JPH04280037A - マイクロ波管 - Google Patents
マイクロ波管Info
- Publication number
- JPH04280037A JPH04280037A JP4040391A JP4040391A JPH04280037A JP H04280037 A JPH04280037 A JP H04280037A JP 4040391 A JP4040391 A JP 4040391A JP 4040391 A JP4040391 A JP 4040391A JP H04280037 A JPH04280037 A JP H04280037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- electrodes
- dielectric constant
- center
- microwave tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 7
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波管に関し、
特にその耐電圧特性を改善できる構造に関する。
特にその耐電圧特性を改善できる構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術のマイクロ波管は図3に示す構
造を有している。1は電子を放出する陰極であり、2は
電子ビームを成形するビーム成形電極である。ビーム成
形電極2は通常は陰極1と同電位に設定される。3は陽
極であり、陰極1から電子をひき出すために陰極に対し
て高電圧が与えられる。9は高周波と電子ビーム15と
の相互作用を行わせることにより、高周波を増幅させる
高周波回路である。高周波は入出力同軸構造5を介して
マイクロ波管へ入出力する。7は真空封止用金属パイプ
である。高周波回路9は誘電体支柱8によって支持され
ている。円環状マグネット6と磁極4により磁気回路を
形成し、マイクロ波管の中心軸上にビーム集束用磁界分
布を生成している。10は電子ビームを回収するコレク
タであり、強制空冷形コレクタの場合には、放熱用翼1
1を有する。
造を有している。1は電子を放出する陰極であり、2は
電子ビームを成形するビーム成形電極である。ビーム成
形電極2は通常は陰極1と同電位に設定される。3は陽
極であり、陰極1から電子をひき出すために陰極に対し
て高電圧が与えられる。9は高周波と電子ビーム15と
の相互作用を行わせることにより、高周波を増幅させる
高周波回路である。高周波は入出力同軸構造5を介して
マイクロ波管へ入出力する。7は真空封止用金属パイプ
である。高周波回路9は誘電体支柱8によって支持され
ている。円環状マグネット6と磁極4により磁気回路を
形成し、マイクロ波管の中心軸上にビーム集束用磁界分
布を生成している。10は電子ビームを回収するコレク
タであり、強制空冷形コレクタの場合には、放熱用翼1
1を有する。
【0003】陰極1とビーム成形電極2は同電位であり
、陽極3との間に高電圧が印加されるが、耐圧をもたせ
るためと真空封止の目的でセラミック12により、ビー
ム成形電極2と陽極3を固定している。陽極3と磁極4
の間,磁極4とコレクタ電極10との間にも高電圧が印
加されるので、各々セラミック13,14を電極間に入
れている。
、陽極3との間に高電圧が印加されるが、耐圧をもたせ
るためと真空封止の目的でセラミック12により、ビー
ム成形電極2と陽極3を固定している。陽極3と磁極4
の間,磁極4とコレクタ電極10との間にも高電圧が印
加されるので、各々セラミック13,14を電極間に入
れている。
【0004】高電圧が印加されるセラミック12,13
,14は、両端がメタライズされ、電極金属とろう付け
によって接合されている。しかしながら、ろう付け部の
ろうだれ等により、電極とセラミックとの接合部に強電
界を生じやすく、セラミック面に沿った沿面放電がしば
しば生じる。沿面放電を生じると、電極間電圧が変化し
たりガスが発生したりするので、ビーム透過に異常を生
じ、管球の高周波回路を傷つける場合がある。また、電
極間に放電により大電流が流れると、電源側に大電流が
流れ、電源を破損する場合もある。
,14は、両端がメタライズされ、電極金属とろう付け
によって接合されている。しかしながら、ろう付け部の
ろうだれ等により、電極とセラミックとの接合部に強電
界を生じやすく、セラミック面に沿った沿面放電がしば
しば生じる。沿面放電を生じると、電極間電圧が変化し
たりガスが発生したりするので、ビーム透過に異常を生
じ、管球の高周波回路を傷つける場合がある。また、電
極間に放電により大電流が流れると、電源側に大電流が
流れ、電源を破損する場合もある。
【0005】従来、沿面放電を防ぐために、セラミック
,電極間のろう付け部分のろうだれをブラッシングによ
り削り取ったり、セラミック面をブラッシングし、汚れ
を除去したりしている。また、セラミックにコルゲート
と呼ばれる段をつけ、沿面放電の成長を防ぐ工夫も行わ
れている。図4はコルゲートの例であり、ビーム成形電
極2と陽極3の間のセラミックに段をつけ、コルゲート
付きセラミック16としている。また、コロナリングを
取りつけ、ろう付け部分の電界を下げる方法も行われて
いる。
,電極間のろう付け部分のろうだれをブラッシングによ
り削り取ったり、セラミック面をブラッシングし、汚れ
を除去したりしている。また、セラミックにコルゲート
と呼ばれる段をつけ、沿面放電の成長を防ぐ工夫も行わ
れている。図4はコルゲートの例であり、ビーム成形電
極2と陽極3の間のセラミックに段をつけ、コルゲート
付きセラミック16としている。また、コロナリングを
取りつけ、ろう付け部分の電界を下げる方法も行われて
いる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電極間のセラミックの構造では効果が十分でなかったり
、セラミック形状が複雑になる等の欠点があった。
電極間のセラミックの構造では効果が十分でなかったり
、セラミック形状が複雑になる等の欠点があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、両端面をメタ
ライズされたセラミックと、このセラミックにろう付け
された1対の金属片とからなる電極を有するマイクロ波
管において、セラミックは、中央部の比誘電率が両端近
傍の電極付近の比誘電率よりも10%以上大きいことを
特徴とする。
ライズされたセラミックと、このセラミックにろう付け
された1対の金属片とからなる電極を有するマイクロ波
管において、セラミックは、中央部の比誘電率が両端近
傍の電極付近の比誘電率よりも10%以上大きいことを
特徴とする。
【0008】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1は本発明のマイクロ波管電子銃部のセラミック部
分を示す第1の実施例の断面図である。陰極と同電位の
ビーム成形電極2と陽極3の間に本発明のセラミック1
7を入れている。セラミック17は比誘電率が均一でな
く、電極間中央付近において、電極付近より10%以上
高比誘電率となるように作られている。従って、電気力
線18は比誘電率の大きいセラミック中央付近に集まっ
てくる。その結果、セラミック中央付近では大きな電位
差を生じる。電極間電位差は決まっているので、電極付
近の電位差は小さくなる。電極付近の電界が小さくなる
ことにより、放電は発生しにくくなる。 セラミック
17は、パウダーの段階で高比誘電率材料を低比誘電率
材料の間に層状にはさみ、加圧焼成して作られる。
。図1は本発明のマイクロ波管電子銃部のセラミック部
分を示す第1の実施例の断面図である。陰極と同電位の
ビーム成形電極2と陽極3の間に本発明のセラミック1
7を入れている。セラミック17は比誘電率が均一でな
く、電極間中央付近において、電極付近より10%以上
高比誘電率となるように作られている。従って、電気力
線18は比誘電率の大きいセラミック中央付近に集まっ
てくる。その結果、セラミック中央付近では大きな電位
差を生じる。電極間電位差は決まっているので、電極付
近の電位差は小さくなる。電極付近の電界が小さくなる
ことにより、放電は発生しにくくなる。 セラミック
17は、パウダーの段階で高比誘電率材料を低比誘電率
材料の間に層状にはさみ、加圧焼成して作られる。
【0009】図2は本発明のマイクロ波管電子銃部のセ
ラミック部分を示す第2の実施例の断面図である。この
実施例では、ビーム成形電極2と陽極3の間に2種類の
セラミックを入れている。中央部のセラミック19は両
端のセラミック20よりも10%以上比誘電率が大きい
。セラミック19と20は、ガラス封着されている。 比誘電率が電極間の中央付近で大きいため、第1の実施
例と同様に、電極近傍の電界が弱まり放電が防止される
。
ラミック部分を示す第2の実施例の断面図である。この
実施例では、ビーム成形電極2と陽極3の間に2種類の
セラミックを入れている。中央部のセラミック19は両
端のセラミック20よりも10%以上比誘電率が大きい
。セラミック19と20は、ガラス封着されている。 比誘電率が電極間の中央付近で大きいため、第1の実施
例と同様に、電極近傍の電界が弱まり放電が防止される
。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波管では、電圧が印加される電極間のセラミックの中央
付近の比誘電率が、電極近傍の部分の比誘電率よりも1
0%以上大きいので、電界が電極間の中央に集中し、そ
の結果として電極近傍の電界が弱まり、放電を生じにく
くなるという効果を有する。
波管では、電圧が印加される電極間のセラミックの中央
付近の比誘電率が、電極近傍の部分の比誘電率よりも1
0%以上大きいので、電界が電極間の中央に集中し、そ
の結果として電極近傍の電界が弱まり、放電を生じにく
くなるという効果を有する。
【0011】このようなセラミックを用いることにより
、単純なセラミック形状で放電を防止することができる
。
、単純なセラミック形状で放電を防止することができる
。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロ波管電子銃部のセラミック部
分を示す第1の実施例の断面図である。
分を示す第1の実施例の断面図である。
【図2】本発明のマイクロ波管電子銃部のセラミック部
分を示す第2の実施例の断面図である。
分を示す第2の実施例の断面図である。
【図3】従来のマイクロ波管を示す半断面図である。
【図4】従来の耐圧向上を図ったマイクロ波管電子銃部
のセラミック部分を示す断面図である。
のセラミック部分を示す断面図である。
1 陰極
2 ビーム形成電極
3 陽極
4 磁極
5 入出力同軸構造
6 マグネット
7 金属パイプ
8 誘電体支柱
9 高周波回路
10 コレクタ電極
11 放熱翼
12,13,14 セラミック
16 コルゲート付きセラミック17 中
央で比誘電率の大きいセラミック18 電気力線 19 高比誘電率誘電体 20 低比誘電率誘電体
央で比誘電率の大きいセラミック18 電気力線 19 高比誘電率誘電体 20 低比誘電率誘電体
Claims (1)
- 【請求項1】 両端面をメタライズされたセラミック
と、前記セラミックにろう付けされた1対の金属片とか
らなる2つ以上の電極を有するマイクロ波管において、
前記セラミックは、メタライズ面間の中央付近の比誘電
率がメタライズ面付近の比誘電率よりも大きいことを特
徴とするマイクロ波管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4040391A JPH04280037A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | マイクロ波管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4040391A JPH04280037A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | マイクロ波管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04280037A true JPH04280037A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12579702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4040391A Pending JPH04280037A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | マイクロ波管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04280037A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5637957A (en) * | 1995-03-20 | 1997-06-10 | Nec Corporation | Cathode-anode spacer comprising a projection of a length limited relative to its distance to the cathode |
US6075315A (en) * | 1995-03-20 | 2000-06-13 | Nec Corporation | Field-emission cold cathode having improved insulating characteristic and manufacturing method of the same |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP4040391A patent/JPH04280037A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5637957A (en) * | 1995-03-20 | 1997-06-10 | Nec Corporation | Cathode-anode spacer comprising a projection of a length limited relative to its distance to the cathode |
US6075315A (en) * | 1995-03-20 | 2000-06-13 | Nec Corporation | Field-emission cold cathode having improved insulating characteristic and manufacturing method of the same |
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