JP4020271B2 - データおよび状態メモリを有する大メモリ容量のdimm - Google Patents
データおよび状態メモリを有する大メモリ容量のdimm Download PDFInfo
- Publication number
- JP4020271B2 JP4020271B2 JP12050296A JP12050296A JP4020271B2 JP 4020271 B2 JP4020271 B2 JP 4020271B2 JP 12050296 A JP12050296 A JP 12050296A JP 12050296 A JP12050296 A JP 12050296A JP 4020271 B2 JP4020271 B2 JP 4020271B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- dimm
- data
- pads
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
- G11C5/04—Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dram (AREA)
- Memory System (AREA)
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
- Multi Processors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は一般にコンピュータ・メモリの分野に関し、さらに詳しくは、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・デュアル・インライン・メモリ・モジュールに関する。
【0002】
【関連出願への相互参照】
本出願は「データ・メモリと状態メモリを有するDIMMペア」と題する1995年5月15日付の共通に所有され同時係属中の米国特許出願第08/440,967号に関連する。
【0003】
【従来の技術】
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(dynamic random access memory:DRAM)シングル・インライン・メモリ・モジュール(single in-line memory module:SIMM)およびデュアル・インライン・メモリ・モジュール(dual in-line memory module:DIMM)は、パーソナル・コンピュータ(PC)、ワークステーション、スーパーコンピュータ、等を含むあらゆる規模のコンピュータ・システムの半導体主メモリの好適な実装である。SIMMとDIMMの双方ともプリント回路基板(printed circuit board:PCB)を含み、プリント基板はコネクタ・ソケットへの物理的および電気的接続のために、PCBの対向する側面に複数の信号パッドを有するエッジ・コネクタを有する。DRAMまたは同期DRAM集積回路チップがPCBに装着され、各種コネクタ信号パッドに電気的に接続される。SIMMは電気的に接続された対向する信号パッドを持つので、それぞれの対が1つの信号を搬送(carry) する。DIMMでは、対向するパッドが接続されないためそれぞれのパッドは別の信号を搬送する。しかしメモリ技術において術語SIMMとDIMMはしばしば同義語的に使用されている。公知のDRAM SIMMの詳細な説明は共通に保有されるAlexander らの米国特許第5,272,664号に見ることができる。
【0004】
マルチプロセッサ・コンピュータ・システムでは、主メモリは分散共用メモリまたは集中(即ち非分散)メモリとして実装される。各プロセッサは一般にローカル・キャッシュを有する。したがって、プロセッサはキャッシュ・コヒーレンス(cache coherence) を維持する必要がある。キャッシュ・コヒーレンスを有する既存の多くのマルチプロセッサは、コヒーレンス維持のためスヌーピング(snooping)に依存する。これを実現するため、全てのプロセッサが共通バスに接続される。プロセッサはバスを「スヌープする(snoop) 」。つまり、どのデータ項目をどのプロセッサがキャッシュしているかについての情報が全てのキャッシュの間に分散される。したがって簡単なスヌーピング方式では、全てのキャッシュが全てのプロセッサからのあらゆるメモリ要求を見ている必要がある。これは共通バスと個別のプロセッサ・キャッシュがいずれ飽和してしまうためシステムのスケーラビリティ(scalability) を本質的に制限することになる。今日の高性能RISCプロセッサでは、数個のプロセッサでも飽和が発生し得る。
【0005】
ディレクトリ構造は、全部のプロセッサ・キャッシュへあらゆるメモリ要求をブロードキャスト(broadcast) する必要性を排除することにより、スヌーピング方式に見られたスケーラビリティの問題を回避している。ディレクトリは、各メモリ・ブロックのコピーを保持しているプロセッサ・キャッシュへのポインタを保持する。コピーを有するキャッシュだけがメモリ・ブロックへのアクセスにより影響を受け、このようなキャッシュだけにアクセスを通知する(notify)必要がある。したがって、プロセッサ・キャッシュと相互接続は、コヒーレンス要求により飽和することがない。さらに、ディレクトリに基づいたコヒーレンスは、大半のスヌーピング方式で使用しているバスのような特定の何らかの相互接続ネットワークに依存しない。
【0006】
ディレクトリ構造を使用するDSMマルチプロセッサはほんの少しだけ開発された。該DSMシステムの例は、Lenoski, Daniel らの"The Stanford Dash Multiprocessor"「スタンフォード・ダッシュ・マルチプロセッサ」, IEEE, pp. 63-79, March 1992 に記載のスタンフォード大学Dashマルチプロセッサ、Chaiken, Davidらの"LimitLESS Directories: A Scalable Cache Coherence Scheme"「無制限ディレクトリ:スケーラブル・キャッシュ・コヒーレンス方式」,ACM, pp. 224-234, 1991に記載されたマサチューセッツ工科大学(MIT )Alewife マルチプロセッサ、Brewer, Tony, "A Highly Scalable System Utilizing up to 128 PA-RISC Processor"「128個のPA−RISCプロセッサまで利用する高度にスケーラブルなシステム」, IEEE, pp. 133-140, 1995 に記載のConvex Computer 社のExemplarマルチプロセッサを含む。
【0007】
スタンフォードDashマルチプロセッサでは、主メモリは最大メモリ容量のために結線(hardwire)された。MIT マルチプロセッサとConvex Computer 社のマルチプロセッサでは、ディレクトリ情報は主メモリに記憶された。つまり、データとディレクトリ情報は順次アクセスする必要があり、メモリ帯域幅を制限する。
【0008】
必要とされるものは、ディレクトリ情報に対応しかつデータ・メモリとディレクトリ・メモリ両方の簡単なメモリ拡張が現時点で支持されるような方法で、DSMマルチプロセッサ・コンピュータ・システムにおいて主メモリを実装するための技術である。
【0009】
【発明の要約】
本発明は回路基板と、回路基板上に装着した第1と第2のメモリとを含むデュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMM)である。第1のメモリはデータを記憶するように構成されてデータ・メモリと呼ばれる。第2のメモリは状態メモリと呼ばれ、データ・メモリに記憶されたデータの少くとも一部に対応する状態情報を記憶するように構成される。状態情報は、たとえばキャッシュ・コヒーレンス情報(即ちデータのブロックがキャッシュされているか否かとどこにあるか、またデータの最新のコピーがどこに存在するかについての情報)、データ・メモリ内のデータへのアクセス権(access rights) に関する情報、ページ移送(page migration)情報、その他を含む。本発明のDIMMでは、状態メモリ内の状態情報をデータ・メモリ内のデータとは別にアクセスできる。「別に」とは、状態情報をデータ・メモリ内に記憶されたデータとは独立しておよび/または並列に読み書きできることを表わす。
【0010】
本発明の複数のDIMMは、分散共用メモリ(DSM)マルチプロセッサの主メモリを実装するのに用いることができる。DIMM構成はメモリを容易に更新または交換できるような機構を提供する。状態情報はデータと一緒にDIMMに記憶されるので、最適なメモリ管理方式が提供される。
【0011】
第1の実施例において、各DIMMは32メガバイトのデータ記憶容量と、4メガバイトのECC(error correcting code:エラー訂正符号)をデータ・メモリに提供する。これを実現するため、DIMMは2Mbitで72ビット幅(2M×72)の2つのメモリバンク部分(DIMM回路基板の一側面当たり1つ)を含む。72ビットのうち、64ビットがデータ用、8ビットがECC用である。状態メモリは1メガビットで16ビット幅(1M×16)の状態情報容量を含む。本実施例は複数の同期(synchronous) 、ダイナミック、ランダム・アクセス・メモリ(SDRAM)チップを使用して実施できる。
【0012】
本実施例において、DIMMの回路基板はおおよそ高さ1.34インチ、長さ6.6インチ(DIMM基板は一般に、別の回路基板と直角にエッジ・コネクタ経由で装着するので、幅寸法が高さとして与えられることに留意されたい)、長さ122パッドで幅2パッド分のエッジ・コネクタを回路基板の一方の縦方向のエッジに沿って含む。データ・メモリは18個の2メガビットで8ビット幅(2M×8)のSDRAMチップを用いて実装した。SDRAMチップ9個を回路基板の正面に装着し、9個を回路基板の裏面に装着する。状態メモリは1つの1メガビットで16ビット幅(1M×16)のSDRAMチップを用いて実装し回路基板の正面に装着する。
【0013】
エッジ・コネクタの244パッドはデータ・メモリと状態メモリ用に別々のデータおよびアドレスパッドを提供し、各メモリを独立して、また所望するなら並列に、アクセスできる。アドレスおよび制御バッファは、回路基板の各面に提供される。それぞれのアドレスおよび制御バッファは、データ・メモリの半分についてSDRAMチップへのアドレスおよび制御線全部についてのバッファリングを提供する。さらに、1つのクロック駆動回路(clock driver)をDIMMのSDRAMチップ全部に提供する。クロック駆動回路は2つの重要な機能を提供する。第1に、クロック駆動回路はクロック信号の供給源に過度に負荷をかけることなく、各SDRAMチップを駆動するだけの充分な駆動電流容量(drive current capacity)を提供する。第2に、クロック駆動回路は、クロック駆動回路のバッファリング/駆動回路により導入されるあらゆるスキュー(skew)または遅延を排除するフェーズ・ロック・ループ(phase lock loop) 機能を提供する。
【0014】
第2の実施例において、各DIMMは64メガバイトのデータ記憶容量と8メガバイトのECCを提供し、データ・メモリで、合計72メガバイトのデータ容量である。これを実現するため、DIMMは容量4メガビットで72ビット幅(4M×72)の2つのメモリ・バンク部分を含む。状態メモリは2メガビットで16ビット幅(2M×16)の状態情報容量を含む。
【0015】
本実施例では、データ・メモリは36個の4メガビットで4ビット(4M×4)のSDRAMチップを用いて実装している。この実装はピギーバック式(piggy-back fashion)で第1の回路基板上に装着した第2の回路基板を必要とする。データ・メモリのSDRAMチップ18個は、実質的に第1の実施例で説明したように第1の回路基板上に装着し、別の18個のSDRAMチップは同様の方法でピギーバック基板に装着する。状態メモリは2個の2メガビットで8ビット幅(2M×8)SDRAMチップを用いて実装する。チップの1つを第1の回路基板の各側面に装着する。36メガバイトの実施例と同様に、72メガバイト実施例における第1の回路基板は、単一のクロック駆動回路と2個のアドレスおよび制御バッファを含む。さらに、ピギーバック基板はそれ自身の1つのクロック駆動回路とアドレスおよび制御バッファの対を含む。
【0016】
本発明はDIMMメモリ対にDIMMを利用する。対の第1のDIMMは、データを記憶するための第1と第2のメモリ・バンク部分を有する第1のデータ・メモリと、第1のメモリバンクに記憶されたデータに対応する状態情報を記憶するように構成した第1の状態メモリを含む。対の第2のDIMMは、データを記憶するための第3と第4のメモリ部分を有する第2のデータ・メモリと、第2のメモリ・バンクに記憶されたデータに対応する状態情報を記憶するように構成した第2の状態メモリを含む。第1のメモリバンクは、第1のDIMMの第1のメモリ・バンク部分と、第2のDIMMの第3のメモリ・バンク部分から形成する。第2のメモリ・バンクは、第1のDIMMの第2のメモリ・バンク部分と、第2のDIMMの第4のメモリ・バンク部分から形成する。たとえば、第1のメモリ・バンク部分が第1のDIMMの前面を表わし、第2のメモリ・バンク部分は第1のDIMMの裏面を表わし、第3のメモリ・バンク部分は第2のDIMMの前面を表わし、第4のメモリ・バンク部分は第2のDIMMの裏面を表わす場合、第1のメモリ・バンクは第1と第2のDIMMの前面で表わされ、一方第2のメモリ・バンク部分は第1と第2のDIMMの裏面で表わされる。
【0017】
このDIMM対の構成は非常に広いデータ・ワードDIMMを最適に提供し、DIMMのエッジ・コネクタの物理的構成に非実際的な条件を押しつけることなく実装される。たとえば、それぞれのDIMMは好適実施例において244個のパッド・エッジ・コネクタを含む。このコネクタを用いて、それぞれのDIMMは72ビット幅のデータパスを提供する。つまり、DIMM対は144ビット幅のデータ・ワードを提供する。前述の第1の実施例では、144ビット幅のデータ・ワードがデータ記憶容量64メガバイト、ECC8メガバイトのDIMM対で提供される。前述の第2の実施例では、144ビット幅のデータ・ワードがデータ記憶容量128メガバイト、ECC16メガバイトのDIMM対で提供される。
【0018】
DSMマルチプロセッサにおいて使用する場合、本発明のDIMM対は主メモリを実装するために使用する。DSMマルチプロセッサの各プロセッサ・ノードは主メモリの一部を含む。DIMMの36メガバイトと72メガバイトの実施例では、説明された状態メモリ構成が限られたノード数(たとえば16ノード)を有するシステムで必要とされる状態情報に対応するのに充分な容量を提供する。たとえば、前述の各状態メモリは16ビット幅の状態情報ワードを含む。
【0019】
ノード数が16を越える場合、多くのプロセッサとキャッシュが存在することになる。さらなる状態情報がさらなるキャッシュを追跡するために必要とされる。したがって余剰ノード(extra nodes) に対応するためには状態メモリに多くのビットを必要とする。さらなる状態メモリは状態メモリ専用(state memory-only) DIMMによって提供できる。このDIMMは32ビットのさらなる状態メモリを追加する。得られる状態メモリは48ビット幅の状態情報ワードを提供する。さらなる状態メモリによりDSMマルチプロセッサは、従来のビット・ベクタを使用して64ノードまで、またフレキシブル・ディレクトリ・ビット・ベクタを使用して512ノードまでに対応可能である。
【0020】
したがって16ノードまたはそれ以下を有するDSMマルチプロセッサでは、本発明のDIMMによりディレクトリに基づくメモリ構造が、対に構成した1種類のDIMMを用いて実装/アップグレイド(upgrade) できる。512ノードまたはそれ以下を有するDSMマルチプロセッサでは、本発明のDIMMにより、本発明のDIMM対と状態メモリを拡張する状態メモリ専用DIMMを使用してディレクトリに基づくメモリ構造を実装/アップグレイドできる。このようにして、本発明のDIMMは有意な利点を提供する。第1に、プロセッサ個数をアップグレイドする場合、既存のDIMMを交換する必要がない。むしろ既存のDIMMにさらなるDIMMおよび/または状態メモリ専用DIMMを単に追加すれば良い。第2に、小さいシステムではDIMM対に加えて状態メモリ専用DIMMではなく1つのDIMM対しか必要としないので、このようなシステムのコストを低減できる。第3に、1種類の同一のDIMM基板を、また場合によっては同様に状態メモリ専用DIMM基板を、主メモリとディレクトリ/状態メモリの実装に使用するので、多数の異なる種類のメモリ・アセンブリを製造、在庫、流通する必要がない。
【0021】
図示する目的で、DIMMの36メガバイト実施例と72メガバイト実施例を説明した。しかし本発明のDIMMは他のデータ容量で製造できることは理解されるべきである。たとえば,64メガビット(即ち8M×8)SDRAMチップを使用して、128メガバイトのデータと16メガバイトのECC(チップ当たり18チップ×8メガバイト)記憶容量を有する単一基板のDIMMを製作することができる(データとECCを含む)。これにより256メガバイトのデータ記憶容量を有するDIMM対が得られる。ピギーバック基板を前述の72メガバイトDIMM実施例に使用すると,64メガバイトSDRAMチップを使用して256メガバイトのデータと32メガバイトのECCのDIMM、および512メガバイトのデータと64メガバイトECCのDIMM対を実装することが可能である。
【0022】
前述の好適実施例において、DIMMがデータ・メモリ用の36個のSDRAMに対応できるようにピギーバック基板を使用している。36SDRAMチップに対応するためチップ・スタック技術(chip stacking techniques)を用いても良いことは当業者には理解されよう。チップ・スタック技術を使用する場合、ピギーバック基板は不要である。
【0023】
本発明の前述のおよびその他の特徴と利点は、添付の図面に図示してある本発明の幾つかの好適実施例の以下のさらに詳しい説明から明らかになろう。
【0024】
図面において、同じ参照番号は同一のまたは機能的に類似の要素を表わす。さらに、参照番号の一番左の数字は参照番号が第1に出現した図面を表わしている。
【0025】
【発明の実施の形態】
目次
I. 概要
II. DIMMのアーキテクチャ
III .DIMM対におけるDIMMの実装
IV. DIMM相互接続の詳細
V. DIMMチップのレイアウト
VI. パッドの説明
VII .タイミング条件(timing requirements)
VIII.波形図
IX. 拡張状態メモリ
X. 結論
I.概要
図面を参照して本発明の好適実施例を説明する。特定のステップ、構成、配置について議論することになるが、これは図示説明のためだけに行なわれることは理解されるべきである。本発明の精神と範囲から逸脱することなく他のステップ、構成、配置を使用できることは当業者には理解されよう。
【0026】
分散共用メモリ(distributed shared memory:DSM)マルチプロセッサ、たとえば共通に所有され同時係属中の"System and Method For Network Exploration and Access in a Multi-Processor Environment" 「マルチプロセッサ環境におけるネットワーク探査とアクセスのシステムおよび方法」と題する1995年5月5日付米国特許出願第08/435,456号で説明されているようなDSMマルチプロセッサでは、主コンピュータ・メモリはプロセッサ・ネットワーク全体に分散されている。主メモリのそれぞれの分散した部分(ノード)は1つまたはそれ以上のローカル・プロセッサに関連付けることができる。このようなシステムでは、メモリ管理が非常に複雑化する。前述の出願で説明されているDSMマルチプロセッサは、メモリ管理を簡略化するディレクトリに基づくキャッシュ・コヒーレンス方式を実装している。ディレクトリに基づくメモリ管理システムは、以下の共通に所有され同時係属中の特許出願に説明されている。
【0027】
1995年5月5日付け米国特許出願第08/435,460号、
発明の名称:"Directory-based Coherence Protocol Allowing Efficient Dropping of Clean-Exclusive Data"「クリーン・イクスクルーシブなデータの効率なドロッピングを認めるディレクトリに基づくコヒーレンス・プロトコル」
1995年5月5日付け米国特許出願第08/435,462号、
発明の名称:"System and Method For a Multiprocessor Partitioning to Support High Availability"「高度なアベイラビリティをサポートするためのマルチプロセッサ・パーティショニングのシステムおよび方法」
1995年5月5日付け米国特許出願第08/435,464号、
発明の名称:"Page Migration In a Non-Uniform Memory Access (NUMA) System" 「不均一メモリ・アクセス(NUMA)におけるページ移送」
1995年5月5日付け米国特許出願第08/435,459号、
発明の名称:"System and Method For Maintaining Coherency of Virtual-to-Physical Memory Translations in a Multiprocessor Computer" 「マルチプロセッサ・コンピュータにおける仮想対物理メモリ変換のコヒーレンシを維持するシステムおよび方法」
1995年5月5日付け米国特許出願第08/435,463号、
発明の名称:"Cache Coherency Using Flexible Directory Bit Vectors"「フレキシビル・ディレクトリ・ビット・ベクタを用いたキャッシュ・コヒーレンシ」
本発明は、上記で参照した特許出願に説明されているようなDSMにおける主メモリを実装するためのデュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMM)である。有利にも、本発明はDIMMにデータ・メモリと状態メモリの両方を提供する。これは、分散主メモリのインストレーション(installation)、置換(replacement) 、拡張(expansion) 、試験、拡大(extension) が容易になる。
【0028】
II.DIMMのアーキテクチャ
図1は本発明のDIMM102の高レベル機能ブロック図である。DIMM102はプリント回路基板103と、データ・メモリ104と、状態メモリ106を含む。回路基板103は多層(multilayer)(たとえば8層)でエッジ・コネクタ108を有するプリント回路基板である。エッジ・コネクタ108は典型的にはデータ・メモリ104と状態メモリ106のための電気通信全部を提供する。エッジ・コネクタ108はコネクタ・ソケット(図示していない)、たとえばコネチカット州ノーウォークのBurndy社から入手可能なソケット部品番号ELF244LFCE−4Z50等に挿入するように構成されている。
【0029】
エッジ・コネクタ108は、データ・パス110経由でデータ・メモリ104へのデータ・アクセスを可能にする複数のデータ・パッド118と、アドレスおよび制御パス112経由でデータ・メモリ104へアドレスおよび制御情報を通信するための複数のアドレス・パッド120と、データ・パス114経由で状態メモリ106へデータ・アクセスを可能にする複数のデータ・パッド122と、アドレスおよび制御パス116経由で状態メモリ106へアドレスおよび制御情報を通信するための複数のアドレス・パッド124を提供する。メモリへの「アクセス」は、メモリからデータを読み取ることまたはメモリへデータを書き込むことを表わす。
【0030】
データ・メモリ104はデータを記憶するように構成してある。データ・メモリ104に記憶されるデータは一般にデータ・ブロックに分割される。状態メモリ106はデータ・メモリ104のデータのブロックに対応する状態情報を記憶するように構成してある。状態情報(ディレクトリ情報としても公知である)は、たとえばキャッシュ・コヒーレンス情報(即ちデータのブロックがキャッシュされているかどうかまたどこにあるか、およびデータの最新のコピーがどこに常駐しているかについての情報)、データ・メモリ内のデータへのアクセス権に関する情報、ページ移送情報、その他等を含む。コネクタ108は別々のアドレスおよびデータ・パッドを状態メモリ106とデータ・メモリ104に提供するため、データとこれに対応する状態情報を別々にアクセスすることができる。「別々に」は、データ・メモリから読み込む/へ書き込むデータとは独立におよび/または平行して状態情報を読み込む/書き込むことができることを表わしている。これによってデータと状態情報を同時にアクセスすることが可能になる。
【0031】
図2はDIMM102のさらに詳細な機能ブロック図である。この機能表現において、前面202と裏面204が図示してある。コネクタ118は前面202と裏面204との間に図示してある。本図は綴じが中央に位置するように開き、正面と後面のカバーが見える本としてDIMMを見ると最もよく理解できる。コネクタ118は本の綴じに比喩される。図示したように、コネクタ118は回路基板103の、前面202に第1のコネクタ・パッドの列206と裏面204に第2のコネクタ・パッドの列208を含む。
【0032】
本図に図示してあるように、データ・メモリ104は、前面202の第1のバンク部分210と裏面204の第2のバンク部分212で実装される。状態メモリ106は前面202に装着するように図示してある。アドレスおよび制御パス112はアドレスおよび制御バッファ214、216によりバッファリングされる。アドレスおよび制御バッファ214はアドレスおよび制御信号(即ち行アドレス・ストローブ、列アドレス・ストローブ、書き込みイネーブル、データ・マスク)を第1のバンク部分210の左側と第2のバンク部分212の左側にバス113経由で提供する。さらに、アドレスおよび制御バッファ214は、チップ選択信号とクロック・イネーブル信号を線117経由で第1のバンク部分210の左右両側に提供する。
【0033】
同様に、アドレスおよび制御バッファ216は、アドレスおよび制御信号(即ち、行アドレス・ストローブ、列アドレス・ストローブ、書き込みイネーブル、データ・マスク)をバス115経由で第1のバンク部分210の右側と第2のバンク部分212の右側に提供する。さらに、アドレスおよび制御バッファ216は、チップ選択信号とクロック・イネーブル信号を線119経由で第2のバンク部分212の左右両側に提供する。チップ選択信号は第1のバンク部分210と第2のバンク部分212との間の選択に使用する。バッファ214、216はメモリ・バンク部分210、212の左側と右側のバッファリングを行ない、回路基板103の信号線のルーチング(routing) を簡略化するように構成される。あるいはまた、バッファ214はバンク部分210だけで信号をバッファリングするように構成し、バッファ216はバンク部分212だけで信号をバッファリングするように構成しても良い。
【0034】
クロック駆動回路218は回路基板103の正面202に装着する。クロック駆動回路218はクロック信号および制御線220からクロック信号を受信して、充分な駆動電流をクロック駆動回路218に提供し第1と第2のメモリ・バンク部分210、212ならびに状態メモリ106を形成するために使用されている複数のメモリ・チップを駆動する。クロック駆動回路218はクロック信号222からスキューを除去するフェーズ・ロック・ループ機能も含み、クロック信号はDIMM102上のデータおよび状態メモリの各種メモリチップへ分配される。
【0035】
1つの実施例において、DIMM102の裏面204はSPROM(serial programmable read only memory:シリアル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー)224を含む。SPROM224はDIMM102に独自の識別番号(たとえばシリアル番号)を提供するために使用できる。好適なSPROMはテキサス州ダラスのDallas Semiconductor社パーツ番号DS2502として入手可能で、NIC(Number In a Can:缶番号)としても周知である。
【0036】
III .DIMM対におけるDIMMの実装
本発明の好適実施例において、DIMM102は対でのみ主コンピュータ・メモリを実装するために使用する。対のそれぞれのDIMMはデータ・ワードの半分を提供し、対は互いに非常に広いデータ・ワードを提供できるようになっている。これが図3に図示してあり、図面においてDIMM102AとDIMM102BがDIMMの対302を形成する。図示してあるように、DIMM102Aは第1のメモリ・バンク部分210A、第2のメモリ部分212A、第1の状態メモリ106Aを含む。同様にDIMM102Bは第1のメモリ・バンク部分210B、第2のメモリ・バンク部分212B、第2の状態メモリ106Bを含む。
【0037】
この実施において、第1のメモリ・バンク部分210Aと第2のメモリ・バンク部分212Bがバンク0とラベルづけしてある第1のメモリ・バンクを形成する。バンク0に記憶されたデータについての状態情報は状態メモリ106Aに保持される。第2のメモリ・バンク部分212Aと第1のメモリ・バンク部分210Bは、バンク1とラベルづけしてある第2のメモリ・バンクを形成する。状態メモリ106Bはメモリ・バンク1に記憶されたデータに対応する状態情報を記憶するように構成される。さらに詳しく以下で説明するように、バンク選択信号を用いてデータ・アクセス操作でバンク0またはバンク1の一方を選択する。メモリ・バンク0とメモリ・バンク1は共通のアドレスおよびデータ線を共用する。
【0038】
本発明のDIMMは多様な異なるデータ記憶容量で作成可能である。第1の好適実施例において、DIMM102は36メガバイトのデータ記憶容量(32メガバイトのデータと4メガバイトのECCを含む)および2メガバイトの状態情報記憶容量を有する。本実施例では64メガバイトのデータ記憶容量、8メガバイトのECC、4メガバイトの状態情報記憶容量を有するDIMM対が得られる。第2の実施例において、DIMM102は72メガバイトのデータ記憶容量(64メガバイトのデータと8メガバイトのECC)および4メガバイトの状態情報記憶容量を有する。本実施例では128メガバイトのデータ記憶容量、16メガバイトのECC、8メガバイトの状態情報記憶容量を有するDIMM対が得られる。
【0039】
IV.DIMM相互接続の詳細
図4は、本発明の第1の好適実施例によるDIMM102を実装するために使用される構成要素の相互接続を表わすブロック図である。データ・メモリ104は複数の同期、ダイナミック、ランダム・アクセス・メモリ(SDRAM)チップD0〜D17を使用して実装される。SDRAMのD0〜D8は第1のメモリ・バンク部分210のメモリ・チップを表わし、SDRAMのD9〜D17は第2のメモリ・バンク部分212のメモリチップを表わす。DIMM102のこの32メガバイト実施例では、SDRAMのそれぞれD0〜D17は2メガビットで8ビット幅(2M×8)SDRAMチップである。したがって、各メモリ・バンク部分210、212は2メガビットで72ビット幅で、データ・メモリ104の総データ容量は4メガビットで72ビット幅(即ちデータに64ビット、ECCに8ビット)が得られる。状態メモリ106は単一の1メガビットで16ビット幅(1M×16)SDRAMチップを用いて実装している。
【0040】
各DRAMチップD0〜D17は8ビットのデータ・ワードを提供する。各SDRAMとの通信に対応するため、データ・パス110は8ビットのデータ・パスDQを提供する。図示してあるように、メモリ・バンク部分210、212のそれぞれから1つのチップが8ビット・データ・パスDQに接続される。たとえば、SDRAMD0とSDRAMD9はどちらもDQ[7:0]に接続される。データパス上でどのチップが現在有効かは外部チップまたはバンク選択信号(後述する)によって決定される。
【0041】
アドレスおよび制御バッファ214、216はA[19:0]とラベルづけされて20ビットのアドレスおよび制御信号を受信し、アドレスおよび制御信号をバッファリングし、アドレスおよび制御信号を以下のようにSDRAMD0〜D17へ提供する。アドレスおよび制御バッファ214は、アドレスおよび制御信号(即ち、行アドレス・ストローブ、列アドレス・ストローブ、書き込みイネーブル、データ・マスク)をバンク部分210、212の左側(即ちSDRAMD0〜D3とD9〜D12)へバス113経由で提供する。さらに、アドレスおよび制御バッファ214はバンク選択信号(CS0_)およびクロック・イネーブル信号(CKE0)を第1のバンク部分(即ちSDRAMD0〜D8)210の左右両側へ線117経由で提供する。
【0042】
アドレスおよび制御バッファ216はアドレスおよび制御信号(即ち、行アドレス・ストローブ、列アドレス・ストローブ、書き込みイネーブル、データ・マスク)をバス115経由でバンク部分210、212の右側(即ちSDRAMD4〜D8とD13〜D17)へ提供する。さらに、アドレスおよび制御バッファ216はバンク選択信号(CS1_)ならびにクロック・イネーブル信号(CKE1)を第2のバンク部分(即ちSDRAMD9〜D17)212の左右両側へ線119経由で提供する。アドレスおよび制御信号A[19:0]はさらに後述の表1で説明する。
【0043】
クロック駆動回路218はSDRAMD0〜D17のそれぞれと状態メモリ106のSDRAMにクロック信号222を提供する。クロック駆動回路218はクロック制御信号C[5:0]に基づいてクロック信号222を発生する。クロック制御信号C[5:0]についてはさらに詳細に後述する。状態メモリ106のデータ・パス114とアドレスおよび制御パス116はそれぞれ線DRI_DQ[15:0]とB[17:0]で表わしてある。これらの信号についてもさらに詳細に後述する。
【0044】
DIMM102の72メガバイト実施例が図5に図示してある。本実施例において、18個の2メガビットで8ビット幅(2M×8)SDRAMを使用する代わりに、36個の4メガビットで4ビット幅(4M×4)SDRAMを使用して実装している。追加チップに対応するため、第2の回路基板500を使用する。18個の4M×4SDRAM(D0〜D17)は第1の回路基板103に装着する。他の18個の4M×4SDRAM(D18〜D35)は第2の回路基板500に装着する。回路基板500はピギーバック式に回路基板103に装着する。回路基板103だけがエッジ・コネクタ108(図5には図示していない)を含む。回路基板500のSDRAMチップへの全ての電気的接続は回路基板103のエッジ・コネクタを介して行なう。複数の相互接続ピンを使用して2つの基板で信号を共用する。各ピンのそれぞれの端部はメッキされたスルーホール(plated through hole) に配置して基板間の電気的接続を提供する。これらのピンはまた第2の基板を第1の基板に物理的に取り付ける。ピギーバック装着回路基板の例(メッキされたスルーホールを使用しない)はShaffer らの米国特許第5,200,917号に提供されている。
【0045】
本実施例において、第1のメモリ・バンク部分210はそれぞれの回路基板103、500の正面から形成される。たとえば、SDRAMチップD0〜D8とD27〜D35を用いて第1のメモリ・バンク部分210を実装できる。同様に、それぞれの回路基板103、500の裏面を用いて第2のメモリ・バンク部分212を実施できる。これは、たとえば、SDRAMチップD9〜D17とD18〜D26を含む。各回路基板103と500のチップはクロック駆動回路218A、218Bとアドレスおよび制御バッファ214A、214B、216A、216B経由で基板上のクロックとバッファを含む。しかし、本実施例において、各SDRAMチップは8ビット幅データ・パスではなく4ビット幅データ・パスに結合してある。つまり、各基板からの対応するSDRAMチップを用いて36メガバイトDIMMの1つのチップにより提供される8ビットを形成する。図4の36メガバイトDIMMの実施例と同様に、全てのSDRAMチップD0〜D35が同時にアドレスされる。バンク選択信号(信号A[19:0]の1つ)を用いてメモリ・バンク部分210とメモリ・バンク部分212との間の選択を行なう。
【0046】
V.DIMMチップのレイアウト
32メガバイトDIMM実施例の好適な実装が図6Aおよび図6Bに図示してある。図6AはDIMM102の前面202を示す。図6BはDIMM102の裏面204を示す。この好適な実装において、回路基板103はほぼ高さ1.34インチで長さ6.6インチであり長さ122パッド幅2パッドのエッジ・コネクタを回路基板の一方の縦方向の辺に含む。SDRAMD0〜D8、SDRAMDIR0(状態メモリ106用)、データおよび制御バッファ214Aとクロック駆動回路218Aは回路基板103の前面202に装着する。SDRAMD9〜D17とデータおよび制御バッファ216Aは回路基板103の裏面204に装着する。
【0047】
図6Aと図6Bは本発明の72メガバイト実施例ならびに32メガバイト実施例を表わし、次のような相違がある。第1に、72メガバイト実施例では、SDRAMD0〜D17は4M×4装置であって2M×8ビット装置ではない。第2に、ディレクトリ・メモリ・チップ(DIR0で表示してある)は2M×8ビット装置であって1M×16ビット装置ではない。第3に、72メガバイト実施例では、第2の2M×8ビットSDRAMチップ(図6BにおいてDIR1として破線で示してある)はDIR0とともに使用して状態メモリ106を実装する。
【0048】
72メガバイトDIMM実施例のピギーバック式第2の回路基板500の好適な実装が図7Aおよび図7Bに図示してある。図7Aは第2の回路基板500の正面702を示す。図7Bは第2の回路基板500の裏面704を示す。この好適な実装において、回路基板500はほぼ高さ1.16インチで長さ6.6インチであり、回路基板103との電気的接続を提供する116個の相互接続ピン(図示していない)を含む。SDRAMD18〜D26、データおよび制御バッファ214Bおよびクロック駆動回路218Bは回路基板500の正面702に装着する。SDRAMD27〜D35とデータおよび制御バッファ216Bは回路基板500の裏面704に装着する。
【0049】
VI.パッドの説明
表1は本発明の好適実施例によるエッジ・コネクタのパッドについてパッドの名称と機能を一覧したものである。左側の欄は略称したパッド名称、右側の欄は表の関連する行に一覧したパッドの機能を一覧する。
【0050】
【表1】
【0051】
第1のパッド説明はアドレス・パッドについてのものでA[11:0]と略称する。行アドレシング中には、下位11ビットを使用する。列アドレシング中には、36MBのDIMM実施例では下位9ビットを使用し、72MBDIMM実施例では下位10ビットを使用する。最上位ビット(A11)は内部SDRAMバンク間の選択に使用する(この「内部バンク」は前述したSDRAM DIMM102のバンク0およびバンク1とは別のバンクである。したがってバンク0と1は以下「外部」バンクといい、外部バンク・チップ選択信号CS1とCS0で選択され、「内部SDRAMバンク選択」信号A11から区別する。この命名はデータ用に使用するSDRAMならびに状態情報を記憶するために使用するSDRAMに適用する)。
【0052】
データは、DQ[71:0]と略称する72本のデータ入/出力(I/O)パス経由でSDRAM DIMMのデータ・メモリへ入力されまたここから出力される。SDRAM DIMMは対で使用するので、1つのDIMMにあるデータ・メモリの1回のアクセスが72ビットを提供し、対になったDIMMの72ビットと連結した場合に、128ビットのデータと16ビットのECCを含む144ビットのデータ・ワードが得られる。
【0053】
SDRAM DIMMのデータ・メモリにはさらに8本のパスがある。CS1_およびCS0_と略称される2本の外部バンク・チップ選択パッド、RE_と略称される行アドレス・ストローブ・コマンド・パッド、CE_と略称される列アドレス・ストローブ・コマンド・パッド、WE_と略称される書き込みイネーブル・コマンド・パッドは、当業者には明らかなように、SDRAMチップの選択、アドレッシング、書き込みイネーブルに使用される標準信号である。同様にSDRAMの2つのバンクのメモリ・クロック・イネーブル用に2本のパッドがそれぞれ設けてあり、CKE1およびCKE0と略称する。また1本の入/出力マスク・パスが設けてあり、DQMと略称する。DQMマスク・パッドの機能については波形図との関連において以下で説明する。
【0054】
SDRAM DIMMの状態メモリのパッドについて説明する。ディレクトリ・アドレス・パッドの集合をDIR_A[11:0]と略記する。状態メモリの行アドレッシングはディレクトリ・アドレス・ビットA[10:0]を使用し、列アドレッシングは32MB DIMMでディレクトリ・アドレス・ビットA[7:0]、また72MB DIMMでビットA[8:0]を使用する。12番目のディレクトリ・アドレス・パッド(A11)は内部SDRAMバンク選択に使用する
16ビットの状態情報がディレクトリ・データI/Oパッド、略号DIR_DQ[15:0]により提供される。表1に掲載した次の5本のパッドはSDRAM DIMMのデータ・メモリ・セクションで類似のパスに関連して上記で説明したのと同様の機能を有する。ディレクトリ・チップ選択パッドはDIR_CS_と略記する。ディレクトリ行アドレス・ストローブ・コマンド・パッドはDIR_RE_と略記する。ディレクトリ列アドレス・ストローブ・コマンド・パッドはDIR_CE_と略記する。ディレクトリ書き込みイネーブル・コマンド・パッドはDIR_WE_と略記する。ディレクトリ入/出力マスク・パッドはDIR_DQMと略記する。さらに、DIR_CKEと略記するディレクトリ・クロック・イネーブル・パッドが状態メモリ・クロックをイネーブルにするため設けてある。
【0055】
本発明の好適実施例によれば、Motorola社(アリゾナ州フェニックス)製MPC931PLLチップをクロック駆動回路に使用する。この特定の集積回路は低電圧トランジスタ・トランジスタ・ロジック(low voltage transistor-transistor logic:LVTTL)または低電圧正エミッタ結合ロジック(low voltage positive emitter coupled logic:LVPECL)を両方ともサポートしているので、本発明のSDRAM DIMMはクロック駆動回路に対してどちらかの種類の論理レベルでも使用するパッドを含むことができる。したがって、PCLKおよびPCLK_と略記する差動(differential)LVPECLクロック・パッドが設けてある。さらに、TCLKと略記するLVTTLクロック・パッドも設けてある。2つの可能な電力パッド入力の間で選択するため、TCLK_SELと略記する選択パッドが設けてある。TCLK_SELに印加する論理電圧値でクロック駆動回路が使用する電圧パッドのどちらかを選択する。たとえば、TCLK_SELパッドが高論理の場合TCLKを選択でき、またTCLK_SELパッドが低論理レベルの場合にはクロック駆動回路に電力供給するためにPCLKパッドを使用できる。別のパッドによりクロック駆動回路のフェーズ・ロック・ループ部分をイネーブルでき、これをPLL_ENと略記する。このメーカのチップではリセットと3状態(tri-state) クロック駆動回路出力をPLL_CLRと略称する別のパッド経由で選択できる。機能的に類似のPLL(フェーズ・ロックド・ループ)チップを使用するその他の好適な構成も当業者には明らかであろう。
【0056】
電力供給電圧(たとえば直流3.3ボルト)と接地はV3およびGNDとそれぞれ略称するパッド経由で供給する。実装した場合、さらに1本のパッドを使用してシリアル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ(serial programmable read-only memory:PROM)の内容を読み出す。このパッドはSERIAL_DATとラベルづけしてある。
【0057】
図15および図16は244コネクタ・パッド・エッジ・コネクタ108全体での好適なパッド割り当て例を示す。本図は6つの列にわけて1ページで244パッドの割り当て全体を図示している。14本のパッドは割り当てがない。各列はパッド番号の割り当てに続けて表1に掲載したパッド名称に対応するパッドの説明の略号を示してある。パッド割り当てはPCB103のトレース長(trace length)を考慮して信号のスキューと負荷を最小限にするように行なってある。
【0058】
VII .タイミング条件
表2はNEC社(日本)製パーツ番号μPD4516421GS−A12−TJF(4M×4)、μPD4516421GS−A12−TJF(2M×8)、またはμPD45161GS−A12−TJF(1M×16)を使用するSDRAM DIMM対の例のタイミング条件を示す。表2に示すタイミング条件は0から70℃の間の公称温度(nominal temperatures)と、直流3.3Vから3.6Vの間の電力供給電圧でのもので、全部のクロックはPCLKを基準にしている。表2のタイミング条件は約1.5ナノセカンドのクロック・ジッタ(clock jitter)およびスキューを含む。
【0059】
【表2】
【0060】
表2に示したタイミング・パラメータは、エッジ・コネクタで測定した時間間隔を一般に表わし、コネクタ自体が信号に有する全ての小さな影響を無視している。これらの時間はSDRAM自体のある位置で測定した場合異なるように見えることがある。行アドレスと列アドレスは、SDRAM DIMMが接続されるメモリ・システムにより設定され、DIMMで使用する特定のSDRAM装置で必要とされるように設定する。
【0061】
VIII.波形図
SDRAM DIMMで情報を読み込み書き込むためのタイミング図が図8〜図13に図示してある。図8は本発明による代表的な「データ・リード(data read) 」タイミング図である。図9は本発明による代表的な「データ・ライト(data write)」タイミング図である。図10は本発明による代表的な「リード・モディファイ・ライト(read modify write) 」(RMW)タイミング図である。縦棒はクロックのエッジを表わし、ここで制御およびアドレス信号がSDRAMパーツでサンプリングされる。
【0062】
図8を参照すると、合計6本のタイミング・トレース(timing traces) が図示してあり、これは、チップ選択(CS_)802、行アドレス・ストローブ(RE_)804、列アドレス・ストローブ(CE_)806、書き込みイネーブル(WE_)808、アドレス(A)入力810、データ(D・Q)入/出力812を含む。
【0063】
SDRAM DIMMデータ出力812は行と列のアドレスのアプリケーション(application) と、RE_、CE_、WE_制御信号の発行に基づく出力のタイミングを表わす。データ・メモリは、1つの行アクセスに4つの列アドレス(C0、C2、C4、C6)が続きDIMM対からのデータのブロックにアクセスできるように構成してある。データのブロック(パリティ/ECCデータを含まない)は8ワードで16バイト、または合計128バイトである(DIMM当たり64ビットまたはロケーション(location)アクセスあたり合計128ビットで、これは並列に対がアクセスされるためである)。したがってRAあたり4つの連続したロケーションのアクセスでは、合計8データ・ワードD0〜D7で16バイトが出力される。同様に、SDRAM DIMM対は図9のトレース902で示したようにブロック・ライトへ書き込まれる。表3は図8〜図10の各種タイミング・パラメータの代表的なサイクル・レイテンシ(cycle latency) を示す。これらのパラメータ・レイテンシはナノ秒単位で一覧してあり公称値(nominal) である。
【0064】
【表3】
【0065】
リード・モディファイ・ライトは図10に示したようにデータに対しても行なうことができる。単一のRE_とCE_(それぞれトレース1002と1004)によってあるロケーションがアクセスされ、第1のD0/D1対1006でデータが読み出される。データが変更された後、第2のD0/D1対(1008)で示すようにCE_とWE_信号(トレース1010)を表明(assert)することによってDIMM対に書き戻される。
【0066】
前述のように、状態メモリはデータ・メモリと並列にアクセスされる。それぞれのディレクトリ・エントリが32ビット幅なので状態メモリは2つのリードと2つのライトを含み、好適実施例のそれぞれの状態メモリはわずか16ビットの深さ(deep)しかないSDRAMを実装している。また、ページ移送のインクリメントには要求を行なったノードとホーム・ノードの両方についてアクセスされるブロックに対応するロケーションの読み込みと、要求を行なったノードについてカウントをインクリメントするような書き込みが必要である。ページ移送カウントは、あるノードがメモリの特定ページにアクセスする回数を追跡する。つまり、このカウントはあるページがアクセスされるたびにインクリメントされなければならない。任意のページにアクセスする幾つかのノードに対するカウントが所定の閾値を越えるか、または要求元(requestor) のカウントからホーム・ノードのカウントを引いたものが別の閾値を越える場合、そのページはそのノードに関連するメモリへ移送される。ページ移送のさらに詳細な説明は前述した同時係属中の米国特許出願(代理人整理番号(attorney docket) 1452.0690000)に見られる。つまり、データ・メモリの8サイクルの読み込みまたは書き込みの間に、対応する状態メモリは合計で4回読み出され、合計3回書き込まれるので、データおよび状態情報へのアクセスが平衡する。
【0067】
図11、図12、図13はそれぞれ読み込み、書き込み、リビジョン(rivisions) を含むデータ・マスキングに関連する3つの別々の波形図である。図11では次の信号が図示してある:チップ選択(DIR_CS_)、行アドレス・ストローブ(DIR_RE_)、列アドレス・ストローブ(DIR_CE_)、書き込みイネーブル(DIR_WE_)、入/出力データ・マスク(DIR_DQM)、アドレスA入力と、データ(DIR_DQ)入/出力。読み込みでのディレクトリ・サイクルはディレクトリ・ワード(D0)の前半、要求元ノード(S)のページ移送カウント、ディレクトリ・ワードの後半(D1)、ホーム・ノードのページ移送カウント(H)を読み込むことから始まり、DIR_DQでのデッド・サイクル(dead cycle)のあと、新規のページ移送カウント(S)と新規のディレクトリ情報(D0およびD1)が状態メモリに書き込まれる。メモリ制御装置の条件のため一覧した順序で情報が読み出され、これが最も速いメモリ応答時間につながる。
【0068】
図12は図11に図示した波形のわずかな変更である。SとD0の順序が図11とは対照的にこの図面では交換されている。
【0069】
図13は状態だけのアクセスでメモリ・アクセスを必要としないような、状態リビジョン操作での状態アクセスを示す。このようなリビジョン操作のオーバーヘッドを最小化するためディレクトリ情報だけがアクセスされる。
【0070】
IX.拡張状態メモリ
DSMマルチプロセッサで使用した場合、本発明のDIMM対は主メモリを実装するために使用される。DSMマルチプロセッサの各プロセッサ・ノードは主メモリの一部を含む。DIMMの36メガバイトと72メガバイト実施例では、前述した状態メモリの構成は16ノードを有するシステムで要求される状態情報に対応するのに充分な容量を提供する。たとえば、前述した各状態メモリは16ビット幅の状態情報ワードを含む。
【0071】
ノード数が16を越える場合、さらに多くのキャッシュメモリがシステムに追加されると思われるので、キャッシングについての多くの状態情報に対応するため、それぞれのノードで付加的な状態メモリが必要になる。付加的な状態メモリは状態メモリ専用DIMMを用いることで提供できる。本発明のこの態様の好適実施例によれば、この状態メモリ専用DIMMは32ビットの付加的な状態メモリを追加する。得られた合計の状態メモリは48ビット幅の状態情報ワード(SDRAMデータ/状態メモリDIMMの本来の16ビットに状態メモリ専用DIMMからの32ビットを加えたもの)を提供する。付加的な状態メモリがあると、DSMマルチプロセッサは従来のビットベクタを使用する64ノードまで、またフレキシブル・ディレクトリ・ビットベクタを使用する512ノードまでに対応することが可能である。付加的な状態情報ビットの特定の数は変化することがあり、当業者には明らかなように拡張可能である。
【0072】
DSMマルチプロセッサのノードの主メモリ部分1400にあるDIMM対302と状態メモリ専用DIMM1406の構成が図14に図示してある。DSMマルチプロセッサのそのノードでのメモリ/ディレクトリ制御装置1402は、DIMM302と1406上のデータおよび状態メモリについて全てのメモリ管理機能を実行する。メモリ/アドレスおよび制御バッファ1410は制御装置1402からDIMM対302のデータ・メモリへ向かう全部のアドレスおよび制御線1420をバッファリングする。状態(ディレクトリ)アドレスおよび制御バッファ1412は、制御装置1402から状態メモリ専用DIMM対1406の状態メモリへ向かう線1422の全部のアドレスおよび制御信号をバッファリングする。
【0073】
それぞれの状態メモリ専用DIMM1406は1つのPCBを使用して実装できる。PCBはDIMM302のSDRAMと類似のまたは類似していない容量のチップのSDRAMチップで場所をしめられる(populate)。状態メモリ専用DIMM1406のSDRAMは、2つのバンクの状態メモリに構成されるので状態情報ならびに状態情報のアドレシングがDIMM302上のディレクトリ(DIR)/状態メモリと一致する。
【0074】
バス交換装置(bus excharger) 1408は144ビットのデータ・ワードを双方向バス1409経由で各DIMM対302へ/から通過させる。バス交換装置1408はメモリ速度で144ビットのデータを取り出してこれを2倍のメモリ速度の72ビットに変換する。好適実施例において、バス交換装置1408は、50MHzの144ビットを100MHzの72ビットに変換し、またその逆に、双方向バス1411経由で、DIMM302と制御装置1402との間のデータの双方向転送のためにも変換するパーツ番号SN74ALVC16282(Texas Instruments社、テキサス州ダラス)により実装している。ディレクトリ・データはバッファリングされず、状態メモリ専用DIMM1406と制御装置1402との間で双方向バス1424経由で転送される。
【0075】
説明のため、DIMMの36メガバイト実施例と72メガバイト実施例を説明した。しかし、本発明のDIMMが他のデータ容量で製造し得ることは理解されるべきである。たとえば、64メガビット(即ち8M×8)SDRAMチップを使用し、128メガバイトのデータと16メガバイトのECC(18チップ×8メガバイト/チップ)の記憶容量(データとECCを含める)を有するシングル・ボードDIMMを製造することができる。これによりデータ記憶容量256メガバイトを有するDIMM対が得られることになる。前述した72メガバイトDIMMの実施例のようにピギーバック基板を使用する場合、64メガバイトSDRAMチップを使用して256メガバイトのデータと32メガバイトのECC DIMMおよび512メガバイトのデータと64メガバイトのECC DIMM対を実装できる。
【0076】
前述の好適実施例において、DIMMがデータ・メモリとして36個のSDRAMに対応できるようにするためピギーバック基板を使用している。チップ・スタッキング技術を用いても36個のSDRAMチップに対応できることが当業者には認識されよう。チップ・スタッキング技術を使用する場合、ピギーバック基板を排除できる。
【0077】
これ以外にも、4メガビット(即ち1M×1)SDRAMチップを組み合わせてもっと少い記憶容量のDIMMを作成したり、または前述のスタッキングおよび/またはピギーバック技術を用いてもっと大きな記憶容量にすることも可能である。
【0078】
X.結論
本発明の各種実施例について説明したが、これらは例として呈示したに過ぎず制限のためではないことが理解されるべきである。本発明の精神と範囲から逸脱することなく態様ならびに詳細において各種の変化を成し得ることが当業者には明らかであろう。したがって本発明は前述した例示の実施例のいずれかで制限されるべきものではなく、後述の請求項とその均等物(equivalents) によってのみ定義されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるSDRAM DIMMの代表的ハイ・レベル・ブロック図である。
【図2】本発明によるSDRAM DIMMの前面と裏面の代表的略ブロック図である。
【図3】2つのバンクとこれらのバンクについて本発明による状態ディレクトリ・メモリを有するSDRAM DIMM対の代表的略論理図である。
【図4】本発明の第1の実施例による36メガバイトSDRAM DIMMの代表的模式図である。
【図5】本発明の第2の実施例による72メガバイトSDRAM DIMMの代表的模式図である。
【図6】図6Aは本発明によるSDRAM DIMMの正面平面図、図6Bは図6AのSDRAM DIMMの裏面平面図である。
【図7】図7Aは本発明によるSDRAM DIMMピギーバック基板の正面平面図、図7Bは図7AのSDRAM DIMMピギーバック基板の裏面平面図である。
【図8】本発明による代表的データ・リードのタイミング図である。
【図9】本発明による代表的データ・ライトのタイミング図である。
【図10】本発明による代表的リード/モディファイ/ライトのタイミング図である。
【図11】本発明によるメモリ読み込みのための代表的状態メモリ・タイミング図である。
【図12】本発明によるメモリ書き込みまたはリード・モディファイ・ライトのための代表的状態メモリ・タイミング図である。
【図13】本発明による状態メモリ専用DIMMの操作のための代表的状態メモリ・タイミング図である。
【図14】DSMマルチプロセッサのノードにおけるDIMM対と状態メモリ専用DIMMの構成図である。
【図15】エッジ・コネクタ全体の好適なパッド割り当て例(その1)を示す図である。
【図16】エッジ・コネクタ全体の好適なパッド割り当て例(その2)を示す図である。
Claims (27)
- デュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMM)において、
回路基板と、
前記回路基板に装着しデータを記憶するための第1のメモリ手段と、
前記回路基板に装着し前記データの少くとも一部に対応する状態情報を記憶するための第2のメモリ手段と、
前記第1のメモリ手段と前記第2のメモリ手段を別々にアクセスできるようにする手段と、
前記第1のメモリ手段に電気的に接続されたアドレス・パッドの第1のグループ及びデータ・パッドの第1のグループを含むコネクタとを備え、
前記コネクタはさらに前記第2のメモリ手段に電気的に接続されたアドレス・パッドの第2のグループ及びデータ・パッドの第2のグループを含み、
そして、前記コネクタは前記第1のメモリ手段及び前記第2のメモリ手段の独立したアドレシングを行えるように構成されていることを特徴とするデュアル・インライン・メモリ・モジュール。 - 請求項1に記載されたDIMMにおいて、
前記複数のバッドは前記第1および第2のメモリ手段のための別々の制御パッドをさらに備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項1に記載されたDIMMにおいて、
前記コネクタは2つの側面と少くとも側面当たり122個のパッドを有するエッジ・コネクタであって、アドレス・パッドの前記第1のグループは少くとも12個のパッドを含み、アドレス・パッドの前記第2のグループは少くとも12個のパッドを含み、データ・パッドの前記第1のグループは少くとも72個のパッドを含み、データ・パッドの前記第2のグループは少くとも16個のパッドを含むことを特徴とするDIMM。 - 請求項1に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ手段および前記第2のメモリ手段はそれぞれ複数のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)チップを備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項1に記載されたDIMMにおいて、
前記第1および第2のメモリ手段に結合したフェーズ・ロックド・ループ・クロック駆動回路および前記第1のメモリ手段のアドレスおよび制御信号をバッファリングするためのバッファをさらに備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項1に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ手段はメモリ・ブロックに論理的に組織され、前記第2のメモリ手段は前記メモリ・ブロックのグループに記憶されたデータがどこにキャッシュされるかについての情報を記憶するように構成されていることを特徴とするDIMM。 - 請求項1に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ手段はメモリ・ブロックに論理的に組織され、前記第2のメモリ手段は前記メモリ・ブロックのグループに記憶されたデータのアクセス権を記憶するように構成されていることを特徴とするDIMM。 - 請求項1に記載されたDIMMにおいて、前記第1のメモリ手段はメモリ・ブロックに論理的に組織され、前記第2のメモリ手段は前記メモリ・ブロックのグループに記憶されたデータについてのキャッシュ状態情報を記憶するように構成されていることを特徴とするDIMM。
- 請求項1に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ手段および前記第2のメモリ手段はそれぞれが複数の同期ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(SDRAM)チップを備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項9に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ手段はSDRAMチップの第1のメモリ・バンク部分とSDRAMチップの第2のメモリ・バンク部分に分割されることを特徴とするDIMM。 - 請求項10に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ・バンク部分および前記第2のメモリ・バンク部分はそれぞれが少くとも9個のSDRAMチップを備え、前記少くとも9個のSDRAMチップのそれぞれは2メガビットで8ビット幅であり、前記第2のメモリ手段は少くとも1個の1メガビットで16ビット幅SDRAMチップを備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項10に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ・バンク部分および前記第2のメモリ・バンク部分はそれぞれが少くとも18個のSDRAMチップを備え、前記少くとも18個のSDRAMチップのそれぞれは4メガビットで4ビット幅であり、前記第2のメモリ手段は少くとも2個の2メガビットで8ビット幅SDRAMチップを備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項12に記載されたDIMMにおいて、
前記プリント回路基板は第2の回路基板を並列なピギーバック構成でサポートする第1の回路基板を備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項10に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ・バンク部分および前記第2のメモリ・バンク部分はそれぞれが少くとも18個のSDRAMチップを備え、前記少くとも18個のSDRAMチップのそれぞれは16メガビットで4ビット幅であり、アドレス・パッドの前記第1のグループは少くとも14個のパッドを含み、前記第2のメモリ手段は少くとも2個の8メガビットで8ビット幅SDRAMチップを備えたことを特徴とするDIMM。 - デュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMM)において、
回路基板と、
前記回路基板に装着したデータ・メモリと、
前記回路基板に装着した状態メモリと、
前記データメモリおよび前記状態メモリを別々にアクセスできるようにするためのアクセス手段と、
前記データ・メモリに電気的に接続されたアドレス・パッドの第1のグループ及びデータ・パッドの第1のグループを含むコネクタとを備え、
前記コネクタはさらに前記状態メモリに電気的に接続されたアドレス・パッドの第2のグループ及びデータ・パッドの第2のグループを含み、
そして、前記コネクタは前記第1のデータ・メモリ及び前記状態メモリの独立したアドレシングを行えるように構成されていることを特徴とするデュアル・インライン・メモリ・モジュール。 - 請求項15に記載されたDIMMにおいて、
前記コネクタは2つの側面と少くとも側面当たり122個のパッドを有するエッジ・コネクタであって、アドレス・パッドの前記第1のグループは少くとも12個のパッドを含み、アドレス・パッドの前記第2のグループは少くとも12個のパッドを含み、データ・パッドの前記第1のグループは少くとも72個のパッドを含み、データ・パッドの前記第2のグループは少くとも16個のパッドを含むことを特徴とするDIMM。 - 請求項15に記載されたDIMMにおいて、
前記データ・メモリおよび前記状態メモリはそれぞれ複数のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)チップを備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項15に記載されたDIMMにおいて、
前記データ・メモリおよび前記状態メモリに結合したフェーズ・ロックド・ループ・クロック駆動回路と、前記データ・メモリのためのアドレスおよび制御信号をバッファリングするためのバッファをさらに備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項15に記載されたDIMMにおいて、
前記データ・メモリはメモリ・ブロックに論理的に組織され、前記状態メモリは前記メモリ・ブロックのグループに記憶されたデータがどこにキャッシュされるかについての情報を記憶するように構成されていることを特徴とするDIMM。 - 請求項15に記載されたDIMMにおいて、
前記データ・メモリはメモリ・ブロックに論理的に組織され、前記状態メモリは前記メモリ・ブロックのグループに記憶されたデータのアクセス権を記憶するように構成されていることを特徴とするDIMM。 - 請求項15に記載されたDIMMにおいて、
前記データ・メモリはメモリ・ブロックに論理的に組織され、前記状態メモリは前記メモリ・ブロックのグループに記憶されたデータについてのキャッシュ状態情報を記憶するように構成されていることを特徴とするDIMM。 - 請求項15に記載されたDIMMにおいて、
前記データ・メモリおよび前記状態メモリはそれぞれが複数の同期ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(SDRAM)チップを備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項22に記載されたDIMMにおいて、
前記データ・メモリはSDRAMチップの第1のメモリ・バンク部分およびSDRAMチップの第2のメモリ・バンク部分に分割されることを特徴とするDIMM。 - 請求項23に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ・バンク部分および前記第2のメモリ・バンク部分はそれぞれが少くとも9個のSDRAMチップを備え、前記少くとも9個のSDRAMチップのそれぞれは2メガビットで8ビット幅であり、前記状態メモリは少くとも1個の1メガビットで16ビット幅SDRAMチップを備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項23に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ・バンク部分および前記第2のメモリ・バンク部分はそれぞれが少くとも18個のSDRAMチップを備え、前記少くとも18個のSDRAMチップのそれぞれは4メガビットで4ビット幅であり、前記状態メモリは少くとも2個の2メガビットで8ビット幅SDRAMチップを備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項25に記載されたDIMMにおいて、
前記プリント回路基板は第2の回路基板を並列なピギーバック構成でサポートする第1の回路基板を備えたことを特徴とするDIMM。 - 請求項23に記載されたDIMMにおいて、
前記第1のメモリ・バンク部分および前記第2のメモリ・バンク部分はそれぞれが少くとも18個のSDRAMチップを備え、前記少くとも18個のSDRAMチップのそれぞれは16メガビットで4ビット幅であり、アドレス・パッドの前記第1のグループは少くとも14個のパッドを含み、前記状態メモリは少くとも2個の8メガビットで8ビット幅SDRAMチップを備えたことを特徴とするDIMM。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US44021495A | 1995-05-15 | 1995-05-15 | |
US08/440214 | 1995-05-15 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007201321A Division JP2007280435A (ja) | 1995-05-15 | 2007-08-01 | データおよび状態メモリを有する大メモリ容量のdimm |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09120671A JPH09120671A (ja) | 1997-05-06 |
JP4020271B2 true JP4020271B2 (ja) | 2007-12-12 |
Family
ID=23747896
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12050296A Expired - Fee Related JP4020271B2 (ja) | 1995-05-15 | 1996-05-15 | データおよび状態メモリを有する大メモリ容量のdimm |
JP2007201321A Withdrawn JP2007280435A (ja) | 1995-05-15 | 2007-08-01 | データおよび状態メモリを有する大メモリ容量のdimm |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007201321A Withdrawn JP2007280435A (ja) | 1995-05-15 | 2007-08-01 | データおよび状態メモリを有する大メモリ容量のdimm |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5790447A (ja) |
EP (2) | EP1020864B1 (ja) |
JP (2) | JP4020271B2 (ja) |
KR (1) | KR100215267B1 (ja) |
CN (1) | CN1142635A (ja) |
AU (1) | AU707453B2 (ja) |
CA (1) | CA2176642A1 (ja) |
DE (2) | DE69620650T2 (ja) |
IN (1) | IN188196B (ja) |
TW (1) | TW303433B (ja) |
Families Citing this family (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5991850A (en) * | 1996-08-15 | 1999-11-23 | Micron Technology, Inc. | Synchronous DRAM modules including multiple clock out signals for increasing processing speed |
US6310782B1 (en) * | 1996-10-31 | 2001-10-30 | Compaq Computer Corporation | Apparatus for maximizing memory density within existing computer system form factors |
US6006238A (en) * | 1997-01-31 | 1999-12-21 | Network Computing Devices, Inc. | Method and apparatus for migrating/shadowing data between a server and its clients |
US5953215A (en) * | 1997-12-01 | 1999-09-14 | Karabatsos; Chris | Apparatus and method for improving computer memory speed and capacity |
US6108228A (en) * | 1997-12-02 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Quad in-line memory module |
DE69836437T2 (de) | 1997-12-05 | 2007-09-27 | Intel Corporation, Santa Clara | Speichersystem mit speichermodul mit einem speichermodul-steuerbaustein |
US7007130B1 (en) * | 1998-02-13 | 2006-02-28 | Intel Corporation | Memory system including a memory module having a memory module controller interfacing between a system memory controller and memory devices of the memory module |
US6415364B1 (en) * | 1997-12-31 | 2002-07-02 | Unisys Corporation | High-speed memory storage unit for a multiprocessor system having integrated directory and data storage subsystems |
US7024518B2 (en) * | 1998-02-13 | 2006-04-04 | Intel Corporation | Dual-port buffer-to-memory interface |
US6970968B1 (en) * | 1998-02-13 | 2005-11-29 | Intel Corporation | Memory module controller for providing an interface between a system memory controller and a plurality of memory devices on a memory module |
US6968419B1 (en) * | 1998-02-13 | 2005-11-22 | Intel Corporation | Memory module having a memory module controller controlling memory transactions for a plurality of memory devices |
US6154821A (en) * | 1998-03-10 | 2000-11-28 | Rambus Inc. | Method and apparatus for initializing dynamic random access memory (DRAM) devices by levelizing a read domain |
US5982654A (en) * | 1998-07-20 | 1999-11-09 | Micron Technology, Inc. | System for connecting semiconductor devices |
US6347394B1 (en) | 1998-11-04 | 2002-02-12 | Micron Technology, Inc. | Buffering circuit embedded in an integrated circuit device module used for buffering clocks and other input signals |
KR100308214B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2001-12-17 | 윤종용 | 듀얼칩반도체집적회로장치 |
US6347367B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-02-12 | International Business Machines Corp. | Data bus structure for use with multiple memory storage and driver receiver technologies and a method of operating such structures |
US6115278A (en) * | 1999-02-09 | 2000-09-05 | Silicon Graphics, Inc. | Memory system with switching for data isolation |
US6338144B2 (en) * | 1999-02-19 | 2002-01-08 | Sun Microsystems, Inc. | Computer system providing low skew clock signals to a synchronous memory unit |
JP3515708B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2004-04-05 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6414868B1 (en) | 1999-06-07 | 2002-07-02 | Sun Microsystems, Inc. | Memory expansion module including multiple memory banks and a bank control circuit |
US6683372B1 (en) * | 1999-11-18 | 2004-01-27 | Sun Microsystems, Inc. | Memory expansion module with stacked memory packages and a serial storage unit |
US6772261B1 (en) | 2000-04-27 | 2004-08-03 | International Business Machines Corporation | Interface that allows testing and using memory modules in computer systems not designed for the modules |
US6833984B1 (en) * | 2000-05-03 | 2004-12-21 | Rambus, Inc. | Semiconductor module with serial bus connection to multiple dies |
JP4480855B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2010-06-16 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体デバイスを含むモジュール、及びモジュールを含むシステム |
KR100335504B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2002-05-09 | 윤종용 | 제어 및 어드레스 버스를 공유하는 2채널 메모리 시스템및 이에 채용되는 메모리 모듈 |
WO2002008910A1 (en) * | 2000-07-20 | 2002-01-31 | Silicon Graphics, Inc. | Memory device storing data and directory information thereon, and method for providing the directory information and the data in the memory device |
US6487102B1 (en) | 2000-09-18 | 2002-11-26 | Intel Corporation | Memory module having buffer for isolating stacked memory devices |
TW528948B (en) * | 2000-09-14 | 2003-04-21 | Intel Corp | Memory module having buffer for isolating stacked memory devices |
US6530006B1 (en) * | 2000-09-18 | 2003-03-04 | Intel Corporation | System and method for providing reliable transmission in a buffered memory system |
JP3923715B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2007-06-06 | 株式会社東芝 | メモリカード |
US6349050B1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-02-19 | Rambus, Inc. | Methods and systems for reducing heat flux in memory systems |
US6658530B1 (en) * | 2000-10-12 | 2003-12-02 | Sun Microsystems, Inc. | High-performance memory module |
US6362997B1 (en) * | 2000-10-16 | 2002-03-26 | Nvidia | Memory system for use on a circuit board in which the number of loads are minimized |
US6765812B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-07-20 | Honeywell International Inc. | Enhanced memory module architecture |
US6721185B2 (en) | 2001-05-01 | 2004-04-13 | Sun Microsystems, Inc. | Memory module having balanced data I/O contacts pads |
US20030090879A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-15 | Doblar Drew G. | Dual inline memory module |
US6714433B2 (en) * | 2001-06-15 | 2004-03-30 | Sun Microsystems, Inc. | Memory module with equal driver loading |
DE10142361B4 (de) * | 2001-08-30 | 2011-05-05 | Qimonda Ag | Speichermodul |
DE10149031A1 (de) | 2001-10-05 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | Speichervorrichtung |
US7656678B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-02-02 | Entorian Technologies, Lp | Stacked module systems |
US20030161198A1 (en) * | 2002-02-26 | 2003-08-28 | Peddle Charles I. | Method and apparatus for implementing a selectively operable clock booster for DDR memory or other logic modules which utilize partially-defective memory parts, or a combination of partially-defective and flawless memory parts |
JP2005519391A (ja) * | 2002-02-28 | 2005-06-30 | シリコン、グラフィクス、インコーポレイテッド | 共有ベクトルの増加を伴わないdsmマルチプロセッサシステムにおけるキャッシュコヒーレンスのための方法およびシステム |
US6751113B2 (en) * | 2002-03-07 | 2004-06-15 | Netlist, Inc. | Arrangement of integrated circuits in a memory module |
US7117421B1 (en) * | 2002-05-31 | 2006-10-03 | Nvidia Corporation | Transparent error correction code memory system and method |
US8386797B1 (en) | 2002-08-07 | 2013-02-26 | Nvidia Corporation | System and method for transparent disk encryption |
US7096323B1 (en) | 2002-09-27 | 2006-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Computer system with processor cache that stores remote cache presence information |
US6868485B1 (en) * | 2002-09-27 | 2005-03-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Computer system with integrated directory and processor cache |
US6930904B2 (en) * | 2002-11-22 | 2005-08-16 | Sun Microsystems, Inc. | Circuit topology for high-speed memory access |
US7096407B2 (en) * | 2003-02-18 | 2006-08-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Technique for implementing chipkill in a memory system |
US20040201968A1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-10-14 | Eric Tafolla | Multi-bank memory module |
US7234099B2 (en) * | 2003-04-14 | 2007-06-19 | International Business Machines Corporation | High reliability memory module with a fault tolerant address and command bus |
DE60305006T2 (de) * | 2003-05-08 | 2006-11-02 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsmodul mit miteinander verschalteten gruppen von überlappenden halbleiterchips |
US6982892B2 (en) * | 2003-05-08 | 2006-01-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for a physical layout of simultaneously sub-accessible memory modules |
US7392347B2 (en) | 2003-05-10 | 2008-06-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems and methods for buffering data between a coherency cache controller and memory |
US20060118950A1 (en) * | 2003-07-03 | 2006-06-08 | Smart Modular Technologies, Inc., A California Corporation | Multi function module |
JP4478922B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2010-06-09 | 旭有機材工業株式会社 | 作動流体用継手の受口およびその受口を有する弁 |
US7539909B2 (en) * | 2003-09-30 | 2009-05-26 | Intel Corporation | Distributed memory initialization and test methods and apparatus |
KR100574951B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 개선된 레지스터 배치 구조를 가지는 메모리 모듈 |
JP2005190036A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Hitachi Ltd | 記憶制御装置及び記憶制御装置の制御方法 |
US20050018495A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-01-27 | Netlist, Inc. | Arrangement of integrated circuits in a memory module |
US7224595B2 (en) * | 2004-07-30 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | 276-Pin buffered memory module with enhanced fault tolerance |
US7389375B2 (en) * | 2004-07-30 | 2008-06-17 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for a multi-mode memory buffer device |
US7539800B2 (en) * | 2004-07-30 | 2009-05-26 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing segment level sparing |
US7296129B2 (en) | 2004-07-30 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing a serialized memory interface with a bus repeater |
US7760513B2 (en) | 2004-09-03 | 2010-07-20 | Entorian Technologies Lp | Modified core for circuit module system and method |
US7443023B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-10-28 | Entorian Technologies, Lp | High capacity thin module system |
US7423885B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-09-09 | Entorian Technologies, Lp | Die module system |
KR100585158B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | Ecc 메모리 모듈 |
US20060095620A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for merging bus data in a memory subsystem |
US7305574B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-12-04 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for bus calibration in a memory subsystem |
US7299313B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-11-20 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for a memory subsystem command interface |
US7277988B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing data caching and data compression in a memory subsystem |
US7331010B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-02-12 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing fault detection and correction in a memory subsystem |
US7395476B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-07-01 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing a high speed test interface to a memory subsystem |
US7512762B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-03-31 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for a memory subsystem with positional read data latency |
US7441060B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-10-21 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for providing a service interface to a memory system |
US7356737B2 (en) | 2004-10-29 | 2008-04-08 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for testing a memory module |
KR100723486B1 (ko) * | 2005-05-12 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 심/딤 구조를 가지는 메모리 모듈 및 메모리 시스템 |
GB2441726B (en) | 2005-06-24 | 2010-08-11 | Metaram Inc | An integrated memory core and memory interface circuit |
DE102005033710B3 (de) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeichermodul mit Fehlerkorrektur |
US7478259B2 (en) * | 2005-10-31 | 2009-01-13 | International Business Machines Corporation | System, method and storage medium for deriving clocks in a memory system |
US7685392B2 (en) | 2005-11-28 | 2010-03-23 | International Business Machines Corporation | Providing indeterminate read data latency in a memory system |
US7636813B2 (en) | 2006-05-22 | 2009-12-22 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing remote pre-fetch buffers |
US7594055B2 (en) * | 2006-05-24 | 2009-09-22 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing distributed technology independent memory controllers |
US7640386B2 (en) * | 2006-05-24 | 2009-12-29 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing memory modules with multiple hub devices |
US7584336B2 (en) | 2006-06-08 | 2009-09-01 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing data modification operations in memory subsystems |
US20080002447A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Smart Modular Technologies, Inc. | Memory supermodule utilizing point to point serial data links |
US7493439B2 (en) * | 2006-08-01 | 2009-02-17 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing performance monitoring in a memory system |
US7669086B2 (en) * | 2006-08-02 | 2010-02-23 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing collision detection in a memory system |
US7581073B2 (en) | 2006-08-09 | 2009-08-25 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing distributed autonomous power management in a memory system |
US7587559B2 (en) * | 2006-08-10 | 2009-09-08 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for memory module power management |
US7490217B2 (en) | 2006-08-15 | 2009-02-10 | International Business Machines Corporation | Design structure for selecting memory busses according to physical memory organization information stored in virtual address translation tables |
US7539842B2 (en) | 2006-08-15 | 2009-05-26 | International Business Machines Corporation | Computer memory system for selecting memory buses according to physical memory organization information stored in virtual address translation tables |
US7477522B2 (en) * | 2006-10-23 | 2009-01-13 | International Business Machines Corporation | High density high reliability memory module with a fault tolerant address and command bus |
US7870459B2 (en) | 2006-10-23 | 2011-01-11 | International Business Machines Corporation | High density high reliability memory module with power gating and a fault tolerant address and command bus |
DE102006051514B4 (de) * | 2006-10-31 | 2010-01-21 | Qimonda Ag | Speichermodul und Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls |
US7721140B2 (en) * | 2007-01-02 | 2010-05-18 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for improving serviceability of a memory system |
KR100834826B1 (ko) * | 2007-01-25 | 2008-06-03 | 삼성전자주식회사 | 취급손상을 줄인 집적회로 모듈의 구조 및 모듈의 종단저항 배치방법 |
US7606988B2 (en) | 2007-01-29 | 2009-10-20 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing a dynamic memory bank page policy |
US7603526B2 (en) * | 2007-01-29 | 2009-10-13 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing dynamic memory pre-fetch |
US7818497B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-10-19 | International Business Machines Corporation | Buffered memory module supporting two independent memory channels |
US7584308B2 (en) * | 2007-08-31 | 2009-09-01 | International Business Machines Corporation | System for supporting partial cache line write operations to a memory module to reduce write data traffic on a memory channel |
US7865674B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | System for enhancing the memory bandwidth available through a memory module |
US8082482B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-12-20 | International Business Machines Corporation | System for performing error correction operations in a memory hub device of a memory module |
US8086936B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Performing error correction at a memory device level that is transparent to a memory channel |
US7840748B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-11-23 | International Business Machines Corporation | Buffered memory module with multiple memory device data interface ports supporting double the memory capacity |
US7899983B2 (en) | 2007-08-31 | 2011-03-01 | International Business Machines Corporation | Buffered memory module supporting double the memory device data width in the same physical space as a conventional memory module |
US7861014B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-12-28 | International Business Machines Corporation | System for supporting partial cache line read operations to a memory module to reduce read data traffic on a memory channel |
US8019919B2 (en) * | 2007-09-05 | 2011-09-13 | International Business Machines Corporation | Method for enhancing the memory bandwidth available through a memory module |
US7558887B2 (en) * | 2007-09-05 | 2009-07-07 | International Business Machines Corporation | Method for supporting partial cache line read and write operations to a memory module to reduce read and write data traffic on a memory channel |
US20090119114A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | David Alaniz | Systems and Methods for Enabling Customer Service |
US7925824B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | System to reduce latency by running a memory channel frequency fully asynchronous from a memory device frequency |
US7925825B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | System to support a full asynchronous interface within a memory hub device |
US7930470B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | System to enable a memory hub device to manage thermal conditions at a memory device level transparent to a memory controller |
US7770077B2 (en) * | 2008-01-24 | 2010-08-03 | International Business Machines Corporation | Using cache that is embedded in a memory hub to replace failed memory cells in a memory subsystem |
US8140936B2 (en) * | 2008-01-24 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | System for a combined error correction code and cyclic redundancy check code for a memory channel |
US7930469B2 (en) | 2008-01-24 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | System to provide memory system power reduction without reducing overall memory system performance |
US7925826B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | System to increase the overall bandwidth of a memory channel by allowing the memory channel to operate at a frequency independent from a memory device frequency |
KR101393311B1 (ko) | 2008-03-19 | 2014-05-12 | 삼성전자주식회사 | 프로세스 변화량을 보상하는 멀티 칩 패키지 메모리 |
US8472199B2 (en) * | 2008-11-13 | 2013-06-25 | Mosaid Technologies Incorporated | System including a plurality of encapsulated semiconductor chips |
JP5422974B2 (ja) | 2008-11-18 | 2014-02-19 | 富士通株式会社 | 誤り判定回路及び共有メモリシステム |
US7984326B2 (en) * | 2009-05-14 | 2011-07-19 | International Business Machines Corporation | Memory downsizing in a computer memory subsystem |
US8626997B2 (en) | 2009-07-16 | 2014-01-07 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory in a dual inline memory module |
JP5752686B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2015-07-22 | ラムバス・インコーポレーテッド | 原子メモリ装置 |
US8768981B1 (en) | 2010-08-27 | 2014-07-01 | Disney Enterprises, Inc. | System and method for distributing and accessing files in a distributed storage system |
US8290919B1 (en) | 2010-08-27 | 2012-10-16 | Disney Enterprises, Inc. | System and method for distributing and accessing files in a distributed storage system |
US8392368B1 (en) * | 2010-08-27 | 2013-03-05 | Disney Enterprises, Inc. | System and method for distributing and accessing files in a distributed storage system |
KR20140122709A (ko) | 2012-01-31 | 2014-10-20 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 광학 구조들, 광학 분배 매트릭스들, 및 광학 기구들의 제조 방법들 |
KR20140000010A (ko) | 2012-06-22 | 2014-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
KR101456503B1 (ko) * | 2013-05-15 | 2014-11-03 | (주)실리콘화일 | 스택 메모리 |
KR101545952B1 (ko) * | 2013-10-28 | 2015-08-21 | (주)실리콘화일 | 스택 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
WO2015183303A1 (en) | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory access signal detection |
US9298228B1 (en) | 2015-02-12 | 2016-03-29 | Rambus Inc. | Memory capacity expansion using a memory riser |
US9916873B2 (en) * | 2015-02-12 | 2018-03-13 | Rambus Inc. | Extended capacity memory module with dynamic data buffers |
US10635307B2 (en) | 2015-06-30 | 2020-04-28 | International Business Machines Corporation | Memory state indicator |
US10248418B2 (en) | 2015-06-30 | 2019-04-02 | International Business Machines Corporation | Cleared memory indicator |
US10884945B2 (en) | 2015-06-30 | 2021-01-05 | International Business Machines Corporation | Memory state indicator check operations |
US9530513B1 (en) * | 2015-11-25 | 2016-12-27 | Intel Corporation | Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts |
KR102662417B1 (ko) * | 2017-01-11 | 2024-04-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
US11328750B1 (en) * | 2021-01-22 | 2022-05-10 | Arm Limited | Bitcell architecture with buried ground rail |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5952483A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-27 | Fujitsu Ltd | 主記憶装置 |
US4727513A (en) * | 1983-09-02 | 1988-02-23 | Wang Laboratories, Inc. | Signal in-line memory module |
US4656605A (en) * | 1983-09-02 | 1987-04-07 | Wang Laboratories, Inc. | Single in-line memory module |
US4610000A (en) * | 1984-10-23 | 1986-09-02 | Thomson Components-Mostek Corporation | ROM/RAM/ROM patch memory circuit |
JPS62260244A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-12 | Nintendo Co Ltd | メモリカ−トリツジ |
GB8625705D0 (en) * | 1986-10-28 | 1986-12-03 | Cuthbert R M | Variable orifice flow meter |
US4802119A (en) * | 1987-03-17 | 1989-01-31 | Motorola, Inc. | Single chip microcomputer with patching and configuration controlled by on-board non-volatile memory |
EP0333207B1 (en) * | 1988-03-18 | 1997-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask rom with spare memory cells |
AU628547B2 (en) * | 1989-05-19 | 1992-09-17 | Compaq Computer Corporation | Modular computer memory circuit board |
US5089993B1 (en) * | 1989-09-29 | 1998-12-01 | Texas Instruments Inc | Memory module arranged for data and parity bits |
JPH03248243A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nec Corp | 情報処理装置 |
JP3532932B2 (ja) * | 1991-05-20 | 2004-05-31 | モトローラ・インコーポレイテッド | 時間重複メモリ・アクセスを有するランダムにアクセス可能なメモリ |
US5200917A (en) * | 1991-11-27 | 1993-04-06 | Micron Technology, Inc. | Stacked printed circuit board device |
US5319591A (en) * | 1991-12-26 | 1994-06-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Memory module |
US5164916A (en) * | 1992-03-31 | 1992-11-17 | Digital Equipment Corporation | High-density double-sided multi-string memory module with resistor for insertion detection |
US5214570A (en) * | 1992-04-03 | 1993-05-25 | Clearpoint Research Corporation | Compact memory module |
US5270964A (en) * | 1992-05-19 | 1993-12-14 | Sun Microsystems, Inc. | Single in-line memory module |
US5272664A (en) * | 1993-04-21 | 1993-12-21 | Silicon Graphics, Inc. | High memory capacity DRAM SIMM |
US5477553A (en) * | 1994-07-22 | 1995-12-19 | Professional Computer Systems, Inc. | Compressed memory address parity checking apparatus and method |
US5513135A (en) * | 1994-12-02 | 1996-04-30 | International Business Machines Corporation | Synchronous memory packaged in single/dual in-line memory module and method of fabrication |
US5526320A (en) * | 1994-12-23 | 1996-06-11 | Micron Technology Inc. | Burst EDO memory device |
US5787476A (en) * | 1995-05-05 | 1998-07-28 | Silicon Graphics, Inc. | System and method for maintaining coherency of virtual-to-physical memory translations in a multiprocessor computer |
US5634110A (en) * | 1995-05-05 | 1997-05-27 | Silicon Graphics, Inc. | Cache coherency using flexible directory bit vectors |
JP3889044B2 (ja) * | 1995-05-05 | 2007-03-07 | シリコン、グラフィクス、インコーポレイテッド | 不均一メモリ・アクセス(numa)システムにおけるページ移動 |
US5682479A (en) * | 1995-05-05 | 1997-10-28 | Silicon Graphics, Inc. | System and method for network exploration and access |
US5680576A (en) * | 1995-05-05 | 1997-10-21 | Silicon Graphics, Inc. | Directory-based coherence protocol allowing efficient dropping of clean-exclusive data |
-
1996
- 1996-05-13 IN IN870CA1996 patent/IN188196B/en unknown
- 1996-05-14 DE DE69620650T patent/DE69620650T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-14 DE DE69610662T patent/DE69610662T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-14 EP EP00107135A patent/EP1020864B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-14 EP EP96303385A patent/EP0744748B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-15 CN CN96107419A patent/CN1142635A/zh active Pending
- 1996-05-15 AU AU52269/96A patent/AU707453B2/en not_active Ceased
- 1996-05-15 CA CA002176642A patent/CA2176642A1/en not_active Abandoned
- 1996-05-15 JP JP12050296A patent/JP4020271B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-15 KR KR1019960016091A patent/KR100215267B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-14 TW TW085107180A patent/TW303433B/zh active
- 1996-11-12 US US08/747,975 patent/US5790447A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-31 US US09/126,944 patent/US6049476A/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-08-01 JP JP2007201321A patent/JP2007280435A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69610662D1 (de) | 2001-03-08 |
JPH09120671A (ja) | 1997-05-06 |
DE69620650T2 (de) | 2002-11-28 |
EP1020864A1 (en) | 2000-07-19 |
EP1020864B1 (en) | 2002-04-10 |
IN188196B (ja) | 2002-08-31 |
AU707453B2 (en) | 1999-07-08 |
US6049476A (en) | 2000-04-11 |
EP0744748A2 (en) | 1996-11-27 |
DE69620650D1 (de) | 2002-05-16 |
KR960042366A (ko) | 1996-12-21 |
CN1142635A (zh) | 1997-02-12 |
EP0744748A3 (en) | 1996-12-18 |
CA2176642A1 (en) | 1996-11-16 |
TW303433B (ja) | 1997-04-21 |
DE69610662T2 (de) | 2001-04-12 |
EP0744748B1 (en) | 2000-10-18 |
KR100215267B1 (ko) | 1999-08-16 |
JP2007280435A (ja) | 2007-10-25 |
US5790447A (en) | 1998-08-04 |
AU5226996A (en) | 1996-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4020271B2 (ja) | データおよび状態メモリを有する大メモリ容量のdimm | |
US5870325A (en) | Memory system with multiple addressing and control busses | |
JP3999516B2 (ja) | スタック・メモリ・パッケージを備えたメモリ拡張モジュール | |
US5686730A (en) | Dimm pair with data memory and state memory | |
KR100235222B1 (ko) | 싱글 인라인 메모리 모듈 | |
KR100192187B1 (ko) | 단일/이중 인-라인 메모리 모듈에 패키징되는 동기식 메모리 및 제조 방법 | |
JP3550143B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
EP1723526B1 (en) | Dynamic command and/or address mirroring system and method for memory modules | |
US6714433B2 (en) | Memory module with equal driver loading | |
US5276832A (en) | Computer system having a selectable cache subsystem | |
US20060212622A1 (en) | Memory system | |
EP1665056A2 (en) | Multiple processor system and method including multiple memory hub modules | |
WO2010031160A1 (en) | Mass data storage system with non-volatile memory modules | |
US8533430B2 (en) | Memory hashing for stride access | |
US7167967B2 (en) | Memory module and memory-assist module | |
US5265053A (en) | Main memory DRAM interface | |
US5950220A (en) | Method and apparatus for providing a logical double sided memory element by mapping single sided memory elements onto a logical double sided memory address space | |
TWI224261B (en) | Mother board utilizing a single-channel memory controller to control multiple dynamic-random-access memories | |
TWI786868B (zh) | 記憶體模組、主板以及伺服器裝置 | |
JP2004094785A (ja) | メモリモジュールおよびメモリ用補助モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070209 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070509 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070824 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070920 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |