KR950004416A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 콘택트구멍의 적어도 그 일부를 선택성장법에 의해 매립공정을 갖춘 반도체장치의 제조의 경우보다 실제적인 요구를 맞춘 콘택트선택성장기술의 도입을 실현하고, 콘택트선택성장 후에 콘택트구멍 패턴을 이용해서 위치를 일치시키는 것을 수행하기 위한 마크가 판독에 각각 다르게 된다는 문제를 회피하기 위한 것이다.
본 발명은, 반도체기판상의 절연막층에 콘택트구멍을 개공하고, 콘택트구멍 저면의 Si상에 SiO2및 WSi2상에 각각 티타늄 실리사이드층을 형성한다. 그 결과 Si상의 TiSi2상에는 SiO2가 형성되고, WSi2상의 TiSiX(X〈2)상에는 TiOx가 형성된다.
이 SiO2와 TiOx의 막두께 차를 이용하여 SiO2만 제거되는 조건으로 처리한 후, W을 CVD선택성장시키면 WSi2상은 TiOx막이 남아있기 때문에 Si상만에 W이 선택성장된다.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 불휘발성 메모리 제조방법의 공정 일부에서의 웨이퍼기판을 나타낸 단면도, 제2도는 제1도의 공정에 이어지는 공정에서의 웨이퍼기판을 나타낸 단면도, 제3도는 제2도의 공정에 이어지는 공정에서의 웨이퍼기판을 나타낸 단면도.

Claims (9)

  1. 반도체기판 표면의 일부 또는 반도체기판상의 일부에 제1도전재료로 이루어진 제1도전영역을 형성하고, 상기 반도체기판상의 제1도전영역과는 다른 영역에 제2도전재료로 이루어지는 제2도전영역을 형성하는 공정과, 이 후, 상기 반도체기판상의 전체면에 절연막층을 형성하는 공정, 상기 제1도전영역 및 제2도전영역에 각각 콘택트를 만들기 위한 콘택트구멍을 상기 절연막층에 개공하는 개공공정, 상기 콘택트구멍저면의 상기 제1도전재료상에 실리콘 산화막층을 또는 상기 콘택트구멍저면의 상기 제2도전재료상에 금속산화막층 또는 금속산화막을 주성분으로 하는 산화막층을 형성하는 산화막층 형성공정, 상기 제2도전재료상의 금속산화막층 또는 금속산화막을 주성분으로 하는 산화막층은 남기고, 상기 제1도전재료상의 실리콘 산화막층만 에칭제거하는 조건으로 제1도전재료상의 실리콘산화막층을 에칭제거 하는 공정, 이후, 선택성장법에 의해 상기 제1도전재료상에 제3도전재료를 퇴적하는 공정 및, 이후, 상기 제2도전재료상의 금속산화막층 또는 금속산화막을 주성분으로 하는 산화막층을 제거하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개공공정과 산화막층 형성공정의 사이에, 더욱이 상기 반도체기판상의 전체면에 제4도전재료를 퇴적하는 공정과, 상기 제4도전재료를 가열처리에 의해 시리사이드화 하는 공정 및, 이 시리사이드화 공정에서 반응하지 않았던 제4도전재료를 제거하는 공정을 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 개공공정에 있어서, 상기 제2도전영역상에서 상기 절연막층에 개공되는 콘택트구멍에는 후의 공정에서 마스크위치 일치 마스크로써 사용되는 상기 제2도전영역상의 콘택트구멍이 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1도전재료는 단결정 또는 다결정 구조의 실리콘 또는 이를 최상층으로 하는 적층막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1도전재료는 실리콘 릿치의 실리사이드막 또는 이를 최상층으로 하는 적층막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2도전재료는 W, Mo, Ti, Al, Cu 중 어느 1개의 금속막 또는 그의 실리사이드막, 또는 이들의 1개를 최상층으로 하는 적층막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제1도전재료는 단결정 또는 다결정구조의 실리콘 혹은 실리콘·릿치한 실리사이드막 혹은 그를 최상층으로 하는 적층막이고, 상기 제2도전재료는 W, Mo, Ti, Al, Cu 중 어느 1개의 금속막 혹의 그의 실리사이드막 또는 이들의 1개를 최상층으로 하는 적층막이며, 상기 제4도전재료는 Ti, Co, Ni, Mo, 중 어느 1개의 고융점금속막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제1항, 제2항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3도전재료는 W, Al, Si, Cu의 어느 1개의 금속막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2도전재료가 실리콘·푸어한 실리사이드막과 금속막 혹은 그를 최상층으로 하는 적층막이고, 상기 산화막층 형성공정은 상기 반도체기판을 산화분위기로 하는 것에 의해 상기 산화막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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