JPS58156554A - ガラス表面の処理方法 - Google Patents

ガラス表面の処理方法

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Publication number
JPS58156554A
JPS58156554A JP57039209A JP3920982A JPS58156554A JP S58156554 A JPS58156554 A JP S58156554A JP 57039209 A JP57039209 A JP 57039209A JP 3920982 A JP3920982 A JP 3920982A JP S58156554 A JPS58156554 A JP S58156554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
ion exchange
exchange treatment
na2o
sodium oxide
Prior art date
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Pending
Application number
JP57039209A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeo Miyoshi
三好 健夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Nippon Electric Glass Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、酸化ナトリウムを含有する■珪酸ガラスの表
面を処理する方法に関し、特にフォトマスク、太陽電池
、各種表示素子用等の基板として用いられるガラス材料
の表面を予め処理する方法に関する。
上記の用途に用いるガラス基板は、その製造行程におい
て、蒸着、スパッター等の方法により薄膜のコーティン
グを行い、しかる後、必要とされる電極、回路等のエッ
チングを行なう、例えば半導体装置の製造分野において
は、集積回路の製作行程での微細パターンの形成のため
に、フォトマスクが使用されている。フォトマスクは、
ガラス基板の表面にクロム膜をコーティングし、この上
にレジスト剤を塗布し、露光してパターンニングを行っ
た後、エッチング処理にてクロム膜に所定のパターンを
形成することにより製造される。
フォトマスク用ガラスが使用されてきている。
一般に低膨張性のガラスは、熱膨張係数が30〜380
℃の温度範囲において、30〜60×10−7/℃と小
さく、露光時に熱膨張による影響が少ないため、ガラス
基板上へ高積度の微細パターンを作製できる。しかし、
この種の■珪酸ガラスにはガラス製造上の立場から清澄
性、均質性、成形性を図るために、相当量の酸化ナトリ
ウム(Na2O)成分が含有されているのが一般的であ
る。
フォトマスクの製作に高温ベーク型のレジスト剤が使用
された場合、基板の■珪酸ガラス中のナトリウムイオン
が、ベーキングの熱いよりガラス表面に移動し、クロム
膜と反応して水溶性のクロム酸塩を形成し、次のエッチ
ング行程においてクロム膜が侵食され、パターンの部分
的な欠けの問題を発生することが、本発明者により確認
された。
本発明は上記のようなガラス基板表面におけるナトリウ
ムイオンによる薄膜の特性劣化、欠点等の問題を解決す
ることを目的としてもので、酸化ナトリウム成分を含有
し、熱膨張係数が30〜60×10−7/℃(30〜3
80℃)の■珪酸ガラスを、イオン交換処理し、表面層
の酸化ナトリウム成分の含有量を減少させたことを要旨
とするものである。
本発明の方法において処理の対象とするガラスは、一般
的に重量%で、SiO265〜75、B2O37〜15
、Al2O33〜8、CaO0〜3、BaO0〜5、N
a2O3〜10、K2O0〜5の組成を有する。このガ
ラスは溶解性、均質性を向上させるために酸化ナトリウ
ムを添加しているが、熱膨張係数は30〜60×10−
7/℃(30〜380℃)である。この■珪酸ガラスを
アルカリ金属の溶融塩に浸潰して、イオン交換処理する
溶融塩としては、カリウムイオンを含む溶融塩のイオン
、例えばカリウムイオンと交換される結果、ガラス表面
層の酸化ナトリウム成分の含有量が減少する。イオン交
換処理した後、表面に付着いている溶融塩を除去し、且
つ又、平滑な面にするために、希■酸で洗浄したり、又
,軽く研磨することが好ましい。
イオン交換は高温で行われるので、その処理中にガラス
基板に変形が生じることがある。この変形は、イオン交
換処理中の熱によりガラス構造が緊密化し収縮すること
により生ずるものである。
そこで、イオン交換処理前に所定の温度スケジュール、
即ち、後のイオン交換処理の温度、時間を考慮して決め
た温度スケジュール、例えば450〜560℃で1〜2
5時間保持してガラス構造の緊密化を行い、次いで表面
を研磨して平坦な面にしておくと、イオン交換時の変形
が極めて小さい基板ガラスを得ることができる。
実施例 重量%で、SiO171%、Al2O35.7%、B2
O312.7%、CaO0.7%、BaO2.1%、N
a2O6.4%、K2O1.3%の組成からなり、熱膨
張係数50×10−7/℃(30〜380℃)のガラス
板を用意した。このガラス構造の緊密化を行った。次い
で、このガラス板を研磨加工して表面平坦な薄板がらす
とした。
この薄板ガラスを約470℃に保持したKNO3の溶融
塩に20時間浸潰してイオン交換処理を行なった。かく
して得られたガラス板の表面層におけるNa2Oの分布
状態を添附の図面に示す。
同図には、横軸にガラス表面からに深さ(μm)が、縦
軸にNa2Oの含有量が示してある。この図から明らか
なように、ガラス内部は本来のNa2O含有値を示して
おり、ガラス表面に近い程Na2O含有量が減少してい
ることがわかる。
イオン交換処理後、ガラス表面を1〜10μmまで軽く
研磨して清浄な平滑な面にした。
上記、本発明の方法により、■珪酸ガラスの表面層から
酸化ナトリウム成分を減少若しくは除去したガラス基板
を用いてフォトマスクを製作したところ、クロム膜のパ
ターンに部分的な欠けの問題のない良好なフォトマスク
が得られることを確認された。
本発明方法は、上記のフォトマスク用ガラス基板の実施
例に限定されることなく、太陽電池、各種表示素子等、
フォトマスクと同様に酸化ナトリウム成分を含有する■
珪酸ガラスの基板蒸に金属薄膜、酸化物薄膜等を設けた
もので、同種の問題を引きおこす虞れのあるものにも適
用できて大きな効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
本発明の方法で処理したガラス板の表面層におけるNa
2Ono分布状態を示す説明図である。 特許出願人 日本電気硝子株式会社        代表者 長崎準■

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化かトリウム成分を含有し、熱膨張係数が30
    〜60×10−7/℃(30〜380℃)の■珪酸ガラ
    スをイオン交換処理し、表面層の酸化ナトリウムの含有
    量を減少させたことを特徴とするガラス表面の処理方法
  2. (2)イオン交換する前に、■珪酸ガラスを加熱処理し
    、ガラス構造の緊密化を行う特許請求の範囲第1項に記
    載のガラス表面の処理方法。
  3. (3)■珪酸ガラスは、重量%でSiO265〜75、
    B2O37〜15、Al2O33〜8、CaO0〜3、
    BaO0〜5、Na2O3〜10、K2O0〜5の組成
    を有する特許請求の範囲第1項に記載のガラス表面の処
    理方法。
JP57039209A 1982-03-11 1982-03-11 ガラス表面の処理方法 Pending JPS58156554A (ja)

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