JPS62211391A - Ａｌ−Ｓｉ膜のエツチング液組成物 - Google Patents
Ａｌ−Ｓｉ膜のエツチング液組成物Info
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- JPS62211391A JPS62211391A JP5428986A JP5428986A JPS62211391A JP S62211391 A JPS62211391 A JP S62211391A JP 5428986 A JP5428986 A JP 5428986A JP 5428986 A JP5428986 A JP 5428986A JP S62211391 A JPS62211391 A JP S62211391A
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- etching
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、トランジスタ、ならびに集権回路、大規模集
積回路等の半纏体デバイスのｋｌ−Ｓｉ篭極および配線
の加工におけるエツチング液に関するものである。
積回路等の半纏体デバイスのｋｌ−Ｓｉ篭極および配線
の加工におけるエツチング液に関するものである。
従来、Ａｌ−Ｓｉ屯極形成のエツチングは、Ａｌのエツ
チングと残量Ｓｉのエツチングの一般路エツチングで処
理していた。すなわち、１１】湿式エツチングと乾式エ
ツチング、および（２）乾式エツチングで一桓類のガス
を使用する方法が用いられており、ともに扁価な乾式エ
ツチング装置の設備が必髪となる欠点を有していた。
チングと残量Ｓｉのエツチングの一般路エツチングで処
理していた。すなわち、１１】湿式エツチングと乾式エ
ツチング、および（２）乾式エツチングで一桓類のガス
を使用する方法が用いられており、ともに扁価な乾式エ
ツチング装置の設備が必髪となる欠点を有していた。
前記＋ＩＪの湿式エツチングと乾式エツチングの２ＲＮ
エツチングについて説明する。湿式エツチングは、リン
酸溶液のみ、あるいは、リン酸、硝酸。
エツチングについて説明する。湿式エツチングは、リン
酸溶液のみ、あるいは、リン酸、硝酸。
酢酸および水の混合液を用いて行う。リン酸溶液のみの
場合にはＡｌとリン酸の反応で多産に発生する水素ガス
の気泡が、Ａｌ−８ｆ茨面に付層し、エツチング残りが
生じるので、スプレー法、減圧法等により、気泡を除去
しなからエツチングする方法が用いられている。スプレ
ー法は、リン酸液をノズルを通して、Ａ ｌ −Ｓ ｉ
異面に吹きつける方法である。減圧法はＡｌとの反応
で発生子る水素ガスを真空ポンプを用いて、除去する方
法である。
場合にはＡｌとリン酸の反応で多産に発生する水素ガス
の気泡が、Ａｌ−８ｆ茨面に付層し、エツチング残りが
生じるので、スプレー法、減圧法等により、気泡を除去
しなからエツチングする方法が用いられている。スプレ
ー法は、リン酸液をノズルを通して、Ａ ｌ −Ｓ ｉ
異面に吹きつける方法である。減圧法はＡｌとの反応
で発生子る水素ガスを真空ポンプを用いて、除去する方
法である。
リン酸、硝酸、酢はおよび水の混合液を使用する場合に
は、混合液の粘度が、リン酸液のみの場合より低いため
に、ＡＩとの反応で発生する水素ガスが液弐面にぬけや
す（・、簡易な方法でエツチングできるという利点があ
る。上記の方法でまずＡ）をエツチングし、次いで、残
っているＳｉを乾式エツチングで除去する。
は、混合液の粘度が、リン酸液のみの場合より低いため
に、ＡＩとの反応で発生する水素ガスが液弐面にぬけや
す（・、簡易な方法でエツチングできるという利点があ
る。上記の方法でまずＡ）をエツチングし、次いで、残
っているＳｉを乾式エツチングで除去する。
乾式エツチングは、プラズマエツチング装置、あるいは
反応性スパッタエツチング装置を用い、エツチングガス
（ＣＦ、ガス、あるいはＣＦ、と０、との混合ガス〕を
活性化して、Ｓｉと反応させて除去する方法である。
反応性スパッタエツチング装置を用い、エツチングガス
（ＣＦ、ガス、あるいはＣＦ、と０、との混合ガス〕を
活性化して、Ｓｉと反応させて除去する方法である。
他方、前記（２）の乾式エツチングで、λ段階エツチン
グする方法は、反応性スパッタエツチング装置を使用し
、ＣＣＩＩ、系ガスを用いてＡＩをエツチングし、次い
でＣＦ４系ガスを用いてＳｉ８査をエツチング除去する
方法である。しかしながら、前記Ｉｌ＋、（２１いずれ
の方法でも、高価な乾式エツチング装置が会費であった
。
グする方法は、反応性スパッタエツチング装置を使用し
、ＣＣＩＩ、系ガスを用いてＡＩをエツチングし、次い
でＣＦ４系ガスを用いてＳｉ８査をエツチング除去する
方法である。しかしながら、前記Ｉｌ＋、（２１いずれ
の方法でも、高価な乾式エツチング装置が会費であった
。
本発明の目的は、Ａｌ−Ｓｉｎ極および配線のエツチン
グ加工を高価な設備を必要とすることな（簡易な方法で
実施できるｋｌ−Ｓｉ膜のエツチング液組成物を提供す
ることにある。
グ加工を高価な設備を必要とすることな（簡易な方法で
実施できるｋｌ−Ｓｉ膜のエツチング液組成物を提供す
ることにある。
本発明は、Ａｌ−Ｓｉ′ｆ！Ｌ極、配線の加工を、１回
の湿式エツチング処理で可能とするために、エツチング
液組成物をリン酸、硝酸、酢酸、弗酸および水によって
構成している。すなわち、従来の技術とは、弗酸な入れ
ている点で異なる。
の湿式エツチング処理で可能とするために、エツチング
液組成物をリン酸、硝酸、酢酸、弗酸および水によって
構成している。すなわち、従来の技術とは、弗酸な入れ
ている点で異なる。
表
上記表は）ｉ ｓＰ ０４ （３５０ｒｘ））、）ｉＮ
ｏ。
ｏ。
（１４０ｍ１１り 、 ＣＨ８ｃ ００ Ｈ（７０ｍＪ
）およびＨ＊’Ｊ （３０ｍｌ）から構成されるベース
液に、ＨＦを異なった慰混合した場合のＡｌ−Ｓｉ膜の
エツチング状態およびレジストの密着状態を表わしたも
のである。表よりわかるように、ＡＡ！−２％Ｓｉ膜は
ＨＦの混合機が多すぎても、あるいは少なすぎてもエツ
チングされずに残る。上記ベース液に対して弗酸をＬ５
ｗ＋ｌ混合したエツチング液では、Ｓｉ粒残りはな（レ
ジストはくりもない良好なエツチングができる。このよ
うにＳｉ粒残りのないエツチングができるのは、Ａノー
Ｓｉ膜中のＳｉが硝酸との反応によりＳｉ醗化物となり
、これが混合した弗酸と反応してエツチング除去された
と考えられる。一方、弗酸の混合版か多（ても少な（て
もＡ Ｉ −Ｓ ｉ 瞑が基板までエツチングされず残
るのは、混合機によって不動態膜が形成されることを示
している。
）およびＨ＊’Ｊ （３０ｍｌ）から構成されるベース
液に、ＨＦを異なった慰混合した場合のＡｌ−Ｓｉ膜の
エツチング状態およびレジストの密着状態を表わしたも
のである。表よりわかるように、ＡＡ！−２％Ｓｉ膜は
ＨＦの混合機が多すぎても、あるいは少なすぎてもエツ
チングされずに残る。上記ベース液に対して弗酸をＬ５
ｗ＋ｌ混合したエツチング液では、Ｓｉ粒残りはな（レ
ジストはくりもない良好なエツチングができる。このよ
うにＳｉ粒残りのないエツチングができるのは、Ａノー
Ｓｉ膜中のＳｉが硝酸との反応によりＳｉ醗化物となり
、これが混合した弗酸と反応してエツチング除去された
と考えられる。一方、弗酸の混合版か多（ても少な（て
もＡ Ｉ −Ｓ ｉ 瞑が基板までエツチングされず残
るのは、混合機によって不動態膜が形成されることを示
している。
上記の混合υのエツチング液を用いて、ＡＩ−ｔｈ２％
Ｓｉ膜をエツチングした場合の走査ｉＭ電子顕微廓写真
を第１図に示す。また、従来のリン版系エツチング液を
用いて、エツチングした場合の比較例を第２図に示す。
Ｓｉ膜をエツチングした場合の走査ｉＭ電子顕微廓写真
を第１図に示す。また、従来のリン版系エツチング液を
用いて、エツチングした場合の比較例を第２図に示す。
これらの図において、広がつているのは石英ガラス基板
であり、その上部に二段に櫨み重ねられているのは下側
がＡｌ−２％５ｉｌＬ上側がレジストである。従来のリ
ン酸系エツチング液では、石英ガラス基板上にＳｉ粒残
りがあるが、本発明によるエツチング液では、それが除
去されているのがわかろう 〔発明の効果〕 以上説明したように１本発明によれば、従来、ＡＩとＳ
ｉの一段階でエツチング液理していた、Ａｌ−Ｓｉ１ｇ
のエツチング処理工程を７回のエツチングで処理できる
。そして、トランジスタ、集積回路等のＡｌ−Ｓｉ’電
極、および配線の加工に適用すれば、？Ｍ１１曲なエツ
チング装置１１を用いることな（処理でさ、かつ工程の
簡略化が図れることとなる。
であり、その上部に二段に櫨み重ねられているのは下側
がＡｌ−２％５ｉｌＬ上側がレジストである。従来のリ
ン酸系エツチング液では、石英ガラス基板上にＳｉ粒残
りがあるが、本発明によるエツチング液では、それが除
去されているのがわかろう 〔発明の効果〕 以上説明したように１本発明によれば、従来、ＡＩとＳ
ｉの一段階でエツチング液理していた、Ａｌ−Ｓｉ１ｇ
のエツチング処理工程を７回のエツチングで処理できる
。そして、トランジスタ、集積回路等のＡｌ−Ｓｉ’電
極、および配線の加工に適用すれば、？Ｍ１１曲なエツ
チング装置１１を用いることな（処理でさ、かつ工程の
簡略化が図れることとなる。
Ｊ／図は本発明に係るエツチング液で処理したＡｌ−６
ｉ映のエツチング後の走査型電子顕微碗写真であり、′
ｉｇ二図は従来のエツチング液で処理したｍ／Ｌｊｌｆ
Ｊ同様の図である。
ｉ映のエツチング後の走査型電子顕微碗写真であり、′
ｉｇ二図は従来のエツチング液で処理したｍ／Ｌｊｌｆ
Ｊ同様の図である。
Claims (2)
- （１）リン酸、硝酸、酢酸、弗酸および水とから構成さ
れるＡｌ−Ｓｉのエッチング液組成物。 - （２）上記混合物の容量比が、リン酸：３５０、硝酸：
１４０、酢酸：７０、弗酸：１．５、水：３０とから構
成される特許請求の範囲第１項記載のＡｌ−Ｓｉ膜のエ
ッチング液組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5428986A JPS62211391A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | Ａｌ−Ｓｉ膜のエツチング液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5428986A JPS62211391A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | Ａｌ−Ｓｉ膜のエツチング液組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211391A true JPS62211391A (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=12966405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5428986A Pending JPS62211391A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | Ａｌ−Ｓｉ膜のエツチング液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62211391A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580800A (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of patterning aluminum containing group IIIb Element |
| US5830786A (en) * | 1993-02-22 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring |
| US6136767A (en) * | 1997-03-03 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Dilute composition cleaning method |
| US6313048B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6486108B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| CN1325697C (zh) * | 2002-12-10 | 2007-07-11 | 关东化学株式会社 | 蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物制造反射板的方法 |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP5428986A patent/JPS62211391A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5830786A (en) * | 1993-02-22 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring |
| US5580800A (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of patterning aluminum containing group IIIb Element |
| US6596647B2 (en) | 1997-03-03 | 2003-07-22 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using the same |
| US6313048B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6384001B2 (en) | 1997-03-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition |
| US6136767A (en) * | 1997-03-03 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Dilute composition cleaning method |
| US6841525B2 (en) | 1997-03-03 | 2005-01-11 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6486108B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US6831047B2 (en) | 2000-05-31 | 2004-12-14 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7067465B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabricating |
| US7067466B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7087561B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7135444B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| CN1325697C (zh) * | 2002-12-10 | 2007-07-11 | 关东化学株式会社 | 蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物制造反射板的方法 |
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