KR950009730A - 반도체 불휘발성기억장치 - Google Patents

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Abstract

검증동작의 프로그램시간 및 검증동작 자체의 오버헤드시간을 저감한 반도체 불휘발성기억장치로서, 종래의 장치에 있어서, 소거동작과 검증동작의 전환시간 및 검증동작자체가 오버헤드시간으로 되어 결과적으로 소거모드시간이 길게 되고, 또, 전기적 프로그램 및 소거동작의 제어를 반도체 불휘발성기억장치의 외부에 있는 시스템의 중앙처리장치(CPU)에 실행시키는 경우, 제어가 번잡하고, 제어동작동안에 CPU가 반도체 불휘발성기억장치의 전기적 프로그램 및 소거제어에 점유되어 버린다는 문제점을 해소하기 위해, 여러개의 프로그램 동작을 반복실행하는 것에 의해 프로그램을 실행함과 동시에, 상기 프로그램 동작의 반복중에 적어도 1회 프로그램하고 있는 메모리셀의 상태를 리드, 즉 검증하고, 그 리드한 정보에 따라서 상기 기억장치의 반복적인 프로그램동작의 계속, 정지를 제어하며, 반복하여 실행되는 프로그램동작에 있어서의 프로그램 펄스폭을, 회수를, 반복함에 따라 크게 하는 것에 의해, 반복회수에 따른 프로그램 펄스폭을 프로그래밍 가능하게 하고, 프로그램 펄스폭 및 프로그램동작의 회수를 반도체 불휘발성기억장치의 내부 또는 외부에서 제어할 수 있도록 하고 있다. 상기와 같은 구성에 의해, 프로그램동작모드의 시간에 대한 프로그램 동작과 검증동작의 전환시간 및 검증동작 자체의 사간의 오보헤드 사간을 단축할 수 있고, CPU의 부담을 현저하게 경감할 수 있다.

Description

반도체 불휘발성기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 34도는 본 발명의 다른 실시예를 도시하는 블록회로도.

Claims (10)

  1. 임계전압을 전기적으로 프로그래밍할 수 있는 트랜지스터를 각각 구비하는 메모리셀을 포함하는 반도체 불휘발성기억장치에 있어서, 상기 메모리셀에 대한 프로그래밍을, 여러 프로그래밍동작을 반복하는 것에 의해 실행하는 프로그래밍 수단, 상기 프로그래밍 수단에 의한 상기 프로그래밍 동작의 반복중에 적어도 1회의 프로그래밍을 실행하고 있는 메모리셀의 상태를 리드하는 검증수단과, 상기 검증수단에 의해 리드된 메모리셀 상태의 정보에 따라서, 상기 프로그래밍 수단을 제어하여 상기 기억장치의 프로그래밍의 반복동작의 계속, 정지를 제어하는 제어수단을 포함하는 반도체 불휘발성기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 프로그래밍의 반복동작의 회수가 증가함에 따라, 반복하여 실행되는 프로그래밍동작에 있어서의 상기 메모리셀의 임계값을 변화시키는 동작시간을 변화시키기 위한 동작시간 변화수단을 포함하는 반도체 불휘발성기억장치
  3. 제2항에 있어서, 상기 동작시간 변화수단은 프로그래밍 동작의 반복회수가 증가함에 따라, 상기 메모리셀의 임계값을 변화시키는 동작시간으로서의 프로그래밍 펄스폭을 증가시키는 수단을 포함하는 불휘발성기억장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 동작시간 변화수단은 프로그래밍 동작의 반복회수가 증가함에 따라, 상기 메모리셀의 임계값을 변화시키는 동작시간으로서의 프로그래밍 펄스폭을, 동일의 프로그래밍 펄스폭을 여러회씩 반복하면서 순차적으로 증가시키는 수단을 포함하는 반도체 불휘발성기억장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 프로그래밍 동작의 반복회수에 대응하는 메모리셀 임계값을 변화시키는데 필요한 동작시간을 나타내는 프로그래밍 펄스폭을 프로그래밍 가능하게 하는 수단을 포함하는 반도체 불휘발성기억장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 반도체 불휘발성기억장치의의 내부에서 상기 메모리셀의 임계값을 변화시키는데 필요한 동작시간을 나타내는 프로그래밍 펄스폭 및 프로그래밍 회수를 제어하는 수단을 포함하는 반도체 불휘발성기억장치.
  7. 제6항에 있어서, 전기적 프로그래밍 모드중에 스테이터스 레지스터 또는 레이디 비지 핀을 이용하는 것에 의해, 상기 반도체 불휘발성기억장치가 동작중인가 또는 동작종료인가를 외부에서 검지가능하게 하는 검지수단을 포함하는 반도체 불휘발성기억장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 반도체 불휘발성기억장치의 외부에서 상기 메모리셀의 임계값을 변화시키는데 필요한 동작시간을 나타내는 프로그래밍 펄스폭 및 프로그래밍 회수를 제어하기 위한 수단을 포함하는 반도체 불휘발성기억장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 메모리셀의 임계값을 변화시키는 상기 동작시간 변화수단은 프로그래밍 펄스의 폭을 반복 회수의 증가분에 따라서 증가하기 위한 프로그래밍 펄스폭 변화회로를 포함하는 반도체 불휘발성기억장치.
  10. 임계전압을 전기적으로 프로그래밍할 수 있는 트랜지스터를 각각 구비하고, 여러개의 메모리셀을 일괄적으로 프로그래밍하는 방법에 있어서, 상기 메모리셀에 대한 프로그래밍을, 여러회의 프로그래밍 동작과 검증동작을 교대로 실행하는 조합에 의해 수행하는 스텝, 상기 검증동작에 의해 마련된 정보에 따라서, 프로그래밍동작의 반복동작이 필요한가 아닌가를 판정하는 스텝과, 상기 판정결과가 반복동작의 계속을 나타낼 때, 상기 프로그래밍동작에 있어서의 프로그래밍 펄스가 반복회수의 증가에 따라 증가되는 프로그래밍 펄스를 상기 메모리셀에 인가하는 스텝을 포함하는 프로그래밍 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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