KR960042366A - 데이타와 상태 메모리를 갖는 고 기억용량 dimm - Google Patents

데이타와 상태 메모리를 갖는 고 기억용량 dimm Download PDF

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Abstract

디랙토리 이용 분산형 공유 메모리 멀티프로세서 컴퓨터 시스템에 이용되는 고 기억용량 이중 인라인 메모리 모듈(DIMM)은 데이타를 저장하기 위한 데이타 메모리 및 데이타의 적어도 일부에 대응한 상태 또는 디렉토리 정보를 저장하기 위한상태 메모리를 포함한다.
DIMM은 데이타 및 상태정보가 독립적으로 액세스되도록 한다.
DIMM은 복수의 기억용량으로 구성될 수 있다.

Description

데이타와 상태 메모리를 갖는 고 기억용량 DIMM
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 SDRAM DIMM을 나타낸 고 레벨 블록도, 제2도는 본 발명에 따른 SDRAM DIMM의 정면과 후면을 나타낸 개략 블록도, 제3도는 본 발명에 따른 2개의 뱅크와 그 뱅크를 위한 상태 디렉토리 메모리를 갖는 SDRAM DIMM쌍을 나타낸 논리도, 제4도는 본 발명의 제 1실시예에 다른 36메가바이트 SDRAM DIMM를 나타낸 개략도, 제5도는 본 발명의 제 2실시예에 따른 72메가바이트 SDRAM DIMM을 나타낸 개략도, 제6A도는 본 발명에 따른 SDRAM DIMM의 정면 평면도, 제6B도는 제6B도의 SDRAM DIMM의 후면 평면도, 제7A도는 본 발명에 따른 SDRAM DIMM 피기백 기판의 정면 평면도, 제7B도는 제7A도의 SDRAM DIMM 피기백 기판의 후면 평면도.

Claims (33)

  1. 회로기판; 상기 회로기판상에 장착되고 데이타를 저장하기 위한 제 1메모리수단; 및 상기 회로기판상에 장착되고 상기 데이타의 적어도 일부에 대응하는 디렉토리 정보를 저장하기위한 제 2메모리 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이중 인라인 메모리 모듈(DIMM).
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 1메모리 수단 및 상기 제 2메모리 수단이 개별적으로 액세스되도록 하기 위한 추가수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  3. 제2항에 있어서, 상기 추가수단은 커넥터로 구성되고, 상기 커넥터는 복수의 패드를 가지고, 상기패드는제 1주소패드그룹, 제 2주소패드그룹, 제 1데이타패드그룹, 및 제 2데이타패드그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  4. 제3항에 있어서, 상기 복수의 패드는, 상기 제 1데이타패드그룹 및 상기 제 1주소패드그룹이 상기 제 1메모리 수단에 전기 접속되고; 그리고 상기 제 2데이타패드그룹 및 상기 제 2주소패드그룹이 상기 제 2메모리 수단에 전기접속되는 배열을 가지고, 상기 배열은 상기 제 1메모리 수단 및 제 2메모리 수단의 독립 주소지정을 허용하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  5. 제4항에 있어서, 상기 복수의 패드는 상기 제 1메모리 수단 및 제 2메모리 수단에 대한 개별 제어패드를더 포함하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  6. 제4항에 있어서, 상기 커넥터는 2개의 측면 및 측면당 적어도 122개의 패드를 갖는 에지 커넥터이고, 상기제 1주소패드그룹은 적어도 12개의 패드를 포함하고, 상기 제 2주소패드그룹은 적어도 12개의 패드를 포함하고, 상기 제1데이타패드그룹은 적어도 72개의 패드를 포함하고, 상기 제 2데이타패드그룹은 적어도 16개의 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제 1메모리 수단 및 상기 제 2메모리 수단 각각은 복수의 동적임의 접근 메모리(DRAM)칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2메모리 수단에 접속된 위상동기루프 클록 구동기 및 상기 제 1메모리수단에 대한 주소신호 및 제어신호를 버퍼하기 위한 버퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제 1메모리 수단은 메모리 블록으로 논리적으로 편성되고, 상기 제 2메모리 수단은상기 메모리 블록의 그룹에 기억된 데이타가 어디에 캐시되는 지에 대한 정보를 저장하기 위해 구성되는 것을 특징으로하는 DIMM.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제 1메모리 수단은 메모리 블록으로 논리적으로 편성되고, 상기 제 2메모리 수단은상기 메모리 블록의 그룹에 기억된 데이타에 대한 액세스 권리를 저장하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제 1메모리 수단은 메모리 블록으로 논리적으로 편성되고, 상기 제 2메모리 수단은상기 메모리 블록의 그룹에 기억된 데이타에 대한 캐시 상대정보를 저장하기위해 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  12. 제4항에 있어서, 상기 제 1메모리 수단 및 상기 제 2메모리 수단 각각은 복수의 동기식 동적 임의 접근메모리(SDRAM) 칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  13. 제12항에 있어서, 제 1메모리 수단은 SDRAM칩의 제 1메모리 뱅크부 및 SDRAM칩의 제 2메모리 뱅크부로 분할되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제 1메모리 뱅크부 및 상기 제 2메모리 뱅크부 각각은 적어도 9개의 SDRAM칩으로구성되고, 상기 적어도 9개의 SDRAM칩 각각은 깊이 2메가비트(2M) 및 폭 8비트이고, 상기 제 2메모리 수단은 적어도 1개의 깊이 1매가비트(1M) × 폭 16비트 SDRAM칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제 1메모리 뱅크부 및 상기 제 2메모리 뱅크부 각각은 적어도 18개의 SDRAM칩으로구성되고, 상기 적어도 18개의 SDRAM칩 각각은 깊이 4메가비트(4M) 및 폭 4비트이고, 상기 제 2메모리 수단은 적어도 2개의 깊이 2메가비트(2M) × 폭 8비트 SDRAM 칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  16. 제15항에 있어서, 상기 인쇄배선 회로기판은 병렬로 제 2회로기판을 지지하는 제 1회로기판, 즉 피기백구성으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제1메모리 뱅크부 및 상기 제 2메모리 뱅크부 각각은 적어도 18개의 SDRAM칩으로구성되고, 상기 적어도 18개의 SDRAM칩 각각은 깊이 16메가비트(16M) 및 폭 4비트이고, 상기 제 1주소패드그룹은 적어도14개의 패드를 포함하고, 상기 제2메모리 수단은 적어도 2개의 깊이 8메가비트(8M) × 8비트 SDRAM칩으로 구성되는 것을특징으로 하는 DIMM.
  18. 회로기판; 상기 회로기판상에 장착된 데이타 메모리; 상기 회로기판상에 장착된 상태 메모리; 및 상기 데이타 메모리 및 상기 상태 메모리가 개별적으로 액세스되도록 하기 위한 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이중 인라인 메모리 모듈(DIMM).
  19. 제18항에 있어서, 상기 수단은 복수의 패드를 가지고, 상기 패드는 제 1주소패드그룹, 제 2주소패드그룹,제 1데이타패드그룹, 및 제 2데이타패드그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  20. 제19항에 있어서, 상기 복수의 패드는, 상기 제 1데이타패드그룹 및 상기 제 1주소패드그룹 및 상기 제 1주소패드그룹이 상기 데이타 메모리에 전기접속되고; 그리고 상기 제 2데이타패드그룹 및 상기 제 2주소패드그룹이 상기상태 메모리에 전기접속되는 배열을 가지고, 상기 배열은 상기 데이타 메모리 및 상기 상태 메모리의 독립 주소지정을 허용하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  21. 제19항에 있어서, 상기 복수의 패드는 상기 데이타 메모리 및 상기 상태 메모리에 대한 개별 제어패드를더 포함하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  22. 제20항에 있어서, 상기 커넥터는 2개의 측면 및 측면당 적어도 122개의 패드를 갖는 에지 커넥터이고, 상기 제 1주소패드그룹은 적어도 12개의 패드를 포함하고, 상기 제 2주소패드그룹은 적어도 12개의 패드를 포함하고, 상기제 1데이타패드그룹은 적어도 72개의 패드를 포함하고, 상기 제 2데이타패드그룹은 적어도 16개의 패드를 포함하는 것을특징으로 하는 DIMM.
  23. 제18항에 있어서, 상기 데이타 메모리 및 상기 상태 메모리 각각은 복수의 동적임의 접근 메모리(DRAM)칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  24. 제18항에 있어서, 상기 데이타 메모리 및 상기 상태메모리에 접속된 위상동기루프클록 구동기 및 상기 데이타 메모리에 대한 주소신호 및 제어신호를 버퍼하기 위한 버퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  25. 제18항에 있어서, 상기 데이타 메모리는 메모리 블록으로 논리적으로 편성되고, 상기 상태 메모리는 상기메모리 블록의 그룹에 기억된 데이타가 어디에 캐시되는 지에 대한 정보를 저장하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는DIMM.
  26. 제18항에 있어서, 상기 데이타 메모리는메모리 블록으로 논리적으로 편성되고, 상기 상태 메모리는 상기메모리 블록의 그룹에 기억된 데이타에 대한 액세스 권리를 저장하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  27. 제18항에 있어서, 상기 데이타 메모리는 메모리 블록으로 논리적으로 편성되고, 상기 상태 메모리는 상기메모리 블록의 그룹에 기억된 데이타에 대한 캐시 상태정보를 저장하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  28. 제20항에 있어서, 상기 데이타 메모리 및 상기 상태 메모리 각각은 복수의 동기 동적 임의 접근 메모리(SDRAM) 칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  29. 제28항에 있어서, 상기 데이타 메모리는 SDRAM칩의 제 1메모리 뱅크부 및 SDRAM칩의 제 2메모리 뱅크부로분할되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  30. 제29항에 있어서, 상기 제 1메모리 뱅크부 및 상기 제 2메모리 뱅크부 각각은 적어도 9개의 SDRAM칩으로구성되고, 상기 적어도 9개의 SDRAM칩 각각은 깊이 2메가비트(2M) 및 폭 8비트이고, 상기 상태 메모리는 적어도 1개의 깊이 1메가비트(1M) × 폭 16비트 SDRAM칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  31. 제29항에 있어서, 상기 제 1메모리 뱅크부 및 상기 제 2메모리 뱅크부 각각은 적어도 18개의 SDRAM칩으로구성되고, 상기 적어도 18개의 SDRAM칩 각각은 깊이 4메가비트(4M) 및 폭 4비트이고, 상기 상태 메모리는 적어도 2개의깊이 2메가비트 (2M) × 폭 8비트 SDRAM 칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  32. 제31항에 있어서, 상기 인쇄배선 회로기판은 병렬로 제 2회로기판을 지지하는 제 1회로기판, 즉 피기백구성으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
  33. 제29항에 있어서, 상기 제 1메모리 뱅크부 및 상기 제 2메모리 뱅크부 각각은 적어도 18개의 SDRAM칩으로구성되고, 상기 적어도 18개의 SDRAM칩 각각은 깊이 16메가비트(16M) 및 폭 4비트이고, 상기 제 1주소패드그룹은 14개의패드를 포함하고, 상기 상태 메모리는 적어도 2개의 깊이 8메가비트(8M) × 폭 8비트 SDRAM칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 DIMM.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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