KR900002445A - 회로소자간의 분리가 개선된 집적회로구조 - Google Patents

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KR900002445A
KR900002445A KR1019890009938A KR890009938A KR900002445A KR 900002445 A KR900002445 A KR 900002445A KR 1019890009938 A KR1019890009938 A KR 1019890009938A KR 890009938 A KR890009938 A KR 890009938A KR 900002445 A KR900002445 A KR 900002445A
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conductive
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또넬 외젠느
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원본미기재
에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 에스.에이.
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Abstract

내용 없음

Description

회로소자간의 분리가 개선된 집적회로구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 제1도와 유사한 본 발명의 일실시예인 집적회로의 구조도.
제 3A-3D도는 본 발명의 집적회로구조에 대한 일련의 제조절차를 나타낸 도면.

Claims (4)

  1. 각각의 회로구성소자가 제2도전형 기판의 상부면에 형성된 제1도전형 포켓(10, 20, 30, 40) 내부에 형성되고 분리벽에 의해 인접한 포켓들과 분리되며, 상기 기판(50)이 제2도전형인 반도체성의 높게 도핑된 웨이퍼로 되어 있고, 이 웨이퍼의 상부면에 낮게 도핑된 제2도전형층(51)이 구성되어 있으며, 분리벽이 기판으로 진입하기 위해 상기 제2도전형 층을 통과하도록 된 것을 특징으로 하는 회로소자 간의 분리가 개선된 집적회로구조.
  2. 제1항에 있어서, 적어도 몇개의 포켓에 NPN 파워 트랜지스터(2, 3)가 구성되어 있어 이 트랜지스터(2, 3)의 콜렉터가 제1도전형의 높게 도핑된 매몰층(23,33)과 대응하고, 이 매몰층(23, 33)의 바닥이 요망 항복 전압을 제공하기에 충분한 상기 제2도전형층(51)으로 포위되어 있음을 특징으로 하는 회로소자간의 분리가 개선된 집적회로구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형층(51)이 상기 기판(50)에 에피텍셜 처리된 것을 특징으로 하는 회로소자간의 분리가 개선된 집적회로.
  4. 제4항에 있어서, 포켓들의 경계를 정하는 반도체재료가 상기 제2도전형층(51)에 에피택셜 처리된 제1도전형층을 이룸을 특징으로 하는 회로소자간의 분리가 개선된 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890009938A 1988-07-13 1989-07-12 회로소자간의 분리가 개선된 집적회로구조 KR900002445A (ko)

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FR88-09848 1988-07-13
FR8809848A FR2634321B1 (fr) 1988-07-13 1988-07-13 Structure de circuit integre ameliorant l'isolement entre composants

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DE69125390T2 (de) * 1991-07-03 1997-08-28 Cons Ric Microelettronica Laterale Bipolartransistorstruktur mit integriertem Kontrollschaltkreis und integriertem Leistungstransistor und deren Herstellungsprozess

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DE2952318C2 (de) * 1979-12-24 1986-09-18 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Integrierte Schaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0057549B1 (en) * 1981-01-29 1987-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
GB2183907B (en) * 1985-11-27 1989-10-04 Raytheon Co Semiconductor device

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FR2634321A1 (fr) 1990-01-19
EP0351331A1 (fr) 1990-01-17
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