KR0181942B1 - 반도체 가공용 내압 열반응로 시스템 - Google Patents

반도체 가공용 내압 열반응로 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR0181942B1
KR0181942B1 KR1019900005395A KR900005395A KR0181942B1 KR 0181942 B1 KR0181942 B1 KR 0181942B1 KR 1019900005395 A KR1019900005395 A KR 1019900005395A KR 900005395 A KR900005395 A KR 900005395A KR 0181942 B1 KR0181942 B1 KR 0181942B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reaction vessel
wafer
reaction
wall
reactor system
Prior art date
Application number
KR1019900005395A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900017092A (ko
Inventor
빈센트 아담스 데이빗
노르만 앤더슨 로저
유제니 데콘 토마스
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23330573&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR0181942(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 제임스 조셉 드롱, 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드 filed Critical 제임스 조셉 드롱
Publication of KR900017092A publication Critical patent/KR900017092A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0181942B1 publication Critical patent/KR0181942B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 가공용 내압 열반응로 시스템
제1도는 본 발명에 따른 반도체 가공용 열반응로 시스템의 배열을 나타낸 개략도.
제2도는 제1도에 도시된 열반응로 시스템에서 반응용기의 단면도.
제3도는 제2도에 도시된 반응용기의 사시도.
제4도는 제1도에 도시된 열반응로 시스템에서 사용할 수 있는 반응용기의 다른 실시예의 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
91 : (편평한 반도체) 웨이퍼 100 : 열반응로 시스템
102 : 가스공급원 104 : 반응용기
105 : 반응챔버 106 : (배기가스처리용) 서브시스템
108 : 지지대 110,410 : 석영튜브
111-115 : (석영) 이음판 120 : 입구밀봉투
122 : (석영튜브의) 유입단부 124 : 출구밀봉투
126 : (석영튜브의) 배출단부 130 : 열원
136 : 적외선 램프 138 : 반사기
140 : 냉각수단 142 : 냉각흐름
144 : (석영튜브의) 외부면 412,414 : 이음판
본 발명은 반도체 가공에 관한 것이며, 더 상세히 설명하면 화학증착, 열처리 어니얼링 및 고온처리용 열반응로 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 주요 목적을 대기압이 아닌 압력하에서 비교적 균일한 반응가스의 흐름을 갖는 반도체 가공용 열반응로 시스템을 제공하는 것이다.
반도체 가공분야의 최근의 기술향상은 전자회로의 소형화와 밀접하게 관련이 있다. 확실히 진보된 가공기술은 상승된 온도조건, 대기압 이하의 압력, 및 균일한 반응가스의 흐름을 적절히 제어하면서 반도체 구조물을 반응가스에 노출시킬 것을 필요로 한다. 이러한 가공기술로는 저압 화학기상증착, 감압 화학기상증착, 및 선택적 에피택셜증착(epitaxial deposition) 등이 있다. 특히 이 기술분야에서, 균일한 결과(예를 들어, 웨이퍼를 가로지르는 증착두께)를 제공하기 위한 온도 및 가스흐름의 균일성이 중요한 요소라 할 수 있다.
통상적으로, 대기압 또는, 대기압 이하의 압력에서 열반응을 수행하기 위한 반응로 시스템은 반응챔버, 가스공급원, 배출시스템, 열원, 및 냉각시스템을 포함한다. 반응챔버는 바람직한 반응을 위하여 제어된 환경을 제공한다. 가스공급원은 정화가스 및 반응가스를 제공하는 반면에, 배출시스템은 소모된 가스를 제거하여 바람직하게 대기압 이하의 압력을 유지시킨다. 적절히 배열된 적외선 램프 또는 유도전원으로 구성될 수 있는 열원은, 일반적으로 반응챔버의 벽을 통해서 에너지를 전달하여 웨이퍼를 가열시킨다. 일반적으로, 웨이퍼는 지지구조체상에 설치되는데, 이러한 지지구조체는 반응챔버내로 전달된 에너지를 흡수하여 그 열을 웨이퍼의 처리 공정으로 전달하는 서셉터로서 작용할 수 있다. 또한, 지지구조체는 반응챔버내에서 웨이퍼를 회전시켜서 챔버내의 공간편차(spauial anomalies)의 효과를 감소시킬 수도 있다. 냉각시스템은 챔버의 외부면에 설치되어서 증착공정중에 챔버의 열팽창 및 비틀림을 감소시키고, 챔버의 벽상에서의 증착을 감소시키며, 증착후의 냉각을 제공한다.
석영은 반응챔버의 벽으로 사용되는 재료이다. 석영은 화학기상증착(이하, "화학증착"이라 함) 반응에 사용되는 고온(예를들어, 1100
Figure kpo00002
)에 견디기에 충분한 높은 용융점 및 낮은 열팽창 계수를 갖는다. 투명한 유전체인 석영은 적외선 및 유도가열원과 함께 사용하기에 적합하며, 증착이 완료된 후 열의 소산을 촉진시킨다. 석영은 매우 순수한 형태(예를들어, 용융석영)로부터 얻어지고, 따라서 열반응에서 오염원으로서의 석영의 작용은 감소된다. 본 명세서에서 언급되는 석영은, 적어도 90
Figure kpo00003
의 이상화규소로 이루어진 천연 또는 합성의 유리를 의미하는 것으로 정의한다.
통상적으로 반응챔버의 벽은, 챔버의 전체 길이 또는 개부분의 길이를 따라서 원통형으로 형성된다. 원통형 용기들이 압력차로 인한 응력을 균등하게 분배하므로 저압의 공정에 적합하게 선택되며, 따라서 반응챔버의 벽 두께의 변화에 관계없이 원통형이 사용되고 있다. 균일한 응력분포는 파괴의 가능성을 최소화시킨다.
다른 한편으로, 기하학적으로 원통형의 배열은 웨이퍼의 표면에서의 균일한 반응가스의 흐름을 방해한다. 웨이퍼의 표면이 편평하기 때문에, 웨이퍼가 원통형 챔버내에 대칭적으로 위치할 때 웨이퍼의 중앙에서보다는 챔퍼의 종충으로부터 가장 멀리 떨어진 웨이퍼의 가장자리가 챔버의 벽에 더 가깝다. 따라서, 반응 가스는 웨이퍼의 중앙보다 횡방향 가장자리에 더 많이 제공된다. 이는 불균일 증착을 초래하며, 이러한 불균일 증착은 웨이퍼로부터 집적회로의 수율을 저하시킨다. 가스의 불균일 흐름이 확산가스의 증착에 관련된 문제는 아니지만, 약 1 토르 또는 그 이하의 매우 낮은 압력하에서는 문제가 발생될 수 있으며, 이는 가스흐름의 증착반응에 대한 문제로 널리 공지되어 있다.
기하학적으로 원통형의 배치로 인해서 발생되는 불균일은, 큰 곡률반경의 반응기를 사용함으로써 최소화시킬 수 있다. 예를들어, 본 출원인 "어플라이드 머티어리얼스(Applied Materials, Inc.)"가 제작한 "에이엠씨(AMC)-7810/11"의 원통형 에피택셜 반응기는, 다면구조(multi-faceted)의 용기의 둘레로 원주방향으로 배열되는 다수의 웨이퍼를 동시에 처리하도록 구성되어 있다. 각각의 웨이퍼의 크기를 고려할 때 원통형 챔버의 벽은 비교적 편평하게 구성될 수 있으며, 따라서 웨이퍼를 통과하는 반응가스의 흐름은 비교적 균일하다. 그러나, 더 큰 웨이퍼들이 처리되는 경우에는 반응기의 크기가 문제시된다. 반도체를 사용하는 하드웨어의 부피의 증가는 웨이퍼의 직경과 비례하지 않고 보다 급속하게 증가되고 있으며, 이와같이 보다 큰 시스템에 연관된 큰 부피 및 질량은 보다 오랜 가역 및 냉각시간을 필요로 하며, 반도체의 처리능력을 방해한다. 처리능력에 관련된 문제점은 단일 웨이퍼 처리시스템에서 더욱 심각한데, 이는 낮은 처리용량의 챔버를 사용할 때 실질적으로 저축된 어떠한 처리시간도 없기 때문이다.
상기한 바와같이, 챔버의 형상에 관련된 고유의 문제점이 있다. 감압 처리 공정은 기하학적으로 원통형으로 배치된 작은 곡률반경의 챔버에서 수행되었다. 균일한 반응가스의 흐름은 평탄한 표면 또는 매우 큰 직경의 원통형으로 구성된 큰 곡률반경의 챔버에서 제공된다. 더욱이, 챔버의 벽의 곡률은 복사식으로 전달된 에너지를 변형시켜서 웨이퍼의 불균일한 가열을 발생시킨다. 이러한 불균일 가열은 불균일 증착 및 결정체의 미끄러짐을 생기게 한다. 편평한 표면을 가진 챔버벽은 이러한 문제를 감소시킨다. 대기압 이하의 열반응기는, 웨이퍼를 가로 지르는 균일한 반응가스의 흐름을 제공하도록 장방형의 석영챔버를 사용하는 경우에 적합하다. 하지만, 이는 감압이나 상당한 저압하에서의 처리작업에 적합한 것이 아니다. 편평한 표면을 가로지르는 압력차는 국부적인 응력을 발생시켜서 파괴를 일으키기도 한다.
압력차로 인하여 편평한 벽이나 비원통형 벽에 가해지는 응력은 두께가 두꺼운 벽을 사용하는 것과 관련된다. 하지만, 두꺼운 벽은 매우 좋은 단열재이다. 이와 같이 두꺼운 벽의 단열교화를 이용하여 챔버의 벽의 온도를 감소시킴으로써, 외부의 냉각수단(통상적으로, 공기)을 사용할 필요가 없고, 벽의 내부면상에서의 화학증착이 개선된다. 벽의 내부면은 뜨거우면 뜨거울수록 외부면보다 더 빠르게 팽창하는 경향이 있으며, 이에 따라서 챔버의 벽에 균열이 발생할 수 있다. 따라서, 반응기의 처리챔버를 설계함에 있어서, 응력을 감소시키기 위한 두꺼운 벽의 사용과 챔버의 벽상에서 발생되는 증착과 관련된 문제점 사이에는 상반되는 선택이 고려되는 것이다.
균일성에 대한 요구는 챔버의 냉각에도 적용된다. 상기한 바와같이, 냉각유체는 챔버의 벽의 외부면을 가로질러 유동하여서, 챔버의 벽상에서의 증착 및 열팽창으로 인한 뒤틀림을 최소화시킨다. 일반적으로, 냉각유체는 열원 부근의 또는 뒤쪽의 다수의 노즐을 통해서 제공된다. 이러한 냉각유체의 흐름은 일반적으로 챔버의 벽 표면에서 제어되지 않으며, 따라서 유동에 따른 에디(eddies)나 흐름의 불균일이 발생할 수 있다. 이는, 챔버의 벽을 가로지르며 냉각차를 발생시켜서 국부적인 증착 및 불균일 응력으로 인하여 챔버의 벽에 균열을 일으킬 수 있다.
압력차는 대기압 이하의 가공에서 발생되며, 물론 대기압 이상의 높은 압력에서도 발생될 수 있다. 예를들어, 주위압력이 약 760 토르일 때 대기압하의 가공으로 고려된다. 실험실에서는, 반응용기에 압력을 가하여 이와같은 절차를 수행할 필요가 있다. 대기압 이하의 처리 공정을 대기압 이상의 처리공정에 적용시키기 위한 설계상의 유의점이 있다.
앞서 언급한 바와같이, 중요한 인자는 상승된 온도, 대기압 이하의 압력, 및 불균일한 반응가스의 흐름이며, 이러한 조건하에서 처리공정을 수행하는 개선된 반도체 가공용 열반응로 시스템을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. 부가적으로, 가열 및 냉각의 균일성이 제공된다.
본 발명에 따른 반도체 가공용 열반응로 시스템은 반응용기, 반응용기내의 웨이퍼 지지부, 가스공급원, 진공시스템, 반응용기와 연관된 가스공급원 및 진공시스템을 연결하는 밀봉부, 열원, 그리고 냉각원을 포함한다. 반응용기는 석영튜브 및 이를 둘러싸고 있는 다수의 석영 이음판을 포함한다. 석영튜브의 내부벽은 반응챔버를 형성하는 반면에 석영 이음판은 반응챔버의 벽의 외부면상으로 노출되어 있다.
본 발명은 광범위한 기하학적 튜브형상을 제공한다. 튜브가 원통형일 때보다는 편평할 경우에 보다 개선된 반응기체의 흐름의 균일성이 제공된다. 타원형 튜브는, 처리할 웨이퍼가 튜브의 타원형 단면의 단축에 대해서 수직한 경우에 제공된다. "타원형(ellipsoidal)"이라는 말의 의미는 타원형 단면은 물론이고 계란모양이나 렌즈와 같은 편구형으로 특징지워지는 형상을 가리킨다. 바람직하게, 편평한 튜브의 웨이퍼의 표면과 접하여 회로장치를 지탱한다. 따라서, 장방형 튜브는 최소 직경 또는 짧은 측면들 사이의 중간부분의 선분에 대하여 웨이퍼가 수직인 경우에 적합하다. 또는, 계란모양의 단면을 가진 튜브나 두개의 평행한 측면을 갖춘 튜브가 사용가능하다. 또한, 웨이퍼상으로 편평한 표면과 웨이퍼 아랫쪽으로의 곡면을 구비한 튜브가 사용가능하다. 일반적으로, 패턴화되는 웨이퍼의 표면은 편평한 표면의 곡률반경이 무한하므로 비교적 큰 곡률반경으로 석영튜브와 접해 있어야 한다.
이음판은 석영으로 형성되며, 석영튜브 둘레로 놓여진다. 이음판은 토오치 또는 다른 열원으로부터의 국부적인 가열에 의해서 융접연결된다. 금속편이 납땜작업에 사용되는 것처럼, 석영편은 융접에 사용가능하다. 이음판은 일체식으로 구성될 수 있다. 또는, 이음판이 석영튜브상에서 처음부터 끝까지 융접연결된 둘 이상의 단편으로 형성될 수도 있다. 반응용기가 이음판의 연결도중에 적어도 한번은 어니얼링됨으로써 열적 응력이 감소된다.
석영 이음판은 부가적인 내구력을 제공하며, 대기압 이하의 압력하에 튜브의 뒤틀림이 방지된다. 바람직하게 이음판은, 더 효과적인 냉각용 가스흐름을 제공하기 위해서 튜브 둘레에 원주방향으로 뻗어있는 평행한 돌출부로서 배치된다. 적외선 램프의 열원은 보다 균일한 가열을 제공하는 동시에 기하학적으로 장방형 배열의 장점을 유지시키도록 이음판에 의한 음영(shadowing)을 최소화시키기 위해 이음판에 대해서 상대적으로 흔들릴 수가 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 제1도를 참조하면, 본 발명에 따른 열반응로 시스템(100)은 가스공급원(102), 반응용기(104), 및 배기가스처리용 서브시스템(106)을 포함하고 있다. 편평한 반도체 웨이퍼(91)가 지지대(108)에 의해서 지지되어 반응챔버(105)내에 고정된 상태로 놓여져 있으며, 반응챔버(105)는 반응용기(104)의 내부에 존재한다. 반응용기(104)는 종방향으로 뻗어 있는 장방형 석영튜브(110) 및 이 석영튜브(110)의 외부면(144)에 융접연결된 14개의 석영 이음판(111 내지 115)을 포함하고 있다.
가스공급원(102)은 석영튜브(110)의 유입단부(122)에 제공되어 있는 입구밀봉부(120)를 통해서 반응챔버(105)와 소통한다. 배기가스처리용 서브시스템(106)은 석영튜브(110)의 배출단부(126)에 제공되어 있는 출구밀봉부(124)를 통해서 반응챔버(105)와 소통한다. 석영튜브(110), 입구밀봉부(120) 및 출구밀봉부(124)가 주위가스로부터 반응챔버(105)를 밀봉시키도록 상호작용하여서, 배기가스처리용 서브시스템(106)에 의해 반응챔버(105)내에 저압이 형성된다.
열원(130)은 반사기(138)를 각각 구비한 다수의 적외선 램프(136)의 상부열(132) 및 하부열(134)을 포함한다. 적외선 램프(136)는 반응용기)104)의 외부에 설치되어 있다. 적외선 램프(136)에 의해 웨이퍼(91)를 가열하기 위한 적외선 복사가 석영튜브(110)를 통해서 전달된다. 적외선 램프(136)는 석영 이음판(111-115)에 대해서 서로 엇갈린 관계로 배치되어 있어서, 웨이퍼(91)에서의 적외선 복사의 음영을 최소화시킨다.
냉각원(140)이 석영튜브(110)의 외부면(144)에 대한 냉각흐름(142)를 제공 냉각흐름(142)의 목적은 열반응중에 석영튜브(110)을 냉각시켜서 석영튜브(110)의 내부면(146)에서의 증착을 최소화시키는 것이다. 이러한 내부면(146)상에서의 증착은, 석영튜브(110)의 전도성을 감소시키고, 웨이퍼(91)를 처리하기 위한 열원(130)으로부터 요구되는 열량을 증가시킨다. 또한, 석영튜브(110)상의 증착은 열반응로 시스템(100)을 사용하여 수행되는 연속적인 처리공정에 대한 잠재적인 오염원이다. 냉각흐름(142)은 일단 열처리공정이 완료된 후에 반응용기(104) 및 이를 웨이퍼(91)를 냉각시키는데 사용된다.
냉각원(140)은 다수의 적외선 램프(136)의 사이로 그리고 석영튜브(110)의 외부면(144)에 대해서 주위공기를 제공한다. 석영 이음판(111-115)은 제2도에 도시된 바와같이 석영튜브(110) 둘레의 원주방향으로 냉각제를 안내하는 채널(148)을 형성하여, 보다 효과적인 냉각을 제공한다.
제2도 및 제3도에 도시한 바와같이, 석영튜브(110)는 두개의 기다란 측면, 예를들어 상부면(152) 및 하부면(154)과, 그리고 두개의 짧은 측면(156 및 158)으로 이루어진 장방형 단면을 가진다. 웨이퍼(91)는 상부면(152)에 평행하게 또는 거의 평행하게 유지된다. 따라서, 웨이퍼(91)와 상부면(152) 사이의 간격은 대체로 일정하다. 게다가, 웨이퍼(91)를 통해서 흐르는 반응가스의 흐름은 웨이퍼(91)의 횡방향으로는 거의 변하지 않는다. 이에 따라서, 열반응로 시스템(100)을 사용하여 보다 균일한 증착 및 선택적일 반응이 제공된다. 이음판(111-115)은 또한 석영튜브(110)에 적합한 장방형 단면을 가진다.
도시된 실시예에서, 석영튜브(110)의 길이는 19인치(48.2cm)이다. 석영튜브(110)의 내부 단면적은 3.5인치(8.89cm) × 11.5인치(25.875cm)이고, 벽의 두께는 0.16인치(0.36cm)이다. 석영 이음판(111-115)은 장방형이며, 두께는 0.25인치(0.562cm)이다. 이들 이음판(111-115)은 서로 평행하게 배치되며, 종방향으로 1.125인치(2.53cm)의 간격으로 놓여져 있다.
이음판은 단일체로 구성되거나 또는 각각의 단부들이 함께 융점으로 연결된 여러개의 단편으로 형성될 수 있다. 각각의 이음판(111-115)은 석영튜브(110) 둘레로 고정될 수 있는데, 토오치(torch)를 사용하는 국부적인 가열하에 융접된다. 납 절차와 비슷하게, 석영 단편들이 석영튜브의 외부면 및 이음판의 접촉면 사이에 고정되어서 안전한 결합을 제공한다. 각각의 이음판은 융접전후에 석영튜브에 연결된다. 적어도 한 지점, 바람직하게는 이음판의 융접중에 많은 지점에서, 열처리 어니얼링을 수행함으로써 융접과정에서 발생되는 국부적인 응력을 제거한다. 또는, 이음판이 주조작업으로 석영튜브와 함께 일체식으로 형성될 수도 있는데, 이는 고가의 비용이 필요하다.
장방형 석영튜브들이 열반응로 시스템에서 사용되고 있지만, 대기압 이하의 처리용으로 설계된 열반응로 시스템에서는 사용되지 않고 있다. 그 이유는, 장방형 석영튜브를 가로지르는 압력차로 인해 생긴 응력이 석영튜브를 파괴시키기 때문이다. 이러한 응력을 줄이는 방법은 많지만, 이들 방법 대부분이 그에 따라서 파생되는 단점을 가지고 있다. 예를들면, 반응용기의 외부압력을 낮추는 것은 매우 어렵고 비용이 많이 든다. 석영튜브를 굵게 제공하는 것은 용기의 내부벽상에서의 증착량을 증가시킨다. 또한, 두꺼운 벽은 열팽창으로 인한 파괴가 쉽다. 파괴가 좀 덜 되는 다른 재로를 사용하는 것은 열전달 및 오염에 대해서 부정적인 효과가 뒤따른다.
볼 발명에 따라서, 장방형 석영튜브에 연결된 석영 이음판은 이러한 파괴의 단점이 발생되지 않으며, 뒤틀림에 견디기 위해 요구되는 내구력을 제공한다. 실제로, 이음판은 석영튜브의 냉각을 향상시키는 냉각제의 흐름채널을 형성한다. 이음판에 대해서 적외선 램프들을 서로 엇갈리게 배치함으로써, 광학적일 뒤틀림이 최소화된다. 여기서, "이음판"은 일반적으로 단단한 보강부재를 의미한다.
본 발명에 따르면, 기하학적으로 다른 형상의 석영튜브가 제공된다. 예를들어, 제4도에 도시된 바와같이 석영튜브(410)에 연결된 이음판(412 및 414)을 포함하는 반응용기(404)는 타원형 단면을 가진다. 석영튜브(410)의 타원형 단면은 측면까지 연결된 두개의 마주하는 원호에 의해 형성된다. 반응용기(404)는, 제3도에 도시된 장방형 반응용기(104)와 같은 균일한 반응가스의 흐름을 제공하지 않지만, 원통형 용기에 비해서는 흐름의 균일성이 상당히 향상된다. 한편으로는, 타원형 석영튜브(410)가 장방형 석영튜브(110)보다 더 균일하게 압력에 기인한 응력을 분배한다. 게다가, 파괴를 피하기 위하여 더 적은 수의 이음판이 필요하다. 따라서, 단지 두개의 이음판(412 및 414)만이 반응용기(404)에 사용된다. 이들 이음판(412 및 414)은 제3도에 도시된 반응용기(104)의 이음판(112 및 114)과 유사하게 배치되며, 반응용기(404)가 열반응로 시스템(100)에 사용될 때 이들 이음판(412 및 414)이 적외선 램프(136)에 상대적으로 적당히 흔들린다.
일반적으로, 개선된 반응가스의 흐름의 균일성은 반응튜브가 웨이퍼상으로 비교적 편평할 때 얻을 수 있다. 적당한 기하학적 형상을 제공하기 위해서, 웨이퍼에 대해서 수직한 직경과 웨이퍼에 대해서 평행한 직경의 종횡비를 사용하여 상대적인 편평도가 측정가능하다. 예를들어, 석영튜브(410)는 웨이퍼에 대해서 수직한 직경(420) 및 웨이퍼와 평행인 직경(422)으로 형성된다. 웨이퍼에 대해서 수직한 직경(420)이 웨이퍼와 평행인 직경(422)보다 더 짧으며, 석영튜브(410)의 종횡비는 1보다 조금 작다. 원통형 튜브는 하나의 종횡비를 갖는다. 보다 편평한 형상은 더 작은 종횡비를 가진다. 장방형 튜브의 직경은 근본적으로 그 측면길이와 같다.
종횡비는 웨이퍼와 평행한 대칭면을 가진 튜브에 유용하다. 그러나, 웨이퍼상으로는 편평한 표면 및 웨이퍼 아랫쪽으로 곡면을 갖는 튜브를 착상할 수도 있다. 따라서, 표면의 평탄상태의 정확한 특징을 다음과 같이 설명한다. 각각의 튜브는 종축을 갖는데, 예를들면 석영튜브(110)는 제1도 및 제2도에 도시된 바와 같이 종축(160)을 가진다. 튜브의 반경은 종축에서부터 튜브의 내부면상의 한 지점까지 수직으로 뻗어 있는 부분에 의해 형성된다. 예를들면, 반경(162)은 종축(160)으로부터 튜브의 내부면상의 지점(164)까지 수직하게 뻗어있어서, 반경(162)이 웨이퍼(91)에 대하여 수직하다. 바람직하게, 반경(162)은 기하학적으로 중앙부(93)에서 웨이퍼(91)와 교차한다.
지점(164)을 포함하는 내부면은, 이 지점(164)을 통과하며 석영튜브(110)의 종축(160)에 대해서 수직한 평면내에 형성된 곡률반경을 가진다. 투영지점에 대한 반경도 일정한 크기(예를들어 길이)를 가진다. 선택된 지점과 관련된 반응용기의 반경 및 곡률반경이 동일할 때 튜브는 원통형이며, 적어도 투영지점 둘레로 국부적으로 원통형이다. 반응용기의 반경이 곡률반경보다 크면 클수록, 보다 불균일한 반응가스의 흐름조건이 성립한다. 투영지점에서의 곡률반경의 크기가 투영지점에서의 반경의 크기보다 훨씬 클 때, 반응가스의 흐름에 균일성이 존재한다. 사실 이러한 관계는, 튜브의 내부면상으로 웨이퍼를 윗쪽으로 투영시킨 모든 지점에서 유지되어야 한다. 내부면이 편평할 때, 곡률반경은 무한히 크며 실제 반경보다 더 크다.
여기서, "윗쪽"이라는 말의 의미는 관심이 되는 웨이퍼의 표면이 투영지점과 다른 웨이퍼의 표면 사이에 놓여지도록 웨이퍼를 투영시킨다는 것이 보다 정확한 표현일 것이다. 일반적으로 웨이퍼의 오직 한 측면만이 회로장치를 지탱하기 위한 것이며, 이러한 측면은 바로 반응가스의 흐름이 균일하게 유지되어야 하는 측면이다. 통상적으로 이러한 측면은 반응용기와 접하여 있다. 보다 일반적으로, 이러한 측면은 다른 측면과 접촉하고 있는 지지부와 접하지 않는다. 예를들면, 지지대(108)는 웨이퍼의 하부면(95)과 접촉함으로써 웨이퍼(91)을 지지하며, 동시에 웨이퍼의 상부면(97)은 반도체 가공기가 설치되어 있는 면이다. 만일 웨이퍼의 양측면(상부면 및 하부면)이 모두 지지되면, 투영지점은 웨이퍼 위 또는 아래에 존재한다.
따라서, 본 발명은 장방형과 원통형의 중간 형태인 튜브 및 장방형 튜브를 제공하는 것이며, 하나 이상의 벽돌이 안쪽으로 곡선을 이루는 기하학적 형상을 제공한다. 다수의 이음판을 사용하여 보다 얇은 원통형 튜브가 제조된다. 상기한 석영튜브(110 및 410)는 웨이퍼에 대해서 수직한 평면 및 웨이퍼에 평행한 평면에 대해서 대칭을 이루며, 이들 두 평면을 수평방향의 축을 포함하고 있다. 웨이퍼에 대해서 수직한 평면에 대한 대칭은 균일성을 증대시킨다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼에 평행인 평면에 대해서 비대칭인 튜브들이 제공된다.
본 발명은 여러 가지 석영튜브 재료에 대해서 제공된다. 99
Figure kpo00004
순수 이산화규소인 용융실리카가 튜브용으로 바람직한 재료이다. 그러나, 다른 유리합성물이 또 다른 장점(예를들어, 낮은 열팽창계수)을 제공할 수도 있으며, 여러 가지 열원 및 냉각원이 사용가능하다. 예를들면, 적외선 이외의 다른 전자기 방사를 이용하는 열원이나 유도성 열원 또는 저항성 열원이 사용가능하다. 석영튜브의 내부와 외부 사이에 압력차를 제공하는 수단이 사용될 수 있으며, 이러한 수단은 진공이 아닌, 예를들면 반응챔버를 대기압으로 유지시키는 수단으로서 사용될 수도 있다.

Claims (12)

  1. 내부면(146)과 외부면(144)을 갖춘 석영 벽을 구비하고 있고 비원형 횡단면을 갖도록 형성된 기다란 반응용기(104) ; 상기 벽의 상기 외부면(144)에 의해서 형성되며 사용시 상기 반응용기(104) 내의 저압과의 압력차에 의해서 응력을 받는 반응챔버(105) ; 상기 반응용기(104)내의 저압으로 인한 압력차로부터 상기 벽을 지지하도록 상기 벽의 상기 외부면(144)에 부착되어 있는 외부의 보강수단(111 내지 115) ; 상기 반응용기(104)의 양단부(122, 126)를 밀봉시키는 밀봉수단(120, 124) ; 상기 반응용기(104)의 상대적으로 편평한 부분(152)의 아랫쪽으로 놓여지도록 상기 반응용기(104)내에 배열되어 있는 웨이퍼 지지수단(108) ; 복사열이 상기 벽을 통해서 적어도 부분적으로 상기 웨이퍼 지지수단(108)쪽으로 배향되도록 상기 반응용기(104)의 외부에 배열되어 있는 램프 수단(130) ; 그리고 상기 반응용기를 통해서 상기 반응용기의 종축에 대해서 평행하게 반응가스를 유동시키는 가스유동수단(102,106)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보강수단(111 내지 115)의 적어도 일부가 상기 벽에 일체식으로 또는 상기 벽의 상기 외부면에 융접으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보강수단이 서로 평행하게 상기 외부면에 연결된 다수의 편평한 이음판(111 내지 115)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 벽의 상기 외부면과 접촉하는 상기 보강수단(111 내지 115)의 적어도 일부가 석영으로 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반응용기(104)의 횡단면이 장방형 또는 타원형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  6. 석영 벽을 구비하고 있는 비원형 횡단면으로 형성된 반응용기(410) ; 상기 반응용기(410)의 양단부를 밀봉시키는 밀봉수단(120,124) ; 상기 반응용기내에 배열되어 있는 웨이퍼 지지수단(108) ; 복사열이 상기 벽을 통해서 적어도 부분적으로 상기 웨이퍼 지지수단(108)쪽으로 배향되도록 상기 반응용기(410)의 외부면에 배열되어 있는 램프수단(130) ; 그리고 저압상태 하에서 상기 반응용기의 종축에 대해서 평행하게 반응가스를 유동시키는 가스유동 수단(102,106)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반응가스가 상기 벽의 상기 외부면 둘레의 원주방향으로 배열된 보강수단(111 내지 115)에 의해서 안내되는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반응용기(410)가 상기 반응용기의 종축에 대해서 수직한 횡단면을 포함하고 있고, 상기 횡단면이 제1직경(420) 및 상기 제1직경에 수직하고 상기 제1직경보다 큰 제2직경(422)을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지수단(108)이 편평한 포면(95,97)을 갖춘 웨이퍼(91)를 지지하며, 상기 편평한 표면이 상기 제1직경(420)에 대해서 수직한 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 벽의 내부면(146)이 편평한 부분을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 램프수단이 다수의 가열부재(132,134)를 포함하며, 상기 가열부재가 상기 보강수단(111 내지 115)에 대해서 서로 엇갈린 관계로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  12. 반응챔버(105)를 형성하도록 석영으로 제조된 반응용기(104) ; 상기 반응챔버내에서 편평한 반도체 웨이퍼(91)를 지지하기 위한 웨이퍼 지지수단(108) ; 상기 반응챔버를 밀봉시키는 밀봉수단(122,126) ; 상기 반응챔버 안으로 적어도 하나의 가스를 유입시키는 가스공급수단(102) ; 그리고 상기 반응챔버로부터 가스를 제거시킴으로서 상기 반응챔버내를 대기압 이하의 압력으로 유지시키는 진공수단(106)을 포함하며, 상기 반응용기(104)는 상기 반응챔버(105)의 벽을 둘러싸는 석영 이음판(111 내지 115)과, 상기 반응용기의 입구(120)로부터 출구(124)까지 종방향으로 뻗어있는 종축(160)과, 상기 반응용기의 종축방향에 대해서 수직하게 형성되며 상기 종축을 따라서 일정한 크기를 갖는 횡단면과, 내부면(146)과, 그리고 외부면(144)을 포함하며, 상기 석영 이음판(111 내지 115)은 상기 반응용기의 상기 외부면(144)에 융접연결된 내향면을 각각 갖추고 있으며, 상기 반응용기의 상기 내부면(146)은 상기 웨이퍼(91)에 대해서 수직하게 그리고 상기 종축으로부터 수직하게 뻗어있는 반경을 형성하는 지점 및 상기 종축에 대해서 수직하게 상기 지점을 통과하는 평면상의 곡률반경을 가지며, 상기 곡률반경의 크기는 상기 반경의 크기 보다 크게 형성되며, 상기 웨이퍼 지지수단(108)은 상기 웨이퍼(91)의 제1평면(95)과 접촉하며, 상기 웨이퍼(91)는 상기 반응용기의 상기 지점과 상기 웨이퍼(91)의 상기 제1평면(95)의 사이에 배치된 제2평면(97)을 구비하며, 상기 웨이퍼 지지수단(108)은 상기 반응용기(104)에 기계적으로 연결되어 있어서 상기 반응챔버(105)내에서 상기 웨이퍼(91)의 위치가 결정되며, 상기 밀봉수단(122,126)에 의해서 상기 반응가스와 주위가스 사이의 압력차가 형성되며, 상기 밀봉수단은 상기 반응용기의 상기 입구(120)에서 밀봉을 제공하는 입구 밀봉수단 및 상기 반응용기의 상기 출구(124)에서 밀봉을 제공하는 출구 밀봉수단을 포함하고 있으며, 상기 밀봉수단은 상기 반응용기에 기계적으로 연결되어 있으며, 상기 가스 공급수단(102)은 상기 입구 밀봉수단(122)을 통해서 상기 반응챔버(105)에 연결되어 있으며, 상기 진공수단(106)은 상기 밀봉수단(126)을 통해서 상기 반응챔버(105)에 연결되어 있는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
KR1019900005395A 1989-04-18 1990-04-18 반도체 가공용 내압 열반응로 시스템 KR0181942B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/339,784 US4920918A (en) 1989-04-18 1989-04-18 Pressure-resistant thermal reactor system for semiconductor processing
US339784 1994-11-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900017092A KR900017092A (ko) 1990-11-15
KR0181942B1 true KR0181942B1 (ko) 1999-10-01

Family

ID=23330573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900005395A KR0181942B1 (ko) 1989-04-18 1990-04-18 반도체 가공용 내압 열반응로 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4920918A (ko)
EP (1) EP0393809B1 (ko)
JP (1) JPH02299225A (ko)
KR (1) KR0181942B1 (ko)
DE (1) DE69025972T2 (ko)
ES (1) ES2086367T3 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100899564B1 (ko) * 2007-09-17 2009-05-27 주식회사 넥스트론 급속 열처리 프로세스 장치

Families Citing this family (256)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5221556A (en) * 1987-06-24 1993-06-22 Epsilon Technology, Inc. Gas injectors for reaction chambers in CVD systems
US5167717A (en) * 1989-02-15 1992-12-01 Charles Boitnott Apparatus and method for processing a semiconductor wafer
US5129360A (en) * 1990-01-24 1992-07-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Actively cooled effusion cell for chemical vapor deposition
US5085887A (en) * 1990-09-07 1992-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer reactor vessel window with pressure-thermal compensation
US5148714A (en) * 1990-10-24 1992-09-22 Ag Processing Technology, Inc. Rotary/linear actuator for closed chamber, and reaction chamber utilizing same
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
JP3338884B2 (ja) * 1993-09-20 2002-10-28 株式会社日立製作所 半導体処理装置
FI100409B (fi) * 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
US5573566A (en) * 1995-05-26 1996-11-12 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Method of making a quartz dome reactor chamber
KR100478461B1 (ko) * 1995-08-03 2005-09-05 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 내부지지체를갖는프로세스챔버
US6093252A (en) * 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
SE9600705D0 (sv) * 1996-02-26 1996-02-26 Abb Research Ltd A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device
JP3483733B2 (ja) * 1997-06-04 2004-01-06 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び基板処理方法
US5960158A (en) * 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6099648A (en) * 1997-08-06 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Domed wafer reactor vessel window with reduced stress at atmospheric and above atmospheric pressures
US6780464B2 (en) * 1997-08-11 2004-08-24 Torrex Equipment Thermal gradient enhanced CVD deposition at low pressure
US6301434B1 (en) 1998-03-23 2001-10-09 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates
US5970214A (en) * 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) * 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6406543B1 (en) 1998-07-23 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Infra-red transparent thermal reactor cover member
US6152075A (en) * 1998-08-31 2000-11-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for heating semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6200387B1 (en) * 1998-10-30 2001-03-13 Dangsheng P. E. Ni Method and system for processing substrates using nebulized chemicals created by heated chemical gases
US6143079A (en) 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
US6771895B2 (en) * 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6281141B1 (en) 1999-02-08 2001-08-28 Steag Rtp Systems, Inc. Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices
US6383330B1 (en) 1999-09-10 2002-05-07 Asm America, Inc. Quartz wafer processing chamber
US6547922B2 (en) * 2000-01-31 2003-04-15 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum-processing apparatus using a movable cooling plate during processing
US6559424B2 (en) 2001-01-02 2003-05-06 Mattson Technology, Inc. Windows used in thermal processing chambers
JP2004014543A (ja) * 2002-06-03 2004-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR100930148B1 (ko) * 2002-11-22 2009-12-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 후면 가열 챔버
JP4058364B2 (ja) * 2003-03-18 2008-03-05 株式会社日立製作所 半導体製造装置
US7108753B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-19 Asm America, Inc. Staggered ribs on process chamber to reduce thermal effects
US7169233B2 (en) * 2003-11-21 2007-01-30 Asm America, Inc. Reactor chamber
US7396415B2 (en) * 2005-06-02 2008-07-08 Asm America, Inc. Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface
US7718225B2 (en) * 2005-08-17 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Method to control semiconductor film deposition characteristics
KR101921222B1 (ko) * 2011-06-30 2018-11-23 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마를 이용한 기판 처리장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10446420B2 (en) * 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US20180363139A1 (en) * 2017-06-20 2018-12-20 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4496609A (en) * 1969-10-15 1985-01-29 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor
US3623712A (en) * 1969-10-15 1971-11-30 Applied Materials Tech Epitaxial radiation heated reactor and process
US3744964A (en) * 1971-05-28 1973-07-10 Texas Instruments Inc High temperature diffusion tube
US3830194A (en) * 1972-09-28 1974-08-20 Applied Materials Tech Susceptor support structure and docking assembly
US4047496A (en) * 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
US4081313A (en) * 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
JPS6054919B2 (ja) * 1976-08-06 1985-12-02 株式会社日立製作所 低圧反応装置
JPS59178718A (ja) * 1983-03-29 1984-10-11 Sony Corp 半導体基体の処理装置
JPS60236216A (ja) * 1984-05-09 1985-11-25 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長装置
DE3544812A1 (de) * 1985-12-18 1987-06-25 Heraeus Schott Quarzschmelze Doppelwand-quarzglasrohr fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer prozesse
JPS62152123A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
JPS62166624U (ko) * 1986-04-14 1987-10-22
JPH069193B2 (ja) * 1987-02-17 1994-02-02 信越石英株式会社 減圧熱処理装置に用いられる反応管
JP2645474B2 (ja) * 1987-03-04 1997-08-25 富士通株式会社 気相成長装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100899564B1 (ko) * 2007-09-17 2009-05-27 주식회사 넥스트론 급속 열처리 프로세스 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0393809A3 (en) 1991-05-29
DE69025972D1 (de) 1996-04-25
DE69025972T2 (de) 1996-08-08
JPH02299225A (ja) 1990-12-11
EP0393809A2 (en) 1990-10-24
KR900017092A (ko) 1990-11-15
US4920918A (en) 1990-05-01
ES2086367T3 (es) 1996-07-01
EP0393809B1 (en) 1996-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0181942B1 (ko) 반도체 가공용 내압 열반응로 시스템
US5194401A (en) Thermally processing semiconductor wafers at non-ambient pressures
US7108753B2 (en) Staggered ribs on process chamber to reduce thermal effects
US6454863B1 (en) Compact process chamber for improved process uniformity
EP1132506B1 (en) Thermal processing apparatus
US4778559A (en) Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus
US6064800A (en) Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes
US6383330B1 (en) Quartz wafer processing chamber
JP2004119510A (ja) 熱処理装置
KR100380213B1 (ko) 반도체 처리 시스템 및 기판 처리 장치
US6007633A (en) Single-substrate-processing apparatus in semiconductor processing system
JP2781616B2 (ja) 半導体ウエハの熱処理装置
US5679168A (en) Thermal processing apparatus and process
KR100353499B1 (ko) 급속 열처리(ｒｔｐ) 시스템용 팽창성 엘라스토머 요소
US7169233B2 (en) Reactor chamber
JPS60161616A (ja) 半導体ウエハの赤外線加熱装置
JP2000058534A (ja) 基板熱処理装置
JPS594434A (ja) 気相反応装置
US4956046A (en) Semiconductor substrate treating method
KR20230004325A (ko) 석영 불투명화를 감소하기 위한 반도체 증착 반응기 및 구성 요소
JPH07221037A (ja) 熱処理装置
JPH0397222A (ja) 枚葉式ｃｖｄ装置
KR200365533Y1 (ko) 저압 화상기상증착 장치의 반응로
JPH0626182B2 (ja) 赤外線加熱装置
JPH09260297A (ja) ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121129

Year of fee payment: 15

EXPY Expiration of term