JP4436565B2 - 基板を熱処理するための装置 - Google Patents

Description

【０００１】
本発明は、基板を熱処理するための装置であって、反応室と、少なくとも１つの長く延びる熱源と、少なくとも１つのリブを有する、熱源によって射出されたビームの少なくとも一部を反射するための、光源に隣接した少なくとも１つの反射壁とが設けられている形式のものに関する。
【０００２】
このような形式の装置は、例えば特開平５−１９０５５８号公報に基づき公知である。反射壁は、熱ランプに対して平行に延びる溝を有している。これらの溝には、熱ランプが少なくとも部分的に配置されており、これらの溝が少なくとも１つのリブを形成している。この種の反射壁の場合、ランプに対して平行な、反射させられたビームが生ぜしめられる。反射壁において熱ランプに対して平行に延びる輪郭を備えたこのような装置は、さらに特開昭６１−１２５０２１号公報ならびに特開昭６０−１９３３４３号公報に基づき公知である。
【０００３】
同一出願人による未だ公開されていないＤＥ１９７３７８０２には、基板を熱処理するための装置が記載されている。このような装置においては、石英ガラスから成る反応室が、反射壁を備えた第２の、より大きな室内部に位置している。反射室の上方および下方には、棒状ランプの形の熱源が配置されている。これにより、反応室内に位置する基板、特に半導体ウエハが加熱される。装置の反射壁は平らなので、反射させられたビームはやはりランプに対して平行に生ぜしめられる。
【０００４】
反射壁におけるこのような平行な反射によって、反射室内部に、基板を加熱するための入射光の、規定された周期的な強度分布が生ぜしめられる。これにより、基板は所定の部分領域内で、他の部分領域内におけるよりも強く加熱されるおそれがある。しかしながら、基板はできるだけ均一に加熱されなければならないので、このことは不都合である。
さらに、米国特許第４６５４５０９号明細書ならびに米国特許第３８３６７５１号明細書に基づき、棒状ランプを備えた上側および下側のランプ台を急速加熱装置に配置して、下側のランプ台の棒状ランプに対して上側のランプ台の棒状ランプが回転させられるようになっていることが公知である。棒状ランプに隣接して反射壁がそれぞれ、棒状ランプに対して平行に延びる溝を有しており、これにより、ランプに対して平行な反射させられたビームが生ぜしめられる。
米国特許第５５６１７３４号明細書に示された、基板を熱処理するための装置の場合、細長く延びる熱源と、リブを備えた反射壁とが設けられている。反射壁のリブは、光源に対して平行に延びている。
【０００５】
したがって本発明の課題は、冒頭で述べた形式の、基板を熱処理するための装置を改良して、基板のより均一な加熱が可能になるような装置を提供することである。
【０００６】
この課題を解決するために本発明の構成では、単数または複数の熱源が、少なくとも１つのリブの長手方向に対して斜めに所定の角度を成して配置されているようにした。このような配置によって、熱源の鏡像が、管とリブとの間の角度に応じた程度で旋回させられるので、放射強度のより均一に向けられた分布が反射室内で生ぜしめられる。
【０００７】
本発明の有利な構成によれば、反射壁が互いに平行に配置された複数のリブを有している。多数のリブによって、反応室全体の内部における放射強度をより均一に分配することが簡単に可能になる。この場合、リブは溝によって形成されると有利である。
【０００８】
本発明の特に有利な構成によれば、光源は棒状ランプである。これらの棒状ランプは簡単かつ良好に制御可能な光源である。
【０００９】
リブと光源との角度は４５°であると有利である。これにより、光源の鏡像は９０°の角度を成して旋回させられる。これにより、ランプ管の直接的なビームに対して直角に延びる反射ビームが生ぜしめられる。これにより、特に均一なビーム強度が反応室内部に生ぜしめられる。
【００１０】
本発明の１つの構成によれば、リブは反射壁全体を超えて均一に延びている。これにより反射壁全体を超えて上記効果を生ぜしめることができる。
【００１１】
本発明の別の構成によれば、リブは反射壁の少なくとも部分領域にわたって、特に反射壁の外側領域に延びている。これにより熱放射を、加熱しようとする基板に向かって反射することを可能にする。
【００１２】
本発明の特に有利な構成では、さらに、少なくとも１つのリブを有する反射壁を回転させるための少なくとも１つの回転装置が設けられている。この回転により、処理室内の放射フィールドの強度分布をその都度のプロセス条件に適合することができる。特に、所定の時間を超えた反射壁の回転により、強度分布を均質化することができる。これにより、基板の一層均一化された加熱が可能になる。さらに、反射壁の回転により、ビームの強度分布が反射壁の回転周波数によって変化させられる。変化は例えば、高温計による温度測定のために使用することもできる。
【００１３】
回転装置を制御するための制御ユニットが設けられていると有利である。これにより回転、ひいては処理室内の放射の強度分布を、その都度のプロセス条件およびプロセスステップに適合させることができる。
【００１４】
このような関連において、基板という概念は、半導体ウエハ、マスク、ボード、ならびに、熱処理を受ける表面を有する全ての物体を意味する。
【００１５】
本発明を図面に示した実施例に基づき以下に詳しく説明する。
【００１６】
図１は基板２を熱処理するための装置１を概略的に示している。この装置１は第１の、鏡面化された室５を有している。この室５は、上側のリフレクタ壁６と、下側のリフレクタ壁７と、反射性の側壁８，９と、図示していない反射性の前壁および後壁とを備えている。この室５内には、有利には石英ガラスから製造された反応室１０が配置されている。この反応室１０は、反応ガスを導入するためのガス供給管１２と、基板２、この場合有利には半導体ウエハを搬入および搬出するための室ドアフレーム１４とを有している。石英基板支持体１７に、この支持体からスペーサ１８によって所定の間隔を置いて、基板２が位置している。基板２に対して同心的に、補償リング２２が設けられている。この補償リングによって、より良好な熱均質性が達成可能である。
【００１７】
リフレクタ壁６，７と反応室との間には、それぞれ棒状ランプ２５が配置されている。これらの棒状ランプ２５は、図示していない前壁と後壁との間に、側壁８，９に対して平行に方向付けられて延びている。このような装置の構造ならびに機能形式に関する詳細自体は既に述べた同一出願人によるドイツ連邦共和国特許出願公開第４４３７３６１号明細書ならびにドイツ連邦共和国特許出願公開第１９７３７８０２号明細書に記載されている。繰り返しを避けるために、この点に関しては、これらの文献の内容を本発明の出願内容に含ませることにする。
【００１８】
図１においてはリフレクタ壁６，７の輪郭が明らかでないのに対して、図２は、一方のリフレクタ壁の本発明による輪郭形成のための一例を示している。この場合、輪郭形成を下側のリフレクタ壁７についてのみ説明する。反応室１０に向いた、リフレクタ壁７の上面には、溝３２が側面３０に対して４５°の角度を成して形成されている。これらの溝３２は、リブ３４が上方に向かって先端が尖った状態で延びるエッジ３６を有して形成されるように三角形状を有している。三角形の溝３２の、先端が尖った状態で延びる側面相互間には、それぞれ溝３２の最も深い点で下側の溝エッジ３８が形成されている。
【００１９】
図３から明らかなように、リフレクタ壁７または反射壁の上方には棒状ランプ２５が、側面３０に対して平行に方向付けられて延びているので、リブ３４は、棒状ランプ２５に対して４５°の角度を成して延びている。このような配置関係により、上に述べたように、棒状ランプ２５の鏡像は、棒状ランプ２５に対して９０°だけ旋回させられた角度を成して生ぜしめられる。
【００２０】
上側のリフレクタ壁６の上方には、図示していない回転装置が設けられている。この回転装置はリフレクタ壁に結合されており、これにより、リフレクタ壁を基板２に対して直角に延びる軸線を中心にして回転させることができる。この回転は相応の制御装置によって制御可能に行われ、１つの基板の加熱処理中にその都度のプロセス条件およびプロセスステップに適合される。
【００２１】
さらに、反射壁の回転により、室内における強度分布が反射壁の回転周波数によって変化させられる。このような変化は、高温計による温度測定時に適用することができる。ランプビームの能動的な変化による基板温度の測定方法は、例えば同一出願人による公開されていないドイツ連邦共和国特許出願第１９８５５６８３．７号明細書に記載されている。
【００２２】
以上、本発明を１つの有利な実施例に基づいて説明した。しかしながら当業者にとっては、本発明の思想を逸脱することなしに所定の形状を付与し、変更を加えることが可能である。特に、本発明による、図示のリブ３４として形成された反射壁の他の輪郭も可能である。さらに、反射壁全体を超えて輪郭が均一に延びることも必要ではなく、この輪郭が設けられていない、反射壁の領域が形成されていてもよい。
【００２３】
装置１の構造も、具体的に記載されたものに限定されるものではない。つまり例えば、反応室の上方および下方に配置された棒状ランプを９０°だけずらすか、または、リブ３４と棒状ランプ２５との角度を４５°より小さくまたは大きく選択することが可能である。さらに、基板を反応室内部で運動させるために、運動装置、特に回転装置を設けることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 基板の熱処理のための装置を概略的に示す横断面図である。
【図２】 図１の装置の本発明による反射壁を示す斜視図である。
【図３】 図２に示した本発明による反射壁を、棒状ランプが配置されている状態で示す斜視図である。

Claims (11)

1. 基板（２）を熱処理するための装置（１）であって、反応室（１０）と、少なくとも１つの長く延びる熱源（２５）と、少なくとも１つのリブ（３４）を有する、熱源（２５）によって射出されたビームの少なくとも一部を反射するための、光源に隣接した少なくとも１つの反射壁（６，７）とが設けられている形式のものにおいて、
   熱源（２５）が、少なくとも１つのリブ（３４）の長手方向に対して斜めに所定の角度を成して配置されていることを特徴とする、基板を熱処理するための装置。
2. 互いに平行に配置された複数のリブ（３４）が反射壁（６，７）に配置されている、請求項１記載の装置。
3. リブ（３４）が溝（３２）によって形成されている、請求項１または２記載の装置。
4. 熱源（２５）が棒状ランプである、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
5. 角度が４５°である、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
6. リブ（３４）が反射壁（６，７）全体を超えて均一に延びている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
7. リブ（３４）が反射壁（６，７）の少なくとも部分領域にわたって延びている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
8. リブ（３４）が反射壁（６，７）の外側領域に延びている、請求項７記載の装置。
9. 反射壁の放射領域内で、加熱しようとする基板を運動させるための、特に回転させるための装置が設けられている、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
10. 少なくとも１つのリブ（３４）を有する少なくとも１つの反射壁（６，７）を回転させるための回転装置が設けられている、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
11. 回転装置を制御するための制御ユニットが設けられている、請求項１０記載の装置。

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