JPH1197440A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本願発明はダミーパターンを露光技術を使用し
ないで除去する半導体装置の製造方法を提供する事を目
的とする。 【解決手段】本願発明は、除去したいダミーパターン間
の距離を一部以上変化させる事により、その距離を変化
させた場所のダミーパターンの側面の一部を露出させ、
その露出した部分からダミーパターンをエッチングする
事を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関わるもので、特に微細な配線のパターニング及
び加工に使用されるものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の集積回路の高集積化に伴い、配線
やトランジスタも微細に形成され、高精度な微細加工技
術が必要となっている。その微細加工技術の中でも、特
に露光技術においては、露光に使用する光の波長を短く
する事等により、半導体装置等の微細化を実現してき
た。

【０００３】しかし、露光に使用する波長が短くなる
と、新たな問題が発生する。ウエハー上に配線やトラン
ジスタ等が密に形成される場所（パターンが密な場所）
と、疎に形成される場所（パターンが疎な場所）がある
場合、パターンを所望の形状に加工する事が出来ない等
の問題が発生する。

【０００４】具体的には、ウエハー上のパターンが密な
場所では、露光に使用する光が入射し難い為、パターン
が所望の形状よりも大きく（太く）なってしまう。一
方、パターンが疎な場所ではパターンが所望の形状より
も小さく（細く）なってしまう。これは、光の回析現象
等が原因と言われている。この様に、同一のウエハー上
にパターンの疎密が存在する場合、所望の形状にパター
ンを加工する事が困難となる。

【０００５】しかし、この問題はパターンが疎な場所に
実際には配線等に使用しないダミーパターンを配置し、
ウエハー全体のパターン密度をほぼ一定にする事で解決
できる。また、上述の様に、ダミーパターンはパターン
密度を一定にする為に配置したもので、実際には配線等
に使用しない。また、大抵の場合、ダミーパターンは導
電材料で作られるので、ウエハー上にそのままにしてお
くと浮遊容量に為ってしまう。ダミーパターンが浮遊容
量になる事を防止する為、露光後、ダミーパターンを除
去する方法がある。

【０００６】以下、ゲート配線加工にダミーパターンを
用いた場合のダミーパターンを除去する方法を図１を用
いて詳細に説明する。図１（１）に示される様に、半導
体基板５０１上に熱酸化法を用いて二酸化シリコンから
なる絶縁膜５０２を形成する。更にその上にＣＶＤ法又
はスパッタ法を用いてポリシリコンからなる導電膜５０
３を積層する。

【０００７】次に、図１（２）に示される様に、導電膜
５０３の上に回転塗布法を用いてレジスト５０４を形成
し、写真蝕刻法を用いてこのレジスト５０４を所定の形
状にパターニングする。その後、パターニングされたレ
ジスト５０４をマスクにして、ＲＩＥ法等の異方性エッ
チング法を用いて導電膜５０３をエッチング除去する。
ここで、導電膜５０３（１）は配線として使用され、そ
の他の導電膜５０３（２）〜（５）は、ダミーパターン
である。

【０００８】次に、図１（３）に示される用に、パター
ニング５０４を一旦、アッシングにより除去する。その
後、新たにレジスト５０５を回転塗布法を用いて形成
し、写真蝕刻法により、配線として使用される導電膜５
０３（１）の上にのみレジスト５０５を残存させる。

【０００９】次に、図１（４）に示される様に、レジス
ト５０５をマスクにしてダミーパターン（２）〜（５）
をエッチング除去し、その後にレジスト５０５をアッシ
ングにより除去する。これにより、配線として使用する
導電膜５０３（１）を残して、ダミーパターンを除去す
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述の様な方法によれ
ば、ダミーパターンのみを除去できるので、浮遊容量と
なることを防止することが出来る。しかし、この方法
は、ダミーパタンを除去する為のマスクが必要となり、
かつ、レジストの加工工程（図１（３）参照）が必要と
なる。この為、工程数の増加、コストの増加を招いてし
まう。

【００１１】更に、加工寸法が小さくなると、合わせず
れの可能性が大きくなり、図１（３）に示されるレジス
ト５０５が所定の位置よりずれてしまう。この為、その
後のダミーパターン５０３（２）〜（５）のエッチング
の際、ダミーパターンを全て除去できなくなる。

【００１２】本願発明は上述の様な問題に鑑みてなされ
たものであり、ダミーパターンを露光技術を使用しない
で除去する半導体装置の製造方法を提供する事を目的と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する
為、本願発明は、除去したいダミーパターン間の距離を
一部以上変化させる事により、その距離を変化させた場
所のダミーパターンの側面の一部を露出させ、その露出
した部分からダミーパターンをエッチングする事を特徴
とする。

【００１４】本願発明は、ダミーパターンの除去に露光
技術を使用していない為、露光による合わせずれがなく
なり、かつ、ダミーパターンを除去する為のマスクが不
要となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本願発明に係る実施形態を図を用
いて詳細に説明する。図２は本願発明に係る第一の実施
形態を示している。図２に示される様に、半導体基板１
０１上に熱酸化法を用いて、厚さ５ｎｍ程度の二酸化シ
リコンからなる酸化膜１０２を形成し、その上に、ＣＶ
Ｄ法を用いて、厚さ２００ｎｍ程度のポリシリコンから
なる導電膜１０２を形成する。その後、ＣＶＤ法又はス
パッタ法により、厚さ１５０ｎｍ程度の二酸化シリコン
からなる絶縁膜１０４を形成する。ここで、絶縁膜１０
４はシリコン窒化膜であっても良い。

【００１６】ここで、絶縁膜１０２は、図示せぬトラン
ジスタが形成される領域では、ゲート絶縁膜として使用
され、図２に示される配線領域では特に機能は有してい
ない。また、導電膜１０３は、図示せぬトランジスタが
形成される領域ではゲート電極として使用されるが、図
２に示される配線領域では配線として使用される。更
に、絶縁膜１０４は、導電膜１０３をエッチングする際
のマスクとして使用される。

【００１７】次に、図２（２）に示される様に、絶縁膜
１０４の上に回転塗布法を用いてレジスト１０５を形成
し、写真蝕刻法のを用いてレジスト１０５を所望の形状
に加工する。その後、ＲＩＥ法等の異方性エッチング法
を用いて、絶縁膜１０４をエッチング除去し、導電膜１
０３の表面の一部を露出させる。

【００１８】ここで、レジスト１０５（１）とレジスト
１０５（３）間、及び、レジスト１０５（１）とレジス
ト１０５（４）間は間隔Ａだけ離隔してパターニングさ
れ、レジスト１０５（２）とレジスト１０５（３）間及
びレジスト１０５（５）とレジスト１０５（４）間は間
隔Ｂ（＜Ａ）だけ離隔してパターニングされる。間隔Ｂ
は間隔Ａよりも短く形成している。

【００１９】以上の様な工程により、導電膜１０３
（ｉ）の上に絶縁膜１０４（ｉ）が乗ったパターンが形
成される。但し、ｉは１〜５の整数である。次に、図２
（３）に示される様に、パターニングされたレジスト１
０５（１）〜１０５（５）をアッシングする事により除
去する。その後、段差被膜性（ステップカバレッジ）の
悪い膜、例えば、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、
タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）からなる膜１０６
をスパッタ法により、２０ｎｍ程度形成する。

【００２０】しかし、絶縁膜１０４（２）と絶縁膜１０
４（３）間、及び、絶縁膜１０４（２）と絶縁膜１０４
（３）間は間隔Ｂは狭い為、それらが相対向する側面に
は、絶縁膜１０４は形成されない。

【００２１】また、この膜１０６は、導電膜１０３をエ
ッチングする際のエッチング防止膜として使用される。
この為、この膜１０６は導電膜１０３とエッチング選択
比がある材料でなければならない。この実施形態では、
導電膜にポリシリコンの使用を想定しているので、膜１
０６に炭素（Ｃ）を使用するものとする。また、導電膜
１０３にアルミニウム（Ａｌ）を使用した場合、膜１０
６として炭素（Ｃ）又は珪化タングステン（ＷＳｉ）を
使用する事が出来る。

【００２２】次に、図２（４）に示す様に、ウエットエ
ッチング法（例えば、フッ化アンモニウム水溶液に浸す
方法）により、絶縁膜１０４（２）〜１０４（５）をエ
ッチング除去できる。絶縁膜１０４（２）と絶縁膜１０
４（３）間、及び、絶縁膜１０４（２）と絶縁膜１０４
（３）間の相対向する側面には、絶縁膜１０４は形成さ
れないからである。

【００２３】次に、図２（５）に示される様に、膜１０
６を除去し、残った絶縁膜１０４（１）をマスクにし
て、異方性エッチング法により導電膜１０３を所望の形
状に加工する事が出来る。その後、絶縁膜１０４を除去
すれば導電膜１０３からなる配線が形成される。また、
絶縁膜１０４はゲート電極状に残存させても良い。この
場合、セルフアラインコンタクト（ＳＡＣ）を取る時の
ＣＡＰ材料として使用される。

【００２４】本願は、上述の様に、ダミーパターン１０
４（２）〜１０４（５）を除去する際に、従来法と異な
りリソグラフィー法を使用しない為、合わせずれを起こ
す事無く、導電膜１０３を所望の形状に加工する事がで
きる。

【００２５】また、リソグラフィー法を使用しないの
で、ダミーパターン１０４（２）〜１０４（５）を除去
する為の露光用マスクを用意する必要が無く、露光工程
を削減する事ができる。

【００２６】また、絶縁膜１０２の厚さは非常に薄い
為、応力、熱等のストレスに弱い。上述の様に、本願発
明はダミーパターンを除去する際、プラズマを利用した
ＲＩＥ法等の方法を使用せず、ウエットエッチングを使
用している。従って、薄い絶縁膜１０２にストレスを与
える機会を削減できる。

【００２７】また、図３に第二及び第三の実施形態を示
した。これらの実施形態が、第一の実施形態と異なる点
は、パターン間隔が巨視的には距離Ａだけ離隔している
点である。

【００２８】図３（１）に示した断面図は、図２（２）
の断面図に相当する。また、図３（２）及び（３）は、
上面図を示している。１０４（１）は配線パターンであ
り、１０４（２）〜１０４（５）はダミーパターンであ
る。

【００２９】上記第一の実施形態では、ダミーパターン
１０４（２）と１０４（３）間の距離Ｂは、距離Ａより
も短い。これは、ダミーパターンの全部が一様に距離Ｂ
だけ離隔していなくてもよい。図３（２）に示される様
に、ダミーパターン１０４（２）及び１０４（５）に凸
部を設けてる事により、その凸部は距離Ｂだけ離隔しお
り、その他の部分は、距離Ａだけ離隔していてもよい。

【００３０】また、図３（３）に示される様に、ダミー
パターン１０４（２）〜１０４（５）に凸部を設けてる
事により、その凸部は距離Ｂだけ離隔しおり、その他の
部分は、距離Ａだけ離隔していてもよい。

【００３１】これらの実施形態では、ダミーパターン１
０４（２）と１０４（３）間、及び、ダミーパターン１
０４（４）と１０４（５）間で距離Ｂだけ離隔してお
り、その他の大部分は、距離Ａだけ離隔している。この
為、パターン１０４（１）〜１０４（５）の間隔は、巨
視的には距離Ａだけ離隔していると言える。従って、パ
ターンの疎密を、より均一に出来る。

【００３２】また、これらの実施形態は、上述と同様
に、ダミーパターン１０４（２）〜１０４（５）を除去
する際に、従来法と異なりリソグラフィー法を使用しな
い為、合わせずれを起こす事無く、導電膜１０３を所望
の形状に加工する事ができる。

【００３３】また、リソグラフィー法を使用しないの
で、ダミーパターン１０４（２）〜１０４（５）を除去
する為の露光用マスクを用意する必要が無く、露光工程
を削減する事ができる。

【００３４】また、絶縁膜１０２の厚さは非常に薄い
為、応力、熱等のストレスに弱い。上述の様に、本願発
明はダミーパターンを除去する際、プラズマを利用した
ＲＩＥ法等の方法を使用せず、ウエットエッチングを使
用している。従って、薄い絶縁膜１０２にストレスを与
える機会を削減できる。

【００３５】次に、第四の実施形態を図４を用いて説明
する。第四の実施形態が前述の実施形態と異なる点は、
ダミーパターン間の距離Ｂを、ダミーパターンと配線と
の距離Ａよりも長い距離Ｃにした点である。

【００３６】図４（１）に示される様に、半導体基板３
０１上に熱酸化法を用いて、厚さ５ｎｍ程度の二酸化シ
リコンからなる酸化膜３０２を形成し、その上に、ＣＶ
Ｄ法を用いて、厚さ２００ｎｍ程度のポリシリコンから
なる導電膜３０２を形成する。その後、ＣＶＤ法又はス
パッタ法により、厚さ１５０ｎｍ程度の二酸化シリコン
からなる絶縁膜３０４を形成する。

【００３７】ここで、絶縁膜３０２は、図示せぬトラン
ジスタが形成される領域では、ゲート絶縁膜として使用
され、図４に示される配線領域では特に機能は有してい
ない。また、導電膜３０３は、図示せぬトランジスタが
形成される領域ではゲート電極として使用されるが、図
４に示される配線領域では配線として使用される。

【００３８】次に、図４（２）に示される様に、絶縁膜
３０４の上に回転塗布法を用いてレジスト３０５を形成
し、写真蝕刻法のを用いてレジスト３０５を所望の形状
に加工する。その後、ＲＩＥ法等の異方性エッチング法
を用いて、絶縁膜３０４及び導電膜３０３をエッチング
除去し、絶縁膜３０２の表面の一部を露出させる。

【００３９】ここで、レジスト３０５（１）とレジスト
３０５（３）間、及び、レジスト３０５（１）とレジス
ト３０５（４）間は間隔Ａだけ離隔してパターニングさ
れ、レジスト３０５（２）とレジスト３０５（３）間及
びレジスト３０５（５）とレジスト３０５（４）間は間
隔Ｃ（＞Ａ）だけ離隔してパターニングされる。間隔Ｃ
は間隔Ａよりも長く形成している。

【００４０】以上の様な工程により、導電膜３０３
（ｉ）の上に絶縁膜３０３（ｉ）が乗ったパターンが形
成される。但し、ｉは１〜５の値である。次に、図４
（３）に示される様に、パターニングされたレジスト３
０５（１）〜１０５（５）をアッシングする事により除
去する。その後、膜３０６をＣＶＤ法等を使用して全面
に堆積させる。この時、膜３０６はパターン間隔Ｃの部
分では、即ち、レジスト３０５（２）とレジスト３０５
（３）間、及び、レジスト３０５（５）とレジスト３０
５（４）間では、パターンの側面及び底面は覆われる
が、これらの間は埋まらない程度に形成する。また、そ
の他の部分では、完全にパターン間が埋まる様に形成す
る。

【００４１】また、上記の条件を満たす様な膜３０６の
厚さＴは、Ａ／２以上Ｃ／２以下のが好ましい。膜３０
６の厚さＴがＡ／２未満の場合、間隔Ａの部分が完全に
埋まらないからであり、Ｃ／２より厚いと、間隔Ｃの部
分が完全に埋まってしまうからである。

【００４２】また、膜３０６は、導電膜３０３（２）〜
（５）をエッチングする際のエッチング防止膜として使
用される。この為、膜３０６は導電膜３０３とエッチン
グ選択比がある材料でなければならない。この実施形態
では、導電膜にポリシリコンの使用を想定しているの
で、膜１０６に窒化膜を（ＳｉＮ）を使用するものとす
る。窒化膜を使用する理由は、窒化膜はポリシリコンと
十分にエッチング選択比を有し、ＣＶＤ法等によるの在
来の堆積技術を使用できるからである。

【００４３】次に、図４（４）に示す様に、等方性エッ
チング法（例えば、ＣＤＥ法）により、導電膜３０３
（２）〜３０３（５）をエッチング除去する。これによ
り、ダミ−パターンとして作用した導電膜３０３（２）
〜（５）を除去できる。しかし、配線として使用する導
電膜３０３（１）は、その周囲を膜３０６及び絶縁膜３
０２及び絶縁膜３０４（１）で覆われている為、エッチ
ング除去される事は無い。

【００４４】上述の様に、膜３０６のうち間隔Ｃの部分
のみ除去でき、間隔Ａの部分が完全に除去されない理由
は、間隔Ｃの部分を完全に埋まらない様に膜３０６が形
成されており、かつ、間隔Ａの部分を完全に埋まる程度
に膜３０６が形成されているからである。

【００４５】次に、図４（５）に示される様に、膜３０
６、絶縁膜３０４（１）〜３０４（５）を除去する事に
より、導電膜３０３（１）を残存させる。そして、図示
していないが、絶縁膜３０４（１）を除去する。以上に
より導電膜３０３（１）からなる配線は作ることが出来
る。絶縁膜３０４はセルフアラインコンタクト（ＳＡ
Ｃ）を採用する場合のキャップ材として使用する場合
は、除去しなくても良い。

【００４６】本願は、上述の様に、ダミーパターン（こ
の実施形態では３０３（２）〜３０３（５）及び３０４
（２）〜３０４（５）の事である）を除去する際に、従
来法と異なりリソグラフィー法を使用しない為、合わせ
ずれを起こす事無く、導電膜３０３を所望の形状に加工
する事ができる。

【００４７】また、リソグラフィー法を使用しないの
で、ダミーパターンを除去する為の露光用マスクを用意
する必要が無く、露光工程を削減する事ができる。ま
た、絶縁膜３０２の厚さは非常に薄い為、応力、熱等の
ストレスに弱い。上述の様に、本願発明はダミーパター
ンを除去する際、プラズマを利用したＲＩＥ法等の方法
を使用せず、ウエットエッチングを使用している。従っ
て、薄い絶縁膜３０２にストレスを与える機会を削減で
きる。

【００４８】また、図５に第五及び第六の実施形態を示
した。これらの実施形態が、第四の実施形態と異なる点
は、パターン間隔が巨視的には距離Ａだけ離隔している
点である。

【００４９】図５（１）にパターンの断面図を示してい
る。ここで、パターン７０５（１）は配線として使用さ
れる予定のパターンであり、その他のパターン７０５
（２）〜７０５（９）はダミーパターンであり、除去さ
れる。

【００５０】パターン７０５（１）の両側には、間隔Ａ
だけ離隔してパターン７０５（５）と７０５（６）が配
置されている。更に、その外側にはパターン７０５
（４）と７０５（７）が間隔Ｃだけ離隔して配置され、
その外側にはパターン７０５（３）と７０５（８）が間
隔Ａだけ離隔して配置され、更にその外側にはパターン
７０５（２）と７０５（９）が間隔Ｃだけ離隔して配置
されている。

【００５１】次に、図５（２）は図５（１）の上面図を
示している。図５（２）に示した様に、パターン７０５
（１）〜７０５（９）の大部分が間隔Ａだけ離隔してお
り、パターン７０５（２）、７０５（４）、７０５
（７）及び７０５（９）のそれぞれは、凹形状部８０
１、８０４、８０７、８０９を有している。これら凹形
状部の存在により、その部分だけパターンの間隔は距離
Ｃだけ離隔している。すなわち、パターンの間隔の一部
だけ間隔Ｃだけ離隔しているが、巨視的に見ると大部分
が間隔Ａだけ離隔している。

【００５２】また、図５（３）に示される様に、パター
ン８０１、８０４、８０７、８０９を間隔Ｃだけ離隔し
ても良い。更に、図５（４）に示される様に、凹形状部
を７０５（２）と７０５（３）、７０５（４）と７０５
（５）、７０５（６）と７０５（７）、７０５（８）と
７０５（９）の相対する面に形成してもよい。

【００５３】また、図５（２）〜図５（４）に示した状
態のそれぞれの後に、図４（２）〜図４（６）に示され
る工程と同様な工程が施され、ダミーパターンが除去さ
れる。

【００５４】また、図５（２）及び図５（４）に示した
凹形状部の幅Ｃ（図面の縦方向の距離）を有している
が、距離Ｃよりも大きくてもよい。但し、Ｃより小さい
場合、凹形状部に膜が埋められてしまうので、凹形状部
の幅は距離Ｃより大きい方が良い。

【００５５】以上の様に、第５乃至第７実施形態ではパ
ターンの一部の間隔を変更しているので、パターンの間
隔を巨視的にＡとすることが出来る。従って、同じ間隔
のパターンはリソグラフィー工程における光の回析現象
の影響を受け難いので。制度よくパターンを加工する事
が出来る。

【００５６】

【発明の効果】本願発明は上述の様な構成を採用する事
により、露光技術を使用することなく、ダミーパターン
を除去出来る半導体装置の製造方法を提供する事が出来
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術における工程を示した図である。

【図２】本願発明の第一の実施形態にかかる製造工程を
示した図である。

【図３】本願発明の第二及び第三の実施形態にかかる製
造工程を示した図である。

【図４】本願発明の第四の実施形態にかかる製造工程を
示した図である。

【図５】本願発明の第五乃至第七の実施形態にかかる製
造工程を示した図である。

【符号の説明】

１０１ 半導体基板 １０２、１０４ 絶縁膜 １０３ 導電膜 １０５ レジスト １０６ 膜

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板上面に第一の絶縁膜を形成する
   工程と、 前記第一の絶縁膜の上に導電膜を形成する工程と、 前記導電膜の上に第二の絶縁膜を形成する工程と、 前記第二の絶縁膜をエッチングし、前記導電膜を所望の
   形状に加工する際のマスクとなるパターンを形成すると
   ともに、前記パターンの両側に平行かつ第一の距離だけ
   離隔して配置された第一及び第二のダミーパターン、及
   び、前記第一のダミーパターンの両側の内、前記パター
   ンの反対側に平行に配置され、前記第一の距離よりも短
   い第二の距離だけ離隔して配置された第三のダミーパタ
   ーン、及び、前記第二のダミーパターンの両側の内、前
   記パターンの反対側に平行に配置され、前記第一の距離
   よりも短い第二の距離だけ離隔して配置された第四のダ
   ミーパターンとを同時に形成する工程と、 前記第二の距離だけ離隔して平行に配置された前記第一
   のダミーパターンと前記第三のダミーパターンとが相対
   する側面の全部、及び、前記第二の距離だけ離隔して平
   行に配置された前記第二のダミーパターンと前記第四の
   ダミーパターンとが相対する側面の全部に形成されない
   様に、全面に前記導電膜とエッチング選択比のあるエッ
   チング防止膜を形成する工程と、 前記エッチング防止膜をマスクとして使用して、前記第
   一及び第二のダミーパターンを除去する工程と、 前記エッチング防止膜を除去する工程と、 残存した前記パターンをマスクとして使用して、前記導
   電膜をエッチングして配線を形成する工程と、を備える
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】導電膜の上に第一の絶縁膜を形成する工程
   と、 前記第一の絶縁膜をエッチングし、所定の高さを有し、
   少なくとも一部が第一の距離だけ離隔して配置された第
   一及び第二のダミーパターンを形成する工程と、 前記第一の距離だけ離隔して配置された前記第一のダミ
   ーパターンと前記第二のダミーパターンとが相対する側
   面の全部に形成されない様に、全面に前記導電膜とエッ
   チング選択比のあるエッチング防止膜を形成する工程
   と、 前記エッチング防止膜をマスクとして使用して、前記第
   一及び第二のダミーパターンを除去する工程と、 前記エッチング防止膜を除去する工程と、とを備える事
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】第一の距離と所定の高さの比（第一の距離
   ／所定の高さ）値が３以上（upper limit ）以下である
   事を特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】前記第一及び第二のダミーパターンの内、
   一部が前記第一の距離だけ離隔され、残りの部分が前記
   第一の距離よりも長い第二の距離だけ離隔して配置され
   ている事を特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造
   方法。
5. 【請求項５】半導体基板上面に第一の絶縁膜を形成する
   工程と、 前記第一の絶縁膜の上に導電膜を形成する工程と、 前記導電膜の上に第二の絶縁膜を形成する工程と、 前記第二の絶縁膜及び前記導電膜をエッチングし、前記
   導電膜上に前記第二の絶縁膜が形成された配線パターン
   を形成するとともに、前記配線パターンの両側に平行か
   つ第一の距離だけ離隔して配置され、前記導電膜上に前
   記第二の絶縁膜が形成された第一及び第二のダミーパタ
   ーン、及び、前記第一のダミーパターンの両側の内、前
   記配線パターンの反対側に平行に配置され、かつ、前記
   第一の距離よりも長い第二の距離だけ離隔して配置さ
   れ、前記導電膜上の前記第二の絶縁膜が形成されれた第
   三のダミーパターン、及び、前記第二のダミーパターン
   の両側の内、前記配線パターンの反対側に平行に配置さ
   れ、かつ、前記第一の距離よりも長い第二の距離だけ離
   隔して配置され、前記導電膜上の前記第二の絶縁膜が形
   成された第四のダミーパターンとを同時に形成する工程
   と、 前記第一の距離だけ離隔した部分が埋まる様に、かつ、
   前記第二の距離だけ離隔して配置された前記第一のダミ
   ーパターンと前記三のダミーパターンの相対する側面及
   び前記第二のダミーパターンと前記四のダミーパターン
   の相対する側面に形成されるが、前記第二の距離だけ離
   隔した部分は埋まらない様に、全面に前記導電膜とエッ
   チング選択比のあるエッチング防止膜を形成する工程
   と、 前記第二の距離だけ離隔した部分の前記第三の絶縁膜を
   除去し、かつ、前記第一の距離だけ離隔した部分の前記
   エッチング防止膜を残存させる工程と、 前記第一乃至第四のダミーパターンを除去する工程と、 前記エッチング防止膜を除去する工程と、を有する事を
   特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】導電膜の上に第一の絶縁膜を形成する工程
   と、 前記第一の絶縁膜及び前記導電膜をエッチングし、前記
   導電膜上に前記第一の絶縁膜が形成された配線パターン
   を形成するとともに、前記配線パターンより第一の距離
   だけ離隔して配置され、前記導電膜上に前記第一の絶縁
   膜が形成されたダミーパターンを形成し、更に前記第一
   のダミーパターンの両側の内、前記配線パターンの反対
   側に、少なくとも一部が第二の距離だけ離隔して配置さ
   れ、前記導電膜上に前記第一の絶縁膜が形成された第二
   のダミーパターンを同時に形成する工程と、 前記第一の距離だけ離隔した部分が埋まる様に、かつ、
   前記第二の距離だけ離隔して配置された前記第一のダミ
   ーパターンと前記二のダミーパターンの相対する側面に
   形成されるが、前記第二の距離だけ離隔した部分は埋ま
   らない様に、全面に前記導電膜とエッチング選択比のあ
   るエッチング防止膜を形成する工程と、 前記第二の距離だけ離隔した部分の前記エッチング防止
   膜を除去し、かつ、前記第一の距離だけ離隔した部分の
   前記エッチング防止膜を残存させる工程と、 前記第一及び二のダミーパターンを除去する工程と、 前記エッチング防止膜を除去する工程と、を有する事を
   特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記第一及び第二のダミーパターンの内、
   一部が前記第一の距離だけ離隔され、残りの部分が前記
   第一の距離よりも長い第三の距離だけ離隔して配置され
   ている事を特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造
   方法。