JPH04250626A - 多層配線装置 - Google Patents
多層配線装置Info
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- JPH04250626A JPH04250626A JP804691A JP804691A JPH04250626A JP H04250626 A JPH04250626 A JP H04250626A JP 804691 A JP804691 A JP 804691A JP 804691 A JP804691 A JP 804691A JP H04250626 A JPH04250626 A JP H04250626A
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- insulating film
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁ゲート薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＦＴという）などを有する液晶表示装置
などに用いる多層配線装置に関するものである。
ジスタ（以下ＴＦＴという）などを有する液晶表示装置
などに用いる多層配線装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴを用いた液晶表示素子を大型化す
る場合、ゲート電極およびソース電極の配線抵抗が低い
ことが要求される。このため電極材料として体積抵抗率
の低いアルミニュウム（Ａｌ）を用いる試みがある。ゲ
ート電極としてアルミニュウム（Ａｌ）を用いる場合、
ゲート絶縁膜に従来のように窒化シリコンを用いる構成
以外に、アルミニュウム（Ａｌ）表面を陽極酸化して酸
化アルミニュウム層を形成し、さらにこの上に窒化シリ
コンなどの絶縁膜を積層する構成も試みられている。ゲ
ート絶縁膜の第１層目に陽極酸化の酸化アルミニュウム
層を設けることによりアルミニュウム（Ａｌ）表面は平
坦化され、ゲート電極とソース電極間の短絡を防ぐこと
ができ、また、良好なトランジスタ特性が得られている
。一方、ＴＦＴ周辺実装部においてゲート金属をソース
金属に変換する場合、ゲート絶縁膜にスルーホールを設
けてアルミニュウム膜とコンタクトをとるという構成が
生じる。
る場合、ゲート電極およびソース電極の配線抵抗が低い
ことが要求される。このため電極材料として体積抵抗率
の低いアルミニュウム（Ａｌ）を用いる試みがある。ゲ
ート電極としてアルミニュウム（Ａｌ）を用いる場合、
ゲート絶縁膜に従来のように窒化シリコンを用いる構成
以外に、アルミニュウム（Ａｌ）表面を陽極酸化して酸
化アルミニュウム層を形成し、さらにこの上に窒化シリ
コンなどの絶縁膜を積層する構成も試みられている。ゲ
ート絶縁膜の第１層目に陽極酸化の酸化アルミニュウム
層を設けることによりアルミニュウム（Ａｌ）表面は平
坦化され、ゲート電極とソース電極間の短絡を防ぐこと
ができ、また、良好なトランジスタ特性が得られている
。一方、ＴＦＴ周辺実装部においてゲート金属をソース
金属に変換する場合、ゲート絶縁膜にスルーホールを設
けてアルミニュウム膜とコンタクトをとるという構成が
生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、スルーホール形成後のゲートのアルミニュ
ウム表面には、陽極酸化して形成した酸化アルミニュウ
ム層のエッチング残りがあったり、ゲート絶縁膜に酸化
アルミニュウムを用いなかった場合でもアルミニュウム
特有の厚さ３０Ａ程度の自然酸化膜が発生し、アルミニ
ュウムなどのソース金属と接続するとコンタクト抵抗が
高く、かつ非オーミック性を示すという問題を有してい
た。
の構成では、スルーホール形成後のゲートのアルミニュ
ウム表面には、陽極酸化して形成した酸化アルミニュウ
ム層のエッチング残りがあったり、ゲート絶縁膜に酸化
アルミニュウムを用いなかった場合でもアルミニュウム
特有の厚さ３０Ａ程度の自然酸化膜が発生し、アルミニ
ュウムなどのソース金属と接続するとコンタクト抵抗が
高く、かつ非オーミック性を示すという問題を有してい
た。
【０００４】本発明は上記従来の問題を解決するもので
、安定で信頼性の高いコンタクトを実現することができ
る多層配線装置を提供することを目的とするものである
。
、安定で信頼性の高いコンタクトを実現することができ
る多層配線装置を提供することを目的とするものである
。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の多層配線装置は、絶縁性基板上に形成された
アルミニュウム膜を設け、前記アルミニュウム膜に積層
された絶縁膜を設け、前記絶縁膜に開口したスルーホー
ルを介して前記アルミニュウム膜上に接触膜としてマグ
ネシュウムまたはイットリウムまたはハフニュウムまた
はチタンまたはジルコニュウムまたはこれらの組み合わ
せよりなる金属膜を設けたものである。
に本発明の多層配線装置は、絶縁性基板上に形成された
アルミニュウム膜を設け、前記アルミニュウム膜に積層
された絶縁膜を設け、前記絶縁膜に開口したスルーホー
ルを介して前記アルミニュウム膜上に接触膜としてマグ
ネシュウムまたはイットリウムまたはハフニュウムまた
はチタンまたはジルコニュウムまたはこれらの組み合わ
せよりなる金属膜を設けたものである。
【０００６】
【作用】上記構成により、活性の強いマグネシュウムま
たはイットリウムまたはハフニュウムまたはチタンまた
はジルコニュウムまたはこれらの組み合わせよりなる金
属膜をアルミニュウム膜上に設けているので、スルーホ
ールにおいて金属膜間のオーミックコンタクトを阻害す
る酸化膜をこれらの活性な金属が化合物として取込み、
これにより安定で信頼性の高いコンタクトが実現される
。
たはイットリウムまたはハフニュウムまたはチタンまた
はジルコニュウムまたはこれらの組み合わせよりなる金
属膜をアルミニュウム膜上に設けているので、スルーホ
ールにおいて金属膜間のオーミックコンタクトを阻害す
る酸化膜をこれらの活性な金属が化合物として取込み、
これにより安定で信頼性の高いコンタクトが実現される
。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例を示す多層
配線装置の断面図である。図１において、絶縁性基板１
上に、スパッタ法あるいは電子ビーム蒸着法を用いてあ
アルミニウム（Ａｌ）膜２を厚さ１０００Ａ成膜した後
、プラズマＣＶＤ法で絶縁膜３として窒化シリコン（Ｓ
ｉＮｘ）を厚さ４０００Ａ作成した。続いて選択エッチ
ングによってスルーホールを形成し、最後に、活性の強
い金属膜４としてマグネシュウム（Ｍｇ）膜を真空蒸着
法により厚さ７０００Ａ作成した。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例を示す多層
配線装置の断面図である。図１において、絶縁性基板１
上に、スパッタ法あるいは電子ビーム蒸着法を用いてあ
アルミニウム（Ａｌ）膜２を厚さ１０００Ａ成膜した後
、プラズマＣＶＤ法で絶縁膜３として窒化シリコン（Ｓ
ｉＮｘ）を厚さ４０００Ａ作成した。続いて選択エッチ
ングによってスルーホールを形成し、最後に、活性の強
い金属膜４としてマグネシュウム（Ｍｇ）膜を真空蒸着
法により厚さ７０００Ａ作成した。
【０００８】図２は本発明の一実施例を示す多層配線装
置を用いた液晶表示装置の断面図であり、ゲート絶縁膜
の第１層目に陽極酸化の酸化アルミニウム膜を設けた場
合を示している。図２において、ガラス基板１１上に、
ＴＦＴのゲート電極となるアルミニウム膜をスパッタ法
あるいは電子ビーム蒸着法を用いて１０００Ａ成膜した
後、選択エッチングすることによりゲート電極パターン
１２を形成する。ゲート電極パターン１２の形成後、陽
極酸化法を用いてゲート電極上に酸化アルミニウム膜１
３を厚さ２００ Ａ〜３００ Ａ形成する。続いてプラ
ズマＣＶＤ法で絶縁膜１４として窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）を厚さ４０００Ａ堆積し、さらに、半導体層１５で
あるアモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ）を厚さ８００
Ａ堆積する。次に選択エッチングによってスルーホー
ルを形成し、活性の強い金属膜１６としてマグネシュウ
ム（Ｍｇ）膜を真空蒸着法により厚さ７０００Ａ作成す
る。最後に選択エッチングを行い、ソース電極およびド
レイン電極を形成する。
置を用いた液晶表示装置の断面図であり、ゲート絶縁膜
の第１層目に陽極酸化の酸化アルミニウム膜を設けた場
合を示している。図２において、ガラス基板１１上に、
ＴＦＴのゲート電極となるアルミニウム膜をスパッタ法
あるいは電子ビーム蒸着法を用いて１０００Ａ成膜した
後、選択エッチングすることによりゲート電極パターン
１２を形成する。ゲート電極パターン１２の形成後、陽
極酸化法を用いてゲート電極上に酸化アルミニウム膜１
３を厚さ２００ Ａ〜３００ Ａ形成する。続いてプラ
ズマＣＶＤ法で絶縁膜１４として窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）を厚さ４０００Ａ堆積し、さらに、半導体層１５で
あるアモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ）を厚さ８００
Ａ堆積する。次に選択エッチングによってスルーホー
ルを形成し、活性の強い金属膜１６としてマグネシュウ
ム（Ｍｇ）膜を真空蒸着法により厚さ７０００Ａ作成す
る。最後に選択エッチングを行い、ソース電極およびド
レイン電極を形成する。
【０００９】このようにして作成した多層配線層のコン
タクト特性を評価したところ、オーミック性を示し、コ
ンタクト抵抗は金属膜にアルミニウムを用いたときと比
べてかなり低い値が得られた。これはスルーホールにお
いて金属膜間のオーミックコンタクトを阻害する酸化膜
を活性な金属であるマグネシュウム（Ｍｇ）が化合物と
して取込むことによるものであり、これにより安定で信
頼性の高いコンタクトが得られる。
タクト特性を評価したところ、オーミック性を示し、コ
ンタクト抵抗は金属膜にアルミニウムを用いたときと比
べてかなり低い値が得られた。これはスルーホールにお
いて金属膜間のオーミックコンタクトを阻害する酸化膜
を活性な金属であるマグネシュウム（Ｍｇ）が化合物と
して取込むことによるものであり、これにより安定で信
頼性の高いコンタクトが得られる。
【００１０】なお、本実施例では活性の強い金属膜とし
てマグネシュウム（Ｍｇ）を用いた場合について示した
が、マグネシュウム（Ｍｇ）以外にイットリウム（Ｙ）
、またはハフニュウム（Ｈｆ）、またはチタン（Ｔｉ）
、またはジルコニュウム（Ｚｒ）等、またはこれらの組
み合わせよりなる金属膜を用いても良好なコンタクトが
得られた。
てマグネシュウム（Ｍｇ）を用いた場合について示した
が、マグネシュウム（Ｍｇ）以外にイットリウム（Ｙ）
、またはハフニュウム（Ｈｆ）、またはチタン（Ｔｉ）
、またはジルコニュウム（Ｚｒ）等、またはこれらの組
み合わせよりなる金属膜を用いても良好なコンタクトが
得られた。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、アルミニ
ウム膜への接触膜にマグネシュウムまたはイットリウム
またはハフニュウムまたはチタンまたはジルコニュウム
またはこれらの組み合わせよりなる金属膜を用いること
により、安定で信頼性の高いコンタクトが実現でき、ア
ルミニウムゲート電極を用いた大型液晶表示素子の周辺
実装部などにおけるコンタクト不良の問題を解消するこ
とができるものである。
ウム膜への接触膜にマグネシュウムまたはイットリウム
またはハフニュウムまたはチタンまたはジルコニュウム
またはこれらの組み合わせよりなる金属膜を用いること
により、安定で信頼性の高いコンタクトが実現でき、ア
ルミニウムゲート電極を用いた大型液晶表示素子の周辺
実装部などにおけるコンタクト不良の問題を解消するこ
とができるものである。
【図１】本発明の一実施例を示す多層配線装置の断面図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例を示す多層配線装置を用いた
液晶表示装置の断面図である。
液晶表示装置の断面図である。
１ 絶縁性基板
２ アルミニウム（Ａｌ）膜
３、１４ 絶縁膜
４、１６ 金属膜
１１ ガラス基板
１２ ゲート電極パターン
１３ 酸化アルミニウム膜
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板上に形成されたアルミニュウム
膜を設け、前記アルミニュウム膜に積層された絶縁膜を
設け、前記絶縁膜に開口したスルーホールを介して前記
アルミニュウム膜上に接触膜としてマグネシュウムまた
はイットリウムまたはハフニュウムまたはチタンまたは
ジルコニュウムまたはこれらの組み合わせよりなる金属
膜を設けた多層配線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP804691A JPH04250626A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 多層配線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP804691A JPH04250626A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 多層配線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04250626A true JPH04250626A (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=11682402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP804691A Pending JPH04250626A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 多層配線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04250626A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580800A (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of patterning aluminum containing group IIIb Element |
| US5830786A (en) * | 1993-02-22 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring |
| JP2004533106A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-10-28 | モトローラ・インコーポレイテッド | 半導体部品の製造方法およびその半導体部品 |
| CN105870288A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-17 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP804691A patent/JPH04250626A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5830786A (en) * | 1993-02-22 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring |
| US5580800A (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of patterning aluminum containing group IIIb Element |
| JP2004533106A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-10-28 | モトローラ・インコーポレイテッド | 半導体部品の製造方法およびその半導体部品 |
| CN105870288A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-17 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
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