KR960002796A - 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 - Google Patents
반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 소자의 리프레쉬 비가 증가함에 따라 컬럼 리페어 효율이 저하되는 것을 방지하기 위하여, 컬럼 리던던시 장치에 메탈 옵션 또는 본딩 옵션을 사용하여 증가된 리프레쉬 비에 의해 돈-캐어 상태가 되는 로오 어드레스를 선택 기능이 있으며 데이터 입출력에 관여하는 컬럼 어드레스로 대체시키도록 하는 컬럼 리던던시 장치에 관한 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 컬럼 리던던시 장치를 도시한 회로도.
제2도는 본 발명에 의한 컬럼 리던던시 장치를 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 제1퓨즈 박스 12 : 제2퓨즈 박스
13 : 제3퓨즈 박스 14 : 제4퓨즈 박스
Claims (2)
- 다수 개의 셀 어레이 소블럭을 포함하는 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치에 있어서, 결함 비트라인 선택 어드레스를 프로그래밍하는 컬럼 리페어 퓨즈 박스로 인가되어 상기 다수 개의 셀 어레이 소블럭을 구분하는데 이용되는 어드레스 중에서 리프레쉬 비의 증가로 그 선택 기능이 상실되는 어드레스를 리프레쉬 비의 증가시에 선택 기능이 있으며 데이타 입출력에 관여하는 컬럼 어드레스로 대체하는 전환장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬럼 리던던시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 어드레스 전환장치는 메탈 옵션 또는 본딩 옵션을 사용하여 어드레스를 전환하도록 구현된 것을 특징으로 하는 컬럼 리던던시 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940012824A KR0131721B1 (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 |
US08/475,863 US5590085A (en) | 1994-06-08 | 1995-06-07 | Column redundancy device for semiconductor memory |
JP14173695A JP3298762B2 (ja) | 1994-06-08 | 1995-06-08 | 半導体メモリ用カラム リダンダンシー装置 |
DE19520979A DE19520979B4 (de) | 1994-06-08 | 1995-06-08 | Spaltenredundanzvorrichtung für einen Halbleiterspeicher |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940012824A KR0131721B1 (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960002796A true KR960002796A (ko) | 1996-01-26 |
KR0131721B1 KR0131721B1 (ko) | 1998-04-15 |
Family
ID=19384856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940012824A KR0131721B1 (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5590085A (ko) |
JP (1) | JP3298762B2 (ko) |
KR (1) | KR0131721B1 (ko) |
DE (1) | DE19520979B4 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101062775B1 (ko) | 2009-12-28 | 2011-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 퓨즈 회로 및 그 제어 방법 |
KR101046273B1 (ko) | 2010-01-29 | 2011-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 |
KR101124320B1 (ko) | 2010-03-31 | 2012-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리던던시 회로 |
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-
1994
- 1994-06-08 KR KR1019940012824A patent/KR0131721B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-06-07 US US08/475,863 patent/US5590085A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-08 DE DE19520979A patent/DE19520979B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-08 JP JP14173695A patent/JP3298762B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0877790A (ja) | 1996-03-22 |
DE19520979A1 (de) | 1995-12-14 |
JP3298762B2 (ja) | 2002-07-08 |
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US5590085A (en) | 1996-12-31 |
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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