SU1033467A1 - Способ очистки стекл нных подложек - Google Patents

Description

со

оо

а

ч1 Изобрете5ше относитс  к технологии подготовки поверхности подложеас к вйкуумпому напылешоо пленок и мо«сет быть испольчзовано в производстве вакуум ных катодолюминесцентных и жидкокристалли1еских индикаторов, а также фотошаблонов и друтих изделий, например, зеркал. Известен способ подготовки поверхности изделий из кварцевого стекла перед металлизацией, включающий обезжиривание , травление при С в водном растворе, включак цем NaOH и МсхМО, обработку в концентрированной азотной кислоте и промывку в гор чей воде С1 J. Недостатками этого способа  вл ютс  вредные услови  труда, возможность загр знени  окру сак цей среды и, как следствие , необходимость в дорогосто щих очистных ссору сени х. Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому ре рультату  вл етс  способ, взслючаюший очистку подложек щетками ,в водньпс раст ворах, содержащих поверхностно-активные воцества, обработку в кислотных или щелочных , растворах, промывку в деионизированной воде с результатом и сущку С Однако способ не гарантируе т. высоког KafiecTBa очистки подложек, поскольку он ограничен невысокой травшцей способностью реактивов, в результате чего мо жет не произойти полного удалени  с поверхности продуктов коррозии стекла (гелеобразной кремниевой кислоты с распределенными в ней сол ми щелочных и щелочноземельных металлов),. Если этот слой не удал етс  в процессе химической очистки, то при обезвоживаЕши подложек в напылительной установке (перед процессом распылени  вацества пленки). продук:ты коррозии разлагаютс , кристаллизуютс  и образуют тонкий пороигкообразньй слой на поверхности стекЛ5ПШОЙ подложки. Этот слой  вл етс  про мехсуточным между пленкой и стекл шюй матргщей подлохски, механически крайне непрочен и преп тствует образованию хим ческих св зей меж;цу атомами пленки и подлойааи Все это обусловл1шает невысокую адгезию в системе пленка стеасл тха  подложка. Нар ду с этим, стекло, как сложна  многокомпонентна  аморфна  система, со держигг в приповерхностной области большое число мшсропор, заполненных водой и различными газами (СО, ЗО и др) При нагреве подложек с нанесенной пленкой в процессе последующих технологических операций происходит резкое возрастание давлени  в мшсропорах, они раз .рываютс , газообразные продукты выход т наружу, при этом в пленочном покрытии образуютс  дефекты в виде вспучивани , разрывов, проколов и т, д. Это приводш к снижению качества приборов, их эксплуатационной надежности или к забракованию вообще. Следствием неполного удалени  продуктов гидролиза стекла может быть так ,же ускоренное старение плёночного покрыти  (быстрое изменение со временёТ механических, электрических, оптических и других свойств пленок), что также при водит к росту производственного брака. Цель изобретени  - повьпиение качества очистки. Цель достигаетс  тем, что согласно способу очистки стекг1 ш1ых подложек, включающему обработку в водном растворе с поверхностно-активным веществом, обработку в химически-активной среде, ультразвуковую промывку в деионизироЬанной воде и сущку, после обработки в Х11мически-активной среде подложки отжигают и подвергают ультразвук овой очистке в водном растворе с поверхностноа ктивным веществом. Отжиг ведут при 200-600 С в течение 0,5-5 ч, а ультразвуковую о шстку в течение 2-10 мин. Предлагаемый межонерацио1шый отжиг позввол ет провести очистку поверхности стекл нных подложек от углеродсодеркеддих загр знений. путем термггчес й десорбции; продукты гидролиза, растворегшые в геле кремниевой кислоты, обезвоживаютс , разлагаютс , распадаютс  на более простые фазы и частично кристаллизуютс . Поверхностный рельеф декорируетс  нороижорбрааныгм, механически непрочным слоем. За счьт резкого роста давлени  вскрываютс  ближайшие к поверхности поры, происходит сн тие остаточных внутренних напр жедий в стекле, что обуславливает повышение его гидролитической устойчивости. Сн тие напр жений в стекле позвол ет увеличить врем  мейсоперационного хранени  подложек остаточные напр жешш резко ускор ют процесс гидролиза поверхности стекла). Ультразвукова  промывка подложек после термообработки в водном растворе содержащем ПАВ, обеспечивает эффективное удаление как растворимых, так к нерастворимьк порощкообраз11ых продуктов и обнажение стекл нной матртхы. При капьшонии пленки но полу юнную таким способом поверхность стокл шюй подложки происходит сцопленио вещества nnetocH и обраэоеащю химических св зей с матрицей стекла (без промехсуточного сло ). По этой причиие улучшаютс  адгези  и качество пленки, повышаетс  воспроизводимость свойств пленок. Развитый рельеф еще более улучшает адгезию. . В качестве подложек используют пластииы плоского оконного стекла следующего состава, %: SiOj 72; Ре20з 2« J° ® 5 13,7; Kj О 1,5. SV,ч., . С)чистку начинают с обработки в водно растворе, содержащем поверхностно-активное вещество (ПАВ) Прогресс, в. ко личестве 0,5%, при 80 С. Затем ведут обработку в химически активной среде (ХАС), в качестве кото1 ..ЭЙ используют один из следук цих составов: перекисно-аммиачна  смось состава (ЗО%-ный раствор): ,( 25%-ный) t Н2О 1:1:4; хромова  смесь состава Н250 : KjC-rj 0 IO:1; раствор азотной кислоты в соотношенш ИЫОг; HjO 1:1 . Отжиг ведут в конвейерной печи. После чего промывают в водном растворе ПАВ с применением ультразвука, затем в де- , ионизированной воде также с применением ультразвук а. jt сушат центрифупфоваш ем при 180 С в течение 5 Mira. Данные приведены в табл1ще. Использование предлагаемого способа очистки стекл нных подложек в производстве индикаторных приборов позвол ет снизить производство1П1ый брак, повысить долговечность шщикаторов.

Предлагаемый

200

400

600

Известный 5- ЗО

95

2-4

1-3

98

1-2

300 10

99

48-51

4-12

Claims (2)

1. I. СПОСОБ ОЧИСТКИ СТЕКЛЯННЫХ ПОДЛОЖЕК, включающий обработку в водном растворе с Поверхностноактивным веществом, обработку в химически-активной среде, ультразвуковую промывку в деионизированной воде я сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки, после обработки в химически-активной среде подложки отжигают и подвергают ультразвуковой очистке в водном растворе с поверхностно-активным веществом.
2. 2. Способ по π. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что отжиг ведут при 200-600 °C в течение 0,5-5 ч, а ультразвуковую очистку в течение 2-10 мин.· g ω

   hU *41 >

   1033467 2