JPS6152376A - アルミニウムの表面処理法 - Google Patents
アルミニウムの表面処理法Info
- Publication number
- JPS6152376A JPS6152376A JP17277884A JP17277884A JPS6152376A JP S6152376 A JPS6152376 A JP S6152376A JP 17277884 A JP17277884 A JP 17277884A JP 17277884 A JP17277884 A JP 17277884A JP S6152376 A JPS6152376 A JP S6152376A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- etching
- acid
- etched
- alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、アルミニウム合金製磁気ディスクなど磁気
ディスク装置を構成するアルミニウム部材の表面処理に
好適に用いられるアルミニウムの表面処理法に関する。
ディスク装置を構成するアルミニウム部材の表面処理に
好適に用いられるアルミニウムの表面処理法に関する。
「従来技術」
磁気ディスク、装置の磁気ディスクのベース材料および
他の主′堤部材の材料には非磁性材料であるアルミニウ
ムが用いられているが、中でもトラッキングエラー防止
のために、磁気ヘッドを駆動するステンレス鋼環のスチ
ールベルトにより近似し九線膨張を示すＣｕ−３ｔ−Ａ
Ｉ系のアルミニウム合金、ＡＤＣｌ２等がディスクのベ
ースおよび他の主要部材の材料に好適に用いられている
、 ところで、これらアルミニウム製部材の表面処理法とし
ては、従来より、アルミニウムを１悦脂した後その表面
を水嘴化ナトリウム等のアルカリやり／酸、硝酸等によ
シエッチング処理し、ついでクロム酸処理する方法があ
る。
他の主′堤部材の材料には非磁性材料であるアルミニウ
ムが用いられているが、中でもトラッキングエラー防止
のために、磁気ヘッドを駆動するステンレス鋼環のスチ
ールベルトにより近似し九線膨張を示すＣｕ−３ｔ−Ａ
Ｉ系のアルミニウム合金、ＡＤＣｌ２等がディスクのベ
ースおよび他の主要部材の材料に好適に用いられている
、 ところで、これらアルミニウム製部材の表面処理法とし
ては、従来より、アルミニウムを１悦脂した後その表面
を水嘴化ナトリウム等のアルカリやり／酸、硝酸等によ
シエッチング処理し、ついでクロム酸処理する方法があ
る。
しかしながら、このような従来の表面処理法で、ＡＤＣ
ｌ ２等のシリコンを多量に含むアルミニウム合金の表
面処理を行うと、エツチング処理の際、アルミニウム（
ＡＩ）はエツチングされるものの、合金中のシリコンは
化学的に安定であるためエツチングされず、このシリコ
ンが表面に粉状に洩る不都合があつ之。このため、特に
’ｊ４４ｊの侵入を極力防ぐ必要のおる磁気ディスク装
置のアルミニウム合金製部材を表面処理する場合には、
エツチング処理後に、弐面に付着しているシリコンをプ
ラツシング等の手段で物理的に除去せねばならず、部材
の表面処理を能率的に行えない問題があった。
ｌ ２等のシリコンを多量に含むアルミニウム合金の表
面処理を行うと、エツチング処理の際、アルミニウム（
ＡＩ）はエツチングされるものの、合金中のシリコンは
化学的に安定であるためエツチングされず、このシリコ
ンが表面に粉状に洩る不都合があつ之。このため、特に
’ｊ４４ｊの侵入を極力防ぐ必要のおる磁気ディスク装
置のアルミニウム合金製部材を表面処理する場合には、
エツチング処理後に、弐面に付着しているシリコンをプ
ラツシング等の手段で物理的に除去せねばならず、部材
の表面処理を能率的に行えない問題があった。
「発明の目的」
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、エツチン
グ処理された部材の表面にシリコンが残留するようなこ
とがなく、アルミニウム合金よりなる部材を能率良く表
面処理することができるアルミニウムの表面処理法を提
供することを目的とする。
グ処理された部材の表面にシリコンが残留するようなこ
とがなく、アルミニウム合金よりなる部材を能率良く表
面処理することができるアルミニウムの表面処理法を提
供することを目的とする。
「問題点を解決するだめの手段」
この発明は、シリコンを含むアルミニウム合金を脱脂し
た後、その表面を硝酸とフッ化水素酸と酢酸とからなる
エツチング液でエツチング処理し、この後にクロム酸処
理することにより上記問題点を解決しようとするもので
ある。
た後、その表面を硝酸とフッ化水素酸と酢酸とからなる
エツチング液でエツチング処理し、この後にクロム酸処
理することにより上記問題点を解決しようとするもので
ある。
「作用」
この発明のアルミニウムの表面処理法は、エツチング処
理を硝酸とフッ化水素酸と酢酸とからなるエツチング液
で行う。このエツチング液はシリコンに対して這いエツ
ジング作用を有するので、シリコンを含むアルミニウム
合金をこのエツチング液を用いてエツチング処理すると
、シリコンを選択的にエツチングする・（アルミニウム
も若干エツチングされる）ので、エツチング処理された
アルミニウム合金の表面にシリコンの粉末が残留するよ
うなことがなく、シリコンをブラッシング弄の手段で除
去する必要がなく、従ってアルミニウムの表面処理の能
率を向上することができる。
理を硝酸とフッ化水素酸と酢酸とからなるエツチング液
で行う。このエツチング液はシリコンに対して這いエツ
ジング作用を有するので、シリコンを含むアルミニウム
合金をこのエツチング液を用いてエツチング処理すると
、シリコンを選択的にエツチングする・（アルミニウム
も若干エツチングされる）ので、エツチング処理された
アルミニウム合金の表面にシリコンの粉末が残留するよ
うなことがなく、シリコンをブラッシング弄の手段で除
去する必要がなく、従ってアルミニウムの表面処理の能
率を向上することができる。
「実施例」
以下この発明のアルミニウムの表面処理法を実施例に、
沿って詳しく説明する。
沿って詳しく説明する。
区は、この発明の一実施例の工程である。この例の表面
処理法にあっては、まず、アルミニウム合金よりなる磁
気ディスク等の部材（以下Ａ１部材と略称する）の表面
の油分を脱脂工程１で除去する。この脱脂工程１では、
トリクロルエチレン等の有機溶剤を用いた溶剤脱脂法が
好適に行われる。
処理法にあっては、まず、アルミニウム合金よりなる磁
気ディスク等の部材（以下Ａ１部材と略称する）の表面
の油分を脱脂工程１で除去する。この脱脂工程１では、
トリクロルエチレン等の有機溶剤を用いた溶剤脱脂法が
好適に行われる。
この脱脂工程１で処理されたん部材は、水洗２された後
、エツチング処理工程３でエツチング処理される。
、エツチング処理工程３でエツチング処理される。
このエツチング処理工程３は、Ａ１部材の表面の・峻化
アルミニウム被膜を除去し、ＡＩ部材表面を活性化する
だめの工程で、この発明にあっては、濃硝俊とフッ化水
素酸と酢漬とからなるエツチング液にＡ１部材を浸漬す
ることにより行われる。このエツチング液には、濃硝酸
約２容量部、弘ざｗｔ％７ツ化水素嘴約１容量部、３０
ｗｔ％酢嘴約１容量部からなる混合液が好適に用いらｎ
る。このエツチング液は、アルミニウムを腐食するだけ
でなく、シリコンに対して強い腐食性を有するので、ア
ルミニウム（以下Ａ１と略称する）合金中のシリコンを
もエツチングする。上記混合液に対する水分の混入量が
、２０ｖｏ１％ｆ４えるとエツチングの進行が遅く好ま
しくない。また、混合液の組成で、濃硝酸の割合が増す
と、ＡＩが不動つとなる傾向が強まり好ましくなく、フ
ッ化水素酸の割合が増すと、んの腐食の醜行がシリコン
（以下ｉと略称する）の腐食の進行よりも速まり好まし
くない。また、酢′俊の割合が増すと処理に時間がかか
り好ましくない。
アルミニウム被膜を除去し、ＡＩ部材表面を活性化する
だめの工程で、この発明にあっては、濃硝俊とフッ化水
素酸と酢漬とからなるエツチング液にＡ１部材を浸漬す
ることにより行われる。このエツチング液には、濃硝酸
約２容量部、弘ざｗｔ％７ツ化水素嘴約１容量部、３０
ｗｔ％酢嘴約１容量部からなる混合液が好適に用いらｎ
る。このエツチング液は、アルミニウムを腐食するだけ
でなく、シリコンに対して強い腐食性を有するので、ア
ルミニウム（以下Ａ１と略称する）合金中のシリコンを
もエツチングする。上記混合液に対する水分の混入量が
、２０ｖｏ１％ｆ４えるとエツチングの進行が遅く好ま
しくない。また、混合液の組成で、濃硝酸の割合が増す
と、ＡＩが不動つとなる傾向が強まり好ましくなく、フ
ッ化水素酸の割合が増すと、んの腐食の醜行がシリコン
（以下ｉと略称する）の腐食の進行よりも速まり好まし
くない。また、酢′俊の割合が増すと処理に時間がかか
り好ましくない。
このようなエツチング液によるエツチング処理は、液温
、２０〜りＯでで３０秒〜６０秒程度行われることが１
ましい。液温か２０℃未膚りるいは処理時間が３０秒未
満であると充分なエツチングがなされず、液温がｑθ℃
ｔｌ−罐えるとエツチングが急激に進行し好ましくない
。また、処理時間が６０秒を感えるとエツチングが過剰
に進行し不経済でもある。
、２０〜りＯでで３０秒〜６０秒程度行われることが１
ましい。液温か２０℃未膚りるいは処理時間が３０秒未
満であると充分なエツチングがなされず、液温がｑθ℃
ｔｌ−罐えるとエツチングが急激に進行し好ましくない
。また、処理時間が６０秒を感えるとエツチングが過剰
に進行し不経済でもある。
このようなエツチング処理工程３でエツチング処理され
たＡ１部品は水洗４された後、クロム費処理工程５に送
られる。クロム・喉処理工程５では、５ｗＬ％クロム酸
溶ａｃ’１９〜６０℃）にＡｔ部材をコルＳ汁浸すか、
高温の１０ｗｔ％クロム酸でＡ１部材をぬぐうことによ
り、 Ａ１部材−Ａｔｍに不１ｉｉＪＪ ’７４ （”
＆化アルミニウム）のノーが形成される。
たＡ１部品は水洗４された後、クロム費処理工程５に送
られる。クロム・喉処理工程５では、５ｗＬ％クロム酸
溶ａｃ’１９〜６０℃）にＡｔ部材をコルＳ汁浸すか、
高温の１０ｗｔ％クロム酸でＡ１部材をぬぐうことによ
り、 Ａ１部材−Ａｔｍに不１ｉｉＪＪ ’７４ （”
＆化アルミニウム）のノーが形成される。
このようにクロム情処理されたＡ１ｇ材は、ついで水洗
６された後乾燥され、これによってアルミニウム合金の
表面処理が完了する。
６された後乾燥され、これによってアルミニウム合金の
表面処理が完了する。
このようなアルミニウムの表面処理法にあっては、エツ
チング処理工程３を濃硝ｆ俊と７ツ化水素浚と酢−１２
とからなるエツチング液を用いて行うこととしたので、
Ｍ合金中にＳｉが含まれていてもＳｔはＡ１と共にエツ
チングされ除去される。従って、この表面処理法によれ
ば、エツチング処理された 久Ａ１部材の茂簡にＳｉが
粉状に残留することがない。
チング処理工程３を濃硝ｆ俊と７ツ化水素浚と酢−１２
とからなるエツチング液を用いて行うこととしたので、
Ｍ合金中にＳｉが含まれていてもＳｔはＡ１と共にエツ
チングされ除去される。従って、この表面処理法によれ
ば、エツチング処理された 久Ａ１部材の茂簡にＳｉが
粉状に残留することがない。
［発明の＠束、ｊ
以上説明したように、この発明の表面処理法は、シリコ
ンを含むアルミニウム合金を脱脂し、ついでその表面を
硝酸とフッ化水素嘴と酢酸とからなるエツチング液でエ
ツチング処理した後、クロム嬢処理する方法なので、Ａ
ＤＣ１２等のシリコンを多量に含むアルミニウム合金を
処理してもエツチング処理されたアルミニウム合金の表
面にＳｉが粉状に残留することがない。よって、この処
理法によればエツチング処理後残留するシリコンをブラ
ッシング等の手段で除去する必要がなく、アルミニウム
の表面処理を能率良く行うことができる。
ンを含むアルミニウム合金を脱脂し、ついでその表面を
硝酸とフッ化水素嘴と酢酸とからなるエツチング液でエ
ツチング処理した後、クロム嬢処理する方法なので、Ａ
ＤＣ１２等のシリコンを多量に含むアルミニウム合金を
処理してもエツチング処理されたアルミニウム合金の表
面にＳｉが粉状に残留することがない。よって、この処
理法によればエツチング処理後残留するシリコンをブラ
ッシング等の手段で除去する必要がなく、アルミニウム
の表面処理を能率良く行うことができる。
また、異物の侵入を極力防ぐ必要のある磁気ディスク等
磁気ディスク装置用部材を高品位に弐面処理することが
でき、茜速で回転され表面の空気流や遠心力で、表面に
Ｓｔ等の異″吻があった場合それが容易に飛散される磁
気ディスク等でその効果は大きい。
磁気ディスク装置用部材を高品位に弐面処理することが
でき、茜速で回転され表面の空気流や遠心力で、表面に
Ｓｔ等の異″吻があった場合それが容易に飛散される磁
気ディスク等でその効果は大きい。
図はこの発明の表面処理法の一実施例の１僅を示す工程
図である。 １・・・・・・脱脂工程、３・・・・・・エツチング処
理１嘔、５・・・・・・クロム酸処理工程。
図である。 １・・・・・・脱脂工程、３・・・・・・エツチング処
理１嘔、５・・・・・・クロム酸処理工程。
Claims (1)
- シリコンを含むアルミニウム合金を脱脂処理し、ついで
その表面を硝酸とフッ化水素酸と酢酸とからなるエッチ
ング液でエッチング処理した後、クロム酸処理すること
を特徴とするアルミニウムの表面処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17277884A JPS6152376A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | アルミニウムの表面処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17277884A JPS6152376A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | アルミニウムの表面処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152376A true JPS6152376A (ja) | 1986-03-15 |
Family
ID=15948171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17277884A Pending JPS6152376A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | アルミニウムの表面処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152376A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172728A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体の製造方法 |
| JPH0361384A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-18 | Asahi Tec Corp | アルミニウム合金製被塗装物における化成被膜の表面部構造 |
| JPH03183017A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Sky Alum Co Ltd | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| US5580800A (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of patterning aluminum containing group IIIb Element |
| US5830786A (en) * | 1993-02-22 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring |
| JP5082023B1 (ja) * | 2012-02-29 | 2012-11-28 | 株式会社 京信 | 金属・樹脂複合体の製造方法及び金属・樹脂複合体 |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP17277884A patent/JPS6152376A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172728A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体の製造方法 |
| JPH0361384A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-18 | Asahi Tec Corp | アルミニウム合金製被塗装物における化成被膜の表面部構造 |
| JPH03183017A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Sky Alum Co Ltd | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| US5830786A (en) * | 1993-02-22 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring |
| US5580800A (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of patterning aluminum containing group IIIb Element |
| JP5082023B1 (ja) * | 2012-02-29 | 2012-11-28 | 株式会社 京信 | 金属・樹脂複合体の製造方法及び金属・樹脂複合体 |
| WO2013128595A1 (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | 株式会社 京信 | 金属・樹脂複合体の製造方法及び金属・樹脂複合体 |
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