JPH04280037A - マイクロ波管 - Google Patents
マイクロ波管Info
- Publication number
- JPH04280037A JPH04280037A JP4040391A JP4040391A JPH04280037A JP H04280037 A JPH04280037 A JP H04280037A JP 4040391 A JP4040391 A JP 4040391A JP 4040391 A JP4040391 A JP 4040391A JP H04280037 A JPH04280037 A JP H04280037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- electrodes
- dielectric constant
- center
- microwave tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波管に関し、
特にその耐電圧特性を改善できる構造に関する。
特にその耐電圧特性を改善できる構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のマイクロ波管は図３に示す構
造を有している。１は電子を放出する陰極であり、２は
電子ビームを成形するビーム成形電極である。ビーム成
形電極２は通常は陰極１と同電位に設定される。３は陽
極であり、陰極１から電子をひき出すために陰極に対し
て高電圧が与えられる。９は高周波と電子ビーム１５と
の相互作用を行わせることにより、高周波を増幅させる
高周波回路である。高周波は入出力同軸構造５を介して
マイクロ波管へ入出力する。７は真空封止用金属パイプ
である。高周波回路９は誘電体支柱８によって支持され
ている。円環状マグネット６と磁極４により磁気回路を
形成し、マイクロ波管の中心軸上にビーム集束用磁界分
布を生成している。１０は電子ビームを回収するコレク
タであり、強制空冷形コレクタの場合には、放熱用翼１
１を有する。
造を有している。１は電子を放出する陰極であり、２は
電子ビームを成形するビーム成形電極である。ビーム成
形電極２は通常は陰極１と同電位に設定される。３は陽
極であり、陰極１から電子をひき出すために陰極に対し
て高電圧が与えられる。９は高周波と電子ビーム１５と
の相互作用を行わせることにより、高周波を増幅させる
高周波回路である。高周波は入出力同軸構造５を介して
マイクロ波管へ入出力する。７は真空封止用金属パイプ
である。高周波回路９は誘電体支柱８によって支持され
ている。円環状マグネット６と磁極４により磁気回路を
形成し、マイクロ波管の中心軸上にビーム集束用磁界分
布を生成している。１０は電子ビームを回収するコレク
タであり、強制空冷形コレクタの場合には、放熱用翼１
１を有する。
【０００３】陰極１とビーム成形電極２は同電位であり
、陽極３との間に高電圧が印加されるが、耐圧をもたせ
るためと真空封止の目的でセラミック１２により、ビー
ム成形電極２と陽極３を固定している。陽極３と磁極４
の間，磁極４とコレクタ電極１０との間にも高電圧が印
加されるので、各々セラミック１３，１４を電極間に入
れている。
、陽極３との間に高電圧が印加されるが、耐圧をもたせ
るためと真空封止の目的でセラミック１２により、ビー
ム成形電極２と陽極３を固定している。陽極３と磁極４
の間，磁極４とコレクタ電極１０との間にも高電圧が印
加されるので、各々セラミック１３，１４を電極間に入
れている。
【０００４】高電圧が印加されるセラミック１２，１３
，１４は、両端がメタライズされ、電極金属とろう付け
によって接合されている。しかしながら、ろう付け部の
ろうだれ等により、電極とセラミックとの接合部に強電
界を生じやすく、セラミック面に沿った沿面放電がしば
しば生じる。沿面放電を生じると、電極間電圧が変化し
たりガスが発生したりするので、ビーム透過に異常を生
じ、管球の高周波回路を傷つける場合がある。また、電
極間に放電により大電流が流れると、電源側に大電流が
流れ、電源を破損する場合もある。
，１４は、両端がメタライズされ、電極金属とろう付け
によって接合されている。しかしながら、ろう付け部の
ろうだれ等により、電極とセラミックとの接合部に強電
界を生じやすく、セラミック面に沿った沿面放電がしば
しば生じる。沿面放電を生じると、電極間電圧が変化し
たりガスが発生したりするので、ビーム透過に異常を生
じ、管球の高周波回路を傷つける場合がある。また、電
極間に放電により大電流が流れると、電源側に大電流が
流れ、電源を破損する場合もある。
【０００５】従来、沿面放電を防ぐために、セラミック
，電極間のろう付け部分のろうだれをブラッシングによ
り削り取ったり、セラミック面をブラッシングし、汚れ
を除去したりしている。また、セラミックにコルゲート
と呼ばれる段をつけ、沿面放電の成長を防ぐ工夫も行わ
れている。図４はコルゲートの例であり、ビーム成形電
極２と陽極３の間のセラミックに段をつけ、コルゲート
付きセラミック１６としている。また、コロナリングを
取りつけ、ろう付け部分の電界を下げる方法も行われて
いる。
，電極間のろう付け部分のろうだれをブラッシングによ
り削り取ったり、セラミック面をブラッシングし、汚れ
を除去したりしている。また、セラミックにコルゲート
と呼ばれる段をつけ、沿面放電の成長を防ぐ工夫も行わ
れている。図４はコルゲートの例であり、ビーム成形電
極２と陽極３の間のセラミックに段をつけ、コルゲート
付きセラミック１６としている。また、コロナリングを
取りつけ、ろう付け部分の電界を下げる方法も行われて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電極間のセラミックの構造では効果が十分でなかったり
、セラミック形状が複雑になる等の欠点があった。
電極間のセラミックの構造では効果が十分でなかったり
、セラミック形状が複雑になる等の欠点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、両端面をメタ
ライズされたセラミックと、このセラミックにろう付け
された１対の金属片とからなる電極を有するマイクロ波
管において、セラミックは、中央部の比誘電率が両端近
傍の電極付近の比誘電率よりも１０％以上大きいことを
特徴とする。
ライズされたセラミックと、このセラミックにろう付け
された１対の金属片とからなる電極を有するマイクロ波
管において、セラミックは、中央部の比誘電率が両端近
傍の電極付近の比誘電率よりも１０％以上大きいことを
特徴とする。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明のマイクロ波管電子銃部のセラミック部
分を示す第１の実施例の断面図である。陰極と同電位の
ビーム成形電極２と陽極３の間に本発明のセラミック１
７を入れている。セラミック１７は比誘電率が均一でな
く、電極間中央付近において、電極付近より１０％以上
高比誘電率となるように作られている。従って、電気力
線１８は比誘電率の大きいセラミック中央付近に集まっ
てくる。その結果、セラミック中央付近では大きな電位
差を生じる。電極間電位差は決まっているので、電極付
近の電位差は小さくなる。電極付近の電界が小さくなる
ことにより、放電は発生しにくくなる。 セラミック
１７は、パウダーの段階で高比誘電率材料を低比誘電率
材料の間に層状にはさみ、加圧焼成して作られる。
。図１は本発明のマイクロ波管電子銃部のセラミック部
分を示す第１の実施例の断面図である。陰極と同電位の
ビーム成形電極２と陽極３の間に本発明のセラミック１
７を入れている。セラミック１７は比誘電率が均一でな
く、電極間中央付近において、電極付近より１０％以上
高比誘電率となるように作られている。従って、電気力
線１８は比誘電率の大きいセラミック中央付近に集まっ
てくる。その結果、セラミック中央付近では大きな電位
差を生じる。電極間電位差は決まっているので、電極付
近の電位差は小さくなる。電極付近の電界が小さくなる
ことにより、放電は発生しにくくなる。 セラミック
１７は、パウダーの段階で高比誘電率材料を低比誘電率
材料の間に層状にはさみ、加圧焼成して作られる。
【０００９】図２は本発明のマイクロ波管電子銃部のセ
ラミック部分を示す第２の実施例の断面図である。この
実施例では、ビーム成形電極２と陽極３の間に２種類の
セラミックを入れている。中央部のセラミック１９は両
端のセラミック２０よりも１０％以上比誘電率が大きい
。セラミック１９と２０は、ガラス封着されている。 比誘電率が電極間の中央付近で大きいため、第１の実施
例と同様に、電極近傍の電界が弱まり放電が防止される
。
ラミック部分を示す第２の実施例の断面図である。この
実施例では、ビーム成形電極２と陽極３の間に２種類の
セラミックを入れている。中央部のセラミック１９は両
端のセラミック２０よりも１０％以上比誘電率が大きい
。セラミック１９と２０は、ガラス封着されている。 比誘電率が電極間の中央付近で大きいため、第１の実施
例と同様に、電極近傍の電界が弱まり放電が防止される
。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波管では、電圧が印加される電極間のセラミックの中央
付近の比誘電率が、電極近傍の部分の比誘電率よりも１
０％以上大きいので、電界が電極間の中央に集中し、そ
の結果として電極近傍の電界が弱まり、放電を生じにく
くなるという効果を有する。
波管では、電圧が印加される電極間のセラミックの中央
付近の比誘電率が、電極近傍の部分の比誘電率よりも１
０％以上大きいので、電界が電極間の中央に集中し、そ
の結果として電極近傍の電界が弱まり、放電を生じにく
くなるという効果を有する。
【００１１】このようなセラミックを用いることにより
、単純なセラミック形状で放電を防止することができる
。
、単純なセラミック形状で放電を防止することができる
。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマイクロ波管電子銃部のセラミック部
分を示す第１の実施例の断面図である。
分を示す第１の実施例の断面図である。
【図２】本発明のマイクロ波管電子銃部のセラミック部
分を示す第２の実施例の断面図である。
分を示す第２の実施例の断面図である。
【図３】従来のマイクロ波管を示す半断面図である。
【図４】従来の耐圧向上を図ったマイクロ波管電子銃部
のセラミック部分を示す断面図である。
のセラミック部分を示す断面図である。
１ 陰極
２ ビーム形成電極
３ 陽極
４ 磁極
５ 入出力同軸構造
６ マグネット
７ 金属パイプ
８ 誘電体支柱
９ 高周波回路
１０ コレクタ電極
１１ 放熱翼
１２，１３，１４ セラミック
１６ コルゲート付きセラミック１７ 中
央で比誘電率の大きいセラミック１８ 電気力線 １９ 高比誘電率誘電体 ２０ 低比誘電率誘電体
央で比誘電率の大きいセラミック１８ 電気力線 １９ 高比誘電率誘電体 ２０ 低比誘電率誘電体
Claims (1)
- 【請求項１】 両端面をメタライズされたセラミック
と、前記セラミックにろう付けされた１対の金属片とか
らなる２つ以上の電極を有するマイクロ波管において、
前記セラミックは、メタライズ面間の中央付近の比誘電
率がメタライズ面付近の比誘電率よりも大きいことを特
徴とするマイクロ波管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040391A JPH04280037A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | マイクロ波管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040391A JPH04280037A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | マイクロ波管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280037A true JPH04280037A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12579702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4040391A Pending JPH04280037A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | マイクロ波管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280037A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637957A (en) * | 1995-03-20 | 1997-06-10 | Nec Corporation | Cathode-anode spacer comprising a projection of a length limited relative to its distance to the cathode |
| US6075315A (en) * | 1995-03-20 | 2000-06-13 | Nec Corporation | Field-emission cold cathode having improved insulating characteristic and manufacturing method of the same |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP4040391A patent/JPH04280037A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637957A (en) * | 1995-03-20 | 1997-06-10 | Nec Corporation | Cathode-anode spacer comprising a projection of a length limited relative to its distance to the cathode |
| US6075315A (en) * | 1995-03-20 | 2000-06-13 | Nec Corporation | Field-emission cold cathode having improved insulating characteristic and manufacturing method of the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4705989A (en) | Magnetron with a ceramic stem having a cathode support structure | |
| US4527092A (en) | Multistage spent particle collector and a method for making same | |
| JPH04280037A (ja) | マイクロ波管 | |
| US6291935B1 (en) | Collector structure having a loss ceramic member | |
| US3662212A (en) | Depressed electron beam collector | |
| US3717787A (en) | Compact depressed electron beam collector | |
| US3979634A (en) | Travelling-wave tube with an improved electron gun | |
| JP3038830B2 (ja) | 伝導冷却形多段コレクタ | |
| JPS6084752A (ja) | チヤンネル式二次電子増倍装置及びその製造方法 | |
| US5418425A (en) | Multistage collector for electron-beam tubes having collector electrodes indirectly connected by collar members | |
| JPS6236773B2 (ja) | ||
| EP0924740B1 (en) | Deformed sleeve electrode assembly | |
| US3297906A (en) | High frequency electron discharge device of the traveling wave type having an interconnected cell slow wave circuit with improved slot coupling | |
| EP0802557B1 (en) | Collector for an electron beam tube | |
| CN1062976C (zh) | 电子束管 | |
| US3292030A (en) | Electrode assemblies for surge diverters | |
| JP3334694B2 (ja) | 進行波管 | |
| JP2647866B2 (ja) | 電子管封止構造 | |
| US3459994A (en) | Crossed-field discharge device and improved magnetic pole structures therefor | |
| JPH057721Y2 (ja) | ||
| US20040222744A1 (en) | Vacuum tube electrode structure | |
| JPH0410334A (ja) | マグネトロン | |
| RU2024100C1 (ru) | Способ изготовления клистронов | |
| JP2713189B2 (ja) | マイクロ波管用耐電圧セラミック構造体 | |
| CN107634449A (zh) | 一种二极气体放电管结构 |