KR940022915A - 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 99.5% 이상의 고순도 알루미늄을 함유하는 하층과 0.5이상의 규소를 함유하는 알루미늄으로 형성한 상층을 포함하는 게이트 전극을 가진다. 이와는 달리, Ⅲa 족 원소를 Ⅲb족 원소에 첨가하여 형성한 게이트 전극도 가진다. 규소 함유 알루미늄 게이트 전극을 에칭함으로써 제조되는 잔류부는 불화수소산, 질산 및 아세트산의 혼합 용액으로 에칭된다. 접촉 구멍을 층간 절연막내에 형성한 후에, 레이저 어닐링이 수행되고 나서 금속 전극이 접촉 구멍내에 형성된다.

Description

트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 1C도는 본 발명에 따른 TFT의 게이트 구조의 실시예의 설명도, 제3A도 내지 제3E도는 본 발명의 제1실시예에 따른 제조방법을 도시하는 단면도.

Claims (20)

  1. 기판상에 제공되는 반도체 막과 그 반도체 막상에 제공되는 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터로서, 상기 게이트 전극은 반도체 막상에 제공되는 순도 99.5%이상의 알루미늄을 함유하는 하층과 그 하층상에 제공되는 알루미늄과 농도 0.5%이상인 규소를 포함하는 상층을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극의 적어도 한 측면에 제공되는 게이트 전극의 재료인 양극 산화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상층은 농도 2% 이상의 규소를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상층의 두께는 하층 두께의 5배 이상인 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  5. 아이스랜드(island)반도체 영역을 기판상에 형성하는 단계와, 절연막을 아이슬랜드 반도체 영역 위에 형성하는 단계와, 순도 99.5% 이상의 알루미늄을 함유하는 제1막을 형성하는 단계와, 알루미늄과 농도 0.5%이상의 규소를 함유하는 제2막을 제1막 위에 형성하는 단계 및, 제1 및 제2막을 패턴닝함으로써 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 게이트 전극 형성 단계 전에, 비결정질 규소를 함유하는 막을 제2막 위에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 게이트 전극을 양극 산화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, 패터닝은 인상을 사용하는 에칭에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  9. 아이슬랜드 반도체 영역을 기판상에 형성하는 단계와, 절연막을 아이슬랜드 반도체 영역위에 형성하는 단계 0.5% 이상의 규소를 함유하는 알루미늄 막을 절연막상에 형성하는 단계와, 알루미늄 막을 에칭함으로써 게이트 전극을 형성하는 단계 및, 상기 게이트 전극 형성 단계에 의해 제조되는 불화수소산, 절산 및 아세트산을 함유하는 혼합물에 의해 에칭되는 규소 함유 잔류부를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 혼합물내의 불화수소산:질산:아세트산의 몰비가 1:100 내지 400:100 내지 300인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 알루미늄 막은 2%잇앙의 규소를 함유하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 잔류부 에칭 단계후에, 게이트 전극을 양극 산화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  13. 제9항에 있어서, 알루미늄 막의 에칭은 인산에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 잔류부의 에칭은 기판을 상기 혼합물내에 침지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기판은 상기 혼합물내에 30 내지 90초 동안 침지되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  16. 아이슬랜드 반도체 영역을 기판상에 형성하는 단계와 절연막을 아이슬랜드 반도체 영역위에 형성하는 단계와, 게이트 전극을 절연막상에 형성하는 단계와, 마스크로서의 게이트 전극과 함께 아이슬랜드 반도체 영역 내부로 불순물을 도입하는 단계와, 충간 절연체를 게이트 전극 위에 형성하는 단계와, 접촉 구멍을 층간 절연체를 통해 내부에 불순물이 도입되어 있는 아이슬랜드 반도체 영역부상에 형성하는 단계 및, 층간 절연체와 접촉 구멍을 통해 아이슬랜드 반도체 영역으로 광선을 조사함으로써 불순물을 활성화 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 광선은 레이저 광선 또는 레이저 광선과 동등한 광선인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 도입 단계전에, 게이트 전극을 양극 산화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  19. 제16항에 있어서, 기판은 광선을 조사중에 100 내지 450℃의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 층간 절연체 형성 단계는 상기 도입 단계후에 수행되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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