KR960035708A - 개량된 절연 특성을 가진 전계 방출 냉음극 및 그 제조 방법 - Google Patents

개량된 절연 특성을 가진 전계 방출 냉음극 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960035708A
KR960035708A KR1019960007546A KR19960007546A KR960035708A KR 960035708 A KR960035708 A KR 960035708A KR 1019960007546 A KR1019960007546 A KR 1019960007546A KR 19960007546 A KR19960007546 A KR 19960007546A KR 960035708 A KR960035708 A KR 960035708A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating layer
layer
cold cathode
field emission
substrate
Prior art date
Application number
KR1019960007546A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100223203B1 (ko
Inventor
노부야 세꼬
히로노리 이무라
마사유끼 요시끼
구니히로 시오따
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR960035708A publication Critical patent/KR960035708A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100223203B1 publication Critical patent/KR100223203B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

상이한 물질로 구성되거나 또한 상이한 방법 또는 상이한 조건에 의해 제조된 동일한 물질로 구성된 적층 막들이 전계 방출 냉음극용 절연층으로 이용된다. 절연층은 두께 방향면에서 연속적으로 변화하는 성분을 가진다. 절연층의 횡단면은 불균일하게 제조된다. 선택적으로, 기판, 절연층 및 진공 콘택이 배치되는 3중 접합이 외곽으로부터 내려다 볼수 없는 위치에 배치된다.

Description

개량된 절연 특성을 가진 전계 방출 냉음극 및 그 제조방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계 방출 냉음극의 단면도, 제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계방출 냉음극의 제조단계를 도시하는 단면도, 제3A도 내지 제3C도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계 방출 냉음극의 게이트층 및 절연층의 개구부 직경들 사이의 관계를 도시하는 단면도, 제4A도 및 제4B도는 본 발명의 제2실시예에 따른 전계 방출 냉음극의 제조 단계를 도시하는단면도. 제5A도 및 제5B도는 본 발명의 제3실시예에 따른 전계 방출 냉음극의 제조 단계를 도시하는 단면도.

Claims (11)

  1. 기판, 적어도 하나의 상기 기판의 도전성표면, 상기 기판의 상기 도전성 표면상에 형성된 절연층 집성물 및 도전성 게이트층, 및 상기 절연층 및 상기 도전성 게이트층 내에 형성괸 캐버티(cavity)내에 배치된 에미터 전극을 포함하는 전계 방출 냉음극에 있어서; 상기 절연층 집성물이적어도 2개의 적층 절연층으로 구성되며, 상기 캐버티를 형성하는 상기 층들의 단부에 의해 형성된 벽(wall)표면이 상기 게이트층에 가장 가까운 층이외의 적어도 한 층의 한 단부가 꺼지는 (sunk)단면 구조를 가지는것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층 집성물의 성분이 연속적으로 변하는것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  3. 제1항에 있어서, 식 -Dg/2<Dg-Di<Dg/3이 만족되고, 여기서 Dg는 상기 게이트층의 개구부(opening)의 직경이며, Di는상기 절연층의 단부사이의 직경이며, 상기 절연층은 상기 캐버티의 한부분을 형성하며 상기 게이트층에 가장 인접한 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판, 상기 절연층 집성물. 및 공간 콘택(space contact)의 노출부분인 3중접합(triple junction)이 외곽측으로부터 내려다보이는 위치에 배치되며, 상기 기판의 상기 노출된 부분이 상기 캐버티를 마주보며 상기 에미터 전극은 상기 기판의 상기 노출된 부분 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  5. 제1항에 있어서, 상기기판의 상기노출된 부분이 상기 절연층 집성물 및 상기 기판 사이의 인터페이스(interface)와 동일한 레벨인 것을특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  6. 전계 방출 냉음극에 있어서, 절연 기판상에 도전층을 적층함으로써 형성되는 도전성 기판 또는 상기 기판 상에 증착된 절연층 및도전성 게이트층과 상기 게이트층 상에 증착된 중간 절연층 및 도전성 제어 전극층으로 구성된 결합체, 및 상기 제어 전극층, 중간 절연층, 게이트층 및 절연층내에 형성된 캐버티내에 배치된 뾰족한 상부를 가지는 거의 원뿔형의 에미터 전극을 포함하며, 상기 중간층이 상이한 물질로 형성되거나 동일한 물질로 상이한 방법에 의해제조되는적어도 2개의 막으로 구성되며, 상기 캐버티를 형성하는 절연층의 단부에 의해형성된 벽 표면이 상기 게이트층에 가장 가까운 중간 절연층이 아닌, 적어도 하나의 절연층의 한 단부가 꺼지는 단면 구조를 가지는것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  7. 제6항에 있어서, 상기 중간 절연층의 성분이 연속적으로 변하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  8. 제1항에 따른 전계 방출 냉음극의 제조 방법에 있어서, 절연층 상에 게이트층, 중간 절연층 및 제어 전극층을 형성한 이후에, 불균일성이 없는 캐버티가 이방성(anisotrpic)에칭에 의해 형성되며, 불균일성이 선택적 에칭에 의해 단면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 절연층 및상기 중간 절연층이 실리콘 산화물 및실리콘 질화물로부터 선택된 물질로 제조되는것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  10. 제8항에 있어서, 상기 선택적 에칭은 상기 에미터 전극의형성 이후에수행되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  11. 제7항에 따른 전계 방출 냉음극의 제조방법에 있어서, 화학 기상 증착내의 반응 개스의 성분이 혼합되는 방법이 상기 절연층 또는 중간 절연층의 성분을 변화시키는 방법으로 채택되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960007546A 1995-03-20 1996-03-20 개량된 절연 특성을 가진 전계 방출 냉음극 및 그 제조방법 KR100223203B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6088695 1995-03-20
JP95-060886 1995-03-20
JP96-034630 1996-02-22
JP3463096A JP3070469B2 (ja) 1995-03-20 1996-02-22 電界放射冷陰極およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960035708A true KR960035708A (ko) 1996-10-24
KR100223203B1 KR100223203B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=26373457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960007546A KR100223203B1 (ko) 1995-03-20 1996-03-20 개량된 절연 특성을 가진 전계 방출 냉음극 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6075315A (ko)
JP (1) JP3070469B2 (ko)
KR (1) KR100223203B1 (ko)
FR (1) FR2734401A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100730108B1 (ko) * 2001-02-15 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 냉음극을 채용한 전자총

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3139375B2 (ja) * 1996-04-26 2001-02-26 日本電気株式会社 電界放射冷陰極の製造方法
US5760535A (en) * 1996-10-31 1998-06-02 Motorola, Inc. Field emission device
US6015323A (en) * 1997-01-03 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Field emission display cathode assembly government rights
JP3044603B2 (ja) * 1997-01-08 2000-05-22 双葉電子工業株式会社 電界放出素子の製造方法
JP3144475B2 (ja) * 1997-06-25 2001-03-12 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極の製造方法
JP3303908B2 (ja) 1997-12-03 2002-07-22 日本電気株式会社 微小冷陰極およびその製造方法
KR100464299B1 (ko) * 1998-04-10 2005-06-02 삼성에스디아이 주식회사 전계효과전자방출소자의제조방법
FR2779271B1 (fr) * 1998-05-26 2000-07-07 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une source d'electrons a micropointes, a grille de focalisation auto-alignee
JP2000215787A (ja) * 1999-01-21 2000-08-04 Nec Corp 電界放出型冷陰極素子、その製造方法及び画像表示装置
US6197607B1 (en) * 1999-03-01 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Method of fabricating field emission arrays to optimize the size of grid openings and to minimize the occurrence of electrical shorts
KR20010003752A (ko) * 1999-06-25 2001-01-15 김영환 전계방출 표시소자의 제조방법
US6420822B1 (en) * 1999-07-15 2002-07-16 Northrop Grumman Corporation Thermionic electron emitter based upon the triple-junction effect
KR20010058197A (ko) * 1999-12-24 2001-07-05 박종섭 전계방출표시 소자의 제조방법
US6429596B1 (en) * 1999-12-31 2002-08-06 Extreme Devices, Inc. Segmented gate drive for dynamic beam shape correction in field emission cathodes
KR20020037421A (ko) * 2000-11-14 2002-05-21 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 전계방출소자의 제조방법
US7030550B2 (en) * 2001-02-01 2006-04-18 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emission device with multi-layered fate electrode
JP4830217B2 (ja) * 2001-06-18 2011-12-07 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極およびその製造方法
KR100590524B1 (ko) * 2001-12-06 2006-06-15 삼성에스디아이 주식회사 포커싱 전극을 가지는 전계방출소자 및 그 제조방법
US6963160B2 (en) * 2001-12-26 2005-11-08 Trepton Research Group, Inc. Gated electron emitter having supported gate
KR100869787B1 (ko) * 2002-09-04 2008-11-21 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시 장치 및 전계 방출 표시 장치의 제조방법
US20040059474A1 (en) * 2002-09-20 2004-03-25 Boorman Daniel J. Apparatuses and methods for displaying autoflight information
JP4219724B2 (ja) * 2003-04-08 2009-02-04 三菱電機株式会社 冷陰極発光素子の製造方法
US8388432B2 (en) * 2004-01-12 2013-03-05 Igt Bi-stable downloadable reel strips
KR20050104643A (ko) * 2004-04-29 2005-11-03 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시장치용 캐소드 기판, 전자 방출 표시장치및 이의 제조 방법
JP4763973B2 (ja) * 2004-05-12 2011-08-31 日本放送協会 冷陰極素子及びその製造方法
KR20050112818A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자와 이의 제조 방법
KR101065371B1 (ko) * 2004-07-30 2011-09-16 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자
US20060066217A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Son Jong W Cathode structure for field emission device
US7825591B2 (en) * 2006-02-15 2010-11-02 Panasonic Corporation Mesh structure and field-emission electron source apparatus using the same
US20070188090A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Matsushita Toshiba Picture Display Co., Ltd. Field-emission electron source apparatus
KR20070083113A (ko) * 2006-02-20 2007-08-23 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR100787235B1 (ko) * 2006-05-19 2007-12-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치와 이 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법 및이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시장치
KR100814849B1 (ko) * 2006-08-29 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치, 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법 및 이발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시장치
CN101452797B (zh) * 2007-12-05 2011-11-09 清华大学 场发射电子源及其制备方法
CN101807501B (zh) * 2010-03-15 2012-05-09 彩虹集团公司 薄膜型fed下基板的制作方法
WO2012128992A1 (en) * 2011-03-18 2012-09-27 Sri International Corrugated dielectric for reliable high-current charge-emission devices
KR102025970B1 (ko) * 2012-08-16 2019-09-26 나녹스 이미징 피엘씨 영상 캡처 장치
KR20200002220U (ko) 2019-04-01 2020-10-12 송유진 가변형 안전 난간대

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2641412B1 (fr) * 1988-12-30 1991-02-15 Thomson Tubes Electroniques Source d'electrons du type a emission de champ
JPH03252029A (ja) * 1990-02-28 1991-11-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0422337A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Siemens Asahi Medeitetsuku Kk 磁界発生装置
JP3033179B2 (ja) * 1990-10-30 2000-04-17 ソニー株式会社 電界放出型エミッタ及びその製造方法
JP2969913B2 (ja) * 1990-10-30 1999-11-02 ソニー株式会社 電界放出型エミッタ
JPH04262337A (ja) * 1991-02-15 1992-09-17 Kawasaki Steel Corp 電界放出陰極の製造方法
JPH04280037A (ja) * 1991-03-07 1992-10-06 Nec Corp マイクロ波管
DE69211581T2 (de) * 1991-03-13 1997-02-06 Sony Corp Anordnung von Feldemissionskathoden
US5266530A (en) * 1991-11-08 1993-11-30 Bell Communications Research, Inc. Self-aligned gated electron field emitter
JPH06131970A (ja) * 1992-04-15 1994-05-13 Nec Corp 微小真空素子の製造方法
US5534743A (en) * 1993-03-11 1996-07-09 Fed Corporation Field emission display devices, and field emission electron beam source and isolation structure components therefor
US5394006A (en) * 1994-01-04 1995-02-28 Industrial Technology Research Institute Narrow gate opening manufacturing of gated fluid emitters
JPH07282718A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Sony Corp フィールドエミッション素子を用いた表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100730108B1 (ko) * 2001-02-15 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 냉음극을 채용한 전자총

Also Published As

Publication number Publication date
US6075315A (en) 2000-06-13
FR2734401A1 (fr) 1996-11-22
JPH08321255A (ja) 1996-12-03
JP3070469B2 (ja) 2000-07-31
KR100223203B1 (ko) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960035708A (ko) 개량된 절연 특성을 가진 전계 방출 냉음극 및 그 제조 방법
US6972440B2 (en) Enhanced T-gate structure for modulation doped field effect transistors
KR920015542A (ko) 반도체장치의 다층배선형성법
JPH10256240A (ja) 半導体装置の製造方法
EP0406025A2 (en) Method for fabricating a semiconductor device in which an insulating layer thereof has a uniform thickness
US4755482A (en) Making semiconductor device on insulating substrate by forming conductive layers on both major surfaces
KR960027004A (ko) 반도체 장치의 측면콘택 형성방법
US6908806B2 (en) Gate metal recess for oxidation protection and parasitic capacitance reduction
JPH05335585A (ja) 絶縁ゲート型電力用半導体素子の製造方法
KR100336839B1 (ko) 소자간 콘택 형성 방법
JPH05291408A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR100212466B1 (ko) 안티퓨즈 소자의 제조방법
KR100272579B1 (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR970067475A (ko) 실리콘 팁 필드 에미터의 제조방법
KR940007295B1 (ko) 비트라인 구조 및 그 제조방법
KR980005626A (ko) 반도체 소자의 콘택 형성방법
KR870011687A (ko) 반도체 집적회로의 제조공정에서 절연층 내부로 에칭된 콘택호올을 텅스텐으로 메꾸는 방법
KR0173916B1 (ko) 화산형 전계 방출 소자 제조 방법
KR960030370A (ko) 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스 제조 방법
KR20040059853A (ko) 구리 확산 장벽 제조 방법
KR100290231B1 (ko) 반도체소자의콘택형성방법
KR19980050949A (ko) 기상시각을 이용한 금속 배선간 에어갭 형성 방법
US6890866B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR960009060A (ko) 필드 에미터 소자 및 그 제조방법
KR900000979A (ko) 반도체 장치 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020624

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee