JP3144475B2 - 電界放出型冷陰極の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電界放出型冷陰極に
関し、特に先鋭な先端形状のエミッタを有する電界放出
型冷陰極とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電界放出型冷陰極は、先鋭なコーン形状
のエミッタと、サブミクロンオーダの開口を有しエミッ
タに近接して形成されるゲート電極とにより、エミッタ
先端に高電界を集中し、真空中でエミッタ先端から電子
を放出させる素子で、別に設けたアノード電極でその電
子を受ける。近年微細加工技術の発展により小型化が進
み３極管型の超小型電子管や薄型表示装置の超小型電子
銃の構成要素として広く使用されている。従来の電界放
出型冷陰極は１００Ｖ程度の電圧をエミッタとゲート電
極の間にかけることにより１０ｎｍオーダーの先鋭な曲
率半径を有するエミッタから電子が放出されていた。し
かしながら、動作電圧が１００Ｖ以上では消費電力や制
御回路の面から動作条件が制限を受けるため、低電圧で
の動作が求められていた。その一つの方法として、ゲー
ト電極の開口部の径を微細化する方法がある。しかしな
がら、ゲート電極の開口部の径を微細化するとゲート・
エミッタ間の絶縁膜の膜厚も薄くなり絶縁耐圧が劣化す
るので、絶縁耐力の劣化が抑制できるゲート電極の開口
部の径の微細化手法が求められていた。

【０００３】この要求に対応するため従来、例えば特開
平５−９４７６２号公報、特開平８−３２１２５５号公
報や特開平７−６５７０６号公報にゲート電極の開口部
の径の微細化手法が開示されている。

【０００４】図１３は特開平５−９４７６２号公報で開
示された第１の従来例の電界放出型冷陰極の製造工程を
示す模式的断面図であり、（ａ）はシリコン基板に絶縁
膜を形成した状態、（ｂ）は絶縁膜をマスクにシリコン
基板をエッチングし凸部を形成した状態、（ｃ）はシリ
コン基板上に絶縁膜を形成し、ゲート電極材料を堆積し
た状態、（ｄ）は不要部をエッチング等で除去して電界
放出型冷陰極が形成された状態である。図中符号７０１
はシリコン基板、７０１ａはシリコン基板の凸部、７０
２、７０３は絶縁膜、７０４はエミッタ、７０７はゲー
ト電極、７０７ａはゲート電極材料である。

【０００５】第１の従来例を図１３を参照して工程順に
説明する。まず、図１３（ａ）に示すように、シリコン
基板７０１表面を熱酸化して酸化膜よりなる絶縁膜７０
２を０．２〜０．３μｍ厚に形成する。次に、図１３
（ｂ）に示すように、絶縁膜７０２の表面にレジストを
用いてパターニングし、絶縁膜７０２を所望の形状にエ
ッチングにする。次に、このエッチングされた絶縁膜７
０２をマスクとしてシリコン基板７０１の表面をドライ
エッチング法により等方的にエッチングし図のような凸
部７０１ａを形成する。次に図１３（ｃ）に示すよう
に、シリコン基板７０１の表面を熱酸化し、０．３〜
０．５μｍ程度の深さの酸化膜よりなる絶縁膜７０３を
形成する。この際、凸部７０１ａの表面も酸化されるた
め酸化膜の下に円錐形状のエミッタ７０４が形成され
る。次に、モリブデン等のゲート電極材料７０７ａを斜
め方向からの回転電子ビーム蒸着により０．２μｍ厚程
度に堆積し、ゲート電極７０７を絶縁膜７０３上に形成
する。次に図１３（ｄ）に示すように、絶縁膜７０２お
よびエミッタ７０４上の絶縁膜７０３を弗酸で除去す
る。この工程でエミッタ７０４上のゲート電極材料７０
７ａはリフトオフされエミッタ７０４が露出し、電界放
出型冷陰極が形成される。

【０００６】この第１の従来例ではゲート電極７０７の
下の絶縁膜７０３を絶縁性の良い熱酸化膜で形成するこ
とによりエミッタ７０４とゲート電極７０７との間の距
離短縮が可能となっている。

【０００７】次に第２の従来例を説明する。図１４は特
開平８−３２１２５５号公報で開示された第２の従来例
の電界放出型冷陰極の製造工程を示す模式的断面図であ
り、（ａ）はシリコン基板に絶縁膜とゲート電極を形成
した状態、（ｂ）は絶縁膜とゲート電極をエッチングし
て開口部を形成し、酸化絶縁膜をエッチングにより開口
部より後退させた状態、（ｃ）は犠牲層を形成しエミッ
タ材料層を堆積させた状態、（ｄ）は不要部をエッチン
グ等で除去して電界放出型冷陰極が形成された状態であ
る。図中符号８０１はシリコン基板、８０３、８１４は
絶縁膜、８０４はエミッタ、８０７はゲート電極、８１
２は犠牲層、８１３はエミッタ材料層である。

【０００８】まず、図１４（ａ）に示すように、シリコ
ン基板８０１上に熱酸化膜などの絶縁膜８０３を形成
し、更に窒化膜などの絶縁膜８１４をＣＶＤ法を用いて
０．２μｍ成長し、０．２μｍ厚のモリブデンなどのゲ
ート電極８０７をスパッタ法などで堆積する。次に、図
１４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィレジスト
等（不図示）をパターニングし、それをマスクにＲＩＥ
法により円形状の開口をゲート電極８０７、絶縁膜８１
４および絶縁膜８０３に形成し、さらに弗酸により絶縁
膜８０３を選択的にウェットエッチングして開口端より
も後退させる。次に、図１４（ｃ）に示すように、斜め
方向からの電子ビーム蒸着によりアルミなどの犠牲層８
１２を形成し、さらに垂直方向からの電子ビーム蒸着に
よりモリブデンなどのエミッタ材料層８１３を堆積す
る。この際に開口内のシリコン基板１上には先鋭なエミ
ッタ４が形成される。次に、図１４（ｄ）に示すように
犠牲層８０７をリン酸でエッチングして、エミッタ材料
層８１３をリフトオフし除去することにより図のような
電界放出型冷陰極が完成する。

【０００９】この方法ではゲート電極８０７の下の絶縁
膜を膜質の異なる２層で形成し、その一方をサイドエッ
チングさせることにより絶縁膜の表面距離を長くしてゲ
ート電極とエミッタまたはシリコン基板間の絶縁性を向
上させている。

【００１０】次に、第３の従来例について説明する。図
１５は特開平７−６５７０６号公報で開示された第３の
従来例の電界放出型冷陰極の製造工程を示す模式的断面
図であり、（ａ）はシリコン基板上に窒化膜と酸化膜を
堆積して所望の形状に等方的と異方的にエッチングして
凸部をシリコン基板に形成した状態、（ｂ）は熱酸化に
よりシリコン基板表面に絶縁膜を形成した状態、（ｃ）
は絶縁膜を蒸着法により堆積して襟状の成長部を形成
し、ゲート電極材料を堆積した状態、（ｄ）は不要部を
エッチング等で除去して電界放出型冷陰極が形成された
状態である。図中符号９０１はシリコン基板、９０１ａ
はシリコン基板の凸部、９０３、９１９は絶縁膜、９０
４はエミッタ、９０７はゲート電極、９０７ａはゲート
電極材料、９１７は窒化膜、９１８は酸化膜、９１９ａ
は絶縁膜の襟状の成長部である。

【００１１】まず、図１５（ａ）に示すようにシリコン
基板９０１上に３００ｎｍ厚の窒化膜９１７と３００ｎ
ｍ厚の酸化膜９１８をＣＶＤ法により堆積し、フォトリ
ソグラフィを利用し酸化膜９１８および窒化膜９１７を
パターニングし、これをマスクとしてシリコン基板９０
１をＳＦ６等のエッチングガスで初期は等方的にエッチ
ングし次に異方的にエッチングし、図のように先端が細
い凸部９０１ａがシリコン基板９０１上に形成される。
次に、図１５（ｂ）に示すように、熱酸化を施しシリコ
ン基板９０１表面に酸化膜よりなる絶縁膜９０３を形成
する。この工程でシリコン基板９０１上の凸部９０１ａ
は絶縁膜９０３の下で先鋭化しエミッタ９０４が形成さ
れると同時にエミッタ９０４の側壁に形成された絶縁膜
９０３はマスク膜である窒化膜９１７酸化膜９１８より
も幅が広くなる。次に図１５（ｃ）に示すように、蒸着
法により１μｍ厚の酸化膜よりなる絶縁膜９１９を形成
する。この工程でエミッタ９０４の側壁の絶縁膜９０３
のうち窒化膜９１７および酸化膜９１８よりも幅の広い
領域の上部から蒸着時の絶縁膜９１９が堆積していき、
図のような襟状の成長部９１９ａが形成される。次に、
斜め方向からゲート電極９０７として２００ｎｍ厚のク
ロムなどを堆積する。この際、ゲート電極９０７は絶縁
膜９１９の襟状の成長部９１９ａ上にも成長しエミッタ
９０４に最も近い領域では絶縁膜９０３上にまで成長す
る。次に図１５（ｄ）に示すように、弗酸で絶縁膜９０
３をエッチングすることによりゲート電極材料層９０７
ａや窒化膜９１７はリフトオフされ、エミッタ９０４が
露出して電界放出型冷陰極が完成する。この方法では蒸
着で形成した襟状の成長部９１９ａを利用することによ
りゲート電極９０７とエミッタ９０４との間の距離を狭
く形成することが可能である。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来技術の第１の問題
点は、ゲート電極下の絶縁膜を絶縁性の良い熱酸化膜で
形成し、酸化膜厚でゲート電極とエミッタ間の距離を決
める第１の従来例で代表される方法では、微細化により
絶縁膜の沿面での耐圧劣化が生じることである。これは
ゲート・エミッタ間の距離が熱酸化膜の膜厚で決まるこ
とから、ある程度以上の膜厚では十分な耐圧があるが、
ゲート・エミッタ間の距離を短縮することにより酸化膜
厚が薄くなると酸化膜厚で決まるゲート電極とエミッタ
間の絶縁膜表面の沿面距離が短縮し、短縮による沿面放
電、リーク電流の発生などによりゲート電極とエミッタ
間の耐圧が劣化するためである。

【００１３】次に第２の問題点は、微細化を進めると絶
縁膜の耐圧が劣化していくことである。これは微細化に
より第１の従来例で示すようなゲート電極の開口の径が
絶縁膜厚で決まる方法では絶縁膜厚は薄くなり、それに
伴い絶縁膜中の結晶欠陥等による耐圧劣化の影響が顕著
になり耐圧が劣化していくためである。また、第２の従
来例で示されたような蒸着でエミッタを形成する手法で
も、ゲート開口部の径が微細化していくとエミッタの高
さが低くなるため、ゲート電極の高さをエミッタの高さ
に合わせて低くしないとエミッション電流特性の劣化が
生じるために、絶縁膜厚を薄くする必要があるためであ
る。従って、第２の従来例のように絶縁膜を２層以上と
しサイドエッチング量を変えて絶縁膜表面の沿面距離を
長くするだけでは耐圧の向上を図ることはできない。

【００１４】次に第３の問題点は、エミッタ近傍の絶縁
膜形状を変えてゲート電極の開口幅を微細化する方法で
は、ゲート電極の強度が劣化しゲート電極とエミッタ間
の距離が安定しないことである。これは第３の従来例の
ようにゲート電極材料を蔭の領域に回り込んで形成させ
る方法では、場所により膜厚の変化が生じ、場所により
強度的に弱い領域が生じ、機械的に折れるなどの不良が
生じやすくなるためである。

【００１５】次に第４の問題点は、エミッタ近傍の絶縁
膜のゲート電極の形状が変わる方法でゲート電極とエミ
ッタ間距離を微細化させる方法では、エミッタ先端の電
界強度が変化し特性が安定しないことである。これは第
３の従来例のようにエミッタの極近傍でゲート電極が盛
り上がる構造となっていると、エミッタ上部の電位分布
は盛り上がった点できまる電位によって影響され、エミ
ッタ先端の電位分布が粗になり、結果的にエミッタ先端
の電界強度が低下し、エミッシヨン電流が劣化するなど
の変化が生じるためである。

【００１６】本発明の目的は、ゲート電極とエミッタ間
の耐圧の劣化を抑制した上で、ゲート電極とエミッタ間
の距離を短縮し、動作電圧の低減を可能とする電界放出
型冷陰極を簡単な製造工程で提供することにある。

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の電界放出型冷陰
極の製造方法は、先鋭な先端形状を有するエミッタが上
表面に形成されエミッタ引き出し電極となる基板と、基
板上に絶縁膜を介して形成されエミッタを間隔をおいて
取り囲む開口を有するゲート電極とにより構成された電
界放出型冷陰極の製造方法であって、 シリコン基板上に
所定の形状で形成されたマスクを用いて、そのシリコン
基板にエミッタ形成領域を囲いかつそのエミッタ形成領
域側の内側端部でそのシリコン基板に段差が形成される
ように絶縁膜となる第１の酸化膜を形成する工程と、第
１の酸化膜の形成されたシリコン基板の上に絶縁膜とな
る第２の酸化膜を形成する工程と、第２の酸化膜の上に
ゲート電極を形成する工程と、第２の酸化膜とゲート電
極とのシリコン基板の段差に囲まれた領域内側に対応す
る所定の位置に、所定の大きさの開口を形成する工程
と、開口より第１の酸化膜と第２の酸化膜を選択的にシ
リコン基板の表面と平行な方向に段差を超える位置まで
エッチングして、ゲート電極とシリコン基板との間に空
間を形成する工程と、開口を用いて該開口下部のシリコ
ン基板上にエミッタ材料を堆積してエミッタを形成する
工程とを含み、また、第２の酸化膜の上にゲート電極を
形成する工程の前に、後のエッチング工程において第２
の酸化膜とエツチング速度の遅い第３の絶縁膜を第２の
酸化膜の上に形成する工程を含み、ゲート電極は第３の
絶縁膜の上に形成してもよく、ゲート電極とシリコン基
板との間に空間を形成する工程の後に、第４の絶縁膜を
少なくとも露出したゲート電極表面とシリコン基板表面
と第１および第２の酸化膜の表面に形成する工程と、空
間内部の面の開口外側に堆積された第４の絶縁膜以外の
第４の絶縁膜を選択的に除去する工程とを有してもよ
い。

【００２１】本発明によれば、エミッタ近傍のエミッタ
とゲート電極間を空洞とし、絶縁膜と基板との境界面は
エミッタの形成される基板表面より低い位置にあり、境
界面とエミッタの形成される基板表面との段差が絶縁膜
とエッミタとの間に形成されており、ゲート電極を支え
る絶縁膜の厚さは空洞部のエミッタとゲート間距離より
も厚くなっているのでエミッタとゲート電極間の絶縁性
が高くなり、エミッタとゲート間距離を短縮することに
より動作電圧の低い電界放出型冷陰極を提供できる。

【００２２】また、エミッタ近傍の空洞内のゲート電極
およびシリコン基板の少なくとも一方に絶縁膜を形成す
ることによりシリコン基板とゲート電極間の絶縁膜の沿
面距離が長くなり、沿面によるエミッタとゲート電極間
の耐圧を向上させることも可能となる。

【００２３】また本発明によれば、従来の工程にシリコ
ン基板上に選択的に酸化を行う工程を追加することによ
り容易に本発明の電界放出型冷陰極を形成できる。

【００２４】さらに、高耐圧で低電圧動作が可能な本発
明の電界放出型冷陰極を表示素子、例えばフラットパネ
ルデイスプレイあるいはデイスプレイ用陰極管に適用す
ることにより、電流特性の安定した装置を提供すること
が可能となる。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態の電界放出型冷陰極の模式的断面図、図２は本発
明の第１の実施の形態の電界放出型冷陰極の模式的上面
図、図３は本発明の第１の実施の形態の電界放出型冷陰
極の製造工程の第１の実施例を示す模式的断面図であ
り、（ａ）はシリコン基板に形成しパターニングした絶
縁膜をマスクとしてシリコン基板をエッチングし、凸部
を形成した状態、（ｂ）はシリコン基板表面に酸化膜に
より絶縁膜を形成し、窒化膜を堆積させて所定の形状に
パターニングした状態、（ｃ）は窒化膜をマスクとして
シリコン基板に第２の絶縁膜を形成し、ゲート電極材料
を堆積させた状態、（ｄ）は不要部をエッチング等で除
去して電界放出型冷陰極が形成された状態である。図１
は図２のＡ−Ａ断面を示す。図中符号１０１はシリコン
基板、１０１ａはシリコン基板に形成された凸部、１０
２、１０３、１０６は絶縁膜、１０３ａは絶縁膜端部、
１０４はエミッタ、１０６ａはシリコン段差部、１０７
はゲート電極、１０７ａはゲート電極材料である。

【００２６】第１の実施の形態の電界放出型冷陰極は、
図１および図２に示すように、上に凸型の段差部１０６
ａと先鋭な先端を有するエミッタ１０４とが形成された
ｎ型のシリコン基板１０１、エミッタ１０４を取り囲む
ように形成されたゲート電極１０７、絶縁膜１０３およ
び絶縁膜１０６とにより構成されている。シリコン段差
部１０６ａの内側にエミッタ１０４は形成され、絶縁膜
１０３および絶縁膜１０６の絶縁膜端部１０３ａはシリ
コン段差部１０６ａの外側に、即ち絶縁膜とシリコン基
板との境界面はエミッタの形成されるシリコン基板表面
よりも低くなるように形成されている。これにより、ゲ
ート電極１０７を支える絶縁膜１０３および絶縁膜１０
６を合わせた厚さはゲート電極１０７とエミッタ１０４
間の距離よりも大きく設定することができている。

【００２７】従って、ゲート電極１０７とエミッタ電極
となるシリコン基板１０１の間の耐圧は絶縁膜１０３と
絶縁膜１０６の絶縁耐圧とゲート電極１０７とエミッタ
１０４との間の空洞部の放電などによる耐圧で決まるこ
とになる。ゲート電極１０７とエミッタ１０４との間の
耐圧は放電で決まるがこれは動作時の真空度を改善する
ことにより改善することができる。また、放電時の電流
量をエミッタ１０４に抵抗を形成するなどの方法で制限
することにより、大電流を抑制することが可能である。
また、絶縁膜のトータル膜厚は、この構造ではゲート電
極１０７とエミッタ１０４との間の距離とは関係なく設
定できるため、絶縁膜で決まる耐圧は絶縁膜にかかる電
界強度が破壊電界未満となるような膜厚に設定すること
により十分な耐圧を得ることができる。

【００２８】図１１は本発明と従来例との電界放出型冷
陰極におけるゲート開口部の径と耐圧との関係を示すグ
ラフである。従来例では耐圧はゲート開口部の径の微細
化に伴い絶縁耐圧も劣化していくが、本発明では絶縁膜
厚を変えることなくゲート開口部の径を微細化できるた
め耐圧の劣化は少なくなっている。図１２は本発明で作
製した電界放出型冷陰極のゲート電圧とエミッション電
流との関係を従来の電界放出型冷陰極と比較して示した
グラフである。本発明の電界放出型冷陰極はゲート開口
部の径が微細化できたことにより半分の電圧で動作する
ことができている。

【００２９】次に本発明の第１の実施の形態の電界放出
型冷陰極の製造工程の第１の実施例について図３を参照
して説明する。

【００３０】初めに、図３（ａ）に示すように、約１０
¹⁵ｃｍ^-3の濃度のｎ型シリコン基板１０１の表面に、熱
酸化により形成された酸化膜などにより約３００ｎｍ厚
の絶縁膜１０２を形成した後、フォトリソグラフィ法を
用い絶縁膜１０２が例えば０．５μｍ程度の径の円形状
になるようにパターニングを行い、パターニングされた
絶縁膜１０２をマスクとしてシリコン基板１０１を、Ｓ
Ｆ６などのエッチングガスで等方的にエッチングし、シ
リコン基板１０１上に凸部１０１ａを形成する。

【００３１】次に図３（ｂ）に示すように、シリコン基
板１０１に熱酸化を行い約１００ｎｍ厚の酸化膜による
絶縁膜１０３を形成する。この工程でシリコン基板上の
凸部１０１ａの先端は先鋭化され、エミッタ１０４が形
成される。次に、減圧下でのＣＶＤ成長法により窒化膜
１０５を堆積しフォトリソグラフィにより図のようにパ
ターニングする。

【００３２】次に図３（ｃ）に示すように、パターニン
グされた窒化膜１０５をマスクとしてシリコン基板１０
１に熱酸化を行い、絶縁膜１０３の下の露出した領域の
シリコン基板１０１を酸化し、酸化膜よりなる絶縁膜１
０６を約３００ｎｍ厚に形成する。この工程により絶縁
膜１０３の下面にシリコン段差部１０６ａを端部として
絶縁膜１０６が形成される。次に、リン酸などを用い窒
化膜１０５をエッチングで除去した後、斜め方向からの
回転蒸着法により例えばタングステンなどの材料よりな
るゲート電極材料１０７ａを約１００ｎｍから２００ｎ
ｍの厚さに形成する。

【００３３】次に図３（ｄ）に示すように、弗酸で絶縁
膜１０３および絶縁膜１０６をエッチングし、シリコン
段差部１０６ａの外側までサイドエッチングを行う。こ
の工程で絶縁膜１０２および前工程で絶縁膜１０２上に
形成されたゲート電極材料１０７ａはリフトオフ除去さ
れエミッタ１０４が露出し電界放出型冷陰極が完成す
る。

【００３４】このように簡略な方法で、ゲート開口部の
径を変えることなくゲート電極を支える絶縁膜厚を増加
することができ、さらに耐圧性の良い熱酸化で絶縁膜が
形成できるため絶縁膜の耐圧を劣化させることなくゲー
ト開口部の径を微細化することができる。また、この方
法ではエミッタ近傍のゲート電極の形状をエミッタより
も高くならないようにできるためエミッタ先端の電界強
度がゲート形状の変化により劣化することもない。

【００３５】次に本発明の第１の実施の形態の電界放出
型冷陰極の製造工程の第２の実施例について図４および
図５を参照して説明する。図４は本発明の第１の実施の
形態の電界放出型冷陰極の製造工程の第２の実施例の前
半を示す模式的断面図であり、（ａ）はシリコン基板に
形成しパターニングした絶縁膜をマスクとしてシリコン
基板に熱酸化により酸化膜を形成しをエッチングにより
酸化膜を側壁としたシリコン基板凸部を形成した状態、
（ｂ）は絶縁膜および酸化膜をマスクとしてシリコン基
板をエッチングし凸部の高さを調整した状態、（ｃ）は
絶縁膜を除去してシリコン基板を熱酸化し酸化膜の下に
エミッタを形成した状態、（ｄ）は酸化膜を除去して絶
縁膜を形成し、絶縁膜上に堆積した窒化膜をパターニン
グした状態である。図５は本発明の第１の実施の形態の
電界放出型冷陰極の製造工程の第２の実施例の後半を示
す模式的断面図であり、（ａ）は窒化膜をマスクとして
シリコン基板に絶縁膜を形成し、窒化膜を除去した状
態、（ｂ）はゲート電極と平坦化膜を堆積した後エッチ
バックによりエミッタ上方のゲート電極を露出させた状
態、（ｃ）は平坦化膜をマスクとして露出したゲート電
極をエッチングしエミッタ上の絶縁膜を露出させた状
態、（ｄ）は平坦化膜と絶縁膜の不要部をエッチング等
で除去して電界放出型冷陰極が形成された状態である。
図中符号２０１はシリコン基板、２０１ａはシリコン基
板に形成された凸部、２０２、２０３、２０６は絶縁
膜、２０３ａは絶縁膜端部、２０４はエミッタ、２０５
は窒化膜、２０６ａはシリコン段差部、２０７はゲート
電極、２０８、２０９は酸化膜、２１０は平坦化膜であ
る。

【００３６】図４（ａ）に示すように、約１０¹⁵ｃｍ^-3
の濃度のｎ型シリコン基板２０１の表面に、熱酸化によ
り形成された窒化膜などで約５００ｎｍ厚の絶縁膜２０
２を形成した後、絶縁膜２０２をフォトリソグラフィで
所定の形状にパターニングし、これをマスクとしてシリ
コン基板２０１に熱酸化を行い約２００ｎｍ厚の酸化膜
２０８を形成する。この工程によりシリコン基板２０１
上に凸部２０１ａが形成される。次に、酸化膜２０８に
ＲＩＥを施しシリコン基板１上の凸部２０１ａの側壁以
外の酸化膜２０８を除去する。

【００３７】次に図４（ｂ）に示すように絶縁膜２０２
および酸化膜２０８をマスクとしてシリコン基板２０１
をＲＩＥ法によりエッチングし凸部２０１ａの高さを調
整する。この工程で後に形成されるエミッタ２０４の先
端の高さとゲート電極２０７の高さを設定している。

【００３８】次に図４（ｃ）に示すように絶縁膜２０２
をリン酸で除去した後、シリコン基板２０１を凸部２０
１ａが先鋭化するまで熱酸化し例えば約３００ｎｍの酸
化膜２０９を形成する。この工程で同時に先鋭なエミッ
タ４が形成される。

【００３９】次に図４（ｄ）に示すように、酸化膜２０
９を除去した後５０ｎｍから２００ｎｍの膜厚に酸化を
施し、シリコン基板２０１表面に酸化膜よりなる絶縁膜
２０３を形成した後、ＣＶＤ法により窒化膜２０５を約
１００ｎｍ厚に堆積しフォトリソグラフィ法により窒化
膜２０５を所定の形状にパターニングする。

【００４０】次に図５（ａ）に示すように、パターン化
された窒化膜２０５をマスクとして選択的にシリコン基
板２０１に熱酸化を施し、１００ｎｍから５００ｎｍ程
度の酸化膜よりなる絶縁膜２０６を形成した後、リン酸
などのエッチング液でマスクとなった窒化膜２０５を除
去する。この工程で、シリコン基板２０１には絶縁膜２
０３の下面の絶縁膜２０６の先端との接点にシリコン段
差部２０６ａが形成され、エミッタ２０４を中心として
シリコン段差部２０６ａより離れた領域では絶縁膜の膜
厚の合計は厚くなっている。

【００４１】次に図５（ｂ）に示すように、タングステ
ンなどの金属膜よりなるゲート電極２０７を蒸着法ある
いはスパッタ法などの方法で約１００ｎｍから２００ｎ
ｍ厚に堆積する。次にＢＰＳＧ膜などのリフロー性の平
坦化膜２１０を３００ｎｍから１０００ｎｍ厚に堆積し
た後エッチバックを施しエミッタ２０４上のゲート電極
２０７を平坦化膜２１０から露出させる。

【００４２】次に図５（ｃ）の示すように、平坦化膜２
１０をマスクとして、露出したゲート電極膜２０７をＳ
Ｆ６などのガスでエツチングし、エミッタ上部の絶縁膜
２０３を露出させる。

【００４３】次に図５（ｄ）に示すように、弗酸で酸化
膜エッチングを行い平坦化膜２１０および絶縁膜２０
３、絶縁膜２０６をエッチングする。これにより、エミ
ッタ２０４の先端が露出し、絶縁膜端部２０３ａはシリ
コン段差部２０６ａよりも外側になり電界放出型冷陰極
が完成する。

【００４４】なお本実施例では絶縁膜２０２を窒化膜で
説明したが、これは窒化膜上に酸化膜を形成した２層構
造とし、酸化膜２０８のエッチバック工程のマスクとし
て上層の酸化膜を利用してもかまわない。

【００４５】第１の実施例はエミッタをエッチングで形
成しゲート開口を斜め蒸着とリフトオフで形成していた
のに対して、第２の実施例はエミッタを酸化で形成しゲ
ート開口をエッチバックで形成したものである。

【００４６】次に本発明の第１の実施の形態の電界放出
型冷陰極の製造工程の第３の実施例について図６を参照
して説明する。図６は本発明の第１の実施の形態の電界
放出型冷陰極の製造工程の第３の実施例を示す模式的断
面図であり、（ａ）はシリコン基板上に酸化膜と窒化膜
を形成してパターニングした状態、（ｂ）は窒化膜をマ
スクとしてシリコン基板に酸化膜を形成し、マスクを除
去した後、絶縁膜とゲート電極を堆積した状態、（ｃ）
はゲート電極と酸化膜に開口を形成し、２層の絶縁膜を
横方向にエッチングし、犠牲膜を形成した後、エミッタ
材料層を堆積した状態、（ｄ）は犠牲層とエッミタ以外
のエミッタ材料層をエッチング等で除去して電界放出型
冷陰極が形成された状態である。図中符号３０１はシリ
コン基板、３０３、３０６は絶縁膜、３０３ａは絶縁膜
端部、３０４はエミッタ、３０５は窒化膜、３０６ａは
シリコン段差部、３０７はゲート電極、３１１は酸化
膜、３１２は犠牲層、３１３はエミッタ材料層である。

【００４７】図６（ａ）に示すようにｎ型のシリコン基
板３０１上に約５０ｎｍ厚の酸化膜３１１を熱酸化法に
より形成し、ＣＶＤ法により約１００ｎｍ厚の窒化膜３
０５を形成し、フォトリソグラフィにより酸化膜３１１
および窒化膜３０５を所定の形状にパターニングする。

【００４８】次に図６（ｂ）に示すように窒化膜３０５
をマスクとしてシリコン基板３０１に熱酸化を行い約１
００ｎｍから５００ｎｍの膜厚の酸化膜よりなる絶縁膜
３０６を形成する。次に、リン酸および弗酸により窒化
膜３０５および酸化膜３１１を除去した後、約２００ｎ
ｍのＣＶＤ法で堆積した酸化膜よりなる絶縁膜３０３を
形成し、更にスパッタ法によりゲート電極３０７を１０
０ｎｍから２００ｎｍ厚に堆積する。この絶縁膜３０６
を形成する工程で酸化膜３１１の膜厚を変えることによ
りシリコン段差部３０６ａの形状を変えることができ、
例えば酸化膜３１１の膜厚を厚くすると熱酸化により絶
縁膜３０６を形成する際に酸化の横方向広がりが大きく
なり、シリコン段差部３０６ａの形状はなめらかにな
り、動作時にシリコン段差部３０６ａのエツジに電界が
かかることを抑制することができる。これは他の実施例
でも適用できる。

【００４９】次に図６（ｃ）に示すように、ゲート電極
３０７と絶縁膜３０３にフォトリソグラフィを用い約
０．１μｍから０．５μｍの径の開口をＲＩＥにより形
成した後、弗酸でウェットエッチングを行い絶縁膜３０
３および絶縁膜３０６を横方向にエッチングする。その
後、犠牲層３１２としてアルミなどを斜め方向からの蒸
着により形成し更に垂直方向からの蒸着によりタングス
テンなどのエミッタ材料層３１３を堆積する。この工程
で開口のシリコン基板３０１上には先鋭な形状のエミッ
タが形成される。

【００５０】次に図６（ｄ）に示すように、リン酸で犠
牲層３１２をエッチングすることにより犠牲層３１２上
部のエミッタ材料層３１３をリフトオフし、エミッタ３
０４を露出させ電界放出型冷陰極が完成する。

【００５１】このようにエミッタを蒸着で形成する方法
によっても本発明の電界放出型冷陰極は容易に形成する
ことができる。また、絶縁膜３０６を形成する工程で酸
化膜３１１の膜厚を制御するあるいは絶縁膜３１１を形
成する前にシリコン基板３０１をあらかじめエッチング
しておくことにより、酸化時に絶縁膜３０６がシリコン
基板３０１の上表面に揃って平坦になるように設定する
ことも可能である。これによりゲート電極３０７も平担
化され、エミッタ３０４にかかる電界が安定化し安定な
電流特性が得られるようになる。

【００５２】次に本発明の第２の実施の形態の電界放出
型冷陰極について図７を参照して説明する。図７は本発
明の第２の実施の形態の電界放出型冷陰極の模式的断面
図であり、図中符号４０１はシリコン基板、４０３、４
０６、４１４は絶縁膜、４０３ａは絶縁膜端部、４０４
はエミッタ、４０６ａはシリコン段差部、４０７はゲー
ト電極である。

【００５３】ｎ型のシリコン基板４０１上に凸型のシリ
コン段差部４０６ａと先鋭な先端を有するエミッタ４０
４が形成され、それを取り囲むように形成された例えば
タングステンよりなる約１００ｎｍから２００ｎｍの膜
厚のゲート電極４０７とその下面に形成された約２０ｎ
ｍから１００ｎｍの窒化膜よりなる絶縁膜４１４と、酸
化膜よりなり約３０ｎｍから２００ｎｍの膜厚の絶縁膜
４０３および酸化膜よりなり１００ｎｍから５００ｎｍ
の膜厚の絶縁膜４０６により構成されている。

【００５４】ここで、シリコン段差部４０６ａの内側に
エミッタ４０４は形成され、絶縁膜４０３および絶縁膜
４０６の２層の絶縁膜端部４０３ａはシリコン段差部４
０６ａの外側になるように形成されている。この実施例
ではゲート電極４０７の下に絶縁膜４１４が形成されて
いるため、エミッタ４０４とゲート電極４１４間の沿面
距離は絶縁膜４０３と絶縁膜４０６の膜厚で決まる値よ
りも長くなっている。これにより沿面距離に関わる耐圧
が改善することができる効果がある。また、絶縁膜４１
４を窒化膜とし絶縁膜４０３および絶縁膜４０６を酸化
膜とするように、弗酸によるエッチング速度が異なる材
質とすることにより１回のエッチングで容易に所望の形
状を得ることができる。

【００５５】次に本発明の第３の実施の形態の電界放出
型冷陰極の製造工程について図８を参照して説明する。
図８は本発明の第３の実施の形態の電界放出型冷陰極の
製造工程を示す模式的断面図であり、（ａ）は第１の実
施の形態により完成した電界放出型冷陰極の状態、
（ｂ）は表面全体に窒化膜からなる絶縁膜と酸化膜を形
成した状態、（ｃ）はゲート電極で覆われた領域以外の
酸化膜を除去し、残った酸化膜をマスクとして絶縁膜を
エッチングし、マスクの酸化膜を除去してゲート電極と
シリコン基板の対向面に絶縁膜を有する電界放出型冷陰
極が形成された状態である。図中符号５０１はシリコン
基板、５０３、５０６、５１４は絶縁膜、５０３ａは絶
縁膜端部、５０４はエミッタ、５０６ａはシリコン段差
部、５０７はゲート電極、５１５は酸化膜である。

【００５６】図８（ａ）は図３（ｄ）と同一であり第１
の実施の形態と同じ工程で形成することができる。

【００５７】次に図８（ｂ）に示すように、例えば減圧
でのＣＶＤ法で約２０ｎｍから１００ｎｍの膜厚の窒化
膜よりなる絶縁膜５１４を全表面に形成し、熱酸化によ
り約５ｎｍの酸化膜５１５を絶縁膜５１４の表面に形成
する。

【００５８】次に図８（ｃ）に示すように異方性エッチ
ングでゲート電極５０７で覆われた領城以外の酸化膜５
１５を除去する。次に残った酸化膜５１５をマスクとし
てリン酸により絶縁膜５１４をエッチングし、マスクの
酸化膜５１５を弗酸でエッチングして除去してゲート電
極とシリコン基板の対向面に絶縁膜を有する電界放出型
冷陰極が完成する。

【００５９】この方法では第２の実施の形態よりも更に
沿面距離が長くなり、耐圧の向上が可能である。

【００６０】次に第４の実施の形態の電界放電型冷陰極
について図９と図１０を参照して説明する。図９は本発
明の第４の実施の形態の電界放電型冷陰極の模式的断面
図であり、図１０は本発明の第４の実施例の形態の電界
放電型冷陰極の模式的上面図である。図１０中のＢ−Ｂ
の断面図が図９である。図中符号６０１はシリコン基
板、６０３、６０６は絶縁膜、６０３ａは絶縁膜端部、
６０４はエミッタ、６０６ａはシリコン段差部、６０７
はゲート電極、６１６は空洞である。

【００６１】これまでの実施の形態ではエミッタ単体で
の形状について説明したが、本実施の形態はエミッタア
レイとして複数個のエミッタを形成する場合の例であ
る。ｎ型のシリコン基板６０１上に凸型の段差部６０６
ａと先鋭な先端を有する複数個のエミッタ６０４とが形
成され、それぞれのエミッタ６０４をその開口が取り囲
むように形成された例えばタングステンよりなり約１０
０ｎｍから２００ｎｍの膜厚のゲート電極６０７と、シ
リコン段差部６０６ａの外側に形成された約３０ｎｍか
ら２００ｎｍの膜厚の絶縁膜６０３および１００ｎｍか
ら５００ｎｍの膜厚の酸化膜よりなる絶縁膜６０６とに
より構成されている。

【００６２】内側のエミッタ間のゲート電極６０７の下
は空洞６１６となっている。図１０に示されるように外
側のエミッタの周囲にシリコン段差部６０６ａが形成さ
れておりその外側に酸化膜端部６０３ａが形成されてい
る。これによりピッチが約２μｍ以下と狭い場合ににお
いても、複数個のエミッタ６０４の間のゲート電極６０
７の下の領域は、シリコン基板６０１とゲート電極６０
７との間の狭い距離ではあるが空洞とすることにより耐
圧を確保し、ゲート電極６０７を支える領域は絶縁膜６
０３と絶縁膜６０６の合計膜厚で耐圧を確保することに
より高耐圧の電界放出型冷陰極を形成することができ
る。

【００６３】なお、この例ではエミッタアレイ全体を空
洞６１５としているが、ゲート電極６０７が重さで湾曲
し下がらないように複数個の酸化膜段差部６０３ａで囲
まれた領域にエミッタを分割してもかまわない。

【００６４】表示装置に電子銃として組み込む場合は、
このエミッタアレイのエミッタに対向して蛍光層を有す
る陽極層が配置され、エミッタから放射された電子を受
けて蛍光層が発光する。

【００６５】この電界放出型冷陰極を電子銃として、表
示装置に適用した場合、通常真空中での動作が要求され
るため、表示装置に電子銃を組み込んだ後に絶縁不良で
交換することは困難であった。また、フラットパネルデ
ィスプレイの場合には、動作電圧を低減できるとドライ
ブ回路での消費電力低減にも効果があり低電圧で動作す
る電界放出型冷陰極が求められていた。そこで本実施例
の電界放出型冷陰極をフラットパネルデイスプレイに適
用することにより、複数の電子銃が電流変動なく低電圧
で動作し、低消費電力で寿命の長い表示動作が可能とな
る。なお表示装置としてはフラットパネルを例に説明し
たが、これはデイスプレイ用陰極管（ＣＲＴ）でも同様
である。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の電界放出型
冷陰極は、高耐圧で低電圧動作が可能であるという効果
がある。

【００６７】それはエミッタ近傍のエミッタとゲート電
極間が空洞となっており、またゲート電極を支える絶縁
膜の厚さを空洞部のエミッタとゲート間距離よりも厚く
することができるので、エミッタとゲート間距離を短縮
することによって微細化しても絶縁膜の膜厚減少による
耐圧劣化が無く、微細化により動作電圧を低くできるか
らである。

【００６８】さらに、エミッタ近傍の空洞内のゲート電
極あるいはシリコン基板の少なくとも一方に絶縁膜を形
成することによりシリコン基板とゲート電極間の絶縁膜
の沿面距離が長くなり、沿面によるエミッタとゲート電
極間の耐圧を向上させるという効果がある。

【００６９】また本発明の製造方法によれば、従来の工
程にシリコン基板上に避択的に酸化を行う工程を追加す
ることにより容易に本発明の電界放電型冷陰極を形成す
ることができ、さらに絶縁膜の表面の平坦性も得られる
ためにゲート電極の形状も平坦となり安定した電流特性
を実現することができる。

【００７０】また、高耐圧で低電圧動作が可能な本発明
の電界放出型冷陰極を表示素子、例えばフラットパネル
デイスプレイあるいはデイスプレイ用陰極特に適用する
ことにより、電流特性の安定した装置を提供することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の電界放出型冷陰極
の模式的断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の電界放出型冷陰極
の模式的上面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の電界放出型冷陰極
の製造工程の第１の実施例を示す模式的断面図である。
（ａ）はシリコン基板に形成しパターニングした絶縁膜
をマスクとしてシリコン基板をエッチングし、凸部を形
成した状態である。（ｂ）はシリコン基板表面に酸化膜
により絶縁膜を形成し、窒化膜を堆積させて所定の形状
にパターニングした状態である。（ｃ）は窒化膜をマス
クとしてシリコン基板に第２の絶縁膜を形成し、ゲート
電極材料を堆積させた状態である。（ｄ）は不要部をエ
ッチング等で除去して電界放出型冷陰極が形成された状
態である。

【図４】本発明の第１の実施の形態の電界放出型冷陰極
の製造工程の第２の実施例の前半を示す模式的断面図で
ある。（ａ）はシリコン基板に形成しパターニングした
絶縁膜をマスクとしてシリコン基板に熱酸化により酸化
膜を形成しをエッチングにより酸化膜を側壁としたシリ
コン基板凸部を形成した状態である。（ｂ）は絶縁膜お
よび酸化膜をマスクとしてシリコン基板をエッチングし
凸部の高さを調整した状態である。（ｃ）は絶縁膜を除
去してシリコン基板を熱酸化し酸化膜の下にエミッタを
形成した状態である。（ｄ）は酸化膜を除去して絶縁膜
を形成し、絶縁膜上に堆積した窒化膜をパターニングし
た状態である。

【図５】本発明の第１の実施の形態の電界放出型冷陰極
の製造工程の第２の実施例の後半を示す模式的断面図で
ある。（ａ）は窒化膜をマスクとしてシリコン基板に絶
縁膜を形成し、窒化膜を除去した状態である。（ｂ）は
ゲート電極と平坦化膜を堆積した後エッチバックにより
エミッタ上方のゲート電極を露出させた状態である。
（ｃ）は平坦化膜をマスクとして露出したゲート電極を
エッチングしエミッタ上の絶縁膜を露出させた状態であ
る。（ｄ）は平坦化膜と絶縁膜の不要部をエッチング等
で除去して電界放出型冷陰極が形成された状態である。

【図６】本発明の第１の実施の形態の電界放出型冷陰極
の製造工程の第３の実施例を示す模式的断面図である。
（ａ）はシリコン基板上に酸化膜と窒化膜を形成してパ
ターニングした状態である。（ｂ）は窒化膜をマスクと
してシリコン基板に酸化膜を形成し、マスクを除去した
後、絶縁膜とゲート電極を堆積した状態である。（ｃ）
はゲート電極と酸化膜に開口を形成し、２層の絶縁膜を
横方向にエッチングし、犠牲膜を形成した後、エミッタ
材料層を堆積した状態である。（ｄ）は犠牲層とエッミ
タ以外のエミッタ材料層をエッチング等で除去して電界
放出型冷陰極が形成された状態である。

【図７】本発明の第２の実施の形態の電界放出型冷陰極
の模式的断面図である。

【図８】本発明の第３の実施の形態の電界放出型冷陰極
の製造工程を示す模式的断面図である。（ａ）は第１の
実施の形態により完成した電界放出型冷陰極の状態であ
る。（ｂ）は表面全体に窒化膜からなる絶縁膜と酸化膜
を形成した状態である。（ｃ）はゲート電極で覆われた
領域以外の酸化膜を除去し、残った酸化膜をマスクとし
て絶縁膜をエッチングし、マスクの酸化膜を除去してゲ
ート電極とシリコン基板の対向面に絶縁膜を有する電界
放出型冷陰極が形成された状態である。

【図９】本発明の第４の実施の形態の電界放電型冷陰極
の模式的断面図である。

【図１０】本発明の第４の実施例の形態の電界放電型冷
陰極の模式的上面図である。

【図１１】本発明と従来例との電界放出型冷陰極におけ
るゲート開口部の径と耐圧との関係を示すグラフであ
る。

【図１２】本発明で作製した電界放出型冷陰極のゲート
電圧とエミッション電流との関係を従来の電界放出型冷
陰極と比較して示したグラフである。

【図１３】特開平５−９４７６２号公報で開示された第
１の従来例の電界放出型冷陰極の製造工程を示す模式的
断面図である。（ａ）はシリコン基板に絶縁膜を形成し
た状態である。（ｂ）は絶縁膜をマスクにシリコン基板
をエッチングし凸部を形成した状態である。（ｃ）はシ
リコン基板上に絶縁膜を形成し、ゲート電極材料を堆積
した状態である。（ｄ）は不要部をエッチング等で除去
して電界放出型冷陰極が形成された状態である。

【図１４】特開平８−３２１２５５号公報で開示された
第２の従来例の電界放出型冷陰極の製造工程を示す模式
的断面図である。（ａ）はシリコン基板に絶縁膜とゲー
ト電極を形成した状態である。（ｂ）は絶縁膜とゲート
電極をエッチングして開口部を形成し、酸化絶縁膜をエ
ッチングにより開口部より後退させた状態である。
（ｃ）は犠牲層を形成しエミッタ材料層を堆積させた状
態である。（ｄ）は不要部をエッチング等で除去して電
界放出型冷陰極が形成された状態である。

【図１５】特開平７−６５７０６号公報で開示された第
３の従来例の電界放出型冷陰極の製造工程を示す模式的
断面図である。（ａ）はシリコン基板上に窒化膜と酸化
膜を堆積して所望の形状に等方的と異方的にエッチング
して凸部をシリコン基板に形成した状態である。（ｂ）
は熱酸化によりシリコン基板表面に絶縁膜を形成した状
態である。（ｃ）は絶縁膜を蒸着法により堆積して襟状
の成長部を形成し、ゲート電極材料を堆積した状態であ
る。（ｄ）は不要部をエッチング等で除去して電界放出
型冷陰極が形成された状態である。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７
０１、８０１、９０１シリコン基板 １０１ａ、２０１ａ、７０１ａ、９０１ａ シリコン
基板に形成された凸部 １０２、１０３、１０６、２０２、２０３、２０６、３
０３、３０６、４０３、４０６、４１４、５０３、５０
６、５１４、６０３、６０６、７０２、７０３、８０
３、８１４、９０３、９１９ 絶縁膜 １０３ａ、２０３ａ、３０３ａ、４０３ａ、５０３ａ、
６０３ａ 絶縁膜端部 １０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４、７
０４、８０４、９０４エミッタ １０６ａ、２０６ａ、３０６ａ、４０６ａ、５０６ａ、
６０６ａ シリコン段差部 １０７、２０７、３０７、４０７、５０７、６０７、７
０７、８０７、９０７ゲート電極 １０７ａ、７０７ａ、９０７ａ ゲート電極材料 ２０５、３０５、９１７ 窒化膜 ２０８、２０９、３１１、５０５、９１８ 酸化膜 ２１０ 平坦化膜 ３１２、８１２ 犠牲層 ３１３、８１３ エミッタ材料層 ６１６ 空洞 ９１９ａ 絶縁膜の襟状の成長部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 1/304 H01J 9/02 H01J 29/04 H01J 31/12

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 先鋭な先端形状を有するエミッタが上表
   面に形成されエミッタ引き出し電極となる基板と、前記
   基板上に絶縁膜を介して形成され前記エミッタを間隔を
   おいて取り囲む開口を有するゲート電極とにより構成さ
   れた電界放出型冷陰極の製造方法であって、 シリコン基板上に所定の形状で形成されたマスクを用い
   て、該シリコン基板に前記エミッタ形成領域を囲いかつ
   該エミッタ形成領域側の内部端部で該シリコン基板に段
   差が形成されるように絶縁膜となる第１の酸化膜を形成
   する工程と、 前記第１の酸化膜の形成された前記シリコン基板の上に
   絶縁膜となる第２の酸化膜を形成する工程と、 前記第２の酸化膜の上にゲート電極を形成する工程と、 前記第２の酸化膜と前記ゲート電極との、前記シリコン
   基板の前記段差に囲まれた領域内側に対応する所定の位
   置に、所定の大きさの開口を形成する工程と、 前記開口より前記第１の酸化膜と第２の酸化膜を選択的
   に前記シリコン基板の表面と平行な方向に前記段差を超
   える位置までエッチングして、前記ゲート電極と前記シ
   リコン基板との間に空間を形成する工程と、 前記開口を用いて該開口下部の前記シリコン基板上にエ
   ミッタ材料を堆積してエミッタを形成する工程とを含む
   ことを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第２の酸化膜の上にゲート電極を形
   成する工程の前に、後のエッチング工程において前記第
   ２の酸化膜よりもエツチング速度の遅い第３の絶縁膜を
   前記第２の酸化膜の上に形成する工程を含み、前記ゲー
   ト電極は前記第３の絶縁膜の上に形成する請求項１に記
   載の電界放出型冷陰極の製造方法。
3. 【請求項３】 前記ゲート電極と前記シリコン基板との
   間に空間を形成する工程の後に、第４の絶縁膜を少なく
   とも露出した前記ゲート電極表面と前記シリコン基板表
   面と前記第１および第２の酸化膜表面とに形成する工程
   と、前記空間内部の面の前記開口外側に堆積された前記
   第４の絶縁膜以外の前記第４の絶縁膜を選択的に除去す
   る工程とを有する前記請求項１に記載の電界放出型冷陰
   極の製造方法。