KR980005959A - 반도체 소자의 페일 셀 테스트 방법 - Google Patents
반도체 소자의 페일 셀 테스트 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 완성된 셀의 페일 발생시 대체대상인 스페어 셀을 전체 메모리 셀의 테스트로 대신하는 반도체 소자의 페일 셀 테스트 방법을 개시 한다. 이 방법은 셀의 페일을 검사하여 페일된 셀을 스페어 셀로 대체하고, 페일된 칼럼 및 로우 어드레스 셀을 저장하는 단계; 저장된 대체 스페어 셀만을 테스트하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 페일 셀 테스트 방법에서 1차 테스트 방법을 설명하는 흐름도.
제 2 도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 페일 셀 테스트 방법을 설명하기 위하여 페일 셀이 발생한 1메가디렘셀의 어드레스를 표시한 도면.
Claims (1)
- 셀의 페일을 검사하여 페일된 셀을 스페어 셀로 대체하고, 페일된 칼럼및 로우 어드레스 셀을 파일로 저장하는 단계; 저장된 스페어 셀만을 테스트하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 페일 셀 테스트 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019960022868A KR100257147B1 (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 페일 셀 테스트 방법 |
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Family Applications (1)
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KR100399435B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치와 그의 리페어 해석 방법 |
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KR100815135B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2008-03-19 | 세크론 주식회사 | 반도체 소자 테스트 방법 |
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1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022868A patent/KR100257147B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100399435B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치와 그의 리페어 해석 방법 |
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KR100257147B1 (ko) | 2000-06-01 |
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