KR900017092A - 반도체 가공용 내압 열반응로 시스템 - Google Patents

반도체 가공용 내압 열반응로 시스템 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 가공용 내압 열반응로 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 가공용 열반응로 시스템의 개략도,
제2도는 제1의 반도체 가공용 열반응로 시스템의 반응용기의 단면도,
제3도는 제2도의 반도체 가공용 열반응로 시스템의 반응 용기의 사시도.

Claims (32)

  1. 내표면과 외표면이 있는 벽을 가지며, 종축을 형성하는 기다란 석영 튜브로서, 상기 종축에 대해 수직하게 자른 상기의 단면이 반원형인 석영튜브 및 상기 벽에 대해 적용되는 압력에 견디기 위해 상기 벽의 상기 외표면에 연결되는 외부 보강 수단으로 구성되는 반응용기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 외표면에 연결하는 적어도 보강수단은 석영으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반응용기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보강수단의 적어도 일부분은 상기 벽과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반응용기.
  4. 제2항에 있어서, 상기 보강수단은 상기 석영 튜브의 외부표면에 연결되는 것을 특징으로 하는 반응용기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 튜브의 단면은 장방형인 것을 특징으로 하는 반응용기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 튜브의 단면은 타원형인 것을 특징으로 하는 반응용기.
  7. 제1항에 있어서, 상기 보강수단은 상기 튜브의 외부표면에 연결되고 서로 평행으로 배치되는 평면 이음판들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반응용기.
  8. 내부표면이 있는 벽을 가지며 종축을 형성하고 상기 종축에 수직하게 자른 상기 튜브의 단면이 비원형인 기다란 석영관과, 상기 벽에 대해 적용되는 압력에 견디기 위해 상기 벽의 상기 외부표면에 연결되는 외부 보강수단과, 상기 튜브들의 단부들을 밀봉하기 위한 수단과를 포함하는 저압용기: 상기 반응 용기내에 배치된 웨이퍼 지지수단: 상기 튜브 밖에 배치되고, 방사열을 상기 벽을 통해 적어도 부분적으로 상기 웨이퍼 지지수단으로 향하게 하는 방사열 수단 및 주위압 보다 낮은 압력 하에서 상기 종축에 대해 실질적으로 평행한 상기 용기를 통해 가스를 흘러 보내는 수단으로, 구성되는 고온 및 저압 열 반응로 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 외부 표면에 연결하는 적어도 상기 보강 수단부는 석영으로 만드는 것을 특징으로 하는 고온 및 저압 열 반응로 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 적어도 상기 보강수단은 상기 벽과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 고온 및 저압 열 반응로 시스템.
  11. 제9항에 있어서, 상기 보강 수단은 상기 외부표면에 연결되는 것을 특징으로 하는 고온 및 저압 열 반응로 시스템
  12. 제8항에 있어서. 상기 튜브의 단면은 장방형인 것을 특징으로 하는 고온 및 저압 열 반응로 시스템.
  13. 제8항에 있어서. 상기 튜브의 단면은 타원형인 것을 특징으로 하는 고온 및 저압 열 반응로 시스템.
  14. 제8항에 있어서, 상기 보강 수단은 상기 튜브 외부 표면에 연결되고 각각 평행되게 배치된 평면 이음판을 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 및 저압 열 반응로 시스템.
  15. 내부표면 및 외부 표면을 가지며 상기 내부 표면에 의해 부분적으로 경계된 챔버를 형성하고 종축을 헝성하는 석영 튜브와, 튜브가 상기 내부 표면 및 외부 표면 사이의 압력차에 견딜 수 있게 상기 튜브의 외부 표면으로 냉각원 흐름을 인도하고 상기 튜브에 구조적을 내구력을 제공하며, 또한 상기 외표면의 대부분을 노출된 상태로 가지고, 상기 튜브의 외부 표면에 연결되는 강재를 포함하는 반응용기: 반응 기체를 상기 챔버 안으로 도입시키는 기체원: 상기 챔버 및 상기 챔버벽 밖 주위기체 사이의 압력차를 만드는 압력수단: 상기 류브 외표면을 통해 방사에 에너지를 전달하는 방사가열 수단 및 상기 냉매가 상기 외표면의 원주 둘레에 있는 상기 강재에 의해 안내되도록 냉매를 상기의 외표면으로 순환시키는 냉각수단으로, 구성되는 반도체 가공용 열 반응로 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기의 석영관은 상기 종축에 수직인 종단면을 가진 횡단면을 포함하며, 상기 종단면은 제1직경을 가지며, 상기 종단면은 상기의 제1직경에 수직이고 상기의 제1직경보다 더 큰 제2직경을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로 시스템.
  17. 제15항에 있어서. 웨이퍼의 평면이 상기 제1직경에 수직되게, 평면을 가진 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로 시스템.
  18. 제15항에 있어서, 상기 튜브는 장방형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로 시스템.
  19. 제15항에 있어서, 상기 튜브는 원통형 단면을 가지는 것을 특징으로하는 반도체 가공용 열 반응로 시스템.
  20. 제15항에 있어서. 상기 튜브 내부표면은 본질적으로 평탄한 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열반응로 시스템.
  21. 제15항에 있어서, 상기의 방사 가열 수단은 복수 가열 요소를 포함하고, 상기의 강재에 대해 삐뚤어지게 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로 시스템.
  22. 제15항에 있어서. 상기 강재는 석영이며 상기 튜브에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로 시스템.
  23. 반응 챔버를 형성하는 반응 용기로서, 상기 반응 용기는 석용 튜브 및 석영 이음판을 포함하고, 상기 석영 튜브의 배출부 까지 종축으로 뻗어 있는 종축을 가진 상기 석영튜브는 튜브의 세로 길이에 수직으로 자른 단면을 가지며 상기 단면은 상기 종축에 대해 본질적으로 일정하게 존재하고, 상기 석영 튜브는 내부표면 및 외부 표면을 가지고. 상기 석영의 각 이음판은 상기 석영 튜브의 상기 외부표면에 연결된 내부표면을 가지고, 상기 종축으로부터 한점 까지 수직되게 뻗어 있는 반경을 형성하는 상기점을 포함하는 상기 석영튜브의 내부표면은 상기점을 통한 평면 및 상기 종축에 수직인 평면에서의 곡률반경과 상기 튜브 반경의 크기보다 본질적으로 더 큰 상기 곡률 반경을 가지는 반응용기 상기 석영 튜브의 반경이 상기 웨이퍼에 수직으로 뻗어 있게 상기 챔버 내 평면 반도체 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지부로서, 상기 지지부는 상기 웨이퍼의 첫 평면에 접촉되고, 상기 웨이퍼는 상기 첫 평면 및 상기 점 사이에 배치되는 제2평면을 가지고, 상기 반응 챔버내 상기 웨이퍼의 위치가 선결될 수 있게 상기 웨이퍼 지지부가 상기 반응 용기에 기계적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지수단: 홉입구에 있는 시일 제공용 흡입구 밀봉부 및 배출구에 있는 시일 제공용 배출구 밀봉부를 포함하며, 상기 석영튜브에 기계적으로 연결되어 있으며, 압력차가 상기 반응 챔버 및 주위 기체 사이에 형성 및 유지될수 있게 상기 챔버를 밀봉용, 챔버 밀봉수단: 적어도 하나의 기체 형태를 상기 반응 챔버에 도입하고 상기 흡입밀봉수단을 통해 반응 챔버에 연결되어 있는 기체원수단: 제거기체에 의해 상기 챔버로부터 상기 챔버내에 부주위압을 설립 또는 유지하며 상기 진공 일봉수단을 통해 상기 반응 챔버에 연결되어 있는 진공수단 및 상기 석영튜브의 외부 표면을 통해 전자기 에너지를 상기 반응챔버에 전달하기 위해 에너지원이 상기 반응 용기에 물리적으로 연결되어 있는, 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 가열수단; 으로 구성되는 반도체 기공용 열 반응로.
  24. 제23항에 있어서, 상기 내부표면은 상기 웨이퍼에 평행한 본질적으로 평탄한부분을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로.
  25. 제23항에 있어서, 상기 튜브 및 상기 이음판은 상기 튜브의 종방향 길이에 수직인 본질적인 장방형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로.
  26. 제23항에 있어서, 상기 이음판은 본질적으로 서로 평행하고 상기 튜브에 대해 원주로 뻗어 있으며 튜브의 종방향길이에 수직되게 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로.
  27. 제26항에 있어서, 상기 에너지원은 상기 이음판에 대해 삐뚤어진 관계로 배치된 성분을 일으키는 복수열을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 열 반응로.
  28. 제23항에 있어서, 상기 석영 튜브를 냉각시키기 위해 냉매 유동을 제공하기 위한 것으로서 반응 용기 밖에 있는 냉각수단 및 상기 석영튜브의 외부표면을 따라 상기 냉각원유동을 인도 시키기위해 평행한 냉각원 흐름채널을 형성하는 상기 이음판을 추가적으로 포함하는, 반도체 가공용 열 반응로.
  29. 외부 표면을 가진 석영튜브를 만드는 단계: 석영 이음판을 형성하는 단계: 상기 석영 이음판을 상기 석영튜브의 외부표면에 대해 원주로 배치하는 단계 토오치를 사용하여 상기 석영 이음판을 상기 석영 튜브에 연결시키는 단계 및 용융 중 유도되는 응력을 제거하기 위해 최종 반응 용기를 어닐링하는 단계로 구성되는 반응 용기 형성방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 이용판들의 각각은, 상기 이용판들이 상기 튜브의 외부 표면에 대해 배치된 후에 끝에서 끝까지 함께 연결되는 다 조각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반응 용기 형성방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기의 석영 튜브는, 석영튜브의 단면이 원형에서 장방향으로 변화될수 있도록 변형되는 것을 특징으로 하는 반응 용기 형성방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기의 석영튜브는, 석영튜브의 단면이 원형에서 타원형으로 변화될 수 있도록 변형되는 것을 특징으로 하는, 반응 용기 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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