JPS6188534A - 赤外線アニ−ル装置 - Google Patents
赤外線アニ−ル装置Info
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- JPS6188534A JPS6188534A JP59210000A JP21000084A JPS6188534A JP S6188534 A JPS6188534 A JP S6188534A JP 59210000 A JP59210000 A JP 59210000A JP 21000084 A JP21000084 A JP 21000084A JP S6188534 A JPS6188534 A JP S6188534A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は赤外線アニール装置、特に半導体工業で利用さ
れるＳｌ（シリコン）ウエノ＼のアニール装置に関する
ものである。
れるＳｌ（シリコン）ウエノ＼のアニール装置に関する
ものである。
従来例の構成とその問題点
半導体工業におけるアニール装置には、いろいろな種類
の加熱法があるが、特に赤外線アニール装置は、急速加
熱、急速冷却ができるという利点があるため、今後とも
盛んに使用されるものと予想される。
の加熱法があるが、特に赤外線アニール装置は、急速加
熱、急速冷却ができるという利点があるため、今後とも
盛んに使用されるものと予想される。
従来の赤外線アニール装置は、第４図にその具体構成を
示すように、両端にガスの供給口（１）と排出口（２）
を有する石英ガラス製筒型容器（３）の中に、複数枚の
半導体ウェハ（４）をそれぞれ傾けて配列することがで
きる石英ガラスからなる支持具（５）が設置されている
。さらに石英ガラス容器（３）の外側で、内部を加熱す
るために赤外線ランプ（６）が設けられ、ざらに赤外線
ランプ（６）から照射された光線を有効に石英ガラス容
器（３）内部に反射するような反射鏡（７）が設けられ
ている。
示すように、両端にガスの供給口（１）と排出口（２）
を有する石英ガラス製筒型容器（３）の中に、複数枚の
半導体ウェハ（４）をそれぞれ傾けて配列することがで
きる石英ガラスからなる支持具（５）が設置されている
。さらに石英ガラス容器（３）の外側で、内部を加熱す
るために赤外線ランプ（６）が設けられ、ざらに赤外線
ランプ（６）から照射された光線を有効に石英ガラス容
器（３）内部に反射するような反射鏡（７）が設けられ
ている。
（８）は、赤外線ランプ（６）から、照射された光が反
射鏡（７）に反射されて容器（３）内に入射する光路７
ｔ：ノｚ、ｈ、ｉし汽Ａ７である。
射鏡（７）に反射されて容器（３）内に入射する光路７
ｔ：ノｚ、ｈ、ｉし汽Ａ７である。
第５図は、支持具（５）の詳細を示す斜視図であり、こ
の図から明らかなとおり、従来の支持具（５）は、惨敗
の棒状辺からなるフレーム本体（５ａ）に突設された枝
部（５ｂ）に、半導体ウエノ・（４）を係止して傾斜配
置するものである。したがって、この支持具（５）によ
れば、ウェハ配置操作自体が面倒であり、その配置後の
支持具（５）の容器（３）内への挿入及び取り出しにも
慎重さを要するため手間がかかり、さらにどの程度の角
度で半導体ウエノ畳４）を配置するかによって、それぞ
れ設計の異なる支持具を用意しなければならない。まだ
このような支持具の形状は加工しに＜＜、製作しにくい
という欠点があった。
の図から明らかなとおり、従来の支持具（５）は、惨敗
の棒状辺からなるフレーム本体（５ａ）に突設された枝
部（５ｂ）に、半導体ウエノ・（４）を係止して傾斜配
置するものである。したがって、この支持具（５）によ
れば、ウェハ配置操作自体が面倒であり、その配置後の
支持具（５）の容器（３）内への挿入及び取り出しにも
慎重さを要するため手間がかかり、さらにどの程度の角
度で半導体ウエノ畳４）を配置するかによって、それぞ
れ設計の異なる支持具を用意しなければならない。まだ
このような支持具の形状は加工しに＜＜、製作しにくい
という欠点があった。
発明の目的
本発明の目的は、赤外線アニール装置において、複数枚
の半導体ウェハを斜めに配置するための取り扱い安い、
製作し安い支持具を提供することにある。
の半導体ウェハを斜めに配置するための取り扱い安い、
製作し安い支持具を提供することにある。
発明の構成
本発明の赤外線アニール装置は、
ａ）赤外線透過材料よりなる容器と。
ｂ）前記容器の内部に赤外線を照射するだめに前記容器
の外側に配置された赤外線ヒーターと１ Ｃ）所定ピッチで軸方向に配設された複数の材料受溝を
有する一対の耐熱性支持体と、前記一対の支持棒の両端
をそれら支持棒が前記受溝を上回にして水平方向に平行
して延びるよう固定支持し、自身の上端に棒受凹部を形
成してなる一対の耐酩性Ｊ：ｉｊブロック、及び前記支
持棒の材料受溝（で対応する復ｌ〈の材料押さえをを有
すると共に、少くとも一端において前記端ブロックの少
くとも一方の（；４受註部の像に当接しつる突起を有す
る：ＪｒＪ−＋己（４：、受凹部に意架するためのス付
熱ご三押さえ俸からなる支持具とをイ’１：ｉえ、 １）り記一対の支持棒の各整合した材料受溝に複数の薄
板状被加熱拐料の各外縁を支持し、これら材料の上部外
縁に前記押さえ棒の対応する抑さえ溝を被せ、さらにこ
の押さえ棒の突起を前記端ブロックの凹部縁に当接し、
前記薄板状材料を所定角度に傾けて配列・保持した状態
の前記支持具を前記容器中に挿入するようにしたことを
特徴とするものであり、したがって容易に半導体ウェハ
を斜めに固定することができるとともに、製作し安く、
シかも上部の石英陣の突起の位置を変えたものを用いる
だけで、任意の角度に半導体ウェハを固定できるという
特有の効果を有するものである。
の外側に配置された赤外線ヒーターと１ Ｃ）所定ピッチで軸方向に配設された複数の材料受溝を
有する一対の耐熱性支持体と、前記一対の支持棒の両端
をそれら支持棒が前記受溝を上回にして水平方向に平行
して延びるよう固定支持し、自身の上端に棒受凹部を形
成してなる一対の耐酩性Ｊ：ｉｊブロック、及び前記支
持棒の材料受溝（で対応する復ｌ〈の材料押さえをを有
すると共に、少くとも一端において前記端ブロックの少
くとも一方の（；４受註部の像に当接しつる突起を有す
る：ＪｒＪ−＋己（４：、受凹部に意架するためのス付
熱ご三押さえ俸からなる支持具とをイ’１：ｉえ、 １）り記一対の支持棒の各整合した材料受溝に複数の薄
板状被加熱拐料の各外縁を支持し、これら材料の上部外
縁に前記押さえ棒の対応する抑さえ溝を被せ、さらにこ
の押さえ棒の突起を前記端ブロックの凹部縁に当接し、
前記薄板状材料を所定角度に傾けて配列・保持した状態
の前記支持具を前記容器中に挿入するようにしたことを
特徴とするものであり、したがって容易に半導体ウェハ
を斜めに固定することができるとともに、製作し安く、
シかも上部の石英陣の突起の位置を変えたものを用いる
だけで、任意の角度に半導体ウェハを固定できるという
特有の効果を有するものである。
実施例の説明
第１図は、本発明の一実施例に！５ける赤外線アニール
装置の半導体ウェハ支持具を示す斜視図である。
装置の半導体ウェハ支持具を示す斜視図である。
第１図において、支持具の本体は一定の間層でＶ字型：
；ｌ’ｔ （９）を有した２本の石英棒００）を、は（
ｉ平行にかつ、その７字型溝（９）が上面に向くように
、２枚の石英ブロック（１１）で両端から固定したもの
である。石英ブロック（１１）の上部には凹型の溝が形
成されており、その溝の幅は上部石英棒（１２）をはめ
ることができる程度の幅である。この上部石英棒（１２
）にも、石英体（］Ｏ１と同じ間隔でＶ字型’ｔＲ（＋
３）が形成されている。このように構成された支持具の
具体的な、使用法を説明する。
；ｌ’ｔ （９）を有した２本の石英棒００）を、は（
ｉ平行にかつ、その７字型溝（９）が上面に向くように
、２枚の石英ブロック（１１）で両端から固定したもの
である。石英ブロック（１１）の上部には凹型の溝が形
成されており、その溝の幅は上部石英棒（１２）をはめ
ることができる程度の幅である。この上部石英棒（１２
）にも、石英体（］Ｏ１と同じ間隔でＶ字型’ｔＲ（＋
３）が形成されている。このように構成された支持具の
具体的な、使用法を説明する。
まず、石英体００）のＶ字型溝（９）に半導体ウェハの
下縁をはめ込むことにより、そのウェハを垂直に立て、
次に上方から、上部石英棒（＋２）を降ろして、そのＶ
字型溝（１３）に屹立したウェハ（１４）の上縁をはめ
込み、そのまま石英棒（Ｉ２）を、石英ブロック（１１
）の凹型溝にそって斜下方に動かす。その移動は石英ｉ
Ａ （１２）の突起（Ｘ５）が石英ブロック（１１）上
部の凹型溝の縁に速やかに係止される方間に行われ、こ
れにより半導体ウェハ（１１）は完全に傾斜して固定さ
れることになる。
下縁をはめ込むことにより、そのウェハを垂直に立て、
次に上方から、上部石英棒（＋２）を降ろして、そのＶ
字型溝（１３）に屹立したウェハ（１４）の上縁をはめ
込み、そのまま石英棒（Ｉ２）を、石英ブロック（１１
）の凹型溝にそって斜下方に動かす。その移動は石英ｉ
Ａ （１２）の突起（Ｘ５）が石英ブロック（１１）上
部の凹型溝の縁に速やかに係止される方間に行われ、こ
れにより半導体ウェハ（１１）は完全に傾斜して固定さ
れることになる。
第２図は半導体ウェハａ４＋を垂直に立てた場合、第３
図は半導体ウェハ（］・Ｉ１を斜めに固定した場合で、
それぞれ右横から見た状態を示している。
図は半導体ウェハ（］・Ｉ１を斜めに固定した場合で、
それぞれ右横から見た状態を示している。
以上のように本実施例によれば、最初半４ Ｋウェハを
石英棒（１０）のＶ字型溝（９）上に垂直に立て、さら
に上方から配置する上部石英棒（１２）のＶ字全τ７４
（１３＋にその上縁をはめ込み、そのまますべらせて
固定するという非常に容易な方法で半導体ウェハを斜め
に固定することができる。
石英棒（１０）のＶ字型溝（９）上に垂直に立て、さら
に上方から配置する上部石英棒（１２）のＶ字全τ７４
（１３＋にその上縁をはめ込み、そのまますべらせて
固定するという非常に容易な方法で半導体ウェハを斜め
に固定することができる。
なお本実施例において、石英体（１０）＋（＋２）とし
だが、耐熱性のものであればどのような材質でもよい。
だが、耐熱性のものであればどのような材質でもよい。
また、本実施例において、石英棒（］２）の突起０５）
は両端の２ケ所としだが、少なくとも一方にあればよい
。
は両端の２ケ所としだが、少なくとも一方にあればよい
。
また、本実施例において、被加熱物は半導体ウェハ（］
Ｉ４としだが、薄板状の物質であれば半導体ウェハｅ＋
に限られたものではないことは言うまでもない。
Ｉ４としだが、薄板状の物質であれば半導体ウェハｅ＋
に限られたものではないことは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、一対の支持棒の溝上に複数枚の
薄板状の被加熱物を配置し、上部から別の体により被加
熱物を押え、その棒の突起が端ブロックの四部縁に係止
される位置におい 。
薄板状の被加熱物を配置し、上部から別の体により被加
熱物を押え、その棒の突起が端ブロックの四部縁に係止
される位置におい 。
て斜めに固定するようにしだものであるため、容易に半
導体ウェハを斜めに固定することができるとともに、製
作が容易で、しかも突起の位置を変えた上部石英１ぶを
用いるだけで、任意の角度に半導体ウェハを固定できる
ため、その実用的効果は犬なるものがある。
導体ウェハを斜めに固定することができるとともに、製
作が容易で、しかも突起の位置を変えた上部石英１ぶを
用いるだけで、任意の角度に半導体ウェハを固定できる
ため、その実用的効果は犬なるものがある。
［８図１ｆｆ７のｌ′ｉＥｊ単な説明
第１図は本発明のウェハ支持具の実施例を示す斜視図、
第２図は半導体ウェハを垂直に立てた状態の前記ウェハ
支持具を示す側面図、第３図は半導体ウェハを斜めに固
定した場合の須Ｊ旧図、第４図は従来の赤外線アニール
装置の断面図、第５図は第４図の従来装置における半導
１４ｉ：ウェハ支持具を示す斜視図である。
第２図は半導体ウェハを垂直に立てた状態の前記ウェハ
支持具を示す側面図、第３図は半導体ウェハを斜めに固
定した場合の須Ｊ旧図、第４図は従来の赤外線アニール
装置の断面図、第５図は第４図の従来装置における半導
１４ｉ：ウェハ支持具を示す斜視図である。
（９） 、 （１３） 、−・・・・・・・・・・・・
・７字型溝００）・・・・・・・・・・・・・・・石英
棒（１１）・・・・・−・・・・・・・・石英ブロック
（１２）・・・・・・・・・・・・・・・上部石英棒（
１４）・・・・・・・・・・・・・・・半導体ウェハ（
１５）・・・・・・・・・・・・・・・突起’ｔ＃ ｒ
ｔ’！’出Ｅ′１１人 松下電器産業株式会社代
理 人 新 実 健 部（外１名）
・７字型溝００）・・・・・・・・・・・・・・・石英
棒（１１）・・・・・−・・・・・・・・石英ブロック
（１２）・・・・・・・・・・・・・・・上部石英棒（
１４）・・・・・・・・・・・・・・・半導体ウェハ（
１５）・・・・・・・・・・・・・・・突起’ｔ＃ ｒ
ｔ’！’出Ｅ′１１人 松下電器産業株式会社代
理 人 新 実 健 部（外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ）赤外線透過材料よりなる容器と、 ｂ）前記容器の内部に赤外線を照射するために前記容器
の外側に配置された赤外線ヒーターと、 ｃ）所定ピッチで軸方向に配設された複数の材料受溝を
有する一対の耐熱性支持棒と、前記一対の支持棒の両端
をそれら支持棒が前記受溝を上向にして水平方向に平行
して延びるよう固定支持し、自身の上端に棒受凹部を形
成してなる一対の耐熱性端ブロック、及び前記支持棒の
材料受溝に対応する複数の材料押さえ溝を有すると共に
、少くとも一端において前記端ブロックの少くとも一方
の棒受凹部の縁に当接しうる突起を有する前記棒受凹部
に懸架するための耐熱性押さえ棒からなる支持具とを備
え、前記一対の支持棒の各整合した材料受溝に複数の薄
板状被加熱材料の各外縁を支持し、これら材料の上部外
縁に前記押さえ棒の対応する押さえ溝を被せ、さらにこ
の押さえ棒の突起を前記端ブロックの凹部縁に当接し、
前記薄板状材料を所定角度に傾けて配列・保持した状態
の前記支持具を前記容器中に挿入するようにしたことを
特徴とする赤外線アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210000A JPS6188534A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 赤外線アニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210000A JPS6188534A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 赤外線アニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188534A true JPS6188534A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16582192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210000A Pending JPS6188534A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 赤外線アニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188534A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800424A1 (en) * | 1994-11-14 | 1997-10-15 | Yieldup International Corporation | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
| US5988189A (en) * | 1994-11-14 | 1999-11-23 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
| DE10229642A1 (de) * | 2002-07-02 | 2004-01-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum lokalen Erhitzen eines in einem Halbleitersubstrat angeordneten Bereichs |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59210000A patent/JPS6188534A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800424A1 (en) * | 1994-11-14 | 1997-10-15 | Yieldup International Corporation | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| EP0800424A4 (en) * | 1994-11-14 | 1998-09-09 | Yieldup Int Corp | SEMICONDUCTOR CLEANING IN A VERY LOW PERCENTAGE OF PARTICLES |
| US5868150A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
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| US5878760A (en) * | 1994-11-14 | 1999-03-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5891256A (en) * | 1994-11-14 | 1999-04-06 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5932027A (en) * | 1994-11-14 | 1999-08-03 | Yieldup International | Cleaning and drying photoresist coated wafers |
| US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
| US5988189A (en) * | 1994-11-14 | 1999-11-23 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
| US6352082B1 (en) | 1994-11-14 | 2002-03-05 | Scd Mountain View | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US6491043B2 (en) | 1994-11-14 | 2002-12-10 | Scd Mountain View, Inc. | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| DE10229642A1 (de) * | 2002-07-02 | 2004-01-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum lokalen Erhitzen eines in einem Halbleitersubstrat angeordneten Bereichs |
| US6900130B2 (en) | 2002-07-02 | 2005-05-31 | Infineon Technologies Ag | Method for locally heating a region in a semiconductor substrate |
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