JPH0132173B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0132173B2 JPH0132173B2 JP56061191A JP6119181A JPH0132173B2 JP H0132173 B2 JPH0132173 B2 JP H0132173B2 JP 56061191 A JP56061191 A JP 56061191A JP 6119181 A JP6119181 A JP 6119181A JP H0132173 B2 JPH0132173 B2 JP H0132173B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- solution
- transparent conductive
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 10
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- -1 silicon hydroxide compound Chemical class 0.000 claims description 3
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 13
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- WNVQCJNZEDLILP-UHFFFAOYSA-N dimethyl(oxo)tin Chemical compound C[Sn](C)=O WNVQCJNZEDLILP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluorocyclohexane Chemical compound FC1(F)CCCCC1 ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229940035049 sorbitan monooleate Drugs 0.000 description 1
- 235000011069 sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001593 sorbitan monooleate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/27—Oxides by oxidation of a coating previously applied
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3447—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a halide
- C03C17/3452—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a halide comprising a fluoride
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/215—In2O3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/111—Deposition methods from solutions or suspensions by dipping, immersion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/322—Oxidation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
本発明は、ガラス基板上に透明導電膜を形成す
る方法に関するものである。 従来この種の方法として、インジウム錯体溶液
中にガラス基板を浸漬して引上げる方法が提案さ
れている。 しかしながら、従来行なわれているこの方法に
おいては、形成できる膜の比抵抗が高いため、
1000Å以上の厚さに塗布する必要があり、また、
基板のぬれ性が悪いために周囲がむら状になると
いう欠点を有している。更に、耐アルカリ性が劣
る等の問題もあり、実用化は行なわれていない現
状である。特に、１回塗りで形成する方法は、安
価であるという利点を有しているが、上述したよ
うな厚い膜を形成するためにはインジウム錯体溶
液の濃度を高くする必要があり、膜に亀裂を生じ
易く、作業がむずかしいという欠点を有してい
る。他方、多層塗りで形成する場合には、工程が
増えて繁雑となり、コスト的なメリツトが失われ
ることに加えて、品質、特に高湿度下での耐久寿
命に問題があつた。 本発明は、以上のような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、薄くかつ低抵抗で品質
の高い透明導電膜を安価に形成する方法を提供す
ることにある。 このような目的を達成するために、本発明によ
る透明導電膜の形成方法は、ガラス基板上に
SiO2膜を形成した上でぬれ性を良くするための
処理を施し、その上にインジウム錯体溶液を塗布
乾燥後、紫外線を照射した上で焼成するものであ
る。以下、工程を追つて本発明による透明導電膜
の形成方法を詳細に説明する。 先ず、ガラス基板上にSiO2膜を形成する。こ
のため、テトラクロルシランと無水酢酸とを反応
させて得たシランを更に酸又はアルカリを触媒と
して用いて加水分解し、得られた水酸化珪素化合
物を有機溶媒に溶解する。こうして得られた溶液
を、洗浄、乾燥したガラス基板に塗布する。次い
で焼成を行なつて、有機物を焼き飛ばすと同時に
SiO2膜を生成させる。 このようにSiO2膜形成処理を行なうのは、基
板ガラス中のアルカリが透明導電膜中に拡散する
のを防ぐためである。即ち、特に透明導電膜形成
の最後の焼成工程において、ガラス中に含まれる
例えばNa、Ｋ等のアルカリが透明導電膜中に拡
散する現象が生じ易く、この拡散が起こると、透
明導電膜の抵抗が極端に高くなる。この拡散を防
止するために必要なSiO2膜の膜厚は膜質によつ
て異なるが、最低でも800Å好ましくは1000Å程
度以上あることが望ましい。逆に、膜厚が2000Å
以上になると、膜質がもろくなつてクラツクが発
生し易くなることから、実用上はSiO2膜の膜厚
は2000Å以下にする必要がある。なお、焼成条件
によつてSiO2膜の膜質が異なつて来るが、標準
的な焼成条件は、500℃、30分以上である。この
ようにSiO2膜を形成することにより、基板に高
価な無アルカリガラスを用いなくても、アルカリ
による悪影響を避けることができる。 次に、このSiO2膜を設けた基板上にインジウ
ム錯体溶液を塗布するに先立ち、ぬれ性を良くす
るための処理を施す。 即ち、前述したように焼成したSiO2膜の表面
は液体によるぬれ性が極端に悪く、例えばアルコ
ールやアセトン等をもはじいてしまう。この原因
は必ずしも明確ではないが、一つには、焼成直後
のSiO2膜は非常に活性であり、表面エネルギの
小さな分子を容易に吸着するためではないかと考
えられる。その他に、SiO2膜表面層は焼成後も
完全なSiO2膜とはなつておらず、表面エネルギ
の小さい分子が優先的に支配していることも考え
られる。 このようなぬれ性を改善するために、SiO2膜
の表面層を削り取る処理を行なう。表面層を削る
方法としては、アルカリ水溶液に浸漬する方法、
フツ化アンモニウムもしくはフツ化水素の水溶液
に浸漬する方法、およびカーボンテトラフロライ
ド雰囲気中でプラズマ処理を行なう方法が有効で
ある。 この場合、第１のアルカリ水溶液に浸漬する方
法では、アルカリ濃度を高くする必要があり、か
つ酸水溶液に浸漬中和した上で水洗する後処理が
必要となる。単に水洗のみでは表面にアルカリが
残留するため、形成した透明導電膜の抵抗を高く
してしまう。 第２のフツ化アンモニウムもしくはフツ化水素
の水溶液中に浸漬する方法は、比較的低濃度の溶
液で、しかも短時間での処理が可能であるという
長所を有する。これらの水溶液のSiO2膜に対す
る作用は次のように考えられる。 SiO2＋4HF→SiF4＋2H2O この基本的なメカニズムは、フツ化水素酸の場
合にもフツ化アンモニウム水溶液の場合にも、ま
た、フツ化水素とフツ化アンモニウムとの混合水
溶液を用いた場合にも同様であるが、フツ化水素
の濃度を一定にするには、フツ化水素とフツ化ア
ンモニウムとを混合した系が、緩衝溶液となるこ
とから望ましい。 ここで、フツ化水素もしくはフツ化アンモニウ
ムの水溶液の濃度が高いほど、SiO2膜の浸食速
度は速くなるが、種々検討の結果、ぬれ性を良く
するために必要なSiO2膜の最低浸食深さは50Å
程度であり、これより少ない場合には、浸食が一
様でないためにぬれむらが出易い。ところで、前
述したように、SiO2膜の膜厚は、実用上2000Å
以下、1000Å以上であることが望ましい。従つ
て、フツ化水素もしくはフツ化アンモニウムまた
はこれらの混合水溶液の濃度は、0.001〜3wt％で
あることが望ましい。即ち、0.001wt％より低い
濃度では浸食速度が小さく、好適な浸食深さを得
るために300秒以上を要し、実用的でない。温度
を上げることにより、浸食速度を上げることは可
能であるが、実用上はフツ酸蒸気の発生の少ない
50℃以下にする必要があり、その場合には、昇温
による浸食程度の変化は殆んど見られない。他
方、３％より高い濃度とした場合には、浸漬時間
を５秒以下にする必要があり、実用上制御不能で
ある。即ち、浸漬後直ちに流水で洗浄できれば良
いが、実際にはそれは困難で、引上げた後数秒間
放置することになるためである。また、SiO2の
浸食量が大きいために溶液の濃度変化が激しくな
り、その面での管理も困難である。 第３のカーボンテトラフロライド雰囲気中でプ
ラズマ処理を行なう方法は、いわゆるドライプロ
セスであり、乾燥等の工程が不要であるために有
利な方法である。この場合、プラズマ処理を行な
う際の真空度は0.5〜２mmHg程度が望ましく、こ
の状態で30〜300秒行なうことにより、100〜1000
Å程度の膜厚浸食量が得られる。このカーボンテ
トラフロライド雰囲気中でのプラズマ処理の特徴
として、特に短時間浸食では表面が荒れる欠点を
有する。これは、浸食が一様に進行せず、弱い部
分から優先的に浸食されるためと推察されるが、
これにより、50Å程度の膜厚浸食量ではぬれ性を
十分に改良するには至らず、100Å程度の浸食が
必要である。 これらの他に、基板を単に80〜100℃の熱水で
処理する方法によつてもぬれ性を改善することが
可能であるが、２時間以上の浸漬を必要とし、量
産性の面で問題が残る。 なお、SiO2膜上にインジウム錯体溶液を塗布
する際のぬれ性を改善する目的は、インジウム錯
体溶液中に界面活性剤を添加する方法によつても
達成できる。しかし、この方法では、界面活性剤
の熱分解性の良否が極めて重要な要素となり、熱
分解残渣が透明導電膜中に残つた場合、その抵抗
が増大するという欠点を有している。例えば、界
面活性剤としてソルビタンモノオレートを0.1％
添加した系では抵抗が約１割高くなるという結果
が得られている。これに対し、本発明の基板自体
を処理する方法は、抵抗に対して上述したような
悪影響を及ぼすことがない。 このようにぬれ性を良くするための処理を施し
た基板を洗浄乾燥した後、インジウム錯体溶液を
浸漬塗布する。 これに用いるインジウム錯体溶液は、インジウ
ム、スズ、錯化合物、溶剤からなるものが有用で
あり、インジウム化合物としては硝酸塩が好適で
ある。また、スズ化合物としては、例えばヘキサ
アルキルジチン、ジメチルスズオキシド、オクチ
ル酸スズ等が有用である。錯化合物としては多塩
基性カルボン酸、多塩基性カルボン酸無水物等が
好適である。更に、溶剤としては、例えばアセト
ン、メチルエチルケトン等のケトン類、エタノー
ル、メタノール、エチレングリコールのようなア
ルコール類、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブのようなソルブ類等を用いることができる。 次いで、上述したインジウム錯体溶液の有機溶
剤を乾燥する。 この乾燥工程においては、乾燥雰囲気の湿度を
65％RH以下にすることが望ましい。即ち、この
湿度が65％RH以上になると、形成後の透明導電
膜の抵抗、硬度等の特性が極端に悪化する。これ
を解決する一方法としては、乾燥温度を高くする
ことが有効であるが、この温度が高過ぎると、膜
の耐アルカリ性、硬さ等に悪影響を及ぼすため、
350℃程度が限度である。この理由は次のように
考えられる。即ち、透明導電膜の抵抗、耐アルカ
リ性、硬さ、耐エツチング性等の特性は、いずれ
も含まれる不純物量に大きく影響される。ところ
が、有機溶剤乾燥時に温度を上げ過ぎると、イン
ジウム錯体溶液中に含まれる有機物、主として錯
化合物が炭化し、後述する紫外線照射および最終
的な焼成によつて分解されずに、不純物として残
つてしまう。従つて、有機物の炭化等、紫外線照
射で分解不可能な物質への変質が生じない温度で
乾燥を行なう必要がある。 有機溶剤乾燥後、紫外線を照射する。 前述したように、透明導電膜の膜特性を良好に
するためには、インジウム錯体溶液の有機物を如
何に除去するかが重要であるが、単に加熱するの
みでは、容易に熱分解を起こさない成分が残渣と
して残り、膜特性を悪化させる。この残渣分を減
少する方法として、焼成前に紫外線を照射するこ
とが極めて有効である。即ち、使用している有機
物中で、熱により分解し難い材料は、錯化合物で
あるカルボン酸類、無水カルボン酸類であるが、
これらの化合物は、紫外線を照射することによつ
て脱炭酸反応を起こす。従つて、引続き行なう焼
成処理による不純物の残りを大幅に減少させるこ
とが可能となる。この場合、上述した紫外線照射
の効果を有効に得るためには、紫外線の強度を
60mW／cm2以上にすることが望ましい。 次いで、焼成を行なう。 予め紫外線を照射して基板を励起してあるた
め、比較的低温の450℃、５分間程度の焼成でイ
ンジウム錯体溶液中の有機物を焼き飛ばすことが
可能である。標準的な焼成条件は、500℃、30分
程度である。 以下、具体例について説明する。 100×100×0.7mmのガラス基板を、界面活性剤
入りのアルカリ溶液（液温40℃）に５分間浸漬し
た後、超音波洗浄を行ない、更に流水で５分間す
すぎ洗いする。次いで50℃の温水に５分間浸漬
し、次にイソプロピルアルコールに浸漬して脱水
処理を行ない、更に液状のフレオン（液温42℃）
に浸漬した後、フレオン蒸気で乾燥を行なう。こ
の基板を、テトラクロルシランと無水酢酸との反
応で得られた水酸化珪素化合物をアセトン、メチ
ルエチルケトン、酢酸メチルの１：１：１溶液に
8wt％溶解した液中に浸漬して引上げ、薄膜を形
成する。これを室温に５分間放置して乾燥した
後、500℃で30分間加熱し、有機物を焼き飛ばす
と同時にSiO2膜を形成する。 次いで、インジウム錯体溶液に対するぬれ性を
良くするために、各基板にそれぞれ下の表のNo.２
〜11に示す処理を施した。なお、同表中No.１に示
す試料は、比較のために、ぬれ性を改善するため
の処理を全く行なわなかつたものである。
る方法に関するものである。 従来この種の方法として、インジウム錯体溶液
中にガラス基板を浸漬して引上げる方法が提案さ
れている。 しかしながら、従来行なわれているこの方法に
おいては、形成できる膜の比抵抗が高いため、
1000Å以上の厚さに塗布する必要があり、また、
基板のぬれ性が悪いために周囲がむら状になると
いう欠点を有している。更に、耐アルカリ性が劣
る等の問題もあり、実用化は行なわれていない現
状である。特に、１回塗りで形成する方法は、安
価であるという利点を有しているが、上述したよ
うな厚い膜を形成するためにはインジウム錯体溶
液の濃度を高くする必要があり、膜に亀裂を生じ
易く、作業がむずかしいという欠点を有してい
る。他方、多層塗りで形成する場合には、工程が
増えて繁雑となり、コスト的なメリツトが失われ
ることに加えて、品質、特に高湿度下での耐久寿
命に問題があつた。 本発明は、以上のような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、薄くかつ低抵抗で品質
の高い透明導電膜を安価に形成する方法を提供す
ることにある。 このような目的を達成するために、本発明によ
る透明導電膜の形成方法は、ガラス基板上に
SiO2膜を形成した上でぬれ性を良くするための
処理を施し、その上にインジウム錯体溶液を塗布
乾燥後、紫外線を照射した上で焼成するものであ
る。以下、工程を追つて本発明による透明導電膜
の形成方法を詳細に説明する。 先ず、ガラス基板上にSiO2膜を形成する。こ
のため、テトラクロルシランと無水酢酸とを反応
させて得たシランを更に酸又はアルカリを触媒と
して用いて加水分解し、得られた水酸化珪素化合
物を有機溶媒に溶解する。こうして得られた溶液
を、洗浄、乾燥したガラス基板に塗布する。次い
で焼成を行なつて、有機物を焼き飛ばすと同時に
SiO2膜を生成させる。 このようにSiO2膜形成処理を行なうのは、基
板ガラス中のアルカリが透明導電膜中に拡散する
のを防ぐためである。即ち、特に透明導電膜形成
の最後の焼成工程において、ガラス中に含まれる
例えばNa、Ｋ等のアルカリが透明導電膜中に拡
散する現象が生じ易く、この拡散が起こると、透
明導電膜の抵抗が極端に高くなる。この拡散を防
止するために必要なSiO2膜の膜厚は膜質によつ
て異なるが、最低でも800Å好ましくは1000Å程
度以上あることが望ましい。逆に、膜厚が2000Å
以上になると、膜質がもろくなつてクラツクが発
生し易くなることから、実用上はSiO2膜の膜厚
は2000Å以下にする必要がある。なお、焼成条件
によつてSiO2膜の膜質が異なつて来るが、標準
的な焼成条件は、500℃、30分以上である。この
ようにSiO2膜を形成することにより、基板に高
価な無アルカリガラスを用いなくても、アルカリ
による悪影響を避けることができる。 次に、このSiO2膜を設けた基板上にインジウ
ム錯体溶液を塗布するに先立ち、ぬれ性を良くす
るための処理を施す。 即ち、前述したように焼成したSiO2膜の表面
は液体によるぬれ性が極端に悪く、例えばアルコ
ールやアセトン等をもはじいてしまう。この原因
は必ずしも明確ではないが、一つには、焼成直後
のSiO2膜は非常に活性であり、表面エネルギの
小さな分子を容易に吸着するためではないかと考
えられる。その他に、SiO2膜表面層は焼成後も
完全なSiO2膜とはなつておらず、表面エネルギ
の小さい分子が優先的に支配していることも考え
られる。 このようなぬれ性を改善するために、SiO2膜
の表面層を削り取る処理を行なう。表面層を削る
方法としては、アルカリ水溶液に浸漬する方法、
フツ化アンモニウムもしくはフツ化水素の水溶液
に浸漬する方法、およびカーボンテトラフロライ
ド雰囲気中でプラズマ処理を行なう方法が有効で
ある。 この場合、第１のアルカリ水溶液に浸漬する方
法では、アルカリ濃度を高くする必要があり、か
つ酸水溶液に浸漬中和した上で水洗する後処理が
必要となる。単に水洗のみでは表面にアルカリが
残留するため、形成した透明導電膜の抵抗を高く
してしまう。 第２のフツ化アンモニウムもしくはフツ化水素
の水溶液中に浸漬する方法は、比較的低濃度の溶
液で、しかも短時間での処理が可能であるという
長所を有する。これらの水溶液のSiO2膜に対す
る作用は次のように考えられる。 SiO2＋4HF→SiF4＋2H2O この基本的なメカニズムは、フツ化水素酸の場
合にもフツ化アンモニウム水溶液の場合にも、ま
た、フツ化水素とフツ化アンモニウムとの混合水
溶液を用いた場合にも同様であるが、フツ化水素
の濃度を一定にするには、フツ化水素とフツ化ア
ンモニウムとを混合した系が、緩衝溶液となるこ
とから望ましい。 ここで、フツ化水素もしくはフツ化アンモニウ
ムの水溶液の濃度が高いほど、SiO2膜の浸食速
度は速くなるが、種々検討の結果、ぬれ性を良く
するために必要なSiO2膜の最低浸食深さは50Å
程度であり、これより少ない場合には、浸食が一
様でないためにぬれむらが出易い。ところで、前
述したように、SiO2膜の膜厚は、実用上2000Å
以下、1000Å以上であることが望ましい。従つ
て、フツ化水素もしくはフツ化アンモニウムまた
はこれらの混合水溶液の濃度は、0.001〜3wt％で
あることが望ましい。即ち、0.001wt％より低い
濃度では浸食速度が小さく、好適な浸食深さを得
るために300秒以上を要し、実用的でない。温度
を上げることにより、浸食速度を上げることは可
能であるが、実用上はフツ酸蒸気の発生の少ない
50℃以下にする必要があり、その場合には、昇温
による浸食程度の変化は殆んど見られない。他
方、３％より高い濃度とした場合には、浸漬時間
を５秒以下にする必要があり、実用上制御不能で
ある。即ち、浸漬後直ちに流水で洗浄できれば良
いが、実際にはそれは困難で、引上げた後数秒間
放置することになるためである。また、SiO2の
浸食量が大きいために溶液の濃度変化が激しくな
り、その面での管理も困難である。 第３のカーボンテトラフロライド雰囲気中でプ
ラズマ処理を行なう方法は、いわゆるドライプロ
セスであり、乾燥等の工程が不要であるために有
利な方法である。この場合、プラズマ処理を行な
う際の真空度は0.5〜２mmHg程度が望ましく、こ
の状態で30〜300秒行なうことにより、100〜1000
Å程度の膜厚浸食量が得られる。このカーボンテ
トラフロライド雰囲気中でのプラズマ処理の特徴
として、特に短時間浸食では表面が荒れる欠点を
有する。これは、浸食が一様に進行せず、弱い部
分から優先的に浸食されるためと推察されるが、
これにより、50Å程度の膜厚浸食量ではぬれ性を
十分に改良するには至らず、100Å程度の浸食が
必要である。 これらの他に、基板を単に80〜100℃の熱水で
処理する方法によつてもぬれ性を改善することが
可能であるが、２時間以上の浸漬を必要とし、量
産性の面で問題が残る。 なお、SiO2膜上にインジウム錯体溶液を塗布
する際のぬれ性を改善する目的は、インジウム錯
体溶液中に界面活性剤を添加する方法によつても
達成できる。しかし、この方法では、界面活性剤
の熱分解性の良否が極めて重要な要素となり、熱
分解残渣が透明導電膜中に残つた場合、その抵抗
が増大するという欠点を有している。例えば、界
面活性剤としてソルビタンモノオレートを0.1％
添加した系では抵抗が約１割高くなるという結果
が得られている。これに対し、本発明の基板自体
を処理する方法は、抵抗に対して上述したような
悪影響を及ぼすことがない。 このようにぬれ性を良くするための処理を施し
た基板を洗浄乾燥した後、インジウム錯体溶液を
浸漬塗布する。 これに用いるインジウム錯体溶液は、インジウ
ム、スズ、錯化合物、溶剤からなるものが有用で
あり、インジウム化合物としては硝酸塩が好適で
ある。また、スズ化合物としては、例えばヘキサ
アルキルジチン、ジメチルスズオキシド、オクチ
ル酸スズ等が有用である。錯化合物としては多塩
基性カルボン酸、多塩基性カルボン酸無水物等が
好適である。更に、溶剤としては、例えばアセト
ン、メチルエチルケトン等のケトン類、エタノー
ル、メタノール、エチレングリコールのようなア
ルコール類、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブのようなソルブ類等を用いることができる。 次いで、上述したインジウム錯体溶液の有機溶
剤を乾燥する。 この乾燥工程においては、乾燥雰囲気の湿度を
65％RH以下にすることが望ましい。即ち、この
湿度が65％RH以上になると、形成後の透明導電
膜の抵抗、硬度等の特性が極端に悪化する。これ
を解決する一方法としては、乾燥温度を高くする
ことが有効であるが、この温度が高過ぎると、膜
の耐アルカリ性、硬さ等に悪影響を及ぼすため、
350℃程度が限度である。この理由は次のように
考えられる。即ち、透明導電膜の抵抗、耐アルカ
リ性、硬さ、耐エツチング性等の特性は、いずれ
も含まれる不純物量に大きく影響される。ところ
が、有機溶剤乾燥時に温度を上げ過ぎると、イン
ジウム錯体溶液中に含まれる有機物、主として錯
化合物が炭化し、後述する紫外線照射および最終
的な焼成によつて分解されずに、不純物として残
つてしまう。従つて、有機物の炭化等、紫外線照
射で分解不可能な物質への変質が生じない温度で
乾燥を行なう必要がある。 有機溶剤乾燥後、紫外線を照射する。 前述したように、透明導電膜の膜特性を良好に
するためには、インジウム錯体溶液の有機物を如
何に除去するかが重要であるが、単に加熱するの
みでは、容易に熱分解を起こさない成分が残渣と
して残り、膜特性を悪化させる。この残渣分を減
少する方法として、焼成前に紫外線を照射するこ
とが極めて有効である。即ち、使用している有機
物中で、熱により分解し難い材料は、錯化合物で
あるカルボン酸類、無水カルボン酸類であるが、
これらの化合物は、紫外線を照射することによつ
て脱炭酸反応を起こす。従つて、引続き行なう焼
成処理による不純物の残りを大幅に減少させるこ
とが可能となる。この場合、上述した紫外線照射
の効果を有効に得るためには、紫外線の強度を
60mW／cm2以上にすることが望ましい。 次いで、焼成を行なう。 予め紫外線を照射して基板を励起してあるた
め、比較的低温の450℃、５分間程度の焼成でイ
ンジウム錯体溶液中の有機物を焼き飛ばすことが
可能である。標準的な焼成条件は、500℃、30分
程度である。 以下、具体例について説明する。 100×100×0.7mmのガラス基板を、界面活性剤
入りのアルカリ溶液（液温40℃）に５分間浸漬し
た後、超音波洗浄を行ない、更に流水で５分間す
すぎ洗いする。次いで50℃の温水に５分間浸漬
し、次にイソプロピルアルコールに浸漬して脱水
処理を行ない、更に液状のフレオン（液温42℃）
に浸漬した後、フレオン蒸気で乾燥を行なう。こ
の基板を、テトラクロルシランと無水酢酸との反
応で得られた水酸化珪素化合物をアセトン、メチ
ルエチルケトン、酢酸メチルの１：１：１溶液に
8wt％溶解した液中に浸漬して引上げ、薄膜を形
成する。これを室温に５分間放置して乾燥した
後、500℃で30分間加熱し、有機物を焼き飛ばす
と同時にSiO2膜を形成する。 次いで、インジウム錯体溶液に対するぬれ性を
良くするために、各基板にそれぞれ下の表のNo.２
〜11に示す処理を施した。なお、同表中No.１に示
す試料は、比較のために、ぬれ性を改善するため
の処理を全く行なわなかつたものである。
【表】
次に、これらの基板を洗浄乾燥した後、インジ
ウム錯体溶液を塗布した。このインジウム錯体溶
液の組成は、硝酸インジウム7.5ｇ、ジメチルス
ズオキサイド0.5ｇ、シトラコン酸1.0ｇ、硝酸0.5
ｇ、エタノール86ｇ、エチレングリコール4.5ｇ
であり、塗布はスビンナにより600rpmで行なつ
た。なお、膜厚は、焼成後で400±50Åであつた。 次いで、これらの基板を200℃30分間加熱し、
有機溶剤を乾燥した後、400℃に保温しながら
100mW／cm2の紫外線を１分間照射し、最後に500
℃で30分間焼成して透明導電膜を形成した。 このようにして形成した透明導電膜について、
ぬれ処理と膜特性との関係を調べた結果を、前記
の表に示す。同表において、ぬれ性、抵抗、耐ア
ルカリ性の各膜特性について、良好なものから〇
−△−×の順に３段階で表示した。同表から明ら
かなように、無処理のもの（No.１）に対して、ぬ
れ処理を施した基板を用いた場合には、処理条件
を適当に設定することにより、極めて良好な特性
を有する透明導電膜を形成することが可能であ
る。 また、同表No.６で示したぬれ処理を行なつた基
板について、インジウム錯体溶液塗布後の乾燥温
度を種々に変えた結果、形成された透明導電膜の
膜特性は第１図に示すように変化した。同図にお
いてイは温度と抵抗との関係を示し、同図におい
てロは温度と耐アルカリ性との関係を示す。ここ
で、抵抗は４探針抵抗測定機（国際電機社製）で
測定した表面抵抗で示した。また、耐アルカリ性
は、基板を55±２℃の5wt％苛性ソーダ水溶液中
に浸漬し、膜が剥れるまでの所要時間で表わし
た。 更に、このNo.６のぬれ処理を行なつた基板につ
いて、上記乾燥工程時の相対湿度を種々に変えた
結果、形成された透明導電膜の膜特性は第２図お
よび第３図に示すように変化した。ここで硬さ
は、市販の消しゴム（ひので印No.502）でラピン
グして傷の有無を調べ、より良好なものから順に
〇−□−△−×で表わした。 これらの結果から、より良好な透明導電膜を得
るためには、紫外線照射前の有機溶剤の乾燥工程
における雰囲気の設定が極めて重要であることが
分る。 以上説明したように、本発明による透明導電膜
の形成方法によれば、ガラス基板上にSiO2膜を
形成し、ぬれ処理を施した上でインジウム錯体溶
液を塗布乾燥し、その後紫外線を照射した上で焼
成することにより、薄くて低抵抗の品質の高い膜
と、浸漬法等の塗布法を用いて安価に形成するこ
とが可能になるという優れた効果を有する。
ウム錯体溶液を塗布した。このインジウム錯体溶
液の組成は、硝酸インジウム7.5ｇ、ジメチルス
ズオキサイド0.5ｇ、シトラコン酸1.0ｇ、硝酸0.5
ｇ、エタノール86ｇ、エチレングリコール4.5ｇ
であり、塗布はスビンナにより600rpmで行なつ
た。なお、膜厚は、焼成後で400±50Åであつた。 次いで、これらの基板を200℃30分間加熱し、
有機溶剤を乾燥した後、400℃に保温しながら
100mW／cm2の紫外線を１分間照射し、最後に500
℃で30分間焼成して透明導電膜を形成した。 このようにして形成した透明導電膜について、
ぬれ処理と膜特性との関係を調べた結果を、前記
の表に示す。同表において、ぬれ性、抵抗、耐ア
ルカリ性の各膜特性について、良好なものから〇
−△−×の順に３段階で表示した。同表から明ら
かなように、無処理のもの（No.１）に対して、ぬ
れ処理を施した基板を用いた場合には、処理条件
を適当に設定することにより、極めて良好な特性
を有する透明導電膜を形成することが可能であ
る。 また、同表No.６で示したぬれ処理を行なつた基
板について、インジウム錯体溶液塗布後の乾燥温
度を種々に変えた結果、形成された透明導電膜の
膜特性は第１図に示すように変化した。同図にお
いてイは温度と抵抗との関係を示し、同図におい
てロは温度と耐アルカリ性との関係を示す。ここ
で、抵抗は４探針抵抗測定機（国際電機社製）で
測定した表面抵抗で示した。また、耐アルカリ性
は、基板を55±２℃の5wt％苛性ソーダ水溶液中
に浸漬し、膜が剥れるまでの所要時間で表わし
た。 更に、このNo.６のぬれ処理を行なつた基板につ
いて、上記乾燥工程時の相対湿度を種々に変えた
結果、形成された透明導電膜の膜特性は第２図お
よび第３図に示すように変化した。ここで硬さ
は、市販の消しゴム（ひので印No.502）でラピン
グして傷の有無を調べ、より良好なものから順に
〇−□−△−×で表わした。 これらの結果から、より良好な透明導電膜を得
るためには、紫外線照射前の有機溶剤の乾燥工程
における雰囲気の設定が極めて重要であることが
分る。 以上説明したように、本発明による透明導電膜
の形成方法によれば、ガラス基板上にSiO2膜を
形成し、ぬれ処理を施した上でインジウム錯体溶
液を塗布乾燥し、その後紫外線を照射した上で焼
成することにより、薄くて低抵抗の品質の高い膜
と、浸漬法等の塗布法を用いて安価に形成するこ
とが可能になるという優れた効果を有する。
第１図は、本発明による透明導電膜の形成方法
におけるインジウム錯体溶液の有機溶剤乾燥時の
温度と膜特性との関係を示す特性図、第２図およ
び第３図は、それぞれ同じくインジウム錯体溶液
の有機溶剤乾燥時の湿度と膜特性との関係を示す
特性図である。
におけるインジウム錯体溶液の有機溶剤乾燥時の
温度と膜特性との関係を示す特性図、第２図およ
び第３図は、それぞれ同じくインジウム錯体溶液
の有機溶剤乾燥時の湿度と膜特性との関係を示す
特性図である。
Claims (1)
- １ ガラス基板上に透明導電膜を形成する方法に
おいて、テトラクロルシランと無水酢酸との反応
で得られたシランを触媒で加水分解して得た水酸
化珪素化合物を有機溶媒に溶解した溶液をガラス
基板上に塗布する工程と、当該基板を焼成して前
記溶液中の有機物を焼き飛ばすと同時にSiO2膜
を形成する工程と、フツ化水素もしくはフツ化ア
ンモニウムの少なくとも一方を含む水溶液を当該
基板に塗布してインジウム錯体溶液に対するぬれ
性を良くするぬれ処理を施す工程と、インジウム
錯体溶液を塗布する工程と、該インジウム錯体溶
液の有機溶剤を乾燥する工程と、該乾燥する工程
の後に紫外線を照射する工程と、該紫外線を照射
する工程の後に当該基板を焼成して有機物を焼き
飛ばすと同時に透明導電膜を形成する工程とを有
することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56061191A JPS57179054A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Formation of electrically conductive transparent film |
| US06/368,666 US4431683A (en) | 1981-04-24 | 1982-04-15 | Process for producing transparent electroconductive film |
| GB8211673A GB2100509B (en) | 1981-04-24 | 1982-04-22 | Process for producing transparent electroconductive film |
| DE3215099A DE3215099C2 (de) | 1981-04-24 | 1982-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56061191A JPS57179054A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Formation of electrically conductive transparent film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57179054A JPS57179054A (en) | 1982-11-04 |
| JPH0132173B2 true JPH0132173B2 (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=13164023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56061191A Granted JPS57179054A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Formation of electrically conductive transparent film |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4431683A (ja) |
| JP (1) | JPS57179054A (ja) |
| DE (1) | DE3215099C2 (ja) |
| GB (1) | GB2100509B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3300589A1 (de) * | 1983-01-11 | 1984-07-12 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz | Verfahren zur herstellung von indiumoxid-zinnoxid-schichten |
| JPS60157109A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-17 | 日本板硝子株式会社 | 透明電導膜付着基体の製造方法 |
| JPH055912Y2 (ja) * | 1987-12-22 | 1993-02-16 | ||
| US4999136A (en) * | 1988-08-23 | 1991-03-12 | Westinghouse Electric Corp. | Ultraviolet curable conductive resin |
| US5593737A (en) * | 1995-05-23 | 1997-01-14 | United Technologies Corporation | Photocatalytic semiconductor coating process |
| JP2000512795A (ja) | 1996-06-12 | 2000-09-26 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ | 導電層のプラズマ処理 |
| US6327011B2 (en) * | 1997-10-20 | 2001-12-04 | Lg Electronics, Inc. | Liquid crystal display device having thin glass substrate on which protective layer formed and method of making the same |
| US6593077B2 (en) | 1999-03-22 | 2003-07-15 | Special Materials Research And Technology, Inc. | Method of making thin films dielectrics using a process for room temperature wet chemical growth of SiO based oxides on a substrate |
| US6080683A (en) * | 1999-03-22 | 2000-06-27 | Special Materials Research And Technology, Inc. | Room temperature wet chemical growth process of SiO based oxides on silicon |
| US6613697B1 (en) | 2001-06-26 | 2003-09-02 | Special Materials Research And Technology, Inc. | Low metallic impurity SiO based thin film dielectrics on semiconductor substrates using a room temperature wet chemical growth process, method and applications thereof |
| AU2003295678A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-06-15 | William Marsh Rice University | Method for low temperature growth of inorganic materials from solution using catalyzed growth and re-growth |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5473818A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kk | Coating solution for forming transparent electric conductive layer and method of coating same |
| JPS5854089B2 (ja) * | 1979-06-22 | 1983-12-02 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜の形成方法 |
| JPS6019610B2 (ja) * | 1979-12-14 | 1985-05-17 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜形成法 |
-
1981
- 1981-04-24 JP JP56061191A patent/JPS57179054A/ja active Granted
-
1982
- 1982-04-15 US US06/368,666 patent/US4431683A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-04-22 GB GB8211673A patent/GB2100509B/en not_active Expired
- 1982-04-23 DE DE3215099A patent/DE3215099C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2100509A (en) | 1982-12-22 |
| DE3215099A1 (de) | 1982-11-11 |
| GB2100509B (en) | 1984-11-14 |
| DE3215099C2 (de) | 1984-04-12 |
| JPS57179054A (en) | 1982-11-04 |
| US4431683A (en) | 1984-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100347333C (zh) | 金属氧化物薄膜及其制造方法 | |
| JPH0132173B2 (ja) | ||
| KR100294583B1 (ko) | 전극패턴형성용 조성물 | |
| CN106547179A (zh) | 一种有效去除光阻的方法 | |
| TWI422996B (zh) | 含粒子之光阻剝離液及使用它之剝離方法 | |
| CN106782879A (zh) | 一种低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法 | |
| JPH11171599A (ja) | ガラス表面の脱アルカリ処理方法 | |
| JPH064497B2 (ja) | 酸化錫膜の形成方法 | |
| JP2010097728A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| SE465921B (sv) | Pyrolytiskt belagt glas och saett att tillverka detsamma | |
| CN114496710A (zh) | 一种半导体设备陶瓷窗氧化钇涂层清洗方法 | |
| EP1074526A2 (en) | Method for the formation of an anti-reflective and leveling film on glass/TCO substrates | |
| JPS6273203A (ja) | 無反射処理基板およびその製造方法 | |
| JPS6112034A (ja) | シリコン基材表面に酸化珪素被膜を形成させる方法 | |
| JPS62122133A (ja) | 溶液塗布による薄膜の形成方法 | |
| JPH04280812A (ja) | 基材上への多孔質シリカ被膜の形成法 | |
| JPH04275950A (ja) | 基板面への微細凹凸形成法 | |
| JPS6092489A (ja) | 電解コンデンサ−用アルミニウム箔の製造方法 | |
| CN109755114B (zh) | 一种双向tvs芯片玻钝前双面扩散工艺 | |
| SU1033467A1 (ru) | Способ очистки стекл нных подложек | |
| KR100453365B1 (ko) | 액정표시장치용유리기판세정장치및이를이용한유리기판세정방법 | |
| JP2958926B2 (ja) | ケイ素酸化物被膜の形成方法 | |
| JP3239515B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| Janík et al. | The capability of diffuse coplanar surface barrier plasma to effectively remove contaminants from surfaces of various materials | |
| CN117135943A (zh) | 一种钙钛矿光电器件封装材料及其制备方法和应用 |