KR970071844A - 퓨즈 링크를 사용한 집적회로 메모리 - Google Patents
퓨즈 링크를 사용한 집적회로 메모리 Download PDFInfo
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Abstract
집적 회로 메모리(140)는 스캔가능한 플립-플롭(25)에 결합된 프로그램 가능한 퓨즈(20)를 포함한다. 프로그램 가능한 퓨즈(20) 및 스캔가능한 플립-플롭(25)은 스캔 체인 내에 제공되고, 보상(여분의) 정보, 웨이퍼로트 번호 및 웨이퍼 수, 웨이퍼 상의 다이 위치, 또는 패키지 시험 동안 또는 패키지 시험 후에 사용할 수 있는 기타 다른 정보와 같이, 집적 회로 메모리(140)에 대한 특정 정보를 프로그래밍하기 위해서 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 구체예에 따른 스캔 체인(scan chain)의 블록도이다.
Claims (3)
- 스캔 시험을 실행하기 위한 집적회로 메모리(140)에 있어서, 집적회로(140)에 관련된 미리정한 정보를 저장하기 위한 퓨즈 회로(21); 및 집적회로 메모리(140)가 시험 모드에 있을때, 미리정한 정보를 선택적으로 제공하기 위한, 퓨즈 회로(20)에 결합된 래치회로(26)를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 메모리(140).
- 여분(redundancy)을 갖는 집적회로 메모리(140)에 있어서, 입력신호를 수신하기 위한 입력단자와, 다수의 직렬로 연결된 레지스터(registers), 및 어드레스 신호를 제공하기 위한 출력단자를 갖는 시프트 레지스터(100)와; 어드레스 신호를 수신하고, 그에 응답하여, 디코드된 어드레스 신호를 제공하기 위한, 시프트 레지스터(100)에 결합된 디코더 회로(101)와; 디코드된 어드레스 신호에 응답하여, 집적회로 메모리(140)에 관한 미리정한 정보를 포함하는 저장된 퓨즈정보를 제공하기 위한 어드레스 가능한 퓨즈회로(103); 및 시험모드에 있는 집적회로 메모리(140)에 응답하여, 저장된 퓨즈 정보를 제공하기 위한, 어드레스 가능한 퓨즈 회로(103)에 결합된 래치 회로(latch circuit; 111)를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 메모리(140).
- 집적회로 메모리(140)는 JTAG(조인트 테스트 액션 그룹)경계-스캔 시험 표준에 따라 경계 스캔 시험을 실행하는, 여분을 갖는 집적 회로 메모리(140)에 있어서, 행과 열로 조직된 다수의 메모리 셀(143)과; 다수의 메모리 셀(143)의 결함있는 열을 교체하기 위한 메모리 셀의 여분의 열(163)과; 다수의 메모리 셀(143)의 결함있는 열을 메모리 셀의 여분의 열(163)로 대체할때 메모리 셀의 여분의 열(163)을 어드레싱하기 위한 여분의 정보를 저장하기 위한 퓨즈 회로(105); 및 집적 회로 메모리(140)가 시험 모드에 있을때 여분의 정보를 선택적으로 제공하기 위한, 퓨즈 회로(1050에 결합된 래치회로(111)를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로 메모리(140)※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US08/641,151 US5677917A (en) | 1996-04-29 | 1996-04-29 | Integrated circuit memory using fusible links in a scan chain |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100443508B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 모듈 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5668818A (en) * | 1996-08-06 | 1997-09-16 | Hewlett-Packard Co. | System and method for scan control of a programmable fuse circuit in an integrated circuit |
TW389908B (en) * | 1998-01-16 | 2000-05-11 | Winbond Electronics Corp | Patching method capable of reducing the additional leakage current caused by manufacturing defects |
US6268228B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Electrical mask identification of memory modules |
JP2000311496A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Nec Corp | 冗長アドレス設定回路及びこれを内蔵した半導体記憶装置 |
DE19921868C2 (de) * | 1999-05-11 | 2001-03-15 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Kontrolle von Zuständen einer Speichereinrichtung |
KR100376265B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2003-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스 구조의 안티퓨즈를 이용한 메모리 리페어 회로 |
US7173867B2 (en) * | 2001-02-02 | 2007-02-06 | Broadcom Corporation | Memory redundancy circuit techniques |
US8164362B2 (en) * | 2000-02-02 | 2012-04-24 | Broadcom Corporation | Single-ended sense amplifier with sample-and-hold reference |
US6433405B1 (en) * | 2000-03-02 | 2002-08-13 | Hewlett-Packard Company | Integrated circuit having provisions for remote storage of chip specific operating parameters |
DE10018013A1 (de) * | 2000-04-11 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Halbleiterschaltung, insbesondere Halbleiter-speicheranordnung und Verfahren zum Betrieb derselben |
US6671834B1 (en) * | 2000-07-18 | 2003-12-30 | Micron Technology, Inc. | Memory redundancy with programmable non-volatile control |
US6829737B1 (en) | 2000-08-30 | 2004-12-07 | Micron Technology, Inc. | Method and system for storing device test information on a semiconductor device using on-device logic for determination of test results |
KR100389040B1 (ko) * | 2000-10-18 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적 회로의 퓨즈 회로 |
DE10063688A1 (de) | 2000-12-20 | 2002-07-18 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer programmierbaren Verbindung |
KR100384061B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2003-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치에 적용되는 센스 증폭기의 제로 마진인에이블 조절 장치 및 방법 |
US6981175B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-12-27 | Infineon Technologies Ag | Memory and method for employing a checksum for addresses of replaced storage elements |
KR100405595B1 (ko) * | 2001-10-31 | 2003-11-14 | 엘지전자 주식회사 | 소자 퓨징 장치 |
US6603690B1 (en) * | 2002-03-06 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Low-power static column redundancy scheme for semiconductor memories |
US6943560B1 (en) * | 2002-06-27 | 2005-09-13 | Cypress Semiconductor Corp. | Method to facilitate testing of laser fuses |
US6943575B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-09-13 | Micron Technology, Inc. | Method, circuit and system for determining burn-in reliability from wafer level burn-in |
DE60222891T2 (de) * | 2002-08-13 | 2008-07-24 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Nichtflüchtige Speichervorrichtung und Selbstreparatur-Verfahren |
JP4048884B2 (ja) * | 2002-09-10 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | ヒューズ回路及び表示駆動回路 |
US6882583B2 (en) * | 2003-04-30 | 2005-04-19 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for implementing DRAM redundancy fuse latches using SRAM |
US7145370B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-12-05 | Impinj, Inc. | High-voltage switches in single-well CMOS processes |
JP3843974B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2006-11-08 | セイコーエプソン株式会社 | 表示駆動回路 |
US7162673B2 (en) * | 2003-11-14 | 2007-01-09 | Integrated Device Technology, Inc. | Scan chain registers that utilize feedback paths within latch units to support toggling of latch unit outputs during enhanced delay fault testing |
US7242614B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-07-10 | Impinj, Inc. | Rewriteable electronic fuses |
US7177182B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-02-13 | Impinj, Inc. | Rewriteable electronic fuses |
US7388420B2 (en) * | 2004-03-30 | 2008-06-17 | Impinj, Inc. | Rewriteable electronic fuses |
US7283390B2 (en) | 2004-04-21 | 2007-10-16 | Impinj, Inc. | Hybrid non-volatile memory |
KR100618696B1 (ko) | 2004-04-28 | 2006-09-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 인식 정보를 갖는 메모리 장치 |
US8111558B2 (en) * | 2004-05-05 | 2012-02-07 | Synopsys, Inc. | pFET nonvolatile memory |
US7257033B2 (en) * | 2005-03-17 | 2007-08-14 | Impinj, Inc. | Inverter non-volatile memory cell and array system |
US7679957B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-03-16 | Virage Logic Corporation | Redundant non-volatile memory cell |
JP2006331571A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
US7395470B2 (en) * | 2005-06-09 | 2008-07-01 | International Business Machines Corporation | Method, apparatus, and computer program product for diagnosing a scan chain failure employing fuses coupled to the scan chain |
JP4899557B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-03-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
US8122307B1 (en) | 2006-08-15 | 2012-02-21 | Synopsys, Inc. | One time programmable memory test structures and methods |
KR100800383B1 (ko) * | 2006-08-18 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 시프트 레지스터 및 시프트 레지스터에 전기적 퓨즈를적용하는 방법 |
JP5102473B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-12-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 多目的eヒューズ・マクロのシステムおよび方法 |
KR20080035208A (ko) * | 2006-10-18 | 2008-04-23 | 삼성전자주식회사 | 퓨즈 커팅 정보들을 순차적으로 출력하는 반도체 장치 및테스트 시스템 |
US7707466B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-04-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Shared latch for memory test/repair and functional operations |
US7719896B1 (en) | 2007-04-24 | 2010-05-18 | Virage Logic Corporation | Configurable single bit/dual bits memory |
US8041210B2 (en) * | 2007-04-30 | 2011-10-18 | Finisar Corporation | Parallel high-speed communication links with redundant channel architectures |
US7560965B2 (en) * | 2007-04-30 | 2009-07-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Scannable flip-flop with non-volatile storage element and method |
US7894261B1 (en) | 2008-05-22 | 2011-02-22 | Synopsys, Inc. | PFET nonvolatile memory |
JP5422259B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-02-19 | 新日本無線株式会社 | トリミング回路 |
KR101718458B1 (ko) * | 2010-11-15 | 2017-03-22 | 삼성전자 주식회사 | 퓨즈 어레이를 갖는 반도체 장치 및 그 동작방법 |
US10044371B2 (en) * | 2015-08-28 | 2018-08-07 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for repair rate control for large erasure coded data storage |
CN109147857B (zh) * | 2017-06-15 | 2020-11-13 | 华邦电子股份有限公司 | 熔丝阵列和存储器装置 |
US20190250208A1 (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and method for detecting damage to an integrated circuit |
CN113436660B (zh) | 2020-03-23 | 2022-05-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 锁存电路 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346459A (en) * | 1980-06-30 | 1982-08-24 | Inmos Corporation | Redundancy scheme for an MOS memory |
JPS59210596A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
US4853946A (en) * | 1986-11-14 | 1989-08-01 | Picker International, Inc. | Diagonostic service system for CT scanners |
JPH07105159B2 (ja) * | 1989-11-16 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置の冗長回路 |
KR940007241B1 (ko) * | 1992-03-09 | 1994-08-10 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시장치 |
US5365310A (en) * | 1993-07-30 | 1994-11-15 | Xerox Corporation | Remote diagnosis of copy quality defects |
JP3530574B2 (ja) * | 1994-05-20 | 2004-05-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
US5668818A (en) * | 1996-08-06 | 1997-09-16 | Hewlett-Packard Co. | System and method for scan control of a programmable fuse circuit in an integrated circuit |
-
1996
- 1996-04-29 US US08/641,151 patent/US5677917A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-18 TW TW086101910A patent/TW328595B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-15 JP JP11344597A patent/JP3968148B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-16 EP EP97106233A patent/EP0805451A3/en not_active Withdrawn
- 1997-04-28 KR KR1019970015851A patent/KR100484584B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100443508B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 모듈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0805451A3 (en) | 1999-03-10 |
EP0805451A2 (en) | 1997-11-05 |
JP3968148B2 (ja) | 2007-08-29 |
KR100484584B1 (ko) | 2005-08-10 |
US5677917A (en) | 1997-10-14 |
JPH1055698A (ja) | 1998-02-24 |
TW328595B (en) | 1998-03-21 |
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