着量を減少させることはできるか、水分の耐着量を零
とすることはできず、上記問題点を完全に解消すること
ばてきない。
又被洗浄物を自然乾燥する間に、雰囲気中の酸素が、被
洗浄物に耐着している水に溶解し、水中の溶存シリカと
反応してシミが発生する。
洗浄物に耐着している水に溶解し、水中の溶存シリカと
反応してシミが発生する。
本発明は、上述した従来未技術の問題点を解消し、良好
な精密洗浄乾燥方法を提供とすることを目的としてし）
る。
な精密洗浄乾燥方法を提供とすることを目的としてし）
る。
「課題を解決しようとするための手段］本発明において
は、上記目的を達成するために、比抵抗５ＭΩｃ１１１
以上、溶存シリカ（ＳｉＯ□）０． ｌｐｐｍ以下、溶
存酸素８ ｐｐｎ＋以下て且つ温度３０〜８０℃の超純
度温水中に被洗浄物を漬浸して洗浄した後、被洗浄物を
引上げ、クラス１００以下の雰囲気中で乾燥することに
より洗浄乾燥を行なう。
は、上記目的を達成するために、比抵抗５ＭΩｃ１１１
以上、溶存シリカ（ＳｉＯ□）０． ｌｐｐｍ以下、溶
存酸素８ ｐｐｎ＋以下て且つ温度３０〜８０℃の超純
度温水中に被洗浄物を漬浸して洗浄した後、被洗浄物を
引上げ、クラス１００以下の雰囲気中で乾燥することに
より洗浄乾燥を行なう。
又、乾燥を温風を吹き付けながら行ない、乾燥を減圧下
で行ない或は、乾燥を赤外線の照射下で行なう。
で行ない或は、乾燥を赤外線の照射下で行なう。
次に、本発明を更に具体的に説明する。
被洗浄物は好ましくは、界面活性剤を含む水て予備洗浄
し、ついて水道水で洗浄して後、本発明の方法で洗浄、
乾燥するのが好ましい。上記洗浄は超音波を与えながら
行なうのが好ましい。
し、ついて水道水で洗浄して後、本発明の方法で洗浄、
乾燥するのが好ましい。上記洗浄は超音波を与えながら
行なうのが好ましい。
本発明においては、２０℃における比抵抗５ＭΩｃｍ以
上、溶存シリカ（Ｓ１０２）０． ｌｐｐｍ以下、溶存
酸素８ ｐｐｍ以下て且つ温度３０〜８０℃の超純度温
水を使用する。
上、溶存シリカ（Ｓ１０２）０． ｌｐｐｍ以下、溶存
酸素８ ｐｐｍ以下て且つ温度３０〜８０℃の超純度温
水を使用する。
このような超純度水な使用することにより、加熱による
溶存シリカ、溶存酸素のバラツキを小とし、このバラツ
キに起因するシミの発生を防止する。
溶存シリカ、溶存酸素のバラツキを小とし、このバラツ
キに起因するシミの発生を防止する。
又、乾燥時における雰囲気中の酸素が被洗浄物表面に残
存する洗浄水中に溶解して溶存シリカと反応することに
よって生ずるシミの発生を防止する。
存する洗浄水中に溶解して溶存シリカと反応することに
よって生ずるシミの発生を防止する。
更に又洗浄水の温度を、３０〜８０℃とすることにより
洗浄水の洗浄能力を大として、被洗浄物を引上げた際の
水分の耐着量を減少させて乾燥を促進し、乾燥時のヒー
トショックを防止する。
洗浄水の洗浄能力を大として、被洗浄物を引上げた際の
水分の耐着量を減少させて乾燥を促進し、乾燥時のヒー
トショックを防止する。
そして、乾燥をクラス１００以下の雰囲気中で行なうこ
とにより、乾燥時の微粒子の耐着な防止する。
とにより、乾燥時の微粒子の耐着な防止する。
次に本発明の方法を添付図面について説明する。
超純水製造装置１で製造された、上述の特性を具備する
超純水を加熱装置２で所定の温度に加熱し、好ましくは
フィルター３て、超純水に混入することあるべき微粒子
を除去し、洗浄槽４へ供給する。
超純水を加熱装置２で所定の温度に加熱し、好ましくは
フィルター３て、超純水に混入することあるべき微粒子
を除去し、洗浄槽４へ供給する。
超純水の温度があまり低いと洗浄効果が不充分となり、
乾燥時間が大となり、又この温度かあまり高いと、乾燥
時にヒートショックを生じ易い。
乾燥時間が大となり、又この温度かあまり高いと、乾燥
時にヒートショックを生じ易い。
フィルターとしては０．１〜０．２ ＪＬの小孔を有す
るものか好適に使用できる。
るものか好適に使用できる。
被洗浄物５は、網製の容器６中に収容され、固定装置（
図示せず）を用いて支持されており、容器６は支持装置
（図示せず）により昇降自在に支持されている。
図示せず）を用いて支持されており、容器６は支持装置
（図示せず）により昇降自在に支持されている。
洗浄槽４にはポンプ７及びフィルター３と同様なフィル
ター８が設けられ、洗浄槽４内の超純水を循環すること
により、超純水の流速を大として、洗浄効率を大ならし
めている。なお、超純水製造装置から洗浄槽４に供給さ
れた超純水と同量の洗浄水は、図示のように洗浄水槽４
の上部からオーバーフローして廃棄される。所定時間洗
浄を行なった後、容器６を上昇させ、ファン９より供給
された空気を、加熱装置１０、フィルター１１を通すこ
とにより、空気中の微粒子をクラス１００以下となるよ
う除去するとともに、加熱して被洗浄物５に吹き付けて
乾燥する。
ター８が設けられ、洗浄槽４内の超純水を循環すること
により、超純水の流速を大として、洗浄効率を大ならし
めている。なお、超純水製造装置から洗浄槽４に供給さ
れた超純水と同量の洗浄水は、図示のように洗浄水槽４
の上部からオーバーフローして廃棄される。所定時間洗
浄を行なった後、容器６を上昇させ、ファン９より供給
された空気を、加熱装置１０、フィルター１１を通すこ
とにより、空気中の微粒子をクラス１００以下となるよ
う除去するとともに、加熱して被洗浄物５に吹き付けて
乾燥する。
又空気の温度は３０〜８０℃の範囲とし、又この温度と
洗浄水の温度との差は可及的小とするのが望ましい。空
気の温度があまり低いと乾燥時間が大となり、空気の温
度があまり高いと、被洗浄物が変形したり、ヒートショ
ックを生じ易い。空気の温度と洗浄水の温度差かあまり
大きいと被洗浄物にヒートショックを生し易い。
洗浄水の温度との差は可及的小とするのが望ましい。空
気の温度があまり低いと乾燥時間が大となり、空気の温
度があまり高いと、被洗浄物が変形したり、ヒートショ
ックを生じ易い。空気の温度と洗浄水の温度差かあまり
大きいと被洗浄物にヒートショックを生し易い。
第１図に示すように、被洗浄物にクラス１００以下の温
風を吹き付け、クラス１００以下の雰囲気中て乾燥する
代りに、第２図に示すように被洗浄物５を引上げてクラ
ス１００以下に保たれた減圧槽１２中に収容し、扉１３
を閉じ、ポンプ１４て排気することにより減圧槽の内部
を減圧に保ち、乾燥を行なうこともてきる。なお、減圧
の程度は０．３〜１ｔｏｒｒとするのが適当である。
風を吹き付け、クラス１００以下の雰囲気中て乾燥する
代りに、第２図に示すように被洗浄物５を引上げてクラ
ス１００以下に保たれた減圧槽１２中に収容し、扉１３
を閉じ、ポンプ１４て排気することにより減圧槽の内部
を減圧に保ち、乾燥を行なうこともてきる。なお、減圧
の程度は０．３〜１ｔｏｒｒとするのが適当である。
なお、乾燥を赤外線を照射して行なうこともてきる。
［作 用］
本発明においては、２０℃における比抵抗５ＭΩｃｍ以
上、溶存シリカ（Ｓｉｎ□） ０．ｌｐｐｍ以下、溶存
酸素８ ｐｐｍ以下で且つ温度３０〜８０℃の超純水を
使用する。このような、超純度水な使用することにより
、加熱による溶存シリカ、溶存酸素のバラツキを小とし
、このバラツキに起因するシミの発生を防止する。
上、溶存シリカ（Ｓｉｎ□） ０．ｌｐｐｍ以下、溶存
酸素８ ｐｐｍ以下で且つ温度３０〜８０℃の超純水を
使用する。このような、超純度水な使用することにより
、加熱による溶存シリカ、溶存酸素のバラツキを小とし
、このバラツキに起因するシミの発生を防止する。
又、乾燥時における雰囲気中の酸素か被洗浄物表面に残
存する洗浄水中に溶解して溶存シリカと反応することに
よって生ずるシミの発生を防止する。
存する洗浄水中に溶解して溶存シリカと反応することに
よって生ずるシミの発生を防止する。
更に又洗浄水の温度を、３０〜８０℃とすることにより
洗浄水の洗浄能力を大として、被洗浄物を引上げた際の
水分の耐着量を減少させ、乾燥を促進し、乾燥時のヒー
トショックを防止する。
洗浄水の洗浄能力を大として、被洗浄物を引上げた際の
水分の耐着量を減少させ、乾燥を促進し、乾燥時のヒー
トショックを防止する。
そして、乾燥をクラス１００以下の雰囲気中で行なうこ
とにより、乾燥時の微粒子の耐着な防止する。
とにより、乾燥時の微粒子の耐着な防止する。
［実施例］
５０ｍｍ口、厚み１ｍｍのガラス板を常法に従い、超音
波を与えながら界面活性剤を含む洗浄水て洗浄し、次い
て超音波を与えなから、水道水をオーバーフローさせな
がら洗浄した。
波を与えながら界面活性剤を含む洗浄水て洗浄し、次い
て超音波を与えなから、水道水をオーバーフローさせな
がら洗浄した。
上記ガラス板を比抵抗５Ｍ（０ｃｍ以上、溶存シリカ０
．Ｏ４ｐｐｍ 、溶存酸素８ｐｐｍ、温度７０℃の超純
水をオーバーフローさせつつ、洗浄槽内て洗浄し、１０
０、約８０６Ｃの温風を吹付けて乾燥した。
．Ｏ４ｐｐｍ 、溶存酸素８ｐｐｍ、温度７０℃の超純
水をオーバーフローさせつつ、洗浄槽内て洗浄し、１０
０、約８０６Ｃの温風を吹付けて乾燥した。
表面にシミ及び微粒子の耐着は全く見られなかった。
これに対し、比抵抗値２ＭΩｃｍ、溶存シリカ２ｐｐｍ
、溶存酸素１０ｐｐｍの純水を用いて実施例と同一条
件て洗浄を行ない、１０分間自然乾燥したものは表面に
数個程度のシミが発生し、又微粒子か付着した。
、溶存酸素１０ｐｐｍの純水を用いて実施例と同一条
件て洗浄を行ない、１０分間自然乾燥したものは表面に
数個程度のシミが発生し、又微粒子か付着した。
［発明の効果］
被洗浄物の表面にシミが発生することなく、又微粒子が
付着することもない。
付着することもない。
【図面の簡単な説明】
第１，２図は本発明の詳細な説明するための工程図であ
る。 図中１は超純水製造装置、２は加熱装置、３はフィルタ
ー、４は洗浄槽、５は被洗浄物、６は容器、７はポンプ
、８はフィルター、９はファン、１０は加熱装置、１１
はフィルター、１２は減圧槽、１３は扉、１４はポンプ
を示す。 手続補正書 （方式） ％式％ ｌ、事件の表示 平成２年 特許願 殿 第１４１３０８号 ２、発明の名称 洗浄乾燥方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都調布市柴＃２丁目１番地３名 称
島田理化工業株式会社 ４、代 理 人 住 所 （〒１０５）東京都港区虎ノ門１丁目１１番７
号平成２年８月２８日 ６、補正の対象 代理権を証明する書面及び図面 ７、補正の内容
る。 図中１は超純水製造装置、２は加熱装置、３はフィルタ
ー、４は洗浄槽、５は被洗浄物、６は容器、７はポンプ
、８はフィルター、９はファン、１０は加熱装置、１１
はフィルター、１２は減圧槽、１３は扉、１４はポンプ
を示す。 手続補正書 （方式） ％式％ ｌ、事件の表示 平成２年 特許願 殿 第１４１３０８号 ２、発明の名称 洗浄乾燥方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都調布市柴＃２丁目１番地３名 称
島田理化工業株式会社 ４、代 理 人 住 所 （〒１０５）東京都港区虎ノ門１丁目１１番７
号平成２年８月２８日 ６、補正の対象 代理権を証明する書面及び図面 ７、補正の内容
Claims (4)
- （１）比抵抗５ＭΩｃｍ以上、溶存シリカ（ＳｉＯ＿２
）０．１ｐｐｍ以下、溶存酸素８ｐｐｍ以下で且つ温度
３０〜８０℃の超純度温水中に被洗浄物を漬浸して洗浄
した後、被洗浄物を引上げ、クラス１００以下の雰囲気
中で乾燥する洗浄乾燥方法。 - （２）乾燥を温風を吹き付けながら行なう請求項１記載
の洗浄乾燥方法。 - （３）乾燥を減圧下で行なう請求項１記載の洗浄乾燥方
法。 - （４）乾燥を赤外線の照射下で行なう請求項１記載の洗
浄乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14130890A JPH04151835A (ja) | 1990-05-25 | 1990-06-01 | 洗浄乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13404390 | 1990-05-25 | ||
| JP2-134043 | 1990-05-25 | ||
| JP14130890A JPH04151835A (ja) | 1990-05-25 | 1990-06-01 | 洗浄乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04151835A true JPH04151835A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=26468229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14130890A Pending JPH04151835A (ja) | 1990-05-25 | 1990-06-01 | 洗浄乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04151835A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419351A (en) * | 1993-04-02 | 1995-05-30 | National Semiconductor Corporation | Final rinse/dry system for critical cleaning applications |
| EP0718872A1 (en) * | 1994-12-19 | 1996-06-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor substrate cleaning method |
| US5873947A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-23 | Yieldup International | Ultra-low particle disk cleaner |
| US6328809B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-12-11 | Scp Global Technologies, Inc. | Vapor drying system and method |
| US6910487B2 (en) * | 2000-06-27 | 2005-06-28 | Imec Vzw | Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate |
| CN108469407A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-31 | 中国石油大学(华东) | 一种检测表面洁净程度的装置及方法 |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP14130890A patent/JPH04151835A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5419351A (en) * | 1993-04-02 | 1995-05-30 | National Semiconductor Corporation | Final rinse/dry system for critical cleaning applications |
| US5776259A (en) * | 1993-04-02 | 1998-07-07 | National Semiconductor Corporation | Method for final rinse/dry for critical cleaning application |
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| CN1079579C (zh) * | 1994-12-19 | 2002-02-20 | 富士通株式会社 | 半导体衬底清洗方法与半导体器件制造方法 |
| US6328809B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-12-11 | Scp Global Technologies, Inc. | Vapor drying system and method |
| US6910487B2 (en) * | 2000-06-27 | 2005-06-28 | Imec Vzw | Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate |
| CN108469407A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-31 | 中国石油大学(华东) | 一种检测表面洁净程度的装置及方法 |
| CN108469407B (zh) * | 2018-03-16 | 2021-01-12 | 中国石油大学(华东) | 一种检测表面洁净程度的装置及方法 |
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