JP4945125B2 - メモリ制御装置 - Google Patents

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Description

本発明は、複数のメモリチップであるRAMを1つのRAM(Random Access Memory)のように、連続してアクセスするためのメモリ制御回路を備えたメモリ制御装置に関するものである。
図2は、従来のメモリ制御装置を示す構成図である。
このメモリ制御装置は、中央処理装置(以下「CPU」という。)1に内部バスを介して接続され、データを格納するメモリアレイ14 ,14 ,14 をそれぞれ有する複数のメモリであるRAM10 ,10 ,10 に対して連続アクセスを行うために前記複数のRAM10 ,10 ,10 に対応して設けられた複数のメモリ制御回路を備えている。
内部バスは、アドレスを含むコマンドADまたはデータDTを時分割で転送するアドレス/データバス2、このアドレス/データバス2をコマンド転送に使用するときにレベル“H”となり、データ転送のときにレベル“L”となるアドレス設定信号ASが出力されるアドレス設定信号線3、書き込み動作か読み出し動作かを指定するライトリードアクセス要求信号W/Rが出力されるアクセス要求信号線4、読み書きのタイミングを示すアクセス信号ACが与えられるアクセス信号線5、及びアクセスするメモリチップを選択するチップ選択信号CSが出力されるチップ選択信号線6で構成されている。
一方、RAM10〜10は同一構成で、これらのRAM10(i=1〜3)は、I/F(インタフェース)部11、レジスタ12及びメモリアレイ制御部13 を有するメモリ制御回路と、メモリアレイ14 とから構成されている。I/F部11は、CPU1から内部バスを介して与えられた制御信号をレジスタ12に設定したり、メモリアレイ制御部13に与えたり、或いはこのメモリアレイ制御部13とCPU1間のデータ転送を行ったりするものである。また、メモリアレイ制御部13は、CPU1から与えられる各種のコマンドに従って、メモリアレイ14に対するデータの書き込み及び読み出しの制御を行うものである。
図3(a),(b)は、図2の動作を示す信号波形図であり、同図(a)は書き込み動作、及び同図(b)は読み出し動作を示している。以下、これらの図3(a),(b)を参照しつつ、図2の動作を説明する。
(1) 書き込み動作
CPU1がRAM10〜10を1つのメモリと見なして、このCPU1内に示したデータMD1〜MD27を、これらのRAM10〜10に順番に書き込む場合、図3(a)に示すように、まず、チップ選択信号CSでRAM10を指定する。次に、時刻T0〜T1の期間に、ライトリードアクセス要求信号W/Rを書き込み要求である“H”に設定し、アドレス設定信号ASをコマンドの転送指示である“H”に設定し、アドレス/データバス2に書き込みコマンド(RAM)を設定する。
時刻T1において、アクセス信号線5のアクセス信号ACが立ち上がると、選択されたRAM10に、アドレス/データバス2上の書き込みコマンドが取り込まれ、このRAM10は書き込みモードに移行する。
時刻T1〜T2,T2〜T3,T3〜T4の各期間に、CPU1からデータMD1〜MD3を順番にアドレス/データバス2上に設定する。このとき、ライトリードアクセス要求信号W/Rは、書き込み動作を要求するために“H”のままである。これにより、アクセス信号ACが“L”(アクティブ)となっている間に、RAM10のメモリアレイ14に、これらのデータMD1〜MD3が順番に書き込まれる。
時刻T4以降では、時刻T0〜T4の期間と同様に、チップ選択信号CSで書き込み対象のRAM10を順次変更し、残りのデータMD4〜MD27を順番に書き込む。
(2) 読み出し動作
CPU1がRAM10〜10を1つのメモリと見なして、これらのRAM10〜10から、データMD1〜MD27を順番に読み出す場合、図3(b)に示すように、まず、チップ選択信号CSでRAM10を指定する。次に、時刻T0〜T1の期間に、ライトリードアクセス要求信号W/Rを書き込み要求である“H”に設定し、アドレス設定信号ASをコマンドの転送指示である“H”に設定し、アドレス/データバス2に読み出しコマンド(RAM)を設定する。
時刻T1において、アクセス信号線5のアクセス信号ACが立ち上がると、選択されたRAM10に、アドレス/データバス2上の読み出しコマンドが取り込まれ、このRAM10は読み出しモードに移行する。
時刻T1〜T2,T2〜T3,T3〜T4の各期間に、CPU1は、ライトリードアクセス要求信号W/Rを読み出し要求である“L”に設定する。これにより、RAM10のメモリアレイ14から、データMD1〜MD3が順番に読み出され、アドレス/データバス2上に出力される。このとき、時刻T1〜T2の期間は、RAM10内でメモリアレイ14のアドレス(X1,Y1)からデータMD1の読み出し処理を行っており、アドレス/データバス2上にはダミーデータDMYが出力される。従って、CPU1は、時刻T2〜T3,T3〜T4,T4〜T5の各期間に、アドレス/データバス2からデータMD1〜MD3を取り込む。
時刻T5以降では、時刻T0〜T5の期間と同様に、チップ選択信号CSで読み出し対象のRAM10を順次変更し、残りのデータMD4〜MD27を順番に読み出す。
しかしながら、前記メモリ制御回路では、書き込みまたは読み出し対象のRAM10を切り替える都度、チップ選択信号CSとそのRAMへアクセスするためのコマンド等の設定が必要であり、連続して書き込みや読み出しを行う場合の処理とその処理時間が増加するという課題があった。
本発明は、メモリの切り替えを意識せずに、複数のメモリに連続してアクセスすることができるメモリ制御回路を備えたメモリ制御装置を提供することを目的としている。
本発明のメモリ制御装置は、データを格納するメモリアレイと、前記メモリアレイに対してアクセスの制御を行うメモリ制御回路と、をそれぞれ有する複数のメモリと、更に、前記複数のメモリにバスを介して接続され、前記バスを介して制御情報及びコマンドを前記複数のメモリに与え、前記複数のメモリに対してアクセスの制御を行うCPUと、を備えている。
前記複数のメモリは、ループ接続され、遷移する2つの異なる第1の論理レベル及び第2の論理レベルを有する第1のアクセスウエイト信号が、前記ループ接続の上流側から入力されて下流側へ伝達され、遷移する2つの異なる第3の論理レベル及び第4の論理レベルを有する第2のアクセスウエイト信号を、前記ループ接続の下流側へ出力するものである。
更に、前記各メモリ内の前記各メモリ制御回路は、前記CPUから与えられる前記制御情報を保持するレジスタと、前記CPUから与えられる前記コマンドに従ってアクセス対象のアドレスを生成し、前記メモリアレイに対して前記アクセスの制御を行うメモリアレイ制御部と、メモリ選択制御部とを備えている。
前記メモリ選択制御部は、前記レジスタに保持された前記制御情報によって動作が許可されている状態において、前記第1の論理レベルまたは前記第2の論理レベルの前記第1のアクセスウエイト信号を入力しているときには、前記アドレスを保持し、入力している前記第1のアクセスウエイト信号が前記第1の論理レベルから前記第2の論理レベルへ遷移したときには、前記第3の論理レベルの前記第2のアクセスウエイト信号を前記ループ接続の前記下流側へ出力し、前記メモリアレイ制御部により制御される前記メモリアレイを選択して前記アドレスをインクリメントし、前記アドレスが一定の値になったときには、前記第2のアクセスウエイト信号を前記第3の論理レベルから前記第4の論理レベルに遷移させて前記ループ接続の前記下流側へ出力し、前記制御情報によって動作が禁止されている状態において、前記アドレスを保持し、入力された前記第1のアクセスウエイト信号と同一の前記論理レベルの前記第2のアクセスウエイト信号を前記ループ接続の前記下流側へ出力することを特徴としている。
本発明では、各メモリ制御回路のメモリ選択制御部が、メモリ制御回路のメモリアレイ制御部から出力されるアドレスを、メモリ制御回路の上流側に隣接する他のメモリ制御回路から与えられる第1のアクセスウエイト信号に従って保持またはインクリメントし、更に、メモリ制御回路の下流側に第2のアクセスウエイト信号を制御して出力するようにしている。これにより、書き込みまたは読み出し対象のメモリを切り替える都度、そのメモリをアクセスするための設定を行う必要がなくなるので、連続して書き込みや読み出しを行うことが可能になり、処理とその処理時間を削減することができるという効果がある。
複数のメモリに対応して設けられたメモリ選択制御部をアクセスウエイト信号によってループ状に接続する。これにより、各メモリにデータを順次振り分けて書き込むと共に、書き込まれたデータをその順番に順次読み出すことができる。
この発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、次の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、より完全に明らかになるであろう。但し、図面は、もっぱら解説のためのものであって、この発明の範囲を限定するものではない。
図1は、本発明の実施例1におけるメモリ制御装置を示す構成図であり、図2中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
このメモリ制御装置は、CPU1に内部バスを介して接続され、データを格納するメモリアレイをそれぞれ有する複数のメモリとしてのRAM10A ,10A ,10A に対して連続アクセスを行うために前記複数のRAM10A ,10A ,10A に対応して設けられた複数のメモリ制御回路を備えている。
内部バスは、アドレスを含むコマンドADまたはデータDTを時分割で転送するアドレス/データバス2、このアドレス/データバス2をコマンド転送に使用するときに“H”となり、データ転送のときに“L”となるアドレス設定信号ASが出力されるアドレス設定信号線3、書き込み動作か読み出し動作かを指定するライトリードアクセス要求信号W/Rが出力されるアクセス要求信号線4、読み書きのタイミングを示すアクセス信号ACが与えられるアクセス信号線5、及びアクセスするメモリチップを選択するチップ選択信号CSが出力されるチップ選択信号線6で構成されている。
一方、RAM10A〜10Aは同一構成で、これらのRAM10A(i=1〜3)は、I/F部11、レジスタ12A、メモリアレイ制御部13A及びメモリ選択制御部(以下、単に「選択制御部」という。)15 を有するメモリ制御回路と、メモリアレイ14とから構成されている。I/F部11は、CPU1から内部バスを介して与えられた制御信号をレジスタ12Aに設定したり、メモリアレイ制御部13Aに与えたり、或いはこのメモリアレイ制御部13AとCPU1間のデータ転送を行ったりするものである。
レジスタ12Aは、図2のレジスタ12で保持している各種の設定情報に加えて、選択制御部15の動作を許可するか禁止するかの制御信号CONを保持するようになっている。
メモリアレイ制御部13Aは、CPU1から与えられる各種のコマンドに従ってメモリアレイ14に対するデータの書き込み及び読み出しの制御を行うほか、このメモリアレイ14のアクセス制御に使用するアドレス信号ADRを、選択制御部15との間でやり取りする機能を有している。
選択制御部15は、レジスタ12Aに設定された制御信号CONで動作が許可されたときに、メモリアレイ制御部13Aから出力されるアドレス信号ADRをアクセスウエイト信号WTjiに従って保持またはインクリメントすることによって、異なるRAM10 間でアドレス制御を可能とするものである。RAM10A〜10Aの各選択制御部15は、アクセスウエイト信号WTijを一定方向に伝達するようにループ状に接続されている。即ち、RAM10A の選択制御部15には、RAM10A の選択制御部15から第1のアクセスウエイト信号WT31が与えられ、このRAM10A の選択制御部15からRAM10A の選択制御部15に対して、第2のアクセスウエイト信号WT12が出力される。また、RAM10Aの選択制御部15からRAM10A の選択制御部15に対して、第2のアクセスウエイト信号WT23が出力される。
なお、選択制御部15は、制御信号CONで動作が禁止されたときには、アクセスウエイト信号WTijによるアドレス信号ADRの処理を停止し、入力されたアクセスウエイト信号WTijを、次のRAM10Aへそのまま出力するようになっている。
図4は図1の書き込み動作を示す信号波形図、及び図5は図1の読み出し動作を示す信号波形図である。以下、これらの図4,5を参照しつつ、図1の動作を説明する。
(1) 書き込み動作
CPU1がRAM10A〜10Aを1つのメモリと見なして、このCPU1内に示したデータMD1〜MD27を、これらのRAM10A〜10Aに順番に書き込む場合、図4に示すように、まず、チップ選択信号CSで最初に書き込むメモリチップ、この例ではRAM10Aを指定する。
次に、時刻T0〜T1の期間に、ライトリードアクセス要求信号W/Rを書き込み要求である“H”に設定し、アドレス設定信号ASをコマンドの転送指示である“H”に設定し、アドレス/データバス2に書き込みコマンドを設定する。
時刻T1において、アクセス信号線5のアクセス信号ACが立ち上がると、すべてのRAM10A〜10Aが書き込みモードに移行し、アクセスウエイト信号WT12,WT23,WT31が第1の論理レベルである“H”となる。
時刻T1〜T2,T2〜T3,T3〜T4の各期間に、CPU1からデータMD1〜MD3を順番にアドレス/データバス2上に設定する。このとき、ライトリードアクセス要求信号W/Rは、書き込み動作を要求するために“H”のままである。これにより、アクセス信号ACが“L”(アクティブ)となっている間に、RAM10Aのメモリアレイ14に、これらのデータMD1〜MD3が順番に書き込まれる。
RAM10Aでは、アドレス信号ADR(X3,Y1)に対応するデータMD3を書き込むと、自身の書き込みは終了したと判断して、第2のアクセスウエイト信号WT12を第4の論理レベルである“L”にする。これにより、次のRAM10Aにおける書き込み開始が許可される。
同様に時刻T10まで制御が行われ、RAM10AからRAM10Aに対して書き込み開始を許可する第1のアクセスウエイト信号WT31が第2の論理レベルである“L”になると、このRAM10Aは、第2のアクセスウエイト信号WT12を第3の論理レベルである“H”に設定して、RAM10Aに対して次に書き込みの順番が来ることを予告する。
これ以降、同様の動作を繰り返すことで、残りのデータMD10〜MD27は順番に、RAM10A〜10Aに振り分けて書き込まれる。
(2) 読み出し動作
CPU1がRAM10A〜10Aを1つのメモリと見なして、これらのRAM10A〜10Aから、データMD1〜MD27を順番に読み出す場合、図5に示すように、まず、チップ選択信号CSで最初にアクセスするRAM10Aを指定する。
次に、時刻T0〜T1の期間に、ライトリードアクセス要求信号W/Rを書き込み要求である“H”に設定し、アドレス設定信号ASをコマンドの転送指示である“H”に設定し、アドレス/データバス2に読み出しコマンドを設定する。
時刻T1において、アクセス信号線5のアクセス信号ACが立ち上がると、すべてのRAM10A〜10Aが読み出しモードに移行し、アクセスウエイト信号WT12,WT23,WT31が“H”となる。
時刻T1〜T2,T2〜T3,T3〜T4,T4〜T5の各期間に、CPU1は、ライトリードアクセス要求信号W/Rを読み出し要求である“L”に設定する。これにより、RAM10Aのメモリアレイ14から、データMD1〜MD3が順番に読み出され、アドレス/データバス2上に出力される。このとき、時刻T1〜T2の期間では、読み出しデータを出力するRAM10Aが切り替わった際にダミーデータを出力することがないように、すべてのRAM10A〜10Aの内部でメモリアレイ14の読み出しが行われ、読み出したデータが内部に保持される。
時刻T4〜T5の期間で、RAM10Aでは、アドレス信号ADR(X3,Y1)に対応するデータMD3を読み出すと、自身の読み出しは終了したと判断して、アクセスウエイト信号WT12を“L”にする。これにより、次のRAM10Aにおける読み出し開始が許可される。
同様に時刻T11まで制御が行われ、RAM10AからRAM10Aに対して読み出し開始を許可するアクセスウエイト信号WT31が“L”になると、このRAM10Aは、アクセスウエイト信号WT12を“H”に設定して、RAM10Aに対して次に読み出しの順番が来ることを予告する。
これ以降、同様の動作を繰り返すことで、残りのデータMD10〜MD27は順番に、RAM10A〜10Aから読み出される。
以上のように、本実施例のメモリ制御回路は、異なるRAM10A〜10A間のアクセス状態を伝播させるためのアクセスウエイト信号WT12,WT23,WT31によって、対応するメモリアレイ14〜14のアドレスを制御する選択制御部15〜15を有している。これにより、アクセスするRAM10A〜10Aが切り替わる毎にアクセスの設定をする必要がなくなり、連続して書き込みや読み出しが可能になるという利点がある。
なお、本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例えば、次のようなものがある。
(a) メモリチップとして3個のRAM10A〜10Aを用いた場合を説明したが、メモリチップの数は任意である。
(b) 各RAM10A〜10Aのメモリ容量は同一として説明したが、メモリ容量が異なっていても適用可能である。
(c) 3個のRAM10A〜10Aをすべて使用せずに、例えば2個のRAM10A,10Aを使用することもできる。その場合には、RAM10Aの選択制御部15に対する制御信号CONで、この選択制御部15を動作禁止に設定する。
本発明の実施例1におけるメモリ制御装置を示す構成図である。 従来のメモリ制御装置を示す構成図である。 図2の動作を示す信号波形図である。 図1の書き込み動作を示す信号波形図である。 図1の読み出し動作を示す信号波形図である。
符号の説明
1 CPU
10A RAM
11 インタフェース部
12A レジスタ
13A メモリアレイ制御部
14 メモリアレイ
15 選択制御部

Claims (1)

  1. データを格納するメモリアレイと、前記メモリアレイに対してアクセスの制御を行うメモリ制御回路と、をそれぞれ有する複数のメモリと、
    前記複数のメモリにバスを介して接続され、前記バスを介して制御情報及びコマンドを前記複数のメモリに与え、前記複数のメモリに対してアクセスの制御を行う中央処理装置と、
    を備えたメモリ制御装置において、
    前記複数のメモリは、
    ループ接続され、遷移する2つの異なる第1の論理レベル及び第2の論理レベルを有する第1のアクセスウエイト信号が、前記ループ接続の上流側から入力されて下流側へ伝達され、遷移する2つの異なる第3の論理レベル及び第4の論理レベルを有する第2のアクセスウエイト信号を、前記ループ接続の下流側へ出力するものであり、
    前記各メモリ内の前記各メモリ制御回路は、
    前記中央処理装置から与えられる前記制御情報を保持するレジスタと、
    前記中央処理装置から与えられる前記コマンドに従ってアクセス対象のアドレスを生成し、前記メモリアレイに対して前記アクセスの制御を行うメモリアレイ制御部と、
    前記レジスタに保持された前記制御情報によって動作が許可されている状態において、前記第1の論理レベルまたは前記第2の論理レベルの前記第1のアクセスウエイト信号を入力しているときには、前記アドレスを保持し、入力している前記第1のアクセスウエイト信号が前記第1の論理レベルから前記第2の論理レベルへ遷移したときには、前記第3の論理レベルの前記第2のアクセスウエイト信号を前記ループ接続の前記下流側へ出力し、前記メモリアレイ制御部により制御される前記メモリアレイを選択して前記アドレスをインクリメントし、前記アドレスが一定の値になったときには、前記第2のアクセスウエイト信号を前記第3の論理レベルから前記第4の論理レベルに遷移させて前記ループ接続の前記下流側へ出力し、前記制御情報によって動作が禁止されている状態において、前記アドレスを保持し、入力された前記第1のアクセスウエイト信号と同一の前記論理レベルの前記第2のアクセスウエイト信号を前記ループ接続の前記下流側へ出力するメモリ選択制御部と、
    を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007286805A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Tohoku Pioneer Corp メモリ装置およびデータ転送方法、これを用いた表示駆動装置と表示駆動方法
KR101014511B1 (ko) * 2008-12-18 2011-02-14 (주)에스비엔테크 프로세서와 다수의 낸드 플래시 메모리의 액세스 연결 장치
US8422315B2 (en) * 2010-07-06 2013-04-16 Winbond Electronics Corp. Memory chips and memory devices using the same
EP2410530B1 (en) * 2010-07-19 2012-09-19 Winbond Electronics Corp. Memory chips and memory devices using the same
US10025536B2 (en) * 2016-02-10 2018-07-17 Sandisk Technologies Llc Memory system and method for simplifying scheduling on a flash interface module and reducing latencies in a multi-die environment
US11500791B2 (en) * 2020-12-10 2022-11-15 Micron Technology, Inc. Status check using chip enable pin

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58161191A (ja) * 1982-03-19 1983-09-24 Fuji Xerox Co Ltd 記憶装置
JPH01147648A (ja) * 1987-12-02 1989-06-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd データ記憶装置
US5270964A (en) * 1992-05-19 1993-12-14 Sun Microsystems, Inc. Single in-line memory module
KR0124630B1 (ko) * 1994-02-28 1997-12-10 문정환 랜덤블럭 억세스메모리의 메모리 칩 확장제어방법 및 장치
US6230236B1 (en) * 1997-08-28 2001-05-08 Nortel Networks Corporation Content addressable memory system with cascaded memories and self timed signals
JP3932166B2 (ja) * 2001-08-07 2007-06-20 シャープ株式会社 同期型半導体記憶装置モジュールおよびその制御方法、情報機器
US6798696B2 (en) * 2001-12-04 2004-09-28 Renesas Technology Corp. Method of controlling the operation of non-volatile semiconductor memory chips
KR100437467B1 (ko) * 2002-07-03 2004-06-23 삼성전자주식회사 연속 버스트 읽기 동작 모드를 갖는 멀티 칩 시스템
JP4549073B2 (ja) * 2004-02-13 2010-09-22 三洋電機株式会社 メモリ制御回路

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