KR960002796A - 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 - Google Patents

반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960002796A
KR960002796A KR1019940012824A KR19940012824A KR960002796A KR 960002796 A KR960002796 A KR 960002796A KR 1019940012824 A KR1019940012824 A KR 1019940012824A KR 19940012824 A KR19940012824 A KR 19940012824A KR 960002796 A KR960002796 A KR 960002796A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
column
address
column redundancy
redundancy device
semiconductor devices
Prior art date
Application number
KR1019940012824A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0131721B1 (ko
Inventor
유종학
남종기
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940012824A priority Critical patent/KR0131721B1/ko
Priority to US08/475,863 priority patent/US5590085A/en
Priority to JP14173695A priority patent/JP3298762B2/ja
Priority to DE19520979A priority patent/DE19520979B4/de
Publication of KR960002796A publication Critical patent/KR960002796A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0131721B1 publication Critical patent/KR0131721B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/783Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with refresh of replacement cells, e.g. in DRAMs
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • G11C29/806Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout by reducing size of decoders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 소자의 리프레쉬 비가 증가함에 따라 컬럼 리페어 효율이 저하되는 것을 방지하기 위하여, 컬럼 리던던시 장치에 메탈 옵션 또는 본딩 옵션을 사용하여 증가된 리프레쉬 비에 의해 돈-캐어 상태가 되는 로오 어드레스를 선택 기능이 있으며 데이터 입출력에 관여하는 컬럼 어드레스로 대체시키도록 하는 컬럼 리던던시 장치에 관한 기술이다.

Description

반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 컬럼 리던던시 장치를 도시한 회로도.
제2도는 본 발명에 의한 컬럼 리던던시 장치를 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 제1퓨즈 박스 12 : 제2퓨즈 박스
13 : 제3퓨즈 박스 14 : 제4퓨즈 박스

Claims (2)

  1. 다수 개의 셀 어레이 소블럭을 포함하는 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치에 있어서, 결함 비트라인 선택 어드레스를 프로그래밍하는 컬럼 리페어 퓨즈 박스로 인가되어 상기 다수 개의 셀 어레이 소블럭을 구분하는데 이용되는 어드레스 중에서 리프레쉬 비의 증가로 그 선택 기능이 상실되는 어드레스를 리프레쉬 비의 증가시에 선택 기능이 있으며 데이타 입출력에 관여하는 컬럼 어드레스로 대체하는 전환장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬럼 리던던시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 전환장치는 메탈 옵션 또는 본딩 옵션을 사용하여 어드레스를 전환하도록 구현된 것을 특징으로 하는 컬럼 리던던시 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940012824A 1994-06-08 1994-06-08 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 KR0131721B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940012824A KR0131721B1 (ko) 1994-06-08 1994-06-08 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치
US08/475,863 US5590085A (en) 1994-06-08 1995-06-07 Column redundancy device for semiconductor memory
JP14173695A JP3298762B2 (ja) 1994-06-08 1995-06-08 半導体メモリ用カラム リダンダンシー装置
DE19520979A DE19520979B4 (de) 1994-06-08 1995-06-08 Spaltenredundanzvorrichtung für einen Halbleiterspeicher

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940012824A KR0131721B1 (ko) 1994-06-08 1994-06-08 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960002796A true KR960002796A (ko) 1996-01-26
KR0131721B1 KR0131721B1 (ko) 1998-04-15

Family

ID=19384856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940012824A KR0131721B1 (ko) 1994-06-08 1994-06-08 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5590085A (ko)
JP (1) JP3298762B2 (ko)
KR (1) KR0131721B1 (ko)
DE (1) DE19520979B4 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483456B1 (ko) * 2002-09-24 2005-04-15 학교법인 동원육영회 자기저항 센서를 이용한 경보 시스템

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0173946B1 (ko) * 1995-12-18 1999-04-01 김광호 동기형 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로
JP2982695B2 (ja) * 1996-07-15 1999-11-29 日本電気株式会社 半導体メモリ
JP2848451B2 (ja) * 1996-07-10 1999-01-20 日本電気株式会社 半導体メモリ
KR100220555B1 (ko) * 1996-10-30 1999-09-15 윤종용 디코딩 어드레스 페일을 방지하기 위한 리던던시 디코딩 회로
US5828624A (en) * 1996-12-23 1998-10-27 Cypress Semiconductor Corporation Decoder circuit and method for disabling a number of columns or rows in a memory
US5859562A (en) * 1996-12-24 1999-01-12 Actel Corporation Programming circuit for antifuses using bipolar and SCR devices
JP2000123593A (ja) 1998-08-13 2000-04-28 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
KR100334531B1 (ko) * 1999-04-03 2002-05-02 박종섭 반도체 메모리 장치
KR100379556B1 (ko) * 2001-05-15 2003-04-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 컬럼 리페어 장치
KR100516735B1 (ko) * 2001-12-08 2005-09-22 주식회사 하이닉스반도체 메모리 셀 어레이 내부 배선을 이용한 로오 엑세스 정보전달 장치
KR100925373B1 (ko) * 2008-01-15 2009-11-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적 회로의 퓨즈 회로
JP2010277672A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Toshiba Corp 多値nandフラッシュメモリ
KR101062757B1 (ko) 2009-07-31 2011-09-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로
KR101062775B1 (ko) 2009-12-28 2011-09-06 주식회사 하이닉스반도체 퓨즈 회로 및 그 제어 방법
KR101046273B1 (ko) 2010-01-29 2011-07-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치
KR101124320B1 (ko) 2010-03-31 2012-03-27 주식회사 하이닉스반도체 리던던시 회로
US8976604B2 (en) 2012-02-13 2015-03-10 Macronix International Co., Lt. Method and apparatus for copying data with a memory array having redundant memory
US9165680B2 (en) 2013-03-11 2015-10-20 Macronix International Co., Ltd. Memory integrated circuit with a page register/status memory capable of storing only a subset of row blocks of main column blocks
US9773571B2 (en) 2014-12-16 2017-09-26 Macronix International Co., Ltd. Memory repair redundancy with array cache redundancy
US20160218286A1 (en) 2015-01-23 2016-07-28 Macronix International Co., Ltd. Capped contact structure with variable adhesion layer thickness
US9514815B1 (en) 2015-05-13 2016-12-06 Macronix International Co., Ltd. Verify scheme for ReRAM
US9691478B1 (en) 2016-04-22 2017-06-27 Macronix International Co., Ltd. ReRAM array configuration for bipolar operation
US10153288B2 (en) * 2016-05-31 2018-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Double metal layout for memory cells of a non-volatile memory
US9959928B1 (en) 2016-12-13 2018-05-01 Macronix International Co., Ltd. Iterative method and apparatus to program a programmable resistance memory element using stabilizing pulses

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4389715A (en) * 1980-10-06 1983-06-21 Inmos Corporation Redundancy scheme for a dynamic RAM
KR950000275B1 (ko) * 1992-05-06 1995-01-12 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483456B1 (ko) * 2002-09-24 2005-04-15 학교법인 동원육영회 자기저항 센서를 이용한 경보 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0877790A (ja) 1996-03-22
DE19520979A1 (de) 1995-12-14
JP3298762B2 (ja) 2002-07-08
KR0131721B1 (ko) 1998-04-15
US5590085A (en) 1996-12-31
DE19520979B4 (de) 2005-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960002796A (ko) 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치
KR930024021A (ko) 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시
KR940016279A (ko) 리던던시 효율이 향상되는 반도체 메모리 장치
KR960043187A (ko) 반도체장치
KR960008544A (ko) 다중 메모리 뱅크 선택을 위한 방법 및 장치
KR940010103A (ko) 이중 워드라인 구조인 반도체 메모리 디바이스
KR930020475A (ko) 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시 장치
KR920006997A (ko) 용장회로(冗長回路)
KR900003895A (ko) 반도체메모리셀 및 반도체메모리장치
KR930018595A (ko) 반도체 기억장치
KR950009742A (ko) 다수의 메모리 셀을 가진 메모리를 구비한 전자 회로
EP0090332B1 (en) Semiconductor memory device
KR880009373A (ko) 반도체 기억장치
KR930003159A (ko) 반도체 기억장치
KR980004966A (ko) 반도체 기억 장치
KR880004376A (ko) 반도체 기억장치
KR950009744A (ko) 반도체 기억 장치
KR940007873A (ko) 반도체 메모리장치의 플레시 라이트 회로
KR850004856A (ko) 프로그래머블 반도체 메모리장치
KR970051427A (ko) 리던던시 효율을 높인 반도체 메모리 장치
KR960019322A (ko) 반도체 메모리 시험장치
KR950019006A (ko) 옵션 처리를 이용한 리페어 효율 증가 회로
KR940016815A (ko) 반도체 기억 장치
KR850001610A (ko) 반도체 메모리
KR960015902A (ko) 반도체 기억소자를 리페어하기 위한 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111121

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121121

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee