JPH0675850A - メモリ制御信号切換装置 - Google Patents

メモリ制御信号切換装置

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Publication number
JPH0675850A
JPH0675850A JP22613392A JP22613392A JPH0675850A JP H0675850 A JPH0675850 A JP H0675850A JP 22613392 A JP22613392 A JP 22613392A JP 22613392 A JP22613392 A JP 22613392A JP H0675850 A JPH0675850 A JP H0675850A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
control signal
memory control
bank
memory
Prior art date
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Pending
Application number
JP22613392A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Nakamura
吉孝 中村
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Toshiba TEC Corp
Original Assignee
Tokyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Electric Co Ltd
Priority to JP22613392A priority Critical patent/JPH0675850A/ja
Publication of JPH0675850A publication Critical patent/JPH0675850A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 常に安定に選択したメモリ制御信号を該当バ
ンクのメモリ制御信号入力端子に供給可能なメモリ制御
信号切換回路を提供する。 【構成】 各バンクに実装されたメモリモジュールへの
各メモリ制御信号を入力とし、出力信号を対応するバン
クのメモリ制御信号入力端子に供給する複数の論理回路
21〜24をメモリモジュールが実装される各バンク0
〜3に対応して設けるとともに、論理制御信号を対応す
る論理回路に供給して各メモリ制御信号の中から所定の
信号を選択し該当論理回路の出力とする複数の選択回路
31〜34を各論理回路に対応して設け、各選択回路か
ら出力される論理制御信号をジャンパJ1〜J8の状態
によりそれぞれ任意に作成できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、D−RAM(ダイナミ
ック・ランダム・アクセス・メモリ)からなるメモリモ
ジュールを使用する電子機器に組込まれるメモリ制御信
号切換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】パーソナルコンピュータやワークステー
ション等のようにD−RAMからなるメモリモジュール
を使用する電子機器は、通常、上記メモリモジュールを
追加して記憶容量を拡張できるようになっている。
【0003】図2はこの種電子機器におけるメモリ制御
回路の一例を示している。同図においてバンク0,1,
2,3は上記メモリモジュールの物理的な実装位置であ
り、D−RAMのメモリ制御信号である行制御クロック
(以下RAS信号と称する)と列制御クロック(以下C
AS信号と称する)の入力端子をそれぞれ有する。
【0004】上記各バンク0,1,2,3は、メモリコ
ントローラ11とアドレスバス12及びデータバス13
を介して接続される。
【0005】上記メモリコントローラ11は、制御部本
体を構成するCPU(中央処理装置)14とアドレスバ
ス15及びデータバス16を介して接続され、CPU1
4からの書込み要求または読出し要求に応動して前記R
AS信号及びCAS信号をバンクに供給することにより
そのバンク上のメモリモジュールをアクセスし、データ
の書込みまたはデータの読出しを制御する。
【0006】ここで、例えばバンク0にのみメモリモジ
ュールが実装され、RAS信号RAS00とCAS信号
CAS00とがバンク0上のメモリモジュールに対応し
ている状態で、別のメモリモジュールを追加して記憶容
量の拡張を図る場合、その追加モジュールをバンク1に
追加できれば問題はないが、メモリ構成上、バンク1に
追加することができず、バンク0に実装されていた現状
モジュールをバンク1に移し、空になったバンク0に追
加モジュールを実装しなければならない場合がある。
【0007】例えば、バンク0が4メガビットまでのメ
モリモジュールを実装できるのに対してバンク1が2メ
ガビットまでのメモリモジュールしか実装できず、現状
モジュールが2メガビットであり、追加モジュールが4
メガビットの場合である。
【0008】このような場合、現状のメモリモジュール
に対応するRAS信号RAS00及びCAS信号CAS
00をバンク1に供給し、バンク0には追加モジュール
に対応するRAS信号RAS10及びCAS信号CAS
10を供給するようにして、メモリモジュールのバンク
上での移動がなかったかように対処する必要がある。こ
のため、メモリコントローラ11からのRAS/CAS
信号線にはRAS/CAS切換回路17が介挿されてい
た。
【0009】図3は従来のRAS/CAS切換回路17
を示しており、図示するように各バンク0,1,2,3
にそれぞれ対応して8個のジャンパJ1〜J8(計32
個)を設け、ジャンパJ1をそれぞれRAS信号RAS
00の信号ラインに介挿し、ジャンパJ2をそれぞれR
AS信号RAS10の信号ラインに介挿し、ジャンパJ
3をそれぞれRAS信号RAS20の信号ラインに介挿
し、ジャンパJ4をそれぞれRAS信号RAS30の信
号ラインに介挿する。また、ジャンパJ5をそれぞれC
AS信号CAS00の信号ラインに介挿し、ジャンパJ
6をそれぞれCAS信号CAS10の信号ラインに介挿
し、ジャンパJ7をそれぞれCAS信号CAS20の信
号ラインに介挿し、ジャンパJ8をそれぞれCAS信号
CAS30の信号ラインに介挿して構成している。
【0010】すなわち従来のRAS/CAS切換回路1
7はジャンパJ1〜J8の接続、非接続によって各バン
クに対する所望のRAS制御信号及びCAS制御信号を
選択するものであった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ジャン
パを用いてメモリ制御信号(RAS信号及びCAS信
号)の供給先バンクを切換えるようにした従来のRAS
/CAS切換回路においては、メモリ制御信号の信号線
にジャンパが直接介在されるので、ジャンパの接触不良
等により選択したメモリ制御信号を該当するバンクへ供
給できなくなることがあった。
【0012】そこで本発明は、メモリモジュールがそれ
ぞれ実装される複数のバンクに対応するメモリ制御信号
の供給先バンクを選択的に切換え可能であるとともに、
常に安定に選択したメモリ制御信号を該当バンクのメモ
リ制御信号入力端子に供給できるメモリ制御信号切換装
置を提供しようとするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明のメモリ制御信号
切換装置は、メモリモジュールがそれぞれ実装される複
数のバンクに対応して設けられ、各バンクに実装された
メモリモジュールへの各メモリ制御信号を入力とし、出
力信号を対応するバンクのメモリ制御信号入力端子に供
給する複数の論理回路と、各論理回路に対応して設けら
れ、論理制御信号を対応する論理回路に供給して各メモ
リ制御信号の中から所定の信号を選択し該当論理回路の
出力とする複数の選択回路と、各選択回路に対応して設
けられ、その対応する選択回路から出力される論理制御
信号を作成する複数の信号作成手段とを備えたものであ
る。
【0014】
【作用】このような構成の本発明であれば、選択回路に
対応して設けられた信号作成手段により当該選択回路か
ら出力される論理制御信号を作成すると、当該選択回路
から対応する論理回路に上記論理制御信号が供給され
る。これにより、論理回路では各バンクに実装されたメ
モリモジュールへの各メモリ制御信号のなかから上記論
理制御信号に基づいて所定の信号が選択され、対応する
バンクのメモリ制御信号入力端子に供給される。
【0015】従って、論理回路によって複数のメモリ制
御信号のなかから所定の信号が選択され、該当バンクの
メモリ制御信号入力端子に供給されるので、常に安定し
た信号供給が実現できる。
【0016】
【実施例】以下、本発明を図2に示すメモリ制御回路の
RAS/CAS切換回路17に適用した一実施例につい
て図1を参照しながら説明する。なお、図3と同一部分
には同一符号を付し、詳しい説明は省略する。
【0017】図1に示すように本実施例のRAS/CA
S切換回路17は、メモリモジュールがそれぞれ実装さ
れる4個のバンク0,1,2,3を備えた電子機器に対
応したもので、各バンク0,1,2,3に実装されたメ
モリモジュールへの各メモリ制御信号RAS00〜RA
S30、CAS00〜CAS30を入力とし、出力信号
をそれぞれ対応するバンクのメモリ制御信号入力端子R
AS,CASに供給する4個の論理回路21,22,2
3,24を設けている。
【0018】各論理回路21,22,23,24は、い
ずれも2入力(負論理)のNANDゲート8個と、4入
力(負論理)のNORゲートとによって同一に構成され
たものである。
【0019】すなわち、各NANDゲートの一方の入力
にそれぞれ前記各メモリ制御信号RAS00〜RAS3
0、CAS00〜CAS30を1信号ずつ入力する。ま
た、RAS信号が入力されるNANDゲートの各出力を
一方のNORゲートに入力し、CAS信号が入力される
NANDゲートの各出力を他方のNORゲートに入力す
る。そして、一方のNORゲートの出力を対応するバン
ク0,1,2,3のRAS端子に供給し、他方のNOR
ゲートの出力を対応するバンク0,1,2,3のCAS
端子に供給する構成である。
【0020】また、各論理回路21,22,23,24
に対応して設けられ、論理制御信号を対応する論理回路
に供給してRAS信号及びCAS信号をそれぞれ1信号
ずつ選択し、該当論理回路の出力とする4個の選択回路
31,32,33,34と、各選択回路31,32,3
3,34に対応して設けられ、その対応する選択回路か
ら出力される論理制御信号を作成する4個の信号作成手
段41,42,43,44とを、本実施例のRAS/C
AS切換回路17は備えている。
【0021】各選択回路31,32,33,34は、い
ずれも2入力A,Bの状態(ハイレベル/ローレベル)
により4出力Y0,Y1,Y2,Y3の状態(ハイレベ
ル/ローレベル)を決定するセレクタで構成される。
【0022】そして、対応する論理回路のメモリ制御信
号RAS00,CAS00が入力されるNANDゲート
の他方の入力に出力Y0を供給し、メモリ制御信号RA
S10,CAS10が入力されるNANDゲートの他方
の入力に出力Y1を供給し、メモリ制御信号RAS2
0,CAS20が入力されるNANDゲートの他方の入
力に出力Y2を供給し、メモリ制御信号RAS30,C
AS30が入力されるNANDゲートの他方の入力に出
力Y3を供給するようになっている。
【0023】各信号作成手段41,42,43,44
は、+5V電源と接地レベルとの間を並列接続した2本
の信号ラインにそれぞれジャンパJ1、J2を介挿し、
かつ一方のジャンパJ1が介挿された信号ラインをそれ
ぞれ対応する選択回路31,32,33,34のB入力
端子に接続し、他方のジャンパJ2が介挿された信号ラ
インをそれぞれ対応する選択回路31,32,33,3
4のA入力端子に接続して構成される。
【0024】このような構成の本実施例において、今、
各選択回路31,32,33,34の出力条件を、A,
B入力がいずれも“0”(ローレベル)のときY0出力
のみ“1”(ハイレベル)、A入力が“0”,B入力が
“1”のときY1出力のみ“1”、A入力が“1”,B
入力が“0”のときY2出力のみ“1”、A,B入力が
いずれも“1”のときY3出力のみ“1”とする。
【0025】このような場合、Y0出力のみが“1”の
選択回路に対応する論理回路ではメモリ制御信号RAS
00とCAS00が選択されて対応するバンクに供給さ
れる。同様に、Y1出力のみが“1”の選択回路に対応
する論理回路ではメモリ制御信号RAS10とCAS1
0が選択されて対応するバンクに供給され、Y2出力の
みが“1”の選択回路に対応する論理回路ではメモリ制
御信号RAS20とCAS20が選択されて対応するバ
ンクに供給され、Y3出力のみが“1”の選択回路に対
応する論理回路ではメモリ制御信号RAS30とCAS
30が選択されて対応するバンクに供給される。
【0026】従って、バンク0にメモリ制御信号RAS
00及びCAS00を供給する場合には、対応する信号
作成手段41のジャンパJ1とJ2を接続すればよい。
また、同バンク0にメモリ制御信号RAS10及びCA
S10を供給する場合には、対応する信号作成手段41
のジャンパJ2のみを接続すればよい。さらに、バンク
1にメモリ制御信号RAS00及びCAS00を供給す
る場合には、対応する信号作成手段42のジャンパJ1
とJ2を接続すればよい。
【0027】従って、例えばバンク0にのみメモリモジ
ュールが実装され、RAS信号RAS00とCAS信号
CAS00とがバンク0に対応している状態、すなわち
信号作成手段41のジャンパJ1とJ2が接続された状
態で、別のメモリモジュールを追加して記憶容量の拡張
を図る場合において、その追加モジュールをバンク1に
追加することができず、バンク0に実装されていたメモ
リモジュールをバンク1に移し、空になったバンク0に
追加モジュールを実装しなければならない場合、現状の
メモリモジュールに対応するRAS信号RAS00及び
CAS信号CAS00をバンク1に供給し、バンク0に
は追加モジュールに対応するRAS信号RAS10及び
CAS信号CAS10を供給することになる。
【0028】このような場合には、バンク0に対応する
信号作成手段41の一方のジャンパJ1を外して非接続
とし、かつバンク1に対応する信号作成手段42の両ジ
ャンパJ1,J2をいずれも接続することで対応でき
る。
【0029】この場合において、各メモリ制御信号RA
S00,CAS00及びRAS10,CAS10は論理
回路22及び21を通じて対応するバンク1,0の制御
信号入力端子に供給されるので、図3に示した従来回路
のようにジャンパの接触不良等により信号供給が不安定
になるような不具合は起こり得ず、常に所望のメモリ制
御信号を安定に供給できる効果を奏する。
【0030】また、4個のバンクを備えたものに対応さ
せた場合、従来は32個のジャンパのなかから所定のジ
ャンパを選択して切り換える必要があったが、本実施例
では8個のジャンパのなかから所定のジャンパを選択し
て切り換えればよく、ジャンパの切換指示が簡単になる
効果もある。そして、このような効果はバンクの数が増
加するればするほど大である。
【0031】なお、前記実施例における信号作成手段の
ジャンパをディップスイッチ等に置換えることは容易に
実施可能である。また、バンクの数に応じてメモリ制御
信号の数が変化するので、論理回路のゲート数や選択回
路及び信号作成手段の構成が適宜変更されるのはいうま
でもない。
【0032】この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々変形実施可能であるのは勿論である。
【0033】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、メ
モリモジュールがそれぞれ実装される複数のバンクに対
応するメモリ制御信号の供給先バンクを選択的に切換え
可能であるとともに、常に安定に選択したメモリ制御信
号を該当バンクのメモリ制御信号入力端子に供給できる
メモリ制御信号切換装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例であるRAS/CAS切換
回路の構成を示すブロック図。
【図2】 従来説明で用いる一般的電子機器のメモリ制
御回路を示すブロック図。
【図3】 図2に示すRAS/CAS切換回路の構成を
示すブロック図。
【符号の説明】
21,22,23,24…論理回路、 31,32,33,34…選択回路、 41,42,43,44…信号作成手段。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリモジュールがそれぞれ実装される
    複数のバンクに対応して設けられ、前記各バンクに実装
    されたメモリモジュールへの各メモリ制御信号を入力と
    し、出力信号を対応するバンクのメモリ制御信号入力端
    子に供給する複数の論理回路と、各論理回路に対応して
    設けられ、論理制御信号を対応する論理回路に供給して
    前記各メモリ制御信号の中から所定の信号を選択し該当
    論理回路の出力とする複数の選択回路と、各選択回路に
    対応して設けられ、その対応する選択回路から出力され
    る論理制御信号を作成する複数の信号作成手段とを具備
    したことを特徴とするメモリ制御信号切換装置。
JP22613392A 1992-08-25 1992-08-25 メモリ制御信号切換装置 Pending JPH0675850A (ja)

Priority Applications (1)

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JP22613392A JPH0675850A (ja) 1992-08-25 1992-08-25 メモリ制御信号切換装置

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JP22613392A JPH0675850A (ja) 1992-08-25 1992-08-25 メモリ制御信号切換装置

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JPH0675850A true JPH0675850A (ja) 1994-03-18

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ID=16840370

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JP22613392A Pending JPH0675850A (ja) 1992-08-25 1992-08-25 メモリ制御信号切換装置

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