KR950034831A - 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치 Download PDF

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Abstract

절연성 표면위에 비정질 반도체막이 퇴적되어 있는 기판에서, 비정질 반도체막의 소정 영역을 가열 광선을 내는 가열부에 의해 부분적으로 가열하면서 가열부 또는 기판중 어느 하나를 이동시켜 가열 영역을 이동시킨다. 이로써 비정질 반도체막을 순차 열처리하여 다결정화 시킨다. 가열 영역의 이동에 수반하여, 인접하여 존재하는 가열 광선의 조사에 의해서 다결정화한 반도체 부분의 결정 입자를 종결정으로 하고 다결정화가 순차진행한다. 이로써 가열 영역의 이동 방향을 따라 결정 입자의 성장 상태가 균일하게 제어된다.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 제조 방치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 다결정화 프로세스에 있어서 기판상에 퇴적된 비정질 반도체막의 부분 가열 공정을 설명하기 위한 기판의 개략적인 평면도, 제2도는 본 발명의 부분 가열 공정을 설명하기 위한 기판 및 열처리 장치의 단면도.

Claims (16)

  1. 절연성 표면을 가진 기판위에 비정질 반도체막을 퇴적 하는 퇴적 공정과, 이 비정질 반도체막을 다결정화 하는 다결정화 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에서, 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정은, 상기 비정질 반도체막을 퇴적시킨 상기 기판위의 소정의 가열 영역을 가열 수단으로 부분적으로 가열하는 부분 가열 공정과, 상기 가열 수단 및 상기 기판중 적어도 한쪽을 이동시켜 이 소정의 가열 영역을 기판면을 따라 이동시키는 이동공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열 수단의 열원으로서 가열 광선을 발광하여 띠모양의 피조사 영역을 조사하는 가열 관원이 사용되고, 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에서는 상기 기판의 적어도 한쪽에서 상기 가열 광선을 기판에 대해 조사하면서 상기 피조사 영역을 횡단하는 방향으로 상기 기판이 상대적으로 이동하도록 상기 가열 수단과 상기 기판중 적어도 한쪽을 이동시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가열광원이 적어도 하나의 램프인 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 가열 광원이 적어도 하나의 연속파 레이저인 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 가열광선의 조사 에너지 밀도는 상기 비정질 반도체 막이 용융하지만 상기 다결정화된 반도체 막은 용융하지 않는 범위에 설정되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 가열광선의 조사 에너지 밀도는 상기 비정질 반도체 막이 용융하지만 상기 다결정화된 반도체 막은 용융하지 않는 범위에 설정되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 비정질 반도체 막속에 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 Ni, Cu, Pd, Pt, Co, Fe, Ag, Au, In 및 Sn으로된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소를 주입하여 띠모양의 피주입영역을 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 피주입 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 개시되는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 비정질 반도체막 속에 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 V족 원소들에서 선택된 적어도 하나의 원소를 주입하여 띠모양의 피주입 영역을 형성하는 공정을 더 포함하고, 피주입 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 개시되는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정에 앞서 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 높이 100nm 이상의 단차 영역을 기판의 표면에 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 비정질 반도체막이 상기 단차 영역의 위에도 퇴적되고, 상기 단차 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 개시되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 상기 비정질 반도체막에 상기 비정질 반도체막과 동일한 원소로 구성된 다결정 반도체층을 압착하여 띠모양 압착영역을 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 띠모양 압착 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 개시되는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 상기 비정질 반도체막과 동일한 원소로 구성된 다결정 반도체층을 상기 비정질 반도체막에 띠모양으로 겹치도록 압착하여 띠모양 압착 영역을 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 띠모양 압착 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 시작되는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 상기 비정질 반도체막의 소정의 띠모양 영역에 엑시머 레이저를 조사하여 띠모양의 다결정 영역을 상길 비정질 반도체막에 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 띠모양의 다결정 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 시작되는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 가열 영역의 이동속도가 상기 가열 영역의 폭을 가열 개시부터 상기 비정질 반도체가 용융할때까지의 시간으로 나눈 값과 같든가 또는 그보다 더 작게 설정되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 비정질 반도체막은 플라스마 CVD장치, 감압 CVD 장치 및 스퍼터링 장치로 된 그룹에서 선택된 장치를 사용하여 퇴적되는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 비정질 반도체막의 막 두께가 30nm~150nm의 범위에 설정되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 띠모양의 조사 영역을 조사하는 가열 광선을 내어 소정의 가열 영역을 가열하는 적어도 하나의 가열광원을 갖는 가열 수단과, 그 표면에 비정질 반도체막이 퇴적되어 있는 기판의 적어도 한쪽으로부터 그 가열광선을 조사하면서 이 조사 영역을 횡당하는 방향으로 상기 기판이 상대적으로 이동하도록 상기 기판과 가열수단 중 적어도 한쪽을 이동시켜 이 가열 영역을 기판면에 따라 이동시키는 수단을 포함하되, 상기 기판이 열처리되어 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 이루어지는 반도체 장치의 제조 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7097712B1 (en) 1992-12-04 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for processing a semiconductor
US6897100B2 (en) * 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
JPH0869967A (ja) 1994-08-26 1996-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
KR100265179B1 (ko) * 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6478263B1 (en) 1997-01-17 2002-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
US5985740A (en) 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
JP3645380B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置
JP3645378B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5888858A (en) 1996-01-20 1999-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6180439B1 (en) 1996-01-26 2001-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device
US6465287B1 (en) 1996-01-27 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization
US6063654A (en) * 1996-02-20 2000-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor involving laser treatment
TW374196B (en) 1996-02-23 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
TW335503B (en) 1996-02-23 1998-07-01 Semiconductor Energy Lab Kk Semiconductor thin film and manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method
US6100562A (en) * 1996-03-17 2000-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JPH10199807A (ja) 1996-12-27 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 結晶性珪素膜の作製方法
JP3424891B2 (ja) * 1996-12-27 2003-07-07 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
JPH1174536A (ja) * 1997-01-09 1999-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6423585B1 (en) * 1997-03-11 2002-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heating treatment device, heating treatment method and fabrication method of semiconductor device
JP3544280B2 (ja) 1997-03-27 2004-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6307214B1 (en) 1997-06-06 2001-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor thin film and semiconductor device
US6501094B1 (en) * 1997-06-11 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a bottom gate type thin film transistor
JP2000058839A (ja) 1998-08-05 2000-02-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
JP2000174282A (ja) 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6337467B1 (en) 2000-05-09 2002-01-08 Wafermasters, Inc. Lamp based scanning rapid thermal processing
US6376806B2 (en) 2000-05-09 2002-04-23 Woo Sik Yoo Flash anneal
KR100473245B1 (ko) * 2000-10-06 2005-03-10 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 다결정 실리콘막의 제조 방법, 제조 장치 및 반도체장치의 제조 방법
US6954747B1 (en) * 2000-11-14 2005-10-11 Microsoft Corporation Methods for comparing versions of a program
US6830994B2 (en) * 2001-03-09 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having a crystallized semiconductor film
JP2003229359A (ja) * 2001-11-29 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US20040169176A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Peterson Paul E. Methods of forming thin film transistors and related systems
US20050275880A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Roland Korst Apparatus and method for controlling and managing an RFID printer system
JP2006005148A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Sharp Corp 半導体薄膜の製造方法および製造装置
DE112006002027B4 (de) * 2005-08-03 2018-08-02 Y.A.C. Holdings Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen und System zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
KR101107559B1 (ko) 2010-04-07 2012-01-31 서울대학교산학협력단 이동식 급속 열처리를 이용한 인쇄 박막 형성방법 및 이를 이용하여 형성된 인쇄 박막
CN106087040B (zh) * 2016-07-14 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 半导体多晶化系统和对单晶半导体基板进行多晶化的方法
JP7213726B2 (ja) * 2019-03-13 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び熱処理装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4649624A (en) * 1983-10-03 1987-03-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Fabrication of semiconductor devices in recrystallized semiconductor films on electrooptic substrates
DE3587100T2 (de) * 1984-10-09 1993-09-09 Fujitsu Ltd Verfahren zur herstellung einer auf der halbleiter-auf-isolator-technologie basierenden integrierten schaltung.
JPH01212431A (ja) * 1988-02-20 1989-08-25 Fujitsu General Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPH01241862A (ja) * 1988-03-24 1989-09-26 Sony Corp 表示装置の製造方法
JPH0233935A (ja) * 1988-07-23 1990-02-05 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP3033120B2 (ja) * 1990-04-02 2000-04-17 セイコーエプソン株式会社 半導体薄膜の製造方法
JPH03292719A (ja) * 1990-04-10 1991-12-24 Seiko Epson Corp シリコン半導体層の形成方法
JPH046823A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Seiko Epson Corp 結晶性半導体薄膜の製造方法
JPH046822A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Seiko Epson Corp 結晶性半導体薄膜の製造方法
JPH0411226A (ja) * 1990-04-27 1992-01-16 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法
US5147826A (en) * 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
JP2923016B2 (ja) * 1990-09-17 1999-07-26 株式会社日立製作所 薄膜半導体の製造方法及びその装置
JP3249508B2 (ja) * 1990-09-25 2002-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2838155B2 (ja) * 1990-09-29 1998-12-16 京セラ株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0629536A (ja) * 1991-02-28 1994-02-04 Tonen Corp 多結晶シリコン薄膜トランジスタ
JPH04294523A (ja) * 1991-03-22 1992-10-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP3206071B2 (ja) * 1992-01-14 2001-09-04 富士ゼロックス株式会社 半導体素子の製造方法
JPH0555142A (ja) * 1991-08-22 1993-03-05 Sony Corp 非晶質半導体層の結晶化方法
JPH05136048A (ja) * 1991-11-13 1993-06-01 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
KR100269350B1 (ko) * 1991-11-26 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터의제조방법
JPH05175235A (ja) * 1991-12-25 1993-07-13 Sharp Corp 多結晶半導体薄膜の製造方法
JP2970176B2 (ja) * 1992-02-21 1999-11-02 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスタの製造方法及びその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
US5372836A (en) * 1992-03-27 1994-12-13 Tokyo Electron Limited Method of forming polycrystalling silicon film in process of manufacturing LCD
JPH05326961A (ja) * 1992-05-20 1993-12-10 Toshiba Corp 液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法
JPH0613311A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Hitachi Ltd 半導体結晶膜の形成方法及び半導体装置
JPH0621459A (ja) * 1992-07-02 1994-01-28 Hitachi Ltd アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP2851495B2 (ja) * 1992-08-28 1999-01-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
JPH0684944A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
TW241377B (ko) * 1993-03-12 1995-02-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
JPH0738110A (ja) * 1993-07-21 1995-02-07 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

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