JPH06348588A - シングル・インライン・メモリ・モジュール - Google Patents

シングル・インライン・メモリ・モジュール

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JPH06348588A
JPH06348588A JP5139238A JP13923893A JPH06348588A JP H06348588 A JPH06348588 A JP H06348588A JP 5139238 A JP5139238 A JP 5139238A JP 13923893 A JP13923893 A JP 13923893A JP H06348588 A JPH06348588 A JP H06348588A
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memory
circuit board
connector
dram
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JP5139238A
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Andreas Bechtolsheim
アンドレアス・ベクトルスハイム
Frank Edward
エドワード・フランク
James Testa
ジェイムズ・テスタ
Shawn Storm
シャウン・ストーム
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Sun Microsystems Inc
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 ＤＲＡＭのメモリ拡張のためのフル幅ＳＩＭ
Ｍを得る。 【構成】 多数のＤＲＡＭ素子が装着されているプリン
ト回路板が、１４４ビットの幅のデータ経路に配置され
る。ＳＩＭＭは記憶素子に近接して信号をバッファおよ
びドライブするためにオンボード・ドライバを含む。ま
た、分布されている記憶素子に対する信号のスキューを
できるだけ少なくし、ローディングおよび導電性トレー
ス容量を減少するように、導電性トレースが回路板の上
で経路指定される。ＳＩＭＭは、機能性を高めるため
に、回路板の両側から導電性トレースを受ける高ピン密
度デュアル読出しコネクタ構造も含む。フル幅増分でメ
モリを拡張するために、１度に１つのＳＩＭＭを相補ソ
ケットにインストールされる。最後にコネクタ構造への
対称的な電源および接地の経路指定により、コネクタの
スロット内部でＳＩＭＭを物理的に逆にしてもＳＩＭＭ
へ供給される電力の極性が逆にされないようにされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータ装置および
メモリ・ハードウェアの分野に関するものである。更に
詳しくいえば、本発明は組合わせてコンピュータ装置内
部に記憶構造を形成できるモジュール回路板に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】シングル・インライン・メモリ・モジュ
ール（ＳＩＭＭ）は表面実装メモリ・チップを収納する
ように構成されたコンパクトな回路板である。ＳＩＭＭ
は、そのＳＩＭＭを受けるように構成されているコンピ
ュータ装置にユーザーがコンパクトに、かつ容易にイン
ストールできるようにするために、コンパクトで取扱い
が容易なモジュール・メモリ部品を提供するために開発
されたものである。ＳＩＭＭは一般にコンピュータ装置
内部のコネクタに容易に挿入され、それによりＳＩＭＭ
は全ての必要な電力と論理信号を得、かつ接地される。
【０００３】ＳＩＭＭは、一般的にプリント回路板へ装
着される多数のランダム・アクセス・メモリ（「ＲＡ
Ｍ」）チップを備える。ユーザーの需要に応じて、ＲＡ
ＭメモリチップはダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、不
揮発性スタチックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、またはビデオＲ
ＡＭ（ＶＲＡＭ）とすることができる。ＤＲＡＭメモリ
はＳＲＡＭより大きく、安いから、コンピュータ装置に
おける主メモリのための主なビルディング・ブロックと
して広く用いられている。ＳＲＡＭ ＳＩＭＭとＤＲＡ
Ｍ ＳＩＭＭは、超高速キャッシュメモリおよびビデオ
・フレーム・バッファのような特殊目的のためにより限
られた用途を有する。ＤＲＡＭはコンピュータ装置の記
憶装置の最大の部分を構成する。したがって、ユーザー
の要求が時間の経過と共に変化するにつれて、メモリ・
モジュールがユーザーのコンピュータ利用の態様に弾力
的に対応する事が望ましい。更に、ＳＩＭＭモジュール
をユーザーができるだけ容易にコンピュータ装置へ付加
できること、とくに特定のメモリ構造内部でのＳＩＭＭ
の構成に関して、ユーザーがＳＩＭＭモジュールを付加
する際の困難をできるだけ小さくする事が望ましい。従
来は、ＳＩＭＭは１メガバイト（ＭＢ）またはそれ以上
にメモリ容量を増大するために一般に設計されていた
が、その場合にはメモリの付加はコンピュータ装置に用
いられているフルデータ経路のほんの一部を構成するだ
けである。従来の編成および構造の先進的な一例が、米
国特許第４，６５６，６０５号に開示されている。その
米国特許に開示されているものは、８ビット（１バイ
ト）データ幅、プラスパリティ・ビットのメモリ増加を
行うように構成されたメモリ・チップが９個装着された
コンパクトなモジュール・メモリ回路板である。したが
って、ほとんどのコンピュータ装置は３２ビットまたは
６４ビットまたはそれ以上のデータ経路を用いているか
ら、前記米国特許の技術に従って構成されたＳＩＭＭは
全データ経路のためのメモリ増大を行うことができな
い。その代わりに、ユーザーは多数のＳＩＭＭを得てイ
ンストールして、そのインストールされたＳＩＭＭモジ
ュールのためのベース・アドレスをセットするというよ
うな、別々のＳＩＭＭモジュールを単一の記憶装置とし
て機能させるために必要な付加的構成要求を実行させる
ことも組合わせねばならなかった。
【０００４】その結果、従来技術に従って製造されたＳ
ＩＭＭを付加することにより使用可能な主メモリを増大
することを求めているユーザーは、そのユーザーのコン
ピュータの全データ経路のためのメモリ拡張を達成する
ために典型的には多数のＳＩＭＭを挿入せねばならな
い。以上の事は１バイト・ワイドのメモリ増大を構成す
るＤＲＡＭ部を中心としてＳＩＭＭが構成される典型的
な従来のＳＩＭＭアーキテクチャの結果である。したが
って、３２ビット幅、バイト当たり８ビットある、を有
するデータ経路においては、従来技術に従って製造され
たＳＩＭＭを用いて主メモリを１メガバイト拡張するた
めには、１メガバイトのフルデータ経路拡張を達成する
ためにおのおの１メガバイトのＳＩＭＭモジュールを４
個必要とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、フルデータ
経路幅のメモリ拡張を行うための構成を提供することに
より、希望する任意のメモリ増大を達成するために多数
のＳＩＭＭモジュールを構成およびインストールするこ
とからユーザーを解放することを目的とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】ダイナミック・ランダム
・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）拡張のためのフル幅シ
ングル・インライン・メモリ・モジュール（ＳＩＭＭ）
を開示する。多数のＤＲＡＭ記憶素子が装着されている
プリント回路板が、１４４ビットの幅を有するデータ経
路内に配置される。本発明のＳＩＭＭは、記憶素子に近
接して信号をバッファおよびドライブするオンボード・
ドライバを更に含む。また、ローディングおよびトレー
ス容量を減少し、分布されている記憶素子に対する信号
のスキューをできるだけ小さくするように、回路板上の
導電性トレースが形成される。ＳＩＭＭは、機能性を向
上させるために、回路板の両面から電気的トレース高ピ
ン密度デュアル読出しコネクタ構造を更に含む。相補ソ
ケットに１度に１個のＳＩＭＭがインストールされるよ
うにしてＳＩＭＭをインストールし、フル幅増分でメモ
リ拡張を行う。最後に、コネクタ構造への対称的な電源
およびアースへの経路指定により、ＳＩＭＭが不正確に
挿入されることができなくなり、コネクタ・スロット内
部でＳＩＭＭが物理的に逆にされてもＳＩＭＭへの電力
が逆にされる事はない。
【０００７】
【実施例】この明細書においては統合されたデータおよ
びビデオ・メモリについて開示する。以下の説明におい
ては、本発明を完全に理解できるようにするために、特
定の数、特定の時間、特定の信号等について述べる。し
かし、それらの特定の詳細なしに本発明を実施できるこ
とが当業者には明かであろう。他の場合には、本発明を
不必要にあいまいにしないようにするために、周知の回
路および装置はブロック図で示した。ここで説明するＳ
ＩＭＭの好適な実施例は、１９９２年５月１９日に出願
された「統合されたデータおよびビデオ・メモリ（Ａ
Ｂｕｓ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ Ｆｏｒ Ｉｎｔｅ
ｇｒａｔｅｄ Ｄａｔａ ａｎｄ Ｖｉｄｅｏ Ｍｅｍ
ｏｒｙ）」という名称の未決の米国特許出願Ｓｅｒ．Ｎ
ｏ．０７／８８６，６７１に開示されている統合された
データおよびビデオ・メモリと共に使用することを意図
し、そのために構成されたものである。
【０００８】しかし、ここで開示する実施例は発明の範
囲を逸脱することなしに変更できる事が当業者には明か
であろう。本発明の好適な実施例は、前記米国特許出願
に開示されている統合されたデータおよびビデオ・メモ
リのデータ経路幅に一致するデータ経路幅に関して開示
するが、バスの構成を変更することは、ＳＩＭＭを統合
されたメモリ・バスのデータ経路幅に一致させることが
できる本発明の範囲内であることは明かであろう。
【０００９】まず、ＳＩＭＭの第１の表面側に装着され
ている記憶素子の電気的ブロック図が示されている図１
を参照する。この図において、多数のダイナミックＲＡ
Ｍ（ＤＲＡＭ）１０が２つのクラスタ１０ａ、１０ｂに
まとめられている。各クラスタには９個のＤＲＡＭ１０
がある。ドライバ１５が制御信号とアドレス信号を外部
バス装置（図示せず）から両面コネクタ３０を介して受
ける。多数の制御線２０がＲＡＳ−（行アクセス・スト
ローブ）信号、ＣＡＳ−（列アクセス・ストローブ）信
号、ＷＥ−（書込み可能化）信号、ＯＥ−（出力可能
化）信号および制御信号をドライバ１５から、ＳＩＭＭ
５に装着されている全てのＤＲＡＭ１０へ送る。更に、
ドライバ１５はアドレス信号２１をバッファし、かつそ
れらのアドレス信号をＳＩＭＭ５に装着されている全て
のＤＲＡＭ１０へ分配する。図示を明確にするために、
データ線、アドレス線および制御線の特定の経路指定は
図示を省略した。しかし、図１からわかるように、全て
のＤＲＡＭ１０ａは４本のデータ線を有する。ＤＲＡＭ
１０ａは、「バイフォア（ｂｙ−ｆｏｕｒ）」構成で配
置された何種類かの市販されているＤＲＡＭのうちの任
意のものである。後で図２を参照して行う説明から分か
るように、各ＤＲＡＭクラスタ１０ａ、１０ｂのＤＲＡ
Ｍ１０は、ＳＩＭＭ５の反対側に装着されて、多数の穴
（図示せず）を通る電気的トレースにより電気的に通じ
るようにされている鏡像ＤＲＡＭ１０に一致する。
【００１０】ＳＩＭＭ５における電気的トレースの特定
の経路指定は、ＳＩＭＭ５の特定の実現のために選択さ
れたメモリチップの特定のアーキテクチャに依存する。
しかし、本発明の教示に従って製造された全てのＳＩＭ
Ｍ５は、コネクタ３０から、ＳＩＭＭ５において動作す
る全てのＤＲＡＭ１０と、ドライバ１５と、ＳＩＭＭ５
の希望の機能を実行するために必要なその他の任意の論
理素子を含めた全ての装置まで延長するフル幅データ経
路を有する。ここで説明している好適な実施例において
は、ＳＩＭＭ５は１４４ビット・データ経路を含む。こ
のデータ経路は１２８本のデータ線（ＤＡＴＡ［１２
７：０］と、既知の誤り訂正コードを実現する１６本の
誤り訂正線（ＣＢＷ［１５：０］）と、１本のＲＡＳ信
号線と、２本のＣＡＳ信号線と、１本のＷＥ信号線と、
１本のリセット線とを備える。全ての制御信号２０と、
アドレス信号２１と、データ信号２５とは導電性トレー
スの容量と、ローディングとを、１９９１年１１月２１
日に出願され、本願出願人へ譲渡された米国特許出願第
Ｓｅｒ．Ｎｏ．１０７／７９５，６９９に開示されてい
る技術に従って最小にする。全ての制御信号２０のため
のトレース経路指定制御がドライバ１５から、各ＤＲＡ
Ｍクラスタ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄに対する中
央ＤＲＡＭ１０へ行われる。中央ＤＲＡＭ１０を囲むＤ
ＲＡＭは短いサブトレース（図示せず）を介して制御信
号へ結合され、それにより全容量を減少し、信号の立上
がり時間を長くする。
【００１１】ここで、全ての制御信号、アドレス信号、
データ信号、電力信号およびアース信号の経路指定を行
うために用いられるスタック・アップが示されている図
５を参照する。ＳＩＭＭ５の第２の反対側が示されてい
る図２を参照する。この図には、２つの付加ＤＲＡＭク
ラスタ１０ｃ、１０ｄが、反対側のＤＲＡＭクラスタ１
０ａ、１０ｂとして配置されている。ＤＲＡＭクラスタ
１０ｃ、１０ｄの各ＤＲＡＭ１０は、反対側のドライバ
１５から導電性穴を通ってＳＩＭＭ５の鏡像関係にある
反対側まで延長するアドレス線および制御線に加えて、
４本の入力線を同様に受け、それによりＤＲＡＭ１０を
装着できる利用可能な表面積を２倍にする。更に、好適
な実施例においては、ＳＩＭＭ５の全体の厚さを薄くす
るために、ＳＩＭＭ５は薄くて小さいパッケージ（ＴＳ
ＯＰ）のＤＲＡＭ１０を利用する。このように構成され
ると、本発明の両面ＳＩＭＭ５は従来の片面ＳＩＭＭ
（たとえば、前記米国特許第４，６５６，６０５号に開
示されているもの）より厚くない。
【００１２】次に、ＳＩＭＭ５をメモリ・モジュール・
ソケット（図示せず）へ接続するために用いられている
高密度コネクタ３０が示されている図６を参照する。図
６において、コネクタ３０は２００ピン終端部を有し、
したがって、多数の信号をＳＩＭＭ５との間でやり取り
できることがわかる。ＳＩＭＭ５の好適な実施例におい
ては、アメリカ合衆国カリフォルニア州マウンテン・ビ
ュー（Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ｖｉｅｗ）所在のサン・マイ
クロシステムズ（Ｓｕｎ Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ）
へ譲渡された未決の前記米国特許出願に記載されている
統合されたデータおよびビデオ・メモリ・バスのような
統合されたデータおよびビデオ・メモリ・バスに適合す
るデータ経路アーキテクチャをとくに含む。とくに、Ｓ
ＩＭＭ５において実現されているデータ経路アーキテク
チャは１２８本のデータ線と、１６本の誤り訂正コード
線（図１〜図８にＣＢＷ［１５：０］として示されてい
る）と、ＤＲＡＭメモリ・アクセスを行うために必要な
多数の制御信号として含む。それらの制御信号（図１と
図２にはまとめて制御線２０として示されている）はＳ
ＩＭＭ５当たり１つのＲＡＳ−と、２つのＣＡＳ−信号
と、１つのＷＥ−と、１本のリセットとを含む。したが
って、ＤＲＡＭ１０の動作を制御するために用いられる
制御信号は含まないが、ＤＲＡＭ１０との間でデータを
やり取りするために用いられるデータ経路は１４４ビッ
ト・ワイドであることがわかる。図１〜図８においてＣ
ＢＷ［１５：０］として示されている誤り訂正コードを
無視すると、データをメモリとの間で書込みおよび読出
しするためのＳＩＭＭ５の実際のデータ経路は１２８ビ
ット・ワイド、すなわち１６バイトであって、統合され
たデータおよびビデオ・メモリ・バスのそれと同じであ
る。したがって、本発明のＳＩＭＭ５はフル幅増分でメ
モリ・バスにインストールできる。
【００１３】ＳＩＭＭ５で利用できるメモリの全容量は
次のようにして計算できる。ＳＩＭＭ５に装着されてい
る各ＤＲＡＭ１０の容量に応じて、各ＳＩＭＭモジュー
ル５の全記憶容量は４メガバイト（ＭＢ）から最大で６
４ＭＢまで変化する。それらの容量は全部で３６個のＤ
ＲＡＭ１０にわたって分布させられる。市販されている
２５６ｋ×４の１ＭビットＤＲＡＭ１０を用いると、４
メガバイトのメモリをＳＩＭＭ５に設けることができ
る。あるいは、ＳＩＭＭ５のアドレス可能なアドレス空
間が非常に大きい２ギガバイトより大きい）から、１６
メガビットの記憶素子を利用できるようになるものとす
ると、ＳＩＭＭ５は容量が一層大きい１６メガバイトの
記憶素子を容易に使用でき、３６個のＤＲＡＭが装着さ
れるＳＩＭＭ５で全部で６４メガビットを利用できるよ
うにする。
【００１４】後で簡単に説明するように、ＳＩＭＭ５の
動作は制御信号により制御される。統合されたデータお
よびビデオ・メモリ・バスに関連してＳＩＭＭ５の実際
の動作を完全に説明するために、「バス・アーキテクチ
ャ（Ｂｕｓ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｙｒｅ）」という名称
の前記未決の米国特許出願を参照する。
【００１５】ここで、ＤＲＡＭ１０とＳＩＭＭ５の物理
的配置が示されている図３を参照する。ＳＩＭＭ５の表
面側に示されているＤＲＡＭクラスタ１０ａ、１０ｂが
２つの接触領域５０Ａ、５０ＢをＳＩＭＭ５の下側縁部
に有することに注目されたい。接触領域５０Ａ、５０Ｂ
はＳＩＭＭ５の下側縁部を横切ってピン０からピン１９
９まで縦方向に延長する狭い間隔の導電性接触パッドで
構成される。ピンの数はコネクタ・マップ（図６に示さ
れている）と取出しピンの概要（図８に示されている）
に対応する。図４にＳＩＭＭ５の下側縁部の詳細が示さ
れている。図４は接触領域５０Ａ、５０Ｂの拡大斜視図
である。図３において、接触領域５０Ａ、５０Ｂは、Ｓ
ＩＭＭ５の表面側の狭い間隔で隔てられている多数の接
触パッド３５と、ＳＩＭＭ５の反対側の接触パッドの電
気的に異なる鏡像セット３６とで構成されていることが
わかる。従来のＳＩＭＭとは対照的に、本発明のＳＩＭ
Ｍ５は、ＳＩＭＭ５の表面側と反対側の間の接続を断つ
ことにより、電気的な機能に専用できる縁部の面積を実
効的に２倍にすることによって、ＳＩＭＭ５のピストン
取出し容量を２倍にする。明確にするために、中心間隔
が約２．５ミリ（０．１インチ）であるように置かれた
接触ピンを有する従来のモジュールとは対照的に、ＳＩ
ＭＭ５の接点３５、３６の中心間隔は約１．３ミリ
（０．１インチ）である。接触パッド３５、３６自体の
幅は約０．１０２ミリ（０．０４０インチ）であるか
ら、接触パッド３５と３６の間隔は約０．２５ミリ
（０．０１インチ）である。しかし、正確な間隔と寸法
は本発明に特有のものではなく、図４の接触領域５０
Ａ、５０Ｂに示されている「二重読出し」構成を用い
て、数多くの間隔およびパッドの配置スキームが可能で
ある。したがって、一緒に動作すると、接触領域５０
Ａ、５０Ｂの狭い間隔と二重読出し構成によって、ＳＩ
ＭＭモジュールのための大幅に向上したピストン取出し
密度、前記米国特許に開示されているものの２倍以上の
密度が得られる。とくに、ＳＩＭＭ５に２００本のピン
を使用できるから、制御信号と、電源接続および接地接
続に加えて、１４４ビットのフルデータ経路幅がコネク
タ３０およびＳＩＭＭ５の接触領域５０Ａ、５０Ｂで対
処できる。
【００１６】ＳＩＭＭ５にインストールされるＤＲＡＭ
１０の型に従うＤＲＡＭ１０の記憶容量に関連して先に
説明したように、本発明に従って製造されたＳＩＭＭ５
の主な利点はフルデータ経路幅増分でメモリを拡張でき
る事である。従来技術のＳＩＭＭ５を用いるメモリ拡張
とは対照的に、メモリ、とくに前記未決の米国特許出願
に記載されている統合されたデータおよびビデオ・メモ
リに関連するメモリの拡張にＳＩＭＭ５を用いると、メ
モリは１度に１つのメモリを拡張でき、メモリ拡張にお
いて単一増分を達成するために多数のモジュールを必要
としない。この結果はＳＩＭＭ５におけるフルデータ経
路信号経路を取り扱える事から主として得られるもので
あるから、付加メモリのインストールが容易である。
【００１７】最後に、コネクタ３０は電源接続とアース
接続を全てのＤＲＡＭ１０とドライバ１５に対して行
う。とくに、全ての電源接続線および全ての接地線は、
図８に明らかに示されているように、コネクタ３０の内
部に対称的に配置される。電源（ＶＣＣ）線および接地
（ＧＮＤ）線が１６本のピンごとに交番する。ＳＩＭＭ
が逆にされた位置でメモリ・モジュール・ソケットに誤
って挿入されたとすると、対称的な電源線が、ＳＩＭＭ
５が逆極性で電力を受けて、破壊されることを防止す
る。
【００１８】以上、統合されたデータおよびビデオ・メ
モリに適合するシングル・インライン・メモリ・モジュ
ールの物理的アーキテクチャについて説明した。以上説
明した本発明の実施例は、当業者が本発明の要旨および
範囲を逸脱することなしに変更できることを意図するも
のである。とくに、前記未決の米国特許出願を参考する
ことにより組み込まれる統合されたデータおよびビデオ
・メモリ以外の記憶装置にＳＩＭＭ５を使用できること
がわかる。しかし、統合されたビデオ・メモリに使用す
るためにＳＩＭＭ５を最適に構成でき、ユーザーはその
ような装置を使用することにより最大の利益を得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明のシングル・インライン・メモリ
・モジュール（ＳＩＭＭ）の第１の側の電気的構成図で
ある。
【図２】ＳＩＭＭの第２の側における記憶素子の左から
右への鏡像配置のための電気的構成図である。
【図３】ＳＩＭＭの上に置かれた記憶素子とドライバの
物理的配置を示す。
【図４】ＳＩＭＭの上における二重読出しコネクタの拡
大図である。
【図５】図１と図２に示されている電気的構成図のため
の相互接続を行うために必要な、絶縁誘電体により分離
されている積み重ねられた導電層を示す。
【図６】ＳＩＭＭへ経路指定されたアドレス、データお
よび制御信号の要約のデータ線、アドレス線、および論
理線についての記述である。
【図７】ＳＩＭＭを記憶装置へ相互に接続するために用
いられる高いピン密度の二重読出しコネクタ構造におけ
るピン配置を示す。
【図８】ＳＩＭＭとの間でやり取りされる信号のピン取
出しの概要である。
【符号の説明】
５ ＳＩＭＭ １０ ＤＲＡＭ １５ ドライバ ３０ 両面コネクタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月２１日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明のシングル・インライン・メモ
リ・モジュール（ＳＩＭＭ）の第１の側の電気的構成図
である。
【図２】 ＳＩＭＭの第２の側における記憶素子の左か
ら右への鏡像配置のための電気的構成図である
【図３】 ＳＩＭＭの上に置かれた記憶素子とドライバ
の物理的配置を示す。
【図４】 ＳＩＭＭの上における二重読出しコネクタの
拡大図である。
【図５】 図１と図２に示されている電気的構成図のた
めの相互接続を行うために必要な、絶縁誘電体により分
離されている積み重ねられた導電層を示す。
【図６】 図７と図８との関係を示す図である。
【図７】 ＳＩＭＭへ経路指定されたアドレス、データ
および制御信号の要約のデータ線、アドレス線、および
論理線についての記述である。
【図８】 ＳＩＭＭへ経路指定されたアドレス、データ
および制御信号の要約のデータ線、アドレス線、および
論理線についての記述である。
【図９】 ＳＩＭＭを記憶装置へ相互接続するために用
いられる高いピン密度の二重読出しコネクタ構造におけ
るピン配置を示す。
【図１０】 ＳＩＭＭとの間でやり取りされる信号のピ
ン取出しの概要である。
【符号の説明】 ５ ＳＩＭＭ １０ ＤＲＡＭ １５ ドライバ ３０ 両面コネクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エドワード・フランク アメリカ合衆国 94028 カリフォルニア 州・ポートラ ヴァレイ・ブルックサイド ドライブ・127 (72)発明者 ジェイムズ・テスタ アメリカ合衆国 94043 カリフォルニア 州・マウンテン ビュー・ウエスト ミド ルフィールド アパートメント ナンバー １・1555 (72)発明者 シャウン・ストーム アメリカ合衆国 94041 カリフォルニア 州・マウンテン ビュー・オーク ストリ ート・アパート ナンバー９・338

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の面および第２の面を有し、回路素
    子へ結合するためのコネクタを含むプリント回路カード
    と、 前記第１の面および前記第２の面に配置され、第１の構
    成、第２の構成および第３の構成で構成される複数の記
    憶装置と、を備え、前記第１の構成は、２つの記憶素子
    を前記第１の面と前記第２の面に背中合わせに配置し
    て、相互に電気的に結合した構造で、 前記第２の構成は、少なくとも２つの前記第１の構成の
    記憶素子をそれぞれの面で互いに横に並べられた配置で
    相互に結合した構造で、 前記第３の構成は、２つの前記第２の構成を少なくとも
    ２つ一緒に結合した構造とし、前記コネクタに接続され
    たデータ経路を形成するシングル・インライン・メモリ
    ・モジュール。
  2. 【請求項２】 第１の側と、第２の側と、前記第１の側
    および前記第２の側に複数の電気接点を有するコネクタ
    縁部とを有するプリント回路板と、 前記プリント回路板の前記コネクタ縁部の前記電気接点
    へ結合されるデータ線を備えて、前記プリント回路板の
    第１の側に配置された第１のメモリ素子セットと、 前記プリント回路板の前記コネクタ縁部の前記電気接点
    へ結合されるデータ線を備えて、前記プリント回路板の
    第２の側に配置された、前記第１のメモリ素子セットの
    鏡像である第２のメモリ素子セットと、 前記プリント回路板のほぼ中央に装置させられ、前記電
    気接点を介して複数の制御信号を受け、それらの電気信
    号を前記第１のメモリ素子セットと前記第２のメモリ素
    子セットへ送るドライバ回路とを備えるシングル・イン
    ライン・メモリ・モジュール。
JP5139238A 1992-05-19 1993-05-19 シングル・インライン・メモリ・モジュール Pending JPH06348588A (ja)

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