KR950034831A - 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치 Download PDF

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Abstract

절연성 표면위에 비정질 반도체막이 퇴적되어 있는 기판에서, 비정질 반도체막의 소정 영역을 가열 광선을 내는 가열부에 의해 부분적으로 가열하면서 가열부 또는 기판중 어느 하나를 이동시켜 가열 영역을 이동시킨다. 이로써 비정질 반도체막을 순차 열처리하여 다결정화 시킨다. 가열 영역의 이동에 수반하여, 인접하여 존재하는 가열 광선의 조사에 의해서 다결정화한 반도체 부분의 결정 입자를 종결정으로 하고 다결정화가 순차진행한다. 이로써 가열 영역의 이동 방향을 따라 결정 입자의 성장 상태가 균일하게 제어된다.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 제조 방치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 다결정화 프로세스에 있어서 기판상에 퇴적된 비정질 반도체막의 부분 가열 공정을 설명하기 위한 기판의 개략적인 평면도, 제2도는 본 발명의 부분 가열 공정을 설명하기 위한 기판 및 열처리 장치의 단면도.

Claims (16)

  1. 절연성 표면을 가진 기판위에 비정질 반도체막을 퇴적 하는 퇴적 공정과, 이 비정질 반도체막을 다결정화 하는 다결정화 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에서, 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정은, 상기 비정질 반도체막을 퇴적시킨 상기 기판위의 소정의 가열 영역을 가열 수단으로 부분적으로 가열하는 부분 가열 공정과, 상기 가열 수단 및 상기 기판중 적어도 한쪽을 이동시켜 이 소정의 가열 영역을 기판면을 따라 이동시키는 이동공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열 수단의 열원으로서 가열 광선을 발광하여 띠모양의 피조사 영역을 조사하는 가열 관원이 사용되고, 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에서는 상기 기판의 적어도 한쪽에서 상기 가열 광선을 기판에 대해 조사하면서 상기 피조사 영역을 횡단하는 방향으로 상기 기판이 상대적으로 이동하도록 상기 가열 수단과 상기 기판중 적어도 한쪽을 이동시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가열광원이 적어도 하나의 램프인 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 가열 광원이 적어도 하나의 연속파 레이저인 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 가열광선의 조사 에너지 밀도는 상기 비정질 반도체 막이 용융하지만 상기 다결정화된 반도체 막은 용융하지 않는 범위에 설정되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 가열광선의 조사 에너지 밀도는 상기 비정질 반도체 막이 용융하지만 상기 다결정화된 반도체 막은 용융하지 않는 범위에 설정되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 비정질 반도체 막속에 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 Ni, Cu, Pd, Pt, Co, Fe, Ag, Au, In 및 Sn으로된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소를 주입하여 띠모양의 피주입영역을 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 피주입 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 개시되는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 비정질 반도체막 속에 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 V족 원소들에서 선택된 적어도 하나의 원소를 주입하여 띠모양의 피주입 영역을 형성하는 공정을 더 포함하고, 피주입 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 개시되는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정에 앞서 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 높이 100nm 이상의 단차 영역을 기판의 표면에 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 비정질 반도체막이 상기 단차 영역의 위에도 퇴적되고, 상기 단차 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 개시되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 상기 비정질 반도체막에 상기 비정질 반도체막과 동일한 원소로 구성된 다결정 반도체층을 압착하여 띠모양 압착영역을 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 띠모양 압착 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 개시되는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 상기 비정질 반도체막과 동일한 원소로 구성된 다결정 반도체층을 상기 비정질 반도체막에 띠모양으로 겹치도록 압착하여 띠모양 압착 영역을 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 띠모양 압착 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 시작되는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 기판이 장방형이고, 상기 방법은 상기 비정질 반도체막의 퇴적 공정후에 상기 비정질 반도체막의 다결정화 공정에 앞서 상기 기판의 한변을 따라 평행하게 상기 비정질 반도체막의 소정의 띠모양 영역에 엑시머 레이저를 조사하여 띠모양의 다결정 영역을 상길 비정질 반도체막에 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 띠모양의 다결정 영역에서 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 시작되는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 가열 영역의 이동속도가 상기 가열 영역의 폭을 가열 개시부터 상기 비정질 반도체가 용융할때까지의 시간으로 나눈 값과 같든가 또는 그보다 더 작게 설정되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 비정질 반도체막은 플라스마 CVD장치, 감압 CVD 장치 및 스퍼터링 장치로 된 그룹에서 선택된 장치를 사용하여 퇴적되는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 비정질 반도체막의 막 두께가 30nm~150nm의 범위에 설정되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 띠모양의 조사 영역을 조사하는 가열 광선을 내어 소정의 가열 영역을 가열하는 적어도 하나의 가열광원을 갖는 가열 수단과, 그 표면에 비정질 반도체막이 퇴적되어 있는 기판의 적어도 한쪽으로부터 그 가열광선을 조사하면서 이 조사 영역을 횡당하는 방향으로 상기 기판이 상대적으로 이동하도록 상기 기판과 가열수단 중 적어도 한쪽을 이동시켜 이 가열 영역을 기판면에 따라 이동시키는 수단을 포함하되, 상기 기판이 열처리되어 상기 비정질 반도체막의 다결정화가 이루어지는 반도체 장치의 제조 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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