KR100235222B1 - 싱글 인라인 메모리 모듈 - Google Patents

싱글 인라인 메모리 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR100235222B1
KR100235222B1 KR1019930007296A KR930007296A KR100235222B1 KR 100235222 B1 KR100235222 B1 KR 100235222B1 KR 1019930007296 A KR1019930007296 A KR 1019930007296A KR 930007296 A KR930007296 A KR 930007296A KR 100235222 B1 KR100235222 B1 KR 100235222B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory
memory module
simm
printed circuit
circuit board
Prior art date
Application number
KR1019930007296A
Other languages
English (en)
Inventor
벡톨시임 안드레아스
프랭크 에드워드
테스타 제임스
스톰 샤운
Original Assignee
마이클 에이치. 모리스
선 마이크로시스템즈 인코오퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이클 에이치. 모리스, 선 마이크로시스템즈 인코오퍼레이티드 filed Critical 마이클 에이치. 모리스
Application granted granted Critical
Publication of KR100235222B1 publication Critical patent/KR100235222B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04—Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/117—Pads along the edge of rigid circuit boards, e.g. for pluggable connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09645—Patterning on via walls; Plural lands around one hole
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10689—Leaded Integrated Circuit [IC] package, e.g. dual-in-line [DIL]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1572—Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S439/00—Electrical connectors
    • Y10S439/951—PCB having detailed leading edge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

본 발명의 싱글 인라인 메모리 모듈은, 제1 및 제2면을 갖는 인쇄회로카드와 상기 인쇄회로카드를 회로소자에 결합하는 접속기 수단을 포함하며, 상기 제1 및 제2면상에 배치된 복수의 메모리 장치를 포함하며, 상기 메모리 장치가 제1, 제2 및 제3구성에 배열되는데, 상기 제1구성은 상기 제1 및 제2면에 대해 등을 맞대어 배치되고 서로간에 전기적으로 결합된 최소한 2개의 메모리 소자를 구비하고, 상기 제2구성은 서로간에 병행하는 배열로 결합된 최소한 2개의 상기 제1구성을 구비하고, 상기 제3구성은 최소한 2개의 상기 제2구성으로 포함한다.

Description

싱글 인라인 메모리 모듈
제1a도는 본 발명의 기술에 따른 싱글 인라인 메모리모듈(SIMM)의 제1면에 대한 전기적 개략도.
제1b도는 SIMM의 제2면에 대한 메모리 소자의 좌-우 거울상을 예시한 전기적 개략도.
제2a도는 SIMM 상에 위치된 메모리 소자의 물리적 배치를 예시한 도면.
제2b도는 SIMM 상에 판독 접속기 구조의 확대도.
제3도는 제1도 및 제1b도에 도시된 전기적 개략도에 대한 상호접속을 개선하는데 필요한 유전체를 절연함으로써 분리된 스택 전도층을 예시한 도면.
제4도는 SIMM으로 순환된 번지, 데이터 및 제어신호의 데이터, 번지 및 논리선 전체의 설명도.
제5도는 SIMM과 메모리 시스템을 상호접속하는데 사용된 하이 핀 밀도의 이중판독 접속기 구조상의 핀 배열을 예사한 도면.
제6도는 SIMM을 왕복하는 신호전송에 대한 핀아웃 합계를 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
5 : SIMM 10 : DRAM
15 : 구동기 20 : 제어신호
21 : 접근신호 30 : 접속기
[발명의 분야]
본 발명은 컴퓨터 시스템 및 메모리 하드웨어에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 컴퓨터 시스템내에서 메모리 구조를 형성하도록 결합될 수 있는 모듈러 회로 기판에 관한 것이다.
[배경 기술]
싱글 인라인 메모리 모듈(＂SIMM＂)은 표면 장착 메모리 칩을 수용하도록 설계된 콤팩트 회로기판이다. SIMM은 상기 SIMM을 수납하도록 설계된 컴퓨터 시스템의 사용자 설치에 대하여 콤팩트하고 용이하게 운영되는 모듈러 메모리 소자를 제공하도록 설계되었다. 일반적으로 SIMM은 컴퓨터 시스템내의 접속기에 용이하게 삽입되어, 그로부터 필요한 전원, 접지 및 논리신호를 구동한다.
전형적으로 SIMM은 인쇄회로기판에 장착된 복수의 임의 접근 메모리 (＂RAM＂)을 구비 한다. 사용자의 요구에 따라, RAM 메모리 칩은 동적 RAM(DRAM), 비휘발성 정적 RAM(SRAM) 또는 비디오 RAM(VRAM)이 될 수 있다. DRAM 메모리가 SRAM용 메모리 셀보다 크고 값이 싸기 때문에, DRAM 메모리는 원칙적 빌딩 블록으로서 광범위하게 사용된다.
SRAM 및 DRAM SIMM은 각각 고속 캐시 메모리 및 비디오 프레임 버퍼 같은 특별한 목적에 대하여 보다 제한된 응용을 갖는다. 왜냐하면 컴퓨터 시스템 메모리의 대부분을 DRAM이 형성하기 때문이며, 따라서 메모리 모듈이 사용자의 요구사항을 시간으로 변경하는 것으로서, 사용자의 필요한 계산을 유연성있게 수용하는 것이 바람직하다. 더욱이, 바람직한 것은 사용자가 해결해야 하는 최소한의 문제점, 특히 특별한 메모리 구조내에서 SIMM의 구성면에 있어서 컴퓨터 시스템에 SIMM 모듈을 추가하는 것이다. 과거에는, 하나 이상의 메가 바이트(MB)의 메모리 증분을 제공하도록 SIMM이 일반적으로 설계되었으며, 메모리 부가가 컴퓨터 시스템에 사용된 전체 데이터 폭의 일부만을 포함한 것을 제외하였다. 종래의 편성 및 구조의 선도적 일예는 클레이톤(Clayton)에게 허여된 미국특허 제4,656,605호(1987년 4월 7일)에 개시된 것이다. 클레이톤 특허는 9개의 메모리 칩에 장착된 콤펙트 모듈러 메모리 회로기판을 개시하는데, 상기 메모리 칩은 8비트(1바이트) 데이터 폭과 홀짝 비트에 메모리 증분을 제공하도록 배열된다.
따라서, 대부분의 컴퓨터 시스템이 32비트, 64비트 또는 그이상의 비트의 데이터 경로를 사용하기 때문에, 클레이톤 특허에 따라 구성된 SIMM은 전체 데이터 경로에 대한 메모리 증분을 제공할 수 없다. 대신에 사용자는, 예컨대 SIMM 모듈을 설치하기 위해 베이스 번지를 설정하는 싱글 메모리 유닛으로서 분기된 SIMM 모듈로 하여금 기능하도록 하는데 필요한 어떤 추가적 구성조건과의 조합에 있어서 복수의 SIMM을 구하여 설치하여야 한다.
결과적으로, 사용자는 그의 유용한 주 메모리를 증가시키려고 종래기술에 따라 구성된 SIMM을 가산함으로써, 전형적으로는 그의 컴퓨터의 전체 데이터 경로에 대한 메모리 확장을 달성하도록 복수의 SIMM을 삽입하여야 한다.
다음은 SIMM이 1바이트 폭 메모리 증분을 구비한 DRAM 부분 근방에 배열된 통상의 종래 SIMM 기술의 절차이다. 따라서 32비트의 폭을 갖는, 바이트당 8비트가 존재하는 데이터 경로에서는, 종래기술에 따라 구성된 SIMM을 사용하는 주메모리의 1메가 바이트 확장이 1메가 바이트의 전체 데이터 경로확장을 구하도록 제각기 1메가 바이트 용량의 4개의 SIMM 모듈을 요구하는 것이다.
다음 명세서에서 보다 상세히 기술되는 바와 같이, 본 발명은 다른 속성중에서도 전체 데이터 경로 폭에 메모리 확장을 용이하게 제공함으로써, 소정의 원하는 메모리 증분을 얻도록 복수의 SIMM 모듈을 구성 및 설치하는 사용자의 부담을 경감시킨다.
[발명의 개요]
동적 임의 접근 메모리(DRAM)의 메모리 확장용 전체폭의 싱글인라인 메모리 모듈(SIMM)이 개시된다. 복수의 DRAM 메모리 소자가 장착된 인쇄회로 기판은 44비트의 폭을 갖는 데이터 경로로 배열된다.
본 발명의 SIMM은 메모리 소자에 밀접하게 근접하는 신호를 버퍼 및 구동하는 내장 구동기를 더욱이 포함한다. 추가로, 전기 전도성 트레이스는 분포된 메모리 소자에 대한 신호 스큐를 최소화하기 위해 적재 및 트레이스 커패시턴스를 감소 시키는 방법으로 회로 기판상에서 순환된다. SIMM은 기능성을 향상시키기 위해 전기적 트레이스를 그 회로기판의 양측으로부터 수신하는 하이 핀 밀도의 이중판독 접속기 구조를 추가로 포함한다. SIMM은 메모리 확장을 전체폭 증분으로 제공함과 동시에 한 SIMM을 상보형 소켓에 설치한다. 따라서, 접속기 수조를 순환하는 대칭적 전원 및 접지는 SIMM이 부정확하게 삽입될 수 없도록 보장하므로, SIMM을 접속기 슬롯에 물리적으로 역전시켜 전원을 SIMM으로 역전되지 않도록 한다.
본 발명의 목적, 특징, 이점은 본 발명의 바람직한 실시예의 하기에 기술된 상세한 설명과 첨부도면으로부터 명백히 드러난다.
[발명의 상세한 설명]
집적 데이터 및 비디오 메모리용 버스 기술이 개시된다. 설명을 목적으로 하는 다음 명세서에서, 특정번호, 시간, 신호등은 본 발명의 전체적 이해를 제공하도록 개시된다. 그러나, 본 발명의 분야에 숙련된 기술자에게는 이들을 특정하게 설명하지 않고 실시될 수 있음을 알 수 있다. 다른 경우에, 주지된 회로 및 장치는 본 발명을 불필요하게 명료하게 하지 않도록 블록도로 도시된다.
본 명세서에서 서술된 SIMM의 바람직한 실시예는 계류중인 미국특허 출원 제 07/886,671호(1992년 5월 19일)에서 ＂집적 데이터 및 비디오 메로리용 버스 기술＂(A Bus Architecture for Integrated Data and Video Memory)이라는 제목으로 개시된 집적 데이터 및 비디오 메모리 버스와 함께 사용되도록 설계 및 의도된다.
그러나 당업자라면, 여기서 개시된 명세서의 기술이 본 발명의 범위를 이탈하지 않고 변경할 수 있음을 알 수 있다. 비록 본 발명의 바람직한 실시예가 상기 참조된 미국 특허출원에 개시된 집적 데이터 및 비디오 메모리의 데이터 경로와 정합하는 데이터 경로의 용어로써 개시되어 있을지라도, 버스의 설계 변경은 SIMM이 집적 메모리 버스의 데이터 경로폭에 정합될 수 있는 본 발명의 범위내에 있게됨이 명백하다.
제1도의 구성을 참조하면, SIMM의 첫째 대응면에 장착된 메모리의 전기 블록도가 도시된다. 제1도에서 복수의 동적 RAM(DRAM)(10)은 2개의 다발(10a)로 분류된다. 각 다발에는 9개의 DRAM(10)이 있다.
구동기(15)는 제어신호와, 양측면 접속기(30)를 통해 외부버스 배열(도시안됨)로부터의 번지신호를 수신한다. 복수의 제어선(20)은 RAS-(행접근 스트로브) CAS-(열접근 스트로브), WE-(판독 사용가능) 및 OE-(출력 사용가능)을 순환하고, 구동기(15)로부터 모든 DRAM(10) 까지의 제어신호는 SIMM(5)에 장착된다. 더구나, 구동기(15)는 SIMM(5)에 장착된 모든 DRAM(10)이 접근신호(21)를 버퍼하고 순서적으로 분배시킨다. 본 도면을 명백히 하기 위해, 데이터, 번지 및 제어선을 모든 DRAM(10)으로 특별히 순환하는 것을 생략한다. 그러나, 제1a도에서 알 수 있는 바와 같이 모든 DRAM(10)은 4개의 데이터 선을 갖는데, DRAM(5)이 4개에 의한 (＂by-four＂) 구성으로 배열된 수개의 상용가능한 DRAM 중 어느 하나로 된다.
하기의 제1b도와 관련하여 알 수 있는 바와 같이, DRAM(10) 각각의 DRAM 다발(10d) 및 (10b)은 SIMM(5)의 대향측면에 장착되고 복수의 비아스(vias, 도시안됨)를 통하는 전기적 트레이스에 의한 전기통신으로 위치된 거울상 DRAM(10)으로 정합된다.
전기 트레이스의 특정 순환은 SIMM(5)상에서 SIMM(5)의 특정 구현을 위해 선택된 메모리 칩의 특정 기술에 좌우된다. 그러나, 본 발명의 기술에 따라 구성된 모든 SIMM(5)은 SIMM(5)상에서 동작하는 모든 장치로 접속기(30)로부터 신장하는 전체폭의 데이터 경로를 가지며, 모든 DRAM(10), 구동기(15) 및 SIMM(5)의 원하는 기능을 구현하는데 필요한 기타의 논리소자를 포함한다. 바람직한 것으로서, SIMM(5)는 144비트 데이터 경로를 구체화하며, 128개의 데이터 선(DATA[127:0], 주지된 오차 정정 코드를 구현하는 16개의 오차 정정선(CBW[15:0]), 1의 RAS-, 2의 CAS- 신호, 1의 WF, 신호 및 1의 리셋선을 구비한다. 전도성 트레이스 커패시턴스를 최소화하는 모든 제어선(20), 번지신호(21) 및 데이터 신호(25)에 대한 모든 순환은 제목, ＂고속전기 신호 상호접속구조＂(High Speed Electric Signal Interconnect Structure), 본 발명의 양수인에게 양도됨, 에 따라 게재된 상기 인용된 미국 특허출원을 참고한다.
모든 제어신호(20)에 대해 제어순환하는 트레이스는 각각의 DRAM 다발(10a,10b,10c,10d)에 대하여 구동기(15)로부터 중앙 DRAM(10)으로 취급된다.
중앙 DRAM(10) 근방의 DRAM은 제어신호(20)를 짧은 서브 트레이선(도시안됨)을 경유하여 결합하며, 총 커패시턴스를 최소화하고 신호 상승시간을 증가시킨다.
제3도에 있어서, 제어, 번지, 데이터 및 출력·접지신호 모두를 순환하기 위해 사용된 스택업이 예시된다.
제1b도에는 SIMM(5)의 둘째, 배면이 도시된다.
제1b도에서, 2개의 추가적 DRAM 다발(10c) 및 (10d)는 정면에 대한 DRAM 다발(10a) 및 (10b)로서 배열되는 것을 도시한다.
DRAM 다발(10c) 및 (10d)에서 각각의 DRAM(10)은 비슷하게는 4개의 입력선 뿐만 아니라 SIMM(5)의 거울상 배면에 대하여 전도성 비아스를 통하는 정면에서 구동기(15)로부터 통과된 번지 및 제어선을 수신함으로써, DRAM(10)이 장착될 수 있는 이용가능한 표면 영역을 배가한다. 더욱이, SIMM(5)은 바람직한 것으로서 SIMM(5)의 전체 두께를 감소시키기 위해 얇고 소형의 아웃트라인 패키지(TSOP) DRAM(10)을 사용한다.
그렇게 구성된 경우, 본 발명의 양쪽면 SIMM(5)은 종래기술의 단일면 SIMM(예컨대, 클레이튼(clayton)에 의해 설명)보다 두껍지 않게 된다.
제4도에는 SIMM(5)을 메모리 모듈 소켓(도시안됨)에 접속하도록 사용된 수치 고밀도 접속기(30)가 예시된다. 제4도에서, 접속기(30)는 200핀 단자를 가진 것을 나타냄, 따라서 대다수의 신호가 SIMM(5)을 왕복 순환하도록 한다.
SIMM(5)의 바람직한 실시예에서, SIMM(5)은 집적 데이터 및 비디오 메모리 버스, 예컨대 여기서 참고로 병합되고, 미국, 캘리포니아, 마운틴 뷔우 소재의 선 마이크로 시스템즈사에 양도된 상기 인용된 계류중인 미국 특허 출원에 기술됨, 와 부합되는 특별히 병합된 데이터 경로기술을 의도하는 것이다.
특히, SIMM(5) 상에 구성된 데이터 경로기술은 128개의 데이터선, 16의 오차 정정코드선(제1도 내지 제6도에서 CBW[15:1]로 참조됨), 또한 DRAM 메모리 접근을 달성하는데 필요한 복수의 제어신호를 포함한다.
제1a도 및 제1b도에 제어선(20)으로 집단적으로 참조된 상기 제어신호는 SIMM(5)마다 1개의 RAS-, 2의 CAS- 신호, 1의 WE- 및 1의 리셋선을 포함한다.
따라서, DRAM(10)의 동작을 제어하기 위해 사용된 제어신호(20)를 포함하지 않으며, DRAM(10)을 왕복하는 데이터의 전송을 위해 사용된 데이터 경로는 144비트폭으로 나타난다. 제1도 내지 제6도에서 CBW[15:0]로서 참조된 오차 정정 신호를 경시하는 것은, 메모리를 왕복하는 데이터를 독출 및 판독하는 SIMM(5)의 실제적 데이터 경로폭이 128비트폭 또는 16 바이트이며, 집적 데이터 및 비디오 메모리 버스의 그것들과 일치한다. 따라서, 본 발명의 SIMM(5)은 전체폭 증분으로 메모리 버스에 설치될 수 있다. SIMM(5) 상에 이용될 수 있는 총 메모리 용량은 다음과 같이 계산된다. SIMM(5)에 장착된 각 RAM(10)의 용량에 좌우되어, 각각의 SIMM 모듈(5)의 총 메모리 용량은 4메가 바이트(MB)로부터 총 36 DRAM(10)에 걸쳐 분포된 최대 64MB 까지 변화될 수 있다. 상용될 수 있는 256K×41M 비트 DRAM(10)을 사용하면, 4 메가 바이트의 메모리가 SIMM(5)상에 제공될 수 있다.
선택적으로는, 16메가비트 부분이 사용될 경우, SIMM(5)의 번지지점 가능한 번지 공간이 매우 큰 2기가바이트 이상이기 때문에, SIMM(5)은 보다 큰 16메가 비트를 용이하게 수납할 수 있으며, 36 DRAM들이 장착된 SIMM에 대한 총용량 64메가 바이트를 이용할 수 있게 한다.
SIMM(5)의 동작은 이하에 간단히 기술될 제어신호(20)에 의해 제어된다.
집적 데이터 및 비디오 버스와 관련한 SIMM(5)의 실제적 동작을 완전히 논의하기 위해서, 판독기가 상기 계류중인 미국 특허출원, 제목 ＂버스기술＂(A Bus Architecture)에서 참조된다.
DRAM(10) 및 구동기(15)의 물리적 배열이 SIMM(5)상에 예시된 제2도의 구성을 참조한다. 또한 DRAM 다발(10a) 및 (10b)은 SIMM(5)의 배면에 대해 도시되며, SIMM(5)은 SIMM(5)의 바닥에 지상에 2개의 접점 영역(50a) 및 (50b)을 갖고 있음을 알 수 있다. 접점 영역(50a) 및 (50b)은 접속기 맵 (제4도에 도시)과 핀아웃 합계에 대한 번호에 대응하는, 핀 0 내지 핀 199까지의 SIMM(5)의 바닥에지를 길이방향으로 접근하는 소폭의 전도성 접점 패드로 구성된다.
제2도에서, SIMM(5)의 상세한 바닥에지를 제2a도에 도시되고, 접점영역(50a) 및 (50b)의 접점영역에 대한 확대도는 투시도로 도시된다.
제2a도에서는 접점영역(50a) 및 (50b)이 SIMM(5)의 정면상에 대다수가 밀접하게 간격진 접점패드(35)와 SIMM(5)의 배면상에 거울상이 전기적으로 분명히 설정된 접점패드(36)로 구성됨을 알 수 있다. 종래기술에 따라 구성된 SIMM 과 대비하여, 본 발명의 SIMM(5)은 SIMM(5)의 정면 및 배면 사이의 접속을 중단(＂breaking＂)함으로써 SIMM의 핀아웃 용량을 증배시켜, 전기적 기능이 정확할 수 있는 에지영역을 효과적으로 증배시킨다. 명확성을 위해, 0.1 ＂중심에 배치된 접점핀을 갖는 종래의 SIMM 모듈과 대비할 때, SIMM(5) 상의 접점(35) 및 (36)의 간격은 0.050＂ 중심상에 배치되고 측면치수에서 0.040＂로 되는 접점패드(35) 및 (36)는 따라서 접점패드 사이의 0.010＂의 간격으로 산출된다. 그러나, 정밀한 간격 및 치수는 본 발명을 특정하지 않으며, 이 분야에 숙련된 기술자는 다수의 간격 및 패드 배치도가 제2a도에서 접점영역(50a) 및 (50b)으로 예시된 바와 같이 이중판독(＂dual read out) 구성을 사용할 수 있음을 명백히 알 수 있다.
그러므로, 접점영역(50a) 및 (50b)의 감소된 간격 및 이중판독 구성은 함께 동작하고, 클레이톤에 의해 제안된 것보다 4배 이상으로 SIMM 모둘에 대해 이용될 수 있는 매우 개량된 핀아웃 밀도를 제공한다.
특히, 200핀이 SIMM(5)에 대해 사용되도록 이용될 수 있으므로, 144 비트의 전체 데이터 경로 폭 뿐만 아니라 제어신호 및 출력과 접지접속은 SIMM(5)의 접속기(30)와 접속기 영역(50a) 및 (50b)에 의해 수납된다.
SIMM(5)상에 설치된 DRAM(10)의 형태에 따른 메모리 용량과 관련하여 전술한 바와 같이, 본 발명의 기술에 따라 구성된 SIMM(5)의 주요 이점은 메모리 확장이 전체 데이터 폭 증분으로 수납될 수 있는 것이다.
종래의 SIMM을 사용하는 메모리 확장과 대비할 때 메모리 확장시 SIMM(5)의 사용, 특히 상기 인용된 계류중인 출원의 집적 데이터 및 비디오 메모리와 연관된 메모리는 동시에 하나의 SIMM을 확장할 수 있고, 메모리 확장시 단일 증분을 얻도록 삽입될 복수의 모듈을 필요로 하지 않는다.
상기한 결과는 SIMM(5)상의 신호경로를 경유하는 전체 데이터의 수납으로부터 주로 구동되며, 따라서 추가적 메모리의 용이한 설치를 편리하게 한다.
마지막으로는 DRAM(10) 및 구동기(15)에 접속된 전원 및 접지를 위해 접속기(30)를 추가로 제공한다. 알수 있는 바와 같이, 모든 전원 및 접지 리드는, 제6도에서 보다 명확히 알 수 있는 것으로서, 접속기(30)내에서 대칭적으로 배열된다.
전원(VCC) 및 접지(GND) 리드는 모든 16 핀마다 선택되도록 보여진다.
SIMM이 반전된 위치에서 메모리 모듈 소켓에 부적절하게 삽입될 경우, 대칭적 전원 접지 리드는 SIMM(5)가 역전-전원 공급되어 파괴되는 것으로부터 보호한다.
다음은 집적 데이터 및 비디오 메모리와 호환가능한 싱글 인라인 메모리 모듈에 대한 물리적 기술을 서술한다. 이 분야에 숙련된 기술자에 의해 실시될 수 있는 변경 및 수정은, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않고 본 발명의 요소에 대한 장치성분 및 배열을 예측가능하게 한다.
특히, SIMM(5) 이 상기 인용된 계류중인 출원으로부터 참고로 병합된 집적데이터 및 비디오 메모와는 다음 메모리 배열로 사용될 수 있음이 예기된다.
그러나, SIMM(5)은 집적된 비디오 메모리에 사용되도록 적합하게 설계되고, 사용자는 상기 시스템의 사용으로부터 최적의 이점을 유도할 수 있다.
본 발명이 바람직한 실시예와 관련하여 기술되어 있지만, 수개의 선택적 변경, 변화 및 사용은 다음 명세서에 비추어 이 분야에 숙련된 기술자에게 명백하게 이해될 수 있다.

Claims (11)

  1. 제1 및 제2면을 가지며, 인쇄회로카드를 회로소자에 결합시키기 위한 접속기 수단을 포함한 상기 인쇄회로카드; 상기 제1 및 제2면상에 배치된 복수의 메모리 장치;로 구성되어 있고, 상기 메모리 장치가 제1, 제2 및 제3구성으로 배열되는데, 상기 제1구성은 상기 제1 및 제2면에 대해 등을 맞대어 배치되고 서로간에 전기적으로 결합된 최소한 2개의 메모리 소자로 구성되고; 상기 제2구성은 서로간에 나란한 배열로 결합된 최소한 2개의 상기 제1구성으로 구성되고; 상기 제3구성은 상호 결합된 최소한 2개의 상기 제2구성으로 구성되는 것을 특징르로하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리 소자를 번지지정하는 버퍼수단을 더 포함하고, 상기 버퍼수단이 상기 접속기 수단에 결합된 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 접속기 수단은 상기 싱글 인라인 메모리 모듈의 상기 제1 및 제2면에 바닥 에지를 따라 분포된 복수의 전기 전도성 접점면을 갖는 이중 판독 접속기 구조로 구성되고, 상기 제1면 상의 상기 접점면이 상기 제2면상의 상기 제2접점면으로부터 전기적으로 절연되어, 상기 전기 전도성 접점면이 번지지정 정보를 상기 버퍼수단에 제공하는 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  4. 제1면 및 제2면을 가지며, 인쇄회로 기판의 상기 제1면 및 상기 제2면상에 복수의 전기 접점을 갖는 접속기 에지를 구비하는 상기 인쇄회로기판; 상기 인쇄회로 기판의 상기 제1면에 배열되고, 상기 인쇄회로 기판의 상기 접속기 에지상의 상기 전기접점에 결합된 데이터 선을 가지는 제1세트의 메모리소자; 상기 인쇄회로 기판의 제2면에 배열되고, 상기 인쇄회로기판의 상기 접속기 에지상의 상기 전기 접점에 결합된 데이터 선을 가지고, 상기 제1세트의 메모리 소자의 거울상인 제2세트의 메모리소자; 상기 인쇄회로 기판의 거의 중앙에 장착되고, 상기 전기 접점을 통해 복수의 제어 신호를 수신하고, 상기 제어신호를 사어기 제1세트의 메모리 소자 및 상기 제2세트의 메모리 소자로 전송하는 구동기회로;의 소자들로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  5. 제4항에 있어서, 상기 인쇄회로기판의 제1면에 배열된 상기 제1세트의 메모리 소자는 상기 구동기 회로의 좌측에 배열된 제1서브세트와 상기 구동기 회로의 우측에 배열된 제2서브세트로 구성되고; 상기 인쇄회로 기판의 제2면에 배열된 상기 제2세트의 메모리 소자는 상기 제1서브세트의 거울상인 제3서브세트와 상기 제2서브세트의 거울상인 제4서브세트로 구성되는 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4서브세트의 메모리 소자는 3×3행렬로 배열된 9개의 메모리 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 상기 구동기 회로는 상기 제1 및 제2메모리 소자 서브세트의 3×3 행렬의 중심 메모리 소자에 상기 제어신호를 직접 전송하는 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제어신호는 열번지 스트로브(CAS), 행번지 스트로브(RAS), 기록사용가능(WE), 및 출력 사용가능(OE)신호로 구성되는 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  9. 제8항에 있어서, 상기 구동기 회로는 번지선을 추가로 구동하는 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
  10. 제4항에 있어서, 상기 전기신호는 상기 싱글 인라인 메모리 모듈이 부정확하게 삽입될 때 상기 싱글 인라인 메모리 모듈이 손상받지 않도록 대칭적 전원 및 접지 접점을 구비한 것을 특징으로 하는 싱글 메모리 모듈.
  11. 제4항에 있어서, 상기 인라인 메모리 모듈은 최소한 연관 중앙처리장치에 사용된 제2데이터 경로의 폭과 같은 제1데이터 경로에 데이터를 제공하는 것을 특징으로 하는 싱글 인라인 메모리 모듈.
KR1019930007296A 1992-05-19 1993-04-29 싱글 인라인 메모리 모듈 KR100235222B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US886,413 1992-05-19
US07/886,413 US5270964A (en) 1992-05-19 1992-05-19 Single in-line memory module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100235222B1 true KR100235222B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=25389005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930007296A KR100235222B1 (ko) 1992-05-19 1993-04-29 싱글 인라인 메모리 모듈

Country Status (6)

Country Link
US (5) US5270964A (ko)
EP (4) EP0813204A3 (ko)
JP (1) JPH06348588A (ko)
KR (1) KR100235222B1 (ko)
DE (1) DE69326189T2 (ko)
SG (1) SG43928A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7350120B2 (en) 2003-06-24 2008-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Buffered memory module and method for testing same

Families Citing this family (165)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5270964A (en) * 1992-05-19 1993-12-14 Sun Microsystems, Inc. Single in-line memory module
US5446860A (en) * 1993-01-11 1995-08-29 Hewlett-Packard Company Apparatus for determining a computer memory configuration of memory modules using presence detect bits shifted serially into a configuration register
US5375084A (en) * 1993-11-08 1994-12-20 International Business Machines Corporation Selectable interface between memory controller and memory simms
JP3077866B2 (ja) * 1993-11-18 2000-08-21 日本電気株式会社 メモリモジュール
US5502621A (en) * 1994-03-31 1996-03-26 Hewlett-Packard Company Mirrored pin assignment for two sided multi-chip layout
GB9410208D0 (en) * 1994-05-21 1994-07-06 Simpson Gareth D Memory module
DE4423567C2 (de) * 1994-07-05 1998-09-03 Siemens Ag Modulkarte
US5513135A (en) * 1994-12-02 1996-04-30 International Business Machines Corporation Synchronous memory packaged in single/dual in-line memory module and method of fabrication
US5577236A (en) * 1994-12-30 1996-11-19 International Business Machines Corporation Memory controller for reading data from synchronous RAM
KR0144035B1 (ko) * 1995-03-07 1998-08-17 김주용 전전자 교환기내 상위 제어계의 d-램 모듈 접속방법
IN188196B (ko) * 1995-05-15 2002-08-31 Silicon Graphics Inc
US5686730A (en) * 1995-05-15 1997-11-11 Silicon Graphics, Inc. Dimm pair with data memory and state memory
AU1051697A (en) * 1995-11-13 1997-06-05 Intel Corporation A dual-in-line universal serial bus connector
US5745914A (en) * 1996-02-09 1998-04-28 International Business Machines Corporation Technique for converting system signals from one address configuration to a different address configuration
US5661677A (en) 1996-05-15 1997-08-26 Micron Electronics, Inc. Circuit and method for on-board programming of PRD Serial EEPROMS
US5802395A (en) * 1996-07-08 1998-09-01 International Business Machines Corporation High density memory modules with improved data bus performance
US5815426A (en) 1996-08-13 1998-09-29 Nexcom Technology, Inc. Adapter for interfacing an insertable/removable digital memory apparatus to a host data part
US5877975A (en) * 1996-08-13 1999-03-02 Nexcom Technology, Inc. Insertable/removable digital memory apparatus and methods of operation thereof
US5831890A (en) * 1996-12-16 1998-11-03 Sun Microsystems, Inc. Single in-line memory module having on-board regulation circuits
EP0880142B1 (en) * 1997-05-20 2011-04-27 Bull S.A. Dynamic random access memory (DRAM) having variable configuration for data processing system and corresponding expansion support for the interleaved-block configuration thereof
US6286062B1 (en) * 1997-07-01 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Pipelined packet-oriented memory system having a unidirectional command and address bus and a bidirectional data bus
US6067594A (en) * 1997-09-26 2000-05-23 Rambus, Inc. High frequency bus system
US6108228A (en) * 1997-12-02 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Quad in-line memory module
US6349051B1 (en) 1998-01-29 2002-02-19 Micron Technology, Inc. High speed data bus
US6721860B2 (en) * 1998-01-29 2004-04-13 Micron Technology, Inc. Method for bus capacitance reduction
US6108730A (en) 1998-02-27 2000-08-22 International Business Machines Corporation Memory card adapter insertable into a motherboard memory card socket comprising a memory card receiving socket having the same configuration as the motherboard memory card socket
US6142830A (en) * 1998-03-06 2000-11-07 Siemens Aktiengesellschaft Signaling improvement using extended transmission lines on high speed DIMMS
US5870325A (en) * 1998-04-14 1999-02-09 Silicon Graphics, Inc. Memory system with multiple addressing and control busses
US5953243A (en) * 1998-09-30 1999-09-14 International Business Machines Corporation Memory module identification
US6347394B1 (en) * 1998-11-04 2002-02-12 Micron Technology, Inc. Buffering circuit embedded in an integrated circuit device module used for buffering clocks and other input signals
KR100355223B1 (ko) * 1999-01-07 2002-10-09 삼성전자 주식회사 멀티 인라인 메모리 모듈 및 그와 결합되는 전자 부품 소켓
US6324071B2 (en) 1999-01-14 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Stacked printed circuit board memory module
US6327690B1 (en) 1999-02-04 2001-12-04 Intel Corporation Integrated reed-solomon error correction code encoder and syndrome generator
US6115278A (en) 1999-02-09 2000-09-05 Silicon Graphics, Inc. Memory system with switching for data isolation
US6338144B2 (en) 1999-02-19 2002-01-08 Sun Microsystems, Inc. Computer system providing low skew clock signals to a synchronous memory unit
US6315614B1 (en) * 1999-04-16 2001-11-13 Sun Microsystems, Inc. Memory module with offset notches for improved insertion and stability and memory module connector
US6414868B1 (en) 1999-06-07 2002-07-02 Sun Microsystems, Inc. Memory expansion module including multiple memory banks and a bank control circuit
US6574746B1 (en) 1999-07-02 2003-06-03 Sun Microsystems, Inc. System and method for improving multi-bit error protection in computer memory systems
US6408356B1 (en) 1999-11-16 2002-06-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for modifying signals from a CPU to a memory card
US6683372B1 (en) * 1999-11-18 2004-01-27 Sun Microsystems, Inc. Memory expansion module with stacked memory packages and a serial storage unit
US6288898B1 (en) 1999-12-20 2001-09-11 Dell Usa, L.P. Apparatus for mounting and cooling a system components in a computer
TW523658B (en) * 2000-04-29 2003-03-11 Samsung Electronics Co Ltd Memory modules having conductors at edges thereof and configured to conduct signals to and from the memory modules via the respective edges
US6791555B1 (en) 2000-06-23 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for distributed memory control in a graphics processing system
GB2366468B (en) * 2000-08-25 2005-03-02 Hewlett Packard Co Improvements relating to document transmission techniques I
GB2366470B (en) * 2000-08-25 2005-07-20 Hewlett Packard Co Improvements relating to document transmission techniques iv
GB2366469B (en) * 2000-08-25 2005-02-23 Hewlett Packard Co Improvements relating to document transmission techniques II
US6487102B1 (en) 2000-09-18 2002-11-26 Intel Corporation Memory module having buffer for isolating stacked memory devices
TW528948B (en) * 2000-09-14 2003-04-21 Intel Corp Memory module having buffer for isolating stacked memory devices
US6658530B1 (en) * 2000-10-12 2003-12-02 Sun Microsystems, Inc. High-performance memory module
US6725314B1 (en) 2001-03-30 2004-04-20 Sun Microsystems, Inc. Multi-bank memory subsystem employing an arrangement of multiple memory modules
US6721185B2 (en) 2001-05-01 2004-04-13 Sun Microsystems, Inc. Memory module having balanced data I/O contacts pads
US6714433B2 (en) 2001-06-15 2004-03-30 Sun Microsystems, Inc. Memory module with equal driver loading
US6843421B2 (en) 2001-08-13 2005-01-18 Matrix Semiconductor, Inc. Molded memory module and method of making the module absent a substrate support
US6674644B2 (en) 2001-11-01 2004-01-06 Sun Microsystems, Inc. Module and connector having multiple contact rows
US20030101312A1 (en) * 2001-11-26 2003-05-29 Doan Trung T. Machine state storage apparatus and method
US6731011B2 (en) 2002-02-19 2004-05-04 Matrix Semiconductor, Inc. Memory module having interconnected and stacked integrated circuits
US6771536B2 (en) 2002-02-27 2004-08-03 Sandisk Corporation Operating techniques for reducing program and read disturbs of a non-volatile memory
US6751113B2 (en) * 2002-03-07 2004-06-15 Netlist, Inc. Arrangement of integrated circuits in a memory module
US7076408B1 (en) * 2002-04-03 2006-07-11 Yazaki North America Method for ensuring consistent protocol in the location of circuits and connectors having multiple circuit-receiving cavities
US7133972B2 (en) 2002-06-07 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Memory hub with internal cache and/or memory access prediction
US7200024B2 (en) 2002-08-02 2007-04-03 Micron Technology, Inc. System and method for optically interconnecting memory devices
US7117316B2 (en) 2002-08-05 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Memory hub and access method having internal row caching
US7254331B2 (en) 2002-08-09 2007-08-07 Micron Technology, Inc. System and method for multiple bit optical data transmission in memory systems
US7149874B2 (en) 2002-08-16 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Memory hub bypass circuit and method
US6820181B2 (en) 2002-08-29 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Method and system for controlling memory accesses to memory modules having a memory hub architecture
US7836252B2 (en) 2002-08-29 2010-11-16 Micron Technology, Inc. System and method for optimizing interconnections of memory devices in a multichip module
US7102907B2 (en) 2002-09-09 2006-09-05 Micron Technology, Inc. Wavelength division multiplexed memory module, memory system and method
KR100505641B1 (ko) * 2002-09-10 2005-08-03 삼성전자주식회사 메모리 모듈 및 이를 구비하는 메모리 시스템
US6996686B2 (en) * 2002-12-23 2006-02-07 Sun Microsystems, Inc. Memory subsystem including memory modules having multiple banks
US6812555B2 (en) * 2003-03-10 2004-11-02 Everstone Industry Corp. Memory card substrate with alternating contacts
US6982892B2 (en) * 2003-05-08 2006-01-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for a physical layout of simultaneously sub-accessible memory modules
US6947304B1 (en) 2003-05-12 2005-09-20 Pericon Semiconductor Corp. DDR memory modules with input buffers driving split traces with trace-impedance matching at trace junctions
US7245145B2 (en) 2003-06-11 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Memory module and method having improved signal routing topology
US7120727B2 (en) 2003-06-19 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Reconfigurable memory module and method
US7260685B2 (en) 2003-06-20 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Memory hub and access method having internal prefetch buffers
US7107415B2 (en) 2003-06-20 2006-09-12 Micron Technology, Inc. Posted write buffers and methods of posting write requests in memory modules
US7428644B2 (en) 2003-06-20 2008-09-23 Micron Technology, Inc. System and method for selective memory module power management
US7389364B2 (en) 2003-07-22 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system
WO2005013436A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-10 Sandisk Secure Content Solutions, Inc. Electrical connector
WO2005015564A1 (en) * 2003-08-06 2005-02-17 Netlist, Inc. Non-standard dual in-line memory modules with more than two ranks of memory per module and multiple serial-presence-detect devices to simulate multiple modules
US7210059B2 (en) 2003-08-19 2007-04-24 Micron Technology, Inc. System and method for on-board diagnostics of memory modules
US7133991B2 (en) 2003-08-20 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Method and system for capturing and bypassing memory transactions in a hub-based memory system
US20050050237A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-03 Jeddeloh Joseph M. Memory module and method having on-board data search capabilities and processor-based system using such memory modules
US7136958B2 (en) 2003-08-28 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Multiple processor system and method including multiple memory hub modules
US7310752B2 (en) 2003-09-12 2007-12-18 Micron Technology, Inc. System and method for on-board timing margin testing of memory modules
US7194593B2 (en) 2003-09-18 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Memory hub with integrated non-volatile memory
US7120743B2 (en) 2003-10-20 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Arbitration system and method for memory responses in a hub-based memory system
US7177211B2 (en) * 2003-11-13 2007-02-13 Intel Corporation Memory channel test fixture and method
US7330992B2 (en) 2003-12-29 2008-02-12 Micron Technology, Inc. System and method for read synchronization of memory modules
US8250295B2 (en) 2004-01-05 2012-08-21 Smart Modular Technologies, Inc. Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks
US20050018495A1 (en) * 2004-01-29 2005-01-27 Netlist, Inc. Arrangement of integrated circuits in a memory module
US7188219B2 (en) 2004-01-30 2007-03-06 Micron Technology, Inc. Buffer control system and method for a memory system having outstanding read and write request buffers
US7181584B2 (en) * 2004-02-05 2007-02-20 Micron Technology, Inc. Dynamic command and/or address mirroring system and method for memory modules
US7788451B2 (en) 2004-02-05 2010-08-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for data bypass for a bi-directional data bus in a hub-based memory sub-system
US7412574B2 (en) 2004-02-05 2008-08-12 Micron Technology, Inc. System and method for arbitration of memory responses in a hub-based memory system
US7916574B1 (en) 2004-03-05 2011-03-29 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and memory domain translation for memory module
US7289386B2 (en) 2004-03-05 2007-10-30 Netlist, Inc. Memory module decoder
US7366864B2 (en) 2004-03-08 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Memory hub architecture having programmable lane widths
US7257683B2 (en) 2004-03-24 2007-08-14 Micron Technology, Inc. Memory arbitration system and method having an arbitration packet protocol
US7120723B2 (en) 2004-03-25 2006-10-10 Micron Technology, Inc. System and method for memory hub-based expansion bus
US7447240B2 (en) 2004-03-29 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Method and system for synchronizing communications links in a hub-based memory system
US7213082B2 (en) 2004-03-29 2007-05-01 Micron Technology, Inc. Memory hub and method for providing memory sequencing hints
US6980042B2 (en) 2004-04-05 2005-12-27 Micron Technology, Inc. Delay line synchronizer apparatus and method
US7590797B2 (en) 2004-04-08 2009-09-15 Micron Technology, Inc. System and method for optimizing interconnections of components in a multichip memory module
US7162567B2 (en) 2004-05-14 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Memory hub and method for memory sequencing
US7222213B2 (en) 2004-05-17 2007-05-22 Micron Technology, Inc. System and method for communicating the synchronization status of memory modules during initialization of the memory modules
US7363419B2 (en) 2004-05-28 2008-04-22 Micron Technology, Inc. Method and system for terminating write commands in a hub-based memory system
US7310748B2 (en) 2004-06-04 2007-12-18 Micron Technology, Inc. Memory hub tester interface and method for use thereof
US7519788B2 (en) 2004-06-04 2009-04-14 Micron Technology, Inc. System and method for an asynchronous data buffer having buffer write and read pointers
US7289332B2 (en) * 2004-06-16 2007-10-30 Liberty University Mirror image electrical packages and system for using same
US7539800B2 (en) * 2004-07-30 2009-05-26 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing segment level sparing
US7389375B2 (en) 2004-07-30 2008-06-17 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for a multi-mode memory buffer device
US7296129B2 (en) 2004-07-30 2007-11-13 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing a serialized memory interface with a bus repeater
US7224595B2 (en) * 2004-07-30 2007-05-29 International Business Machines Corporation 276-Pin buffered memory module with enhanced fault tolerance
US7392331B2 (en) 2004-08-31 2008-06-24 Micron Technology, Inc. System and method for transmitting data packets in a computer system having a memory hub architecture
KR100585158B1 (ko) 2004-09-13 2006-05-30 삼성전자주식회사 Ｅｃｃ 메모리 모듈
US7299313B2 (en) 2004-10-29 2007-11-20 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for a memory subsystem command interface
US7305574B2 (en) 2004-10-29 2007-12-04 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for bus calibration in a memory subsystem
US7395476B2 (en) 2004-10-29 2008-07-01 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing a high speed test interface to a memory subsystem
US7353437B2 (en) * 2004-10-29 2008-04-01 Micron Technology, Inc. System and method for testing a memory for a memory failure exhibited by a failing memory
US7441060B2 (en) 2004-10-29 2008-10-21 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing a service interface to a memory system
US7277988B2 (en) 2004-10-29 2007-10-02 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing data caching and data compression in a memory subsystem
US7512762B2 (en) 2004-10-29 2009-03-31 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for a memory subsystem with positional read data latency
US7356737B2 (en) 2004-10-29 2008-04-08 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for testing a memory module
US7331010B2 (en) 2004-10-29 2008-02-12 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing fault detection and correction in a memory subsystem
US7172465B2 (en) * 2005-02-22 2007-02-06 Micron Technology, Inc. Edge connector including internal layer contact, printed circuit board and electronic module incorporating same
US7478307B1 (en) 2005-05-19 2009-01-13 Sun Microsystems, Inc. Method for improving un-correctable errors in a computer system
US7464225B2 (en) 2005-09-26 2008-12-09 Rambus Inc. Memory module including a plurality of integrated circuit memory devices and a plurality of buffer devices in a matrix topology
US11328764B2 (en) 2005-09-26 2022-05-10 Rambus Inc. Memory system topologies including a memory die stack
US7562271B2 (en) 2005-09-26 2009-07-14 Rambus Inc. Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device
DE102005051497B3 (de) * 2005-10-26 2006-12-07 Infineon Technologies Ag Speichermodul mit einer elektronischen Leiterplatte und einer Mehrzahl von gleichartigen Halbleiterchips
US7478259B2 (en) 2005-10-31 2009-01-13 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for deriving clocks in a memory system
US7685392B2 (en) 2005-11-28 2010-03-23 International Business Machines Corporation Providing indeterminate read data latency in a memory system
JP4945125B2 (ja) * 2005-12-21 2012-06-06 ラピスセミコンダクタ株式会社 メモリ制御装置
US7636813B2 (en) * 2006-05-22 2009-12-22 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing remote pre-fetch buffers
US7594055B2 (en) 2006-05-24 2009-09-22 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing distributed technology independent memory controllers
US7640386B2 (en) 2006-05-24 2009-12-29 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing memory modules with multiple hub devices
US7584336B2 (en) * 2006-06-08 2009-09-01 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing data modification operations in memory subsystems
US7493439B2 (en) 2006-08-01 2009-02-17 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing performance monitoring in a memory system
US7669086B2 (en) 2006-08-02 2010-02-23 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing collision detection in a memory system
US7581073B2 (en) * 2006-08-09 2009-08-25 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing distributed autonomous power management in a memory system
US7587559B2 (en) 2006-08-10 2009-09-08 International Business Machines Corporation Systems and methods for memory module power management
US7490217B2 (en) 2006-08-15 2009-02-10 International Business Machines Corporation Design structure for selecting memory busses according to physical memory organization information stored in virtual address translation tables
US7539842B2 (en) 2006-08-15 2009-05-26 International Business Machines Corporation Computer memory system for selecting memory buses according to physical memory organization information stored in virtual address translation tables
US7870459B2 (en) 2006-10-23 2011-01-11 International Business Machines Corporation High density high reliability memory module with power gating and a fault tolerant address and command bus
US7477522B2 (en) * 2006-10-23 2009-01-13 International Business Machines Corporation High density high reliability memory module with a fault tolerant address and command bus
US7721140B2 (en) 2007-01-02 2010-05-18 International Business Machines Corporation Systems and methods for improving serviceability of a memory system
KR100834826B1 (ko) * 2007-01-25 2008-06-03 삼성전자주식회사 취급손상을 줄인 집적회로 모듈의 구조 및 모듈의 종단저항 배치방법
US7603526B2 (en) 2007-01-29 2009-10-13 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing dynamic memory pre-fetch
US7606988B2 (en) 2007-01-29 2009-10-20 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing a dynamic memory bank page policy
KR101013900B1 (ko) * 2007-12-17 2011-02-14 기아자동차주식회사 차량의 통합조작스위치
US8154901B1 (en) 2008-04-14 2012-04-10 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and noise reduction
US8787060B2 (en) 2010-11-03 2014-07-22 Netlist, Inc. Method and apparatus for optimizing driver load in a memory package
US8516185B2 (en) 2009-07-16 2013-08-20 Netlist, Inc. System and method utilizing distributed byte-wise buffers on a memory module
KR20100030126A (ko) 2008-09-09 2010-03-18 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 그를 포함하는 전자 장치
US9128632B2 (en) 2009-07-16 2015-09-08 Netlist, Inc. Memory module with distributed data buffers and method of operation
JP2011049216A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Elpida Memory Inc 回路基板及びこれを備える半導体装置、メモリモジュール、メモリシステム、並びに、回路基板の製造方法
US9142926B2 (en) * 2010-07-19 2015-09-22 Chou Hsien Tsai Electrical connector for bidirectional plug insertion
KR101796116B1 (ko) 2010-10-20 2017-11-10 삼성전자 주식회사 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법
WO2014097580A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 日本電気株式会社 電子基板及びそのコネクタ接続構造
USD758372S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
US8992247B2 (en) * 2013-03-15 2015-03-31 Ortronics, Inc. Multi-surface contact plug assemblies, systems and methods
US20140268621A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Wintec Industries, Inc. Edge Mounting for Printed Circuit
KR20160038034A (ko) 2013-07-27 2016-04-06 넷리스트 인코포레이티드 로컬 동기화를 갖는 메모리 모듈
US20200083623A1 (en) * 2016-12-30 2020-03-12 Intel Corporation Dual in-line memory modules and connectors for increased system performance

Family Cites Families (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3161859A (en) * 1961-01-12 1964-12-15 Rca Corp Modular memory structures
US3508209A (en) * 1966-03-31 1970-04-21 Ibm Monolithic integrated memory array structure including fabrication and package therefor
US3680038A (en) * 1970-04-28 1972-07-25 Teradyne Inc Electrical connector with vibration resistance
US3671917A (en) * 1970-05-20 1972-06-20 Ammon & Champion Co Inc Printed circuit board connector
US3701078A (en) * 1971-02-04 1972-10-24 Amp Inc Bussing connector
JPS5544429B2 (ko) * 1973-05-11 1980-11-12
US3982807A (en) * 1975-03-27 1976-09-28 International Telephone And Telegraph Corporation Zero force printed circuit board connector
US4077694A (en) * 1975-06-24 1978-03-07 Amp Incorporated Circuit board connector
US4164751A (en) * 1976-11-10 1979-08-14 Texas Instruments Incorporated High capacity dynamic ram cell
US4084874A (en) * 1977-06-27 1978-04-18 Gte Automatic Electric Laboratories Incorporated Low insertion force connector
US4163289A (en) * 1978-05-01 1979-07-31 Texas Instruments Incorporated Sixteen bit microcomputer memory boards for use with eight bit standard connector bus
JPS5567993A (en) * 1978-11-14 1980-05-22 Fujitsu Ltd Semiconductor memory unit
US4426689A (en) * 1979-03-12 1984-01-17 International Business Machines Corporation Vertical semiconductor integrated circuit chip packaging
DE3066941D1 (en) * 1979-05-24 1984-04-19 Fujitsu Ltd Masterslice semiconductor device and method of producing it
DE2948159C2 (de) * 1979-11-29 1983-10-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierter Speicherbaustein mit wählbaren Betriebsfunktionen
US4253719A (en) * 1980-01-28 1981-03-03 Methode Electronics, Inc. Electrical edge connector
US4426773A (en) * 1981-05-15 1984-01-24 General Electric Ceramics, Inc. Array of electronic packaging substrates
US4428635A (en) * 1982-02-24 1984-01-31 Amp Incorporated One piece zif connector
JPS58159360A (ja) * 1982-03-17 1983-09-21 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4548456A (en) * 1982-12-21 1985-10-22 Burroughs Corporation Printed circuit board edge connectors
JPS59144155A (ja) * 1983-02-08 1984-08-18 Nec Corp 集積回路パツケ−ジ
US4656605A (en) * 1983-09-02 1987-04-07 Wang Laboratories, Inc. Single in-line memory module
US4727513A (en) * 1983-09-02 1988-02-23 Wang Laboratories, Inc. Signal in-line memory module
US4651416A (en) * 1983-10-31 1987-03-24 Depaul Albert D Printed circuits
US4842538A (en) * 1983-11-23 1989-06-27 Burndy Corporation Low insertion force circuit board connector assembly
US4558912A (en) * 1983-12-14 1985-12-17 Amp Incorporated Edge connector for chip carrier
US4781612A (en) * 1983-12-14 1988-11-01 Amp Incorporated Socket for single in-line memory module
KR890004820B1 (ko) * 1984-03-28 1989-11-27 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 배저장밀도의 메모리 모듈 및 보드와 그 형성방법
US4724531A (en) * 1984-07-18 1988-02-09 Hughes Aircraft Company Gate array with bidirectional symmetry
US4777590A (en) * 1984-10-29 1988-10-11 Pictorial, Inc. Portable computer
US4604743A (en) * 1984-11-21 1986-08-05 North American Philips Corporation Bus structure for an image processor
NL8500587A (nl) * 1985-03-01 1986-10-01 Du Pont Nederland Kaartleeshouder.
US4850892A (en) * 1985-12-16 1989-07-25 Wang Laboratories, Inc. Connecting apparatus for electrically connecting memory modules to a printed circuit board
JPS62155546A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Toshiba Corp メモリ−モジユ−ル
JPS62192086A (ja) * 1986-02-18 1987-08-22 Matsushita Electronics Corp 半導体記憶装置
US4695111A (en) * 1986-04-10 1987-09-22 Amp Incorporated Zero insertion force connector having wiping action
JPS62260244A (ja) * 1986-05-06 1987-11-12 Nintendo Co Ltd メモリカ−トリツジ
US4700998A (en) * 1986-08-19 1987-10-20 Northern Telecom Limited Multiple contact connector having a low insertion force
US4740868A (en) * 1986-08-22 1988-04-26 Motorola Inc. Rail bonded multi-chip leadframe, method and package
JPS63239675A (ja) * 1986-11-27 1988-10-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US4756694A (en) * 1986-12-19 1988-07-12 Amp Incorporated Dual row connector for low profile package
JPS63197083A (ja) * 1987-02-12 1988-08-15 Mitsubishi Electric Corp 記憶素子モジユ−ル
GB2203591A (en) * 1987-04-14 1988-10-19 Plessey Co Plc Semiconductor hybrid device
JPS63296292A (ja) * 1987-05-27 1988-12-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US4771366A (en) * 1987-07-06 1988-09-13 International Business Machines Corporation Ceramic card assembly having enhanced power distribution and cooling
JPS6480032A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Hitachi Maxell Semiconductor device and manufacture thereof
JP2507476B2 (ja) * 1987-09-28 1996-06-12 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JPH01175180A (ja) * 1987-12-28 1989-07-11 Yamaichi Electric Mfg Co Ltd 配線基板用コネクタ
JP2509969B2 (ja) * 1988-02-26 1996-06-26 株式会社日立製作所 電子装置
US4891789A (en) * 1988-03-03 1990-01-02 Bull Hn Information Systems, Inc. Surface mounted multilayer memory printed circuit board
US4850891A (en) * 1988-04-04 1989-07-25 Augat Inc. Memory module socket
JP2645068B2 (ja) * 1988-04-08 1997-08-25 株式会社東芝 メモリモジュール
US5307309A (en) * 1988-05-31 1994-04-26 Micron Technology, Inc. Memory module having on-chip surge capacitors
US4882700A (en) * 1988-06-08 1989-11-21 Micron Technology, Inc. Switched memory module
JP2865170B2 (ja) * 1988-07-06 1999-03-08 三菱電機株式会社 電子回路装置
US5138434A (en) * 1991-01-22 1992-08-11 Micron Technology, Inc. Packaging for semiconductor logic devices
US4992850A (en) * 1989-02-15 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Directly bonded simm module
GB8823239D0 (en) 1988-10-04 1988-11-09 Gems Of Cambridge Ltd Improved data processing
JPH02186636A (ja) * 1989-01-12 1990-07-20 Seiko Epson Corp 集積回路装置の配線法
US4879631A (en) * 1989-01-18 1989-11-07 Micron Technology, Inc. Short-resistant decoupling capacitor system for semiconductor circuits
EP1179848A3 (en) * 1989-02-14 2005-03-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Supply pin rearrangement for an I.C.
US4992849A (en) * 1989-02-15 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Directly bonded board multiple integrated circuit module
JPH02246099A (ja) * 1989-03-20 1990-10-01 Hitachi Ltd 大規模半導体集積回路装置とその欠陥救済法
US5043792A (en) * 1989-04-17 1991-08-27 Nec Corporation Integrated circuit having wiring strips for propagating in-phase signals
JPH02287646A (ja) * 1989-04-27 1990-11-27 Toshiba Corp メモリ拡張方式
US5051994A (en) * 1989-04-28 1991-09-24 International Business Machines Corporation Computer memory module
AU628547B2 (en) * 1989-05-19 1992-09-17 Compaq Computer Corporation Modular computer memory circuit board
US4973270A (en) * 1989-06-02 1990-11-27 Amp Incorporated Circuit panel socket with cloverleaf contact
US4946403A (en) * 1989-08-24 1990-08-07 Amp Incorporated Low insertion force circuit panel socket
US5162979A (en) * 1989-10-23 1992-11-10 International Business Machines Corp. Personal computer processor card interconnect system
US5089993B1 (en) * 1989-09-29 1998-12-01 Texas Instruments Inc Memory module arranged for data and parity bits
US4990107A (en) * 1989-11-17 1991-02-05 Amp Incorporated Integrated circuit module connector assembly
US5191404A (en) * 1989-12-20 1993-03-02 Digital Equipment Corporation High density memory array packaging
CA2031865C (en) * 1989-12-20 1993-07-20 Andrew L. Wu High-density memory array packaging
US5157635A (en) * 1989-12-27 1992-10-20 International Business Machines Corporation Input signal redriver for semiconductor modules
DE69120306T2 (de) * 1990-01-31 1996-10-24 Hewlett Packard Co Systemspeicherinitialisierung mit Anwesenheitserkennungskodierung
US4990097A (en) * 1990-02-21 1991-02-05 Amp Incorporated Electrical connector with module extraction apparatus
JPH03248896A (ja) * 1990-02-28 1991-11-06 Hitachi Ltd Ｉｃカード
JPH03262055A (ja) * 1990-03-12 1991-11-21 Toshiba Corp 主記憶装置増設用記憶装置
US5026297A (en) * 1990-06-28 1991-06-25 Molex Incorporated Electrical socket assembly for single in-line circuit package
US5094624A (en) * 1990-12-18 1992-03-10 Molex Incorporated Metal latch for SIMM socket
US5161995A (en) * 1990-07-16 1992-11-10 Molex Incorporated Metal latch for SIMM socket
US5082459A (en) * 1990-08-23 1992-01-21 Amp Incorporated Dual readout simm socket
JPH04130763A (ja) * 1990-09-21 1992-05-01 Toshiba Corp 薄型メモリモジュール
JP2568748B2 (ja) * 1990-10-30 1997-01-08 三菱電機株式会社 半導体装置
US5112242A (en) * 1990-11-20 1992-05-12 Foxconn International, Inc. Durable latch for memory module board
US5169333A (en) * 1991-09-27 1992-12-08 Yang Lee Su Lan Durable latch with mounting peg of memory module socket
JP3082323B2 (ja) * 1991-07-30 2000-08-28 ソニー株式会社 メモリモジュール
US5252857A (en) * 1991-08-05 1993-10-12 International Business Machines Corporation Stacked DCA memory chips
US5145396A (en) * 1991-11-13 1992-09-08 Amphenol Corporation Combo SIMM connector
US5260892A (en) * 1991-11-21 1993-11-09 Sun Microsystems, Inc. High speed electrical signal interconnect structure
US5200917A (en) * 1991-11-27 1993-04-06 Micron Technology, Inc. Stacked printed circuit board device
US5167517A (en) * 1991-12-05 1992-12-01 Long Frank T Ejecting SIMM socket
US5319591A (en) * 1991-12-26 1994-06-07 Oki Electric Industry Co., Ltd. Memory module
US5162970A (en) * 1992-01-27 1992-11-10 American Technical Ceramics Corporation Miniature monolithic ceramic coupler for electronic circuits
US5192220A (en) * 1992-01-31 1993-03-09 Amp Inc. Dual readout extended socket
US5164916A (en) * 1992-03-31 1992-11-17 Digital Equipment Corporation High-density double-sided multi-string memory module with resistor for insertion detection
US5270964A (en) * 1992-05-19 1993-12-14 Sun Microsystems, Inc. Single in-line memory module
US5265218A (en) * 1992-05-19 1993-11-23 Sun Microsystems, Inc. Bus architecture for integrated data and video memory
US5263870A (en) * 1992-12-16 1993-11-23 The Whitaker Corporation Dual read-out SIMM socket for high electrical speed applications
US5272664A (en) * 1993-04-21 1993-12-21 Silicon Graphics, Inc. High memory capacity DRAM SIMM
US5358887A (en) * 1993-11-26 1994-10-25 United Microelectronics Corporation Ulsi mask ROM structure and method of manufacture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7350120B2 (en) 2003-06-24 2008-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Buffered memory module and method for testing same

Also Published As

Publication number Publication date
US5973951A (en) 1999-10-26
DE69326189T2 (de) 2000-01-05
JPH06348588A (ja) 1994-12-22
EP0813204A2 (en) 1997-12-17
EP0571092A2 (en) 1993-11-24
US5383148A (en) 1995-01-17
US5465229A (en) 1995-11-07
EP0926681A2 (en) 1999-06-30
US5532954A (en) 1996-07-02
EP0813205A3 (en) 1999-09-29
SG43928A1 (en) 1997-11-14
US5270964A (en) 1993-12-14
EP0571092A3 (en) 1994-01-12
EP0571092B1 (en) 1999-09-01
EP0813205A2 (en) 1997-12-17
EP0926681A3 (en) 2000-11-22
EP0813204A3 (en) 1999-09-29
DE69326189D1 (de) 1999-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100235222B1 (ko) 싱글 인라인 메모리 모듈
EP1194856B1 (en) A memory expansion module including multiple memory banks and a bank control circuit
KR100626223B1 (ko) 적층 메모리 패키지를 가진 메모리 확장 모듈
US6097883A (en) Dual state memory card having combined and single circuit operation
US5995405A (en) Memory module with flexible serial presence detect configuration
US6891729B2 (en) Memory module
US6714433B2 (en) Memory module with equal driver loading
US5870325A (en) Memory system with multiple addressing and control busses
KR100213965B1 (ko) 고속전기신호 상호접속구조
US9257151B2 (en) Printed-circuit board supporting memory systems with multiple data-bus configurations
KR910000589B1 (ko) 인접 어드레스 공간을 제공하는 메모리 시스템
US5371866A (en) Simulcast standard multichip memory addressing system
US20030090879A1 (en) Dual inline memory module
US10109324B2 (en) Extended capacity memory module with dynamic data buffers
KR20080011711A (ko) 메모리 장치, 메모리 제어기, 시스템 및 방법
EP0668590A2 (en) Method and apparatus for inserting a high density 16 and 32 megabyte SIMM into a computer
US5357624A (en) Single inline memory module support system
US6725314B1 (en) Multi-bank memory subsystem employing an arrangement of multiple memory modules
US4882700A (en) Switched memory module
JP5043360B2 (ja) 所定のピン配列を有するメモリモジュール
US7167967B2 (en) Memory module and memory-assist module
US5064378A (en) Mounting of DRAMs of different sizes and pinouts within limited footprint
US20040201968A1 (en) Multi-bank memory module
EP1065752A1 (en) Dual slots dimm socket with right angle orientation

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
LAPS Lapse due to unpaid annual fee