KR900017162A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

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KR900017162A
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power
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가즈히꼬 고조노
요시오 신따니
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미다 가쓰기게
가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 돈 발명의 1실시예의 반도테 집직회로 장치의 개략 구성도,
제2도는 제1도의 반도체 집적회로 장치의 전원배선의 배치를 도시한 반도체 기판의 개략 평면도,
제3도는 제1도의 반도체 집적회로 장치의 기본셀의 수, 사용되는 주파수 및 전류밀도의 관계를 도시한 도면. 제4도는 제1도의 반도체 집적회로 장치의 셀영역에 형성된 회로구성을 도시한 반도체 기판의 부분확대 평면도.

Claims (16)

  1. 반도체 기판의 주표면위에 헝성된 기본셀 형성영역을 갖는 상기 반도체 기판, 제1의 전원전압이 공급되고, 그들 사이에 삽입되는 제1의 매입층 절연막과 상기 기본셀 형성영역위에 형성된 제1의 보조전원배선, 제2의 전원 전압이 공급되고, 그것들 사이에 삽입되는 제1의 매입층 절연막과 상기 제1의 보조전원배선위에 형성된 제2의 보조전원배선을 포함하고, 상기 제1의 보조전원배선은 상기 기본셀에 제1의 전원전압을 공급하고, 제2의 보조전원배선은 상기 기본셀에 제2의 전원전압을 공급하는 반도체 집적회로 장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 보조전원배선과 상기 제2의 보조전원배선의 각각은 각자형상으로 배치되어 있는 반도체 집적회로 장치.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 제1의 보조전원배선과 상기 제2의 보조전원 배선을 병행해서 배치함과 동시에 상기 제1의 보조전원배선과 상기 제2의 보조전원배선을 소정의 간격을 두고 단이 다르게 형성한 반도체 집적회로 장치.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1의 보조전원배선은 제2층의 금속배선층으로 형성되고, 상기 제2의 보조전원배선은 제3층의 금속배선층으로 형성되어 있는 반도체 집적회로 장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 또 상기 기본셀 형성영역위에 헝성된 기본셀과 상기 각 기본셀위에 헝성된 1상의 셀전원 배선을 포함하고, 상기 하나의 셀전원배선은 상기 제1의 보조건원배선과 접속되고, 상기 다른 하나의 셀전원배선은 상기 제2의 보조전원배선에 접속되는 반도체 집적회로 장치.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 기본셀은 CMISFET로 구성된 반도체 집적회로 장치.
  7. 반도체 기판의 주표면위에 형성된 기본셀형성 영역과 상기 반도체 기판의 주표면위에 형성되고 상기 기본셀 형성영역을 둘러싸는 입출력 셀형성 영역을 갖는 상기 반도체 기판, 제1의 전원전압이 공급되고, 상기 입출력셀 형성영역위에 형성된 제1의 전원배선. 상기 제1의 전원배선과 동일층에 형성되고. 상기 기본셀 형성영역위를 연장하고, 상기 제1의 전원배선에 접속되는 제1의 보조전원배선, 제2의 전원전압이 공급되고, 상기 제1의 전원배선위에 형성된 제2의 전원배선. 상기 제2의 전원배선과 동일층에 형성되고, 상기 기본셀 팅 형영역위를 연장하고 포함하는 반도체 집적회로 장치.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서. 상기 제1의 전원배선과 상기 제1의 보조전원배선은 일체로 형성되고, 상기 제2의 전원배선과 상기 제2의 보조 전원배선이 일체로 헝성되어 있는 반도체 집적회로 장치.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 제1의 전원배선과 상기 제2의 전원배선을 상하로 인접하는 다른층에 겹치도록 병행해서 배치하는 반도체 집적회로 장치.
  10. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 입출력실 형성영역상에서 상기 제1의 전원배선과 동일한 배선층에는 상기 제2의 전원전압이 공급되는 제3의 전원배선을 상기 제1의 전원배선과 병행해서 배치하고, 상기 제2의 전원배선과 동일한 배선층에는 상기 제1의 전원전압이 공급되는 제4의 전원 배선을 상기 제2의 전원배선과 병행해서 배치하고. 상기 게3의 전원배선과 상기 제4의 전원배선은 상하로 겹치도록 병행해서 배치하는 반도체 집적회로 장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서. 상기 제1의 보조전원 배선과 상기 제2의 보조전원배선의 각각은 격자형상으로 배치되어 있는 반도체 집적회로 장치,
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제1의 보조전원 배설과 상기 제2의 보조전원배선을 병행해서 배치함과 동시에 상기 제1의 보조전원배선과 상기 제2의 보조전원배선을 소정의 간격을 두고 다이 다르게 형성한 반도체 집적회로 장치.
  13. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 제1의 보조전원배선은 제2층의 금속배선층에서 형성되고, 상기 제2의 보조전원배선은 제3층의 금속배선층에서 형성되어 있는 반도체 집적회로 장치.
  14. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또 상기 기본셀 형성영역위에 형성된 기본셀과 상기 각 기본셀위에 형성된 1쌍의 셀전원 배선을 포함하고. 상기 하나의 셀전원 배선은 상기 제1의 보조전원배선과 접속되고, 상기 다른 하나의 셀전원배선은 상기 제2의 보조전원배선에 접속되어 있는 반도체 집적회로 장치.
  15. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 기본셀은 CMISFET로 구성된 반도체 집적회로 장치.
  16. 특허청구의 범위 게7항에 있어서. 상기 제1의 전원배선과 상기 제2의 전원배선의 각각을 여러개 병렬로 배치하고 있는 반도체 집적회로 장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900004465A 1989-04-10 1990-04-02 반도체 집적회로 장치 KR900017162A (ko)

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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315130A (en) * 1990-03-30 1994-05-24 Tactical Fabs, Inc. Very high density wafer scale device architecture
JP3182762B2 (ja) * 1990-07-23 2001-07-03 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路装置
JP3082323B2 (ja) * 1991-07-30 2000-08-28 ソニー株式会社 メモリモジュール
US5311058A (en) * 1991-11-29 1994-05-10 Trw Inc. Integrated circuit power distribution system
WO1993012540A1 (en) * 1991-12-10 1993-06-24 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit with variable pad pitch
US5854094A (en) * 1992-07-28 1998-12-29 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Process for manufacturing metal plane support for multi-layer lead frames
JPH0653394A (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層リードフレーム用プレーン支持体
JPH06140607A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
JP2826446B2 (ja) * 1992-12-18 1998-11-18 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置及びその設計方法
US5999151A (en) * 1992-12-24 1999-12-07 Michael; Robert Pixel, video display screen and power delivery
JP3720064B2 (ja) * 1994-01-20 2005-11-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路
US5668389A (en) * 1994-12-02 1997-09-16 Intel Corporation Optimized power bus structure
US5663677A (en) * 1995-03-30 1997-09-02 Lucent Technologies Inc. Integrated circuit multi-level interconnection technique
US5719748A (en) * 1995-06-28 1998-02-17 Honeywell Inc. Semiconductor package with a bridge for chip area connection
US6831317B2 (en) * 1995-11-09 2004-12-14 Hitachi, Ltd. System with meshed power and signal buses on cell array
US5789783A (en) * 1996-04-02 1998-08-04 Lsi Logic Corporation Multilevel metallization structure for integrated circuit I/O lines for increased current capacity and ESD protection
US6191475B1 (en) * 1997-11-26 2001-02-20 Intel Corporation Substrate for reducing electromagnetic interference and enclosure
FR2771853B1 (fr) * 1997-11-28 2000-02-11 Sgs Thomson Microelectronics Plot de test de circuit integre
US6480989B2 (en) * 1998-06-29 2002-11-12 Lsi Logic Corporation Integrated circuit design incorporating a power mesh
JP4330676B2 (ja) * 1998-08-17 2009-09-16 株式会社東芝 半導体集積回路
JP4748867B2 (ja) * 2001-03-05 2011-08-17 パナソニック株式会社 集積回路装置
US6346721B1 (en) * 2001-03-12 2002-02-12 Lsi Logic Corporation Integrated circuit having radially varying power bus grid architecture
US6476497B1 (en) * 2001-03-26 2002-11-05 Lsi Logic Corporation Concentric metal density power routing
DE10252058A1 (de) * 2002-11-08 2004-05-27 Infineon Technologies Ag Halbleiteranordnung
US7448012B1 (en) 2004-04-21 2008-11-04 Qi-De Qian Methods and system for improving integrated circuit layout
US7752578B2 (en) * 2006-10-19 2010-07-06 Apache Design Solutions, Inc. Automatic voltage drop optimization
JP2010021349A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Nec Electronics Corp 半導体記憶装置
US7956438B2 (en) * 2008-11-21 2011-06-07 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with interlinked lateral fins
US7944732B2 (en) * 2008-11-21 2011-05-17 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with alternating layered segments
US8207592B2 (en) * 2008-11-21 2012-06-26 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with array of crosses
US7994609B2 (en) * 2008-11-21 2011-08-09 Xilinx, Inc. Shielding for integrated capacitors
US7994610B1 (en) 2008-11-21 2011-08-09 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with tartan cross section
US8362589B2 (en) * 2008-11-21 2013-01-29 Xilinx, Inc. Integrated capacitor with cabled plates
KR20100078877A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 및 그 형성 방법
US8653844B2 (en) 2011-03-07 2014-02-18 Xilinx, Inc. Calibrating device performance within an integrated circuit
US8941974B2 (en) 2011-09-09 2015-01-27 Xilinx, Inc. Interdigitated capacitor having digits of varying width
JP2013131615A (ja) * 2011-12-21 2013-07-04 Elpida Memory Inc 半導体装置
US9318607B2 (en) 2013-07-12 2016-04-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9270247B2 (en) 2013-11-27 2016-02-23 Xilinx, Inc. High quality factor inductive and capacitive circuit structure
US9524964B2 (en) 2014-08-14 2016-12-20 Xilinx, Inc. Capacitor structure in an integrated circuit

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59164419A (ja) * 1983-03-05 1984-09-17 Toyota Motor Corp 変速機トランスフア装置
JPS62224044A (ja) * 1986-03-26 1987-10-02 Hitachi Comput Eng Corp Ltd 半導体集積回路装置
JPS63152163A (ja) * 1986-12-17 1988-06-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

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US5119169A (en) 1992-06-02

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