KR20060024047A - 평면디스플레이장치용 유리기판 및 그 제조방법 - Google Patents

평면디스플레이장치용 유리기판 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20060024047A
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Abstract

본 발명은 평면디스플레이장치용 유리기판 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명은 유리기판의 표면에 적어도 30mol% 이상의 칼륨염과 적어도 30mol% 이상의 무기산화물질로 조성된 염-함유 혼합물의 층을 적층한다. 유리기판과 염-함유 혼합물간의 이온교환이 일어날 수 있도록 소정의 시간 동안 유리기판을 적어도 400℃보다 높으며 유리기판의 변형점보다 낮은 비-등온의 온도조건하에서 열처리하고, 유리기판을 냉각 및 세척한다. 또한, 염-함유 혼합물은 적어도 30mol% 이상의 칼륨염, 적어도 30mol% 이상의 무기산화물질 및 염화알루미늄으로 조성한 것을 사용할 수 있다. 본 발명에 의하면, 유리기판의 표면에 제공되는 염-함유 혼합물의 칼륨이온의 확산에 기초한 이온교환에 의하여 기계적 강도를 간편하게 향상시킬 수 있으며, 유리기판을 국부적으로 강화할 수 있다. 또한, 염-함유 혼합물에 추가되는 염화알루미늄에 의하여 유리기판의 표면을 거칠게 가공할 수 있는 효과가 있다.

Description

평면디스플레이장치용 유리기판 및 그 제조방법{GLASS SUBSTRATE OF FLAT DISPLAY DEVICE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 질산칼륨-산화알루미늄의 염-함유 혼합물에 대한 질산칼륨의 몰분율과 480℃, 2시간의 이온교환 이후에 유리기판의 미세경도와의 관계를 나타내는 그래프,
도 2는 50%mol 질산칼륨, 40%mol 산화알루미늄과 10%mol 염화알루미늄의 염-함유 혼합물에 의하여 이온교환처리한 유리기판의 표면을 보여주는 미세-사진이다.
본 발명은 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유리기판의 표면을 이온교환에 의하여 간편하게 강화할 수 있는 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법에 관한 것이다.
주지하고 있는 바와 같이, TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display), PDP(Plasma display panel), EL(Electro luminescent) 등 평면디스플레이장치의 제조분야에서는 박막형 유리기판을 사용하고 있으며, 최근 평면디스플레이의 대형화에 기인하여 유리기판(Glass substrate)은 고강도의 물성을 보유하는 것이 요구되고 있다.
평면디스플레이장치의 유리기판은 그 표면에 예를 들어 절연막으로 실리카(SiO2)막과 도전막으로 ITO(Indium tin oxide)막을 코팅하며, 프론트유리기판과 리어유리기판은 실링(Sealing)하여 제조하고 있다. 유리기판의 실링 강도는 실링된 유리 표면의 상태에 따라 영향을 받게 되며, 일반적으로 거친 표면이 더 높은 실링 강도를 보유한다. 따라서, 유리기판의 실링 부분은 거칠게 가공하는 방법이 유용하며, 평면디스플레이장치의 제조분야에서는 유리기판의 표면처리기술에 대한 연구와 개발이 활발히 진행되고 있다.
한편, 유리제품의 제조에 있어서 유리제품의 표면은 표면층에 압축응력을 형성하여 강화할 수 있으며, 압축응력은 템퍼링(Tempering)에 의한 물리적 강화방법(Physical strengthening method)과 이온교환(Ion-exchange)에 의한 화학적 강화방법(Chemical strengthening method)이 사용되고 있다. 일본특허 제2671766호, 제2904067호, 미국특허 제544285호, 제6448707호에는 음극선관용 유리제품을 위한 유리 템퍼링 공정이 개시되어 있다. 유리의 템퍼링은 잘 알려진 표면처리기술이나, 유리 템퍼링의 효율성은 유리의 표층과 내층 사이에 큰 온도구배를 형성시키기 때문에 박막형 유리기판에는 적합하지 않은 문제를 수반하고 있다.
미국특허 제6607999호, 유럽특허출원 제1388881A2호와 일본특허 제2837134호에는 음극선관용 유리제품을 위한 화학적 강화 방법이 개시되어 있다. 일반적으로 화학적 강화 방법은 유리에서의 더 작은 나트륨이온(Na+)을 외부 염분원으로부터 형 성된 더 큰 칼륨이온(K+)으로 이온교환하는 것에 기초를 둔다(Na+ glass ⇔ K+ salt). 이러한 이온교환처리의 효율성은 온도에 크게 달려 있다. 저온에서의 이온교환처리의 효율성은 이온의 유동성이 낮기 때문에 낮다. 온도의 증가는 이온확산을 가속화시킬 뿐 아니라, 풀림 처리의 속도를 가속화시킨다. 그러므로, 이온교환은 일반적으로 유리의 변형점 이하의 온도에서 수행된다.
이와 같은 이온교환강화처리는 용해된 염조(Salt bath)로부터 칼륨의 확산에 기초하고 있으므로, 염조와 같은 추가적인 장치를 요구한다. 따라서, 대형 유리기판의 강화에 채택하기에는 많은 난제를 수반하며, 특정 마스크(Mask) 없이는 국부적인 유리의 강화가 불가능한 문제가 있다.
또한, 이온교환강화의 효율성은 유리 혼합물 성분에 크게 의존한다. 미국특허 제6436859호와 제5846280호에는 소정의 유리 혼합물이 고강도 유리의 제조를 위하여 개발되어 있다. 그리고 소다-석회 유리 혼합물의 적용이 강화 효율성을 높이기 위하여 연구되었다. 일반적으로 평면디스플레이장치의 유리기판은 미국특허 제5888917호와 제5932503호에 개시되어 있는 바와 같이 화학적 혼합물을 구비하며, 전형적인 소다-석회 규산염 유리와 다르고, 음극선관의 유리와 다르므로, 종래기술의 유리강화방법은 평면디스플레이장치의 유리기판에 적용하기 부적합하였다.
한편, 고체상태의 코팅, 즉 분말 또는 증착으로부터의 확산에 기초한 건식방법이 알려져 있으며, 건식방법에는 특별한 염조가 요구되지 않는다. 외부 확산 이온원의 화학적 조성물, 유형 및 결합 조건은 처리 효율성에 영향을 미친다. 예를 들어, 미국특허 제5127931호는 일가 또는 이가의 양이온을 포함한 고체 코팅으로부터의 확산에 기초한 건식이온교환방법을 개시한다. 이 특허의 설명에 따르면, 고체 코팅으로부터의 확산이 동일한 온도-시간 조건에서 용해 욕조로부터의 확산에 비하여 더 효율적이다.
한편, 유리의 표면을 국부적으로 거칠게 하는 방법에는 기계적 처리와 화학적 처리가 있다. 화학적 처리방법에는 다른 액체용액, 예를 들어 불소함유용액에 의한 유리의 표면 식각, 염조로부터 작은 리듐이온에 의하여 유리로부터 큰 칼륨 또는 나트륨이온을 교환하는 이온교환과 증착에 의한 것이 있다. 그런데 유리의 표면을 거칠게 처리하는 방법은 유리의 기계적인 강도를 저하시키므로, 평면디스플레이장치용 유리기판에 적용하기 곤란하였다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 여러 가지 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 단순한 공정에 의하여 기계적 강도를 향상시킬 수 있는 평면디스플레이장치용 유리기판 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 유리기판을 국부적으로 강화할 수 있는 평면디스플레이장치용 유리기판 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 유리기판의 표면을 거칠게 제조할 수 있는 평면디스플레이장치용 유리기판 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
이와 같은 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 유리기판의 표면에 적 어도 30mol% 이상의 칼륨염과 적어도 30mol% 이상의 무기산화물질로 조성된 염-함유 혼합물의 층을 적층하는 단계와; 유리기판과 염-함유 혼합물간의 이온교환이 일어날 수 있도록 소정의 시간 동안 유리기판을 적어도 400℃보다 높으며 유리기판의 변형점보다 낮은 비-등온의 온도조건하에서 열처리하는 단계와; 유리기판을 냉각 및 세척하는 단계로 이루어지는 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법에 있다.
본 발명의 다른 특징은, 유리기판의 표면에 적어도 30mol% 이상의 칼륨염, 적어도 30mol% 이상의 무기산화물질 및 염화알루미늄으로 조성된 염-함유 혼합물의 층을 적층하는 단계와; 유리기판과 염-함유 혼합물간의 이온교환이 일어날 수 있도록 소정의 시간 동안 유리기판을 적어도 400℃보다 높으며 유리기판의 변형점보다 낮은 비-등온의 온도조건하에서 열처리하는 단계와; 유리기판을 냉각 및 세척하는 단계로 이루어지는 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법에 있다.
이하, 본 발명에 따른 평면디스플레이장치용 유리기판 및 그 제조방법에 대한 바람직한 실시예를 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명에 따른 유리기판의 제조방법에 있어서는 유리기판의 기계적 강도를 향상시키기 위하여 단순한 건식이온교환공정(Dry ion exchange process)을 이용하였다. 건식이온교환공정은 특정 혼합물의 염 코팅으로부터 칼륨이온을 확산시키는 것을 기초로 한다. 따라서, 건식이온교환공정은 이온교환처리를 위한 추가적인 염조를 필요로 하지 않으며, 일반적인 서냉로(Anealing lehr)의 사용을 가능하게 하고, 유리기판의 표면을 국부적으로 강화할 수 있게 한다.
본 발명에 따른 유리기판의 제조방법은 유리기판의 표면에 염-함유 혼합물의 적층하고, 유리기판을 적어도 400℃보다 높으며 유리기판의 변형점보다 낮은 비-등온의 온도조건하에서 열처리하고, 유리기판을 냉각 및 세척하여 제조한다. 염-함유 혼합물은 칼륨염의 혼합물에 불활성 무기산화물질로 산화알루미늄(Al2O3)을 혼합하여 사용하였다. 불활성 무기산화물질은 열적 및 화학적으로 안정하고, 멜트키퍼(Melt-kipper)의 역할을 한다. 멜트키퍼는 칼륨염의 혼합물이 적어도 400℃보다 높은 온도에서 녹아서 액체상태로 있을 때 이를 표면에 부착하여 이온교환을 안정적으로 하게 하고 흘러내지지 않도록 하는 작용을 하며 혼합물(Composition) 형태를 갖는다. 무기산화물질은 유리기판의 열처리 과정에서 질산칼륨(KNO3)과 반응하지 않는 산화아연이나 산화지르콘을 사용할 수도 있으며, 산화아연이나 산화지르콘은 산화알루미늄과 마찬가지로 작용한다.
또한, 유리기판의 열처리에 있어서 400℃ 이하의 온도를 사용하는 것은 적절한 확산율을 제공할 수 없다. 풀림공정은 유리의 변형점 또는 그 이상에서 압축응력을 더 빠르게 감소시킨다. 그러므로, 유리기판의 이온교환강화공정을 위한 가장 적절한 온도 범위는 400℃에서 유리의 변형점 사이의 온도이다.
한편, 본 발명에 따른 유리기판의 제조방법은 유리기판의 국부적인 강화 및 동일한 공정에서 국부적인 표면 거칠음 처리를 할 수 있다. 이것은 염-함유 혼합물내에 소정의 재료, 예를 들어 염화알루미늄(AlCl3)을 추가하여 달성할 수 있다. 유리기판의 거칠음 처리를 위하여 염-함유 혼합물은 염화칼륨, 염화알루미늄과 화학 적으로 불활성인 무기물질로 조성하거나 질산칼륨(KNO3), 염화알루미늄과 화학적으로 불활성인 무기산화물질로 조성할 수 있다. 그리고 무기산화물질은 산화알루미늄을 사용할 수 있다. 이와 같은 염-함유 혼합물은 노장치(Furnace equipment)를 오염시킬 수 있는 녹은 염액 방울의 형성을 방지한다.
평면디스플레이장치용 유리기판의 강도는 염-함유 혼합물의 화학적 성분에 의존하게 된다. 본 발명의 염-함유 혼합물은 적어도 30mol% 이상의 칼륨염과 적어도 30mol% 이상의 무기산화물질로 조성한다. 무기산화물질은 산화알루미늄과 이 산화알루미늄의 혼합물을 사용한다. 최적의 염-함유 혼합물은 40∼60mol%의 칼륨염과 40∼60mol%의 무기산화물질을 포함한다. 40∼60mol%의 칼륨염과 40∼60mol%의 무기산화물질로 조성되는 염-함유 혼합물은 유리기판에 높은 강도 효과를 주면서 장치를 오염시키지 않고, 또한 열처리 이후에 유리기판의 표면에 잔류하는 잔류물을 쉽게 제거할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법은 이하의 실시예들에 의하여 보다 명확해질 것이며, 본 발명이 실시예들에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
Na2O, K2O, MgO, CaO, SrO, BaO, ZrO2, Al2O3, SiO 2를 포함하는 규산염 유리로 제조된 제1 내지 제7 시편이 준비된다. 제1 내지 제6 시편의 표면에는 질산칼륨과 산화알루미늄으로 조성된 염-함유 혼합물의 분말층을 적층하고, 제7 시편의 표면에 는 염-함유 혼합물을 적층하지 않았다. 염-함유 혼합물의 화학적 조성비는 표 1에 냈다. 염-함유 혼합물의 분말층은 확산이온원의 소모를 방지할 수 있도록 1∼2mm 정도의 두께로 적층하며, 염-함유 혼합물의 적층은 20℃에서 실시한다.
다음으로, 염-함유 혼합물의 분말층을 적층한 후, 제1 내지 제6 시편은 노(Furnace) 안에 넣어져 온도-시간 스케쥴(Schedule)에 따라 열처리된다. 시편들의 온도-시간 스케쥴에 따른 열처리는 먼저 시편들을 1시간 동안 20℃로부터 480℃로 가열하고, 1시간 동안 480℃에서 유지한다. 그리고 2시간 동안 480℃로부터 20℃로 냉각한다. 마지막으로, 열처리 이후에 시편들은 노에서 꺼내 증류수를 사용하여 세척하였으며, 시편들의 세척에 의하여 염-함유 혼합물의 잔류물은 제거되었다.
표 1에는 제1 내지 제7 시편의 평균 미세경도(Average microhardness)(MPa)를 측정하여 나타냈으며, 미세경도는 비커스 경도계(Vicker's hardness gage)를 이용하여 5개소에 100g의 하중을 부여하여 측정하였다. 그리고 도 1의 그래프에는 질산칼륨(KNO3)-산화알루미늄(Al2O3)의 염-함유 혼합물에 대하여 질산칼륨의 몰분율과 480℃, 2시간의 이온교환 이후에 유리기판의 미세경도와의 관계를 나타냈다.
구분 염-함유 혼합물(mo1%) 평균 미세경도(MPa) 표준편차
제1 시편 100% KNO3 621.2 9.1
제2 시편 80%KNO3+ 20%Al2O3 610.4 6.7
제3 시편 60%KNO3+ 40%Al2O3 605.7 9.0
제4 시편 50%KNO3+ 50%Al2O3 633.0 9.8
제5 시편 40%KNO3+ 60%Al2O3 617.5 8.6
제6 시편 30%KNO3+ 70%Al2O3 613.9 7.6
제7 시편 염-함유 혼합물 없음 583.5 13.8
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 이온교환된 제1 내지 제6 시편과 이온교환 되지 않은 제7 시편을 비교하여 보면, 미세경도값은 이온교환 이후에 증가하는 것을 알 수 있다. 제1 내지 제6 시편의 이온교환처리 이후에 미세경도값의 증가는 유리 표면의 압축력 작용에 의하여 결정된다. 제1 내지 제6 시편의 평균 미세경도값은 염-함유 혼합물이 50mol% 정도의 질산칼륨(KNO3)과 50mol% 정도의 산화알루미늄(Al2O3)의 조성에 의하여 가장 잘 달성된 것을 알 수 있다. 한편으로, 제1 내지 제6 시편에 있어서 미세경도값의 실험적인 표준편차는 낮게 나타나는 바, 평면디스플레이장치의 유리기판에 있어서는 그 표면의 균일성이 이온교환처리 이후에 더 높아진다는 것을 알 수 있다.
[실시예 2]
실시예 2의 제8 내지 제15 시편은 실시예 1의 제1 내지 제7 시편과 마찬가지로 규산염 유리로 제조된다. 제8 내지 제15 시편의 표면에는 질산칼륨과 산화알루미늄 또는 질산칼륨, 산화알루미늄과 염화알루미늄으로 조성된 염-함유 혼합물의 분말층을 적층하며, 염-함유 혼합물의 화학적 조성비는 표 2에 나타냈다. 염-함유 혼합물의 분말층은 확산이온원의 소모를 방지할 수 있도록 1∼2mm 정도의 두께로 적층하며, 염-함유 혼합물의 적층은 20℃에서 실시한다.
다음으로, 염-함유 혼합물의 분말층을 적층한 후, 제8 내지 제15 시편은 노 안에 넣어져 온도-시간 스케쥴에 따라 열처리된다. 시편들의 온도-시간 스케쥴에 따른 열처리는 먼저 시편들을 1시간 동안 20℃로부터 460℃로 가열하고, 1시간 동안 460℃에서 유지한다. 그리고 2시간 동안 460℃로부터 20℃로 냉각한다. 마지막 으로, 열처리 이후에 시편들은 노에서 꺼내 증류수를 사용하여 세척하였으며, 시편들의 세척에 의하여 염-함유 혼합물의 잔류물은 제거되었다.
표 2에는 제8 내지 제15 시편의 평균 미세경도값의 증가량(ΔH)(MPa)을 측정하여 나타냈으며, 미세경도는 비커스 경도계를 이용하여 5개소에 100g의 하중을 부여하여 측정하였다. 평균 미세경도값의 증가량(ΔH)은 ΔH = Himp － Hst의 식에 의하여 구하였다. 여기서, Himp는 제8 내지 제15 시편 각각의 평균 미세경도값이며, Hst는 제7 시편의 평균 미세경도값이다.
구분 염-함유 혼합물(mo1%) 평균 미세경도 증가량(MPa) 표준편차
제8 시편 50%KNO3+ 50%Al2O3 34.6 12.1
제9 시편 50%KNO3+ 50%AlCl3 31.3 5.2
제10 시편 20%KNO3+ 80%AlCl3 29.1 9.2
제11 시편 80%KNO3+ 20%AlCl3 20.6 4.1
제12 시편 50%KNO3+ 10%Al2O3+ 40%AlCl3 40.0 7.1
제13 시편 50%KNO3+ 20%Al2O3+ 30%AlCl3 34.5 8.4
제14 시편 50%KNO3+ 30%Al2O3+ 20%AlCl3 37.7 9.4
제15 시편 50%KNO3+ 40%Al2O3+ 10%AlCl3 37.6 5.9
표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 제8 내지 제15 시편의 평균 미세경도값은 이온교환 이후에 증가하였다. 제9 내지 제11 시편의 평균-미세경도값에서 질산칼륨(KNO3)의 몰분율이 높은 염-함유 혼합물에서의 이온교환으로 얻어진 제11 시편에서 가장 작은 미세경도값의 증가가 있다는 것을 알 수 있다. 하지만, 산화알루미늄(Al2O3)/염화알루미늄(AlCl3)의 몰분율과 미세경도값과의 관련성은 발견되지 않았다.
질산칼륨, 산화알루미늄 및 염화알루미늄의 염-함유 혼합물에 의한 시편의 이온교환처리는 유리기판의 표면이 부분적으로 거칠어질 수 있도록 한다. 이러한 실험 결과는 이온교환처리가 유리 표면의 강도 향상과 거칠음 효과를 동시에 제공할 수 있다는 것을 보여준다. 거칠음 효과는 염화알루미늄이 포함된 염-함유 혼합물로 준비된 모든 시편의 표면상에서 확인된다. 도 2에는 제15 시편의 거칠음 처리된 표면을 주사전자현미경(Scanning electron microscope; SEM)으로 촬영한 미세-사진이 나타나 있으며, 이 미세-사진에 의하여 시편의 표면이 거칠게 되어 있는 것을 확인할 수 있다. 한편으로, 제8 시편을 살펴보면, 동일한 온도-시간 조건에서 염화알루미늄이 제거된 염-함유 혼합물로 유리기판의 처리를 하는 것은 거칠음 효과가 미약한 연마 표면을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
[실시예 3]
실시예 3의 제16 내지 제20 시편은 실시예 1의 제1 내지 제7 시편과 마찬가지로 규산염 유리로 제조된다. 제16 내지 제20 시편의 표면에는 35mol%의 질산칼륨과 65mol%의 산화알루미늄으로 조성된 염-함유 혼합물의 분말층을 적층한다. 염-함유 혼합물의 분말층은 확산이온원의 소모를 방지할 수 있도록 1∼2mm 정도의 두께로 적층하며, 염-함유 혼합물의 적층은 20℃에서 실시한다.
다음으로, 염-함유 혼합물의 분말층을 적층한 후, 제16 내지 제20 시편은 노 안에 넣어져 온도-시간 스케쥴에 따라 열처리하며, 온도(Tio)(℃)는 표 3에 나타나 있다. 시편들의 온도-시간 스케쥴에 따른 열처리는 먼저 시편들을 1시간 동안 20℃ 로부터 온도(Tio)로 가열하고, 1시간이나 2시간 동안 온도(Tio)에서 유지한다. 그리고 2시간 동안 온도(Tio)로부터 20℃로 냉각한다. 마지막으로, 열처리 이후에 시편들은 노에서 꺼내 증류수를 사용하여 세척하였으며, 시편들의 세척에 의하여 염-함유 혼합물의 잔류물은 제거되었다.
표 3에는 제16 내지 제20 시편의 평균 미세경도값의 증가량(ΔH)(MPa)을 측정하여 나타냈으며, 미세경도는 비커스 경도계를 이용하여 5개소에 100g의 하중을 부여하여 측정하였다. 평균 미세경도값의 증가량(ΔH)은 ΔH = Himp － Hst의 식에 의하여 구하였다. 여기서, Himp는 제16 내지 제20 시편 각각의 평균 미세경도값이며, Hst는 제7 시편의 평균 미세경도값이다.
구분 이온교환 온도(Tio)(℃) 평균 미세경도 증가량(MPa) 표준편차
제16 시편 360 11.6 10.6
제17 시편 380 15.9 8.7
제18 시편 400 26.7 6.6
제19 시편 450 34.9 5.3
제20 시편 500 37.1 6.2
표 3에서 알 수 있는 바와 같이, 제16 내지 제20 시편의 평균 미세경도값은 이온교환 이후에 증가한 것을 알 수 있다. 그런데 Tio<400℃의 온도에서 이온교환처리된 제16 시편과 제17 시편의 평균 미세경도값은 무시될 정도로 작은 것으로 나타났으며, 또한 표준편차의 값이 높게 나타난 것을 알 수 있다. 이것은 평면디스플레이장치용 유리기판의 강도를 강화하기 위한 이온교환의 온도는 400℃ 이상이어야 한다는 것을 의미한다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법에 의하면, 유리기판의 표면에 제공되는 염-함유 혼합물의 칼륨이온의 확산에 기초한 이온교환에 의하여 기계적 강도를 간편하게 향상시킬 수 있으며, 유리기판을 국부적으로 강화할 수 있다. 또한, 염-함유 혼합물에 추가되는 염화알루미늄에 의하여 유리기판의 표면을 거칠게 가공할 수 있는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 유리기판의 표면에 적어도 30mol% 이상의 칼륨염과 적어도 30mol% 이상의 무기산화물질로 조성된 염-함유 혼합물의 층을 적층하는 단계와;
    상기 유리기판과 상기 염-함유 혼합물간의 이온교환이 일어날 수 있도록 소정의 시간 동안 상기 유리기판을 적어도 400℃보다 높으며 상기 유리기판의 변형점보다 낮은 비-등온의 온도조건하에서 열처리하는 단계와;
    상기 유리기판을 냉각 및 세척하는 단계로 이루어지는 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법.
  2. 유리기판의 표면에 적어도 30mol% 이상의 칼륨염, 적어도 30mol% 이상의 무기산화물질 및 염화알루미늄으로 조성된 염-함유 혼합물의 층을 적층하는 단계와;
    상기 유리기판과 상기 염-함유 혼합물간의 이온교환이 일어날 수 있도록 소정의 시간 동안 상기 유리기판을 적어도 400℃보다 높으며 상기 유리기판의 변형점보다 낮은 비-등온의 온도조건하에서 열처리하는 단계와;
    상기 유리기판을 냉각 및 세척하는 단계로 이루어지는 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 칼륨염은 질산칼륨으로 이루어지는 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 염-함유 혼합물이 건식 염-함유 혼합물일 때 상기 질산칼륨의 몰분율은 40∼60%이고, 상기 무기산화물질의 몰분율은 40∼60%로 이루어지는 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 무기산화물질은 산화알루미늄, 산화아연, 산화지르콘으로 이루어지는 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법.
  6. 청구항 1의 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법으로 제조된 평면디스플레이장치용 유리기판.
  7. 청구항 2의 평면디스플레이장치용 유리기판의 제조방법으로 제조된 평면디스플레이장치용 유리기판.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 유리기판의 표면 일부분은 거칠게 형성되어 있는 평면디스플레이장치용 유리기판.
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