KR900015309A - ALE(Atomic Layer Epitaxy)법에 의해 형성된 절연층을 사용하는 액티브 매트릭스 표시장치의 제조방법 - Google Patents

ALE(Atomic Layer Epitaxy)법에 의해 형성된 절연층을 사용하는 액티브 매트릭스 표시장치의 제조방법 Download PDF

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겐지 오까모또
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야마모또 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

ALE(Atomic Layer Epitaxy)법에 의해 형성된 절연층을 사용하는 액티브 매트릭스 표시장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본발명에 따른 액티브 매트릭스 표시장치의 TET형성 영역 주위의 1차 기판의 확대된 평면도,
제3도는 제2도의 I-I 선을 따른 횡 단면도,
제4도는 제2도의 II-II 선을 따른 횡단면도.

Claims (28)

  1. 봉인을 형성하는 1차 및 2차 기판, 그 사이의 감광물질과 각각의 1차 및 2차 기판 내면상에 형성된 1차 및 2차 투명전극으로 이루어진 각 표시소자, 횡렬로 배열된 다수의 표시소자, 게이트 전극, 게이트 절연층, 반도체층, 소오스 및 드레인 전극을 갖고 표시 소자의 각 대응위치에 위치한 박막 트랜지스터, 1차 기판상에 형성된 다수의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 통하여 표시 소자를 구동하기 위하여 1차 기판상에 형성된 최소의 게이트 버스라인, 열방향으로 위치한 게이트 전극을 연결하는 게이트 버스라인으로 이루어지고, 박막 트랜지스터의 게이트 절연층 형성단계가 (a) 단원자층을 침전시키는 동안 금속 무기/유기화합물의 증기에 1차 기판을 처리하고, H2O 그리고/또는 O2로 재반응하고 산화 금속을 형성, (b) 산화 금속층에 금속 무기/유기 하합물층을 대치시키는 동안 H2O증기 그리고/또는 O2개스에서 형성된 금속 무기/유기 화합물의 표면 처리, (c) 특정 두께의 산화금속층이 성장될때까지 다수의 사이클에 대한 단계(a)와 (b)를 반복하는 단계로 이루어진 액티브 매트릭스표시장치 제조방법.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 표시 장치가 행방향으로 다수의 소오스/드레인 전극을 연결하는 소오스/드레인 버스 라인으로 더 이루어지고, 1차 기판상에 형성되는 액티브 매트릭스표시장치 제조방법.
  3. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 제조 방법이 이전의 것을 따르고, 상기 게이트 절연층을 형성하기 전에 1차 기판상에 전도성 물질의 게이트 전극 형성; 플래즈마 CVD법에 의해 상기 형성된 케이트 절연층상에 비결정 반도체 실리콘층을 침전하는 연속 단계로 이루어진 액티브 매트릭스 표시장치 제조방법.
  4. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터 형성 방법이 상기 단계(c) 뒤에 플래즈마 CVD법에 의해 상기 게이트 절연층상에 질환실리콘의 2차 게이트 절연층을 침전시키는 단계(d)로 더 이루어지는 액티브 매트릭스 표시장치 제조방법.
  5. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 반복되는 단계(a)와 (b)가 상기 중기 또는 개스의 분자 흐름이 조건하에서 실행되는 액티브 매트릭스 표시장치 제조방법.
  6. 청구범워 제1항에 있어서, 단계(a)에서 사용된 상기 금속 무기/유기 화합물은 산화알루미늄을 성장시키기 위한 염화 알루미늄, 브롬화 알루미늄, 트리메틸 알루미늄, 트리에틸 알루미늄, 염화 디메틸 알루미늄, 염화 디에틸 알루미늄의 그룹이거나 산화 티타니늄을 성장시키기 의한 염화 티타니늄, 브롬화 티타니늄의 그룹으로 부터 선택된 하나이거나 조합인 액티브 매트릭스 표시 장치 제조 방법.
  7. 청구범위 제5항에 있어서, 분자흐름의 조건이 l과 수십 밀리토르 사이의 증기압 범위를 갖는 액티브 매트릭스 표시 장치 제조방법.
  8. 봉인을 형성하는 1차 및 2차 기판. 그 사이의 감광물질과 각각의 1차 및 2차 기판 내면상에 형성된 1차 및 2차 투명전극으로 이루어진 각 표시소자, 횡렬로 배열된 다수의 표시소자, 게이트 전극, 게이트 절연층, 반도체층, 소오스 및 드레인 전극을 갖고 표시소자의 각 대응위치에 위치한 박막 트랜지스터, 1차 기판상에 형성된 다수의 박막 트랜지스터. 횡 방향으로 위치한 게이트 전극을 연결하는 게이트 버스라인과 열방향으로 소오스/드레인 진극을 연결하는 소오스/드레인 버스라인과 각 교차점에서 내부 비스라인 절연층에 의해 서로 절연된 게이트 및 소오스/드레인 버스라인으로 이루어지고, 1차 기판상에 게이트 버스 라인을 형성; 대체로 단원자층을 침전시키는 동안 H2O 그리고/또는 O2재반응하고 산화 금속을 형성하며, 산화 금속층에 금속 무기/유기 화합물층을 대치시키는 동안 H2O증기 그리고/또는 O2가스에 형성된 금속 무기/유기 화합물층의 표면을 처리하고, 금속 무기/유기화합물의 증기에 1차 기판을 처리하는 반복 보조 단계의 반복 사이클의 예정된 수로 이루어지는 방법에 의해 게이트 버스라인상에 내부 버스라인 절연층을 침전; 내부 버스라인 절연층상에 소오스/드레인 버스라인을 형성하는 내부 버스라인 절연층을 형성하는 단계로 이루어진 액티브 매트릭스 표시장치 제조방법.
  9. 청구범의 제8항에 있어서, 상기 내부 버스라인 절연층 형성방법이 소오스/드레인 버스 라인 형성 단계전에 플라즈마 CVD법에 의해 상기 내부 버스라인 절연층 상에 질환실리콘의 2차 내부버스라인 절연층을 침전시키는 단계로 더 이루어진 액티브 매트릭스 표시 장치 제조방법.
  10. 청구범위 제8항에 있어서, 상기 내부 버스라인 절연층을 침전시키는 반복의 보조단계 각각이 상기 증기 또는 개스의 분자흐름의 진공조건하에서 실행되는 액티브 매트릭스 표시 장치의 제조방법.
  11. 청구범위 제8항에 있어서, 내부 버스라인 절연층의 침전 단계에서 상기 금속무기/유기 화합들이 산화 알루미늄을 성장시키기 위하여 염화 알루미늄, 브롬화 알루미늄, 트리메틸 알루미늄. 트리에틸 알루미늄, 염화 디메틸 알루미늄, 염화 디메틸 암루미늄의 그룹이거나 산화 티타니늄을 성장시키기 위하여 염화티타니늄, 브롬화 티타니늄의 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 조합인 액티브 매트릭스 표시 장치 제조방법.
  12. 청구범위 제10항에 있어서, 상기 분자유속 조건이 1과 수십 밀리토르 사이의 증기압 범위를 갖는 액티브 매트릭스 표시 장치 제조방법.
  13. 청구범위 제8항에 있어서, 상기 내부 버스라인 절연층의 침전 단계가 게이트절연 층을 침전시키기 위한 보통 단계인 액티브 매트릭스 표시 장치 제조방법.
  14. 봉인을 형성하는 1차 및 2차 기판, 그 사이의 감광물질과 각각의 1차 및 2차 기판의 내면상에 1차 및 2차 투명전극으로 이루어진 각 표시 소자, 횡렬로 배열된 다수의 표시소자, 게이트 전극, 게이트 절연층. 반도체층, 소오스와 드레인 전극을 갖고 표시소자의 각 대응위치에 위치한 박막 트랜지스터 1차 기판상에 형성된 다수의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 통하여 표시 소자를 구동시키기 위하여 1차 기판에 형성된 게이트 버스 라인과 소오스/드레인 버스라인, 횡방향으로 위치한 게이트 전극을 연결하는 게이트 버스라인과 열방향으로 소오스/드레인 진극을 연결하는 소오스/드레인 버스라인으로 이루어지고, 박막 트랜지스터 영역에 적어도 보호층으로 더 이루어지고, 보호층 형성 단계가 1차 기판상에 박막 트랜지스터를 형성; 대체로 단원자층을 침전시키는 동안 H2O 그리고/또는 O2를 재반응 할 수 있고 산화 금속을 형성하며, 산화 금속층에 금속 무기/유기 화합물층을 대치하는 동안 H2O 증기 그리고/또는 O2개스에 형성된 금속 무기/유기 화합뭍층의 표면을 저리한 금속 무기/유기 화합물의 수증기에 1차 기판 처리의 반복 보조단계의 반복 사이클의 예정된 수로 이루어지는 방법에 의한 박막 트랜지스터의 보호층을 침전시키는 단계로 이루어진 액티브 매트릭스표시 장치의 제조 방법.
  15. 청구범위 제14항에 있어서, 보호층을 침전시키는 상기 반복 서브단계 각각이 상기 증기 또는 개스의 분자 흐름의 진공조건하에서 실행되는 액티브 매트릭스 장치의 제조방법.
  16. 청구범위 제14항에 있어서, 산화 알루미늄을 성장시키기 의하여 보호층의 침전 단계에서 상기 금속 무기/유기 화합물이 염화 알루미늄, 브롬화 알루미늄, 트리메틸 알루미늄, 트리에틸 알루미늄, 염화 디메틸 알루미늄, 염화 디에틸 알루미늄의 그룹이거나 산화 티타니늄을 성장시키키 위하여 염화 티타니늄과 브롬화 티타니늄의 그들으로 부터 선택된 어느하나 또는 조합인 액티브 매트릭스 표시 장치의 제조 방법.
  17. 청구범위 제15항에 있어서, 상기 분자 흐름의 조건이 1과 수심 밀리-토르 사이의 증기압 범위를 갖는 액티브 매트릭스 표시 장치의 제조 방법.
  18. 봉인을 형성하는 1차 및 2차 기판, 횡열로 배열된 다수의 표시소자, 그들 사이의 감광물질과 각각의 1차 및 2차 기판의 내면상에 형성된 1차 및 2차 투명전극으로 이루어진 각각의 표시소자, 게이트 전극, 게이트 절연층, 반도체층, 소오스/드레인 전극을 갖고 표시소자의 각 대응위치에 위치한 박막 트랜지스터, 1차 기판상에 형성된 다수의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 통하여 표시 소자를 구동시키기 위하여 1차 기판상에 형성된 게이트 버스 라인과 소오스/드레인 버스라인, 횡방향으로 위치한 게이트 전극을 연결하는 게이트 버스 라인과 열 방향으로 소오스/드레인 전극을 연결하는 소오스/드레인 버스라인으로 이루어지고, 그들 사이의 캐패시터 절연층을 갖고 1차 투명 전극에 의해 형성된 상기 각 표시 소자에 대응하는 보조 캐패시터와 1차 기판상에 형성된 다른 보조 전극으로 더 이루어지고, 캐패시터 절연층을 헝성하는 다음의 단계가 1차 기판상에 보조전극을 형성 대체로 단원자층 침전시키는 동안 H2O 그리고/또는 O2와 재반응하고 산화 금속을 형성하며, 산화 금속층에 금속 무기/유기 화합물층을 대치하는 동안 H2O증기 그리고/또는 O2개스에 형성된 금속무기/유기 화합뭍층의 표면을 처리하고, 금속 무기/유기 화합물의 수증기에 1차 기판을 처리하는 반복 보조단계의 반복된 사이클의 예정된 수로 이루어지는 방법으로 보조 전극상에 캐패시디 절연층을 침전; 캐패시터 절연층상에 1차 투명 전극을 형성하는 단계로 이루어진 액티브 매트릭스 표시 장치의 제조 방법.
  19. 청구범위 제18항에 있어서, 캐패시터 절연층을 침전시키는 상기 각 반복 보조단계가 상기 증기 또는 개스의 분자 흐름의 진공 조건하에서 실행되는 액리브 매트릭스 표시 장치의 제조 방법.
  20. 청구범위 제18항에 있어서, 캐패시터 절연층의 침전 단계에서 상기 금속무기/유기화합물이 산화알루미늄을 성장시키기 의하여 염화알루미늄, 브롬화 알루미늄, 트리메틸 알루미늄, 트리메틸 알루미늄, 염화 디메틸 알루미늄, 염화 디에틸 알루미늄의 그룹이거나 산화 티타니늄을 성장시키기 위하여 염화티나니늄, 브름화 티타니늄의 그룹으로 부터 선택된 어느 하나 이거나 조합인 액티브 매트릭스 표시 장치의 제조 방법.
  21. 청구범위 제19항에 있어서, 상기 분자 흐름 조건이 1과 수십 밀리-토르 사이의 증기압 범위를 갖는 액티브 매트릭스 표시 장치 제조 방법.
  22. 박막 트랜지스터에 대한 게이트 절연층 중 하나로 사용되는 얇은 절연층, 내부-버스라인 절연층, 보조 캐패시터에 대한 박막 트랜지스터와, 절연층상의 보호층으로 이루어지고, 단원자층을 침전시키는 동안 분자흐름 조건하에서 H2O 그리고/또는 O2와 재반응할 수 있고 산화 금속을 형성하는 금속 무기/유기 화합물의 증기에 기판을 처리; 산화금속층에 금속 무기/유기 화합물층을 대치시키는 동안 분자 흐름 조전하에서 H2O 증기 그리고/또는 O2개스에서 형성된 금속 무기/유기 화합물층의 표면을 처리하는 단계의 반복 사이클의 예정된 수로 이루어진 제조 방법.
  23. 청구범위 제22항에 있어서, 상기 금속 무기/유기 화합물이 산화 알루미늄을 형성하기 위하여 염화 알루미늄, 브롬화 알루미늄, 트리메틸 알루미늄, 트리메틸 알루미늄, 염화 디메틸 알루미늄, 염화 디에틸 알루미늄의 그룹이거나 산화 티타니늄을 성장시키기 위하여 염화 티타니늄과 브롬화 티타니늄의 그룹으로 부터 선택된 어느 하나 이거나 조합인 얇은 절연층 형성방법.
  24. 청구범위 제22항에 있어서, 두개의 상기 분자흐름 조건이 1과 수십 밀리-토르사이의 증기압 범위를 갖는 액티브 매트릭스 표시장치의 제조 방법.
  25. 박막 트랜지스터애 대한 게이트 절연층과 보조 캐패시터에 대한 절연층중 하나로 사용되는 절연층을 포함하고, (a) 단원자층을 침전시키는 동안 분자 흐름조건하에서 염화 알루미늄의 증기에 기판을 처리; (b) 산화 알루미늄층에 염화 암루미늄층을 대치시기는 동안 분자 흐름 조건하에서 H2O 그리고/또는O2의 증기에서 형성된 염화 알루미늄층의 표면을 처리; (c) 단원자층을 침전시기는 동안 분자 흐름 조건하에서 염화티타니늄의 증기에서 형성된 산화 알루미늄층의 표면을 처리; (d) 산화 티타니늄층에 염화 티타니늄층을 대치시키는 동안 분자흐름 조건하에서 H2O 그리고/또는 O2의 증기에서 형성된 염화 티타니늄층의 표면을 처리; (e) 특정 두께의 절연층이 형성될때까지 다수의 사이클에 대하여 단계(a)-(d)를 반복하는 액티브 매트릭스표시장치의 얇은 절연층 형성방법.
  26. 게이트 전극, 게이트 절연층, 반도체층, 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 기판상에 박막 트랜지스터를 형성하고, 게이트 절연층 형성 단계가 (a) 단원자층을 침전시키는 동안 H2O 그리고/또는 O2와 재반응하고 산화금속을 형성하는 금속 무기/유기 화합물의 증기에 기판을 처리; (b) 산화 금속층에 금속 무기/유기 화합물층을 대치시키는 동안 H2O증기 그리고/또는 O2개스에서 형성된 금속 무기/유기 화합물층의 표면을 처리; (c) 특정두께의 산화 금속층이 성장될때까지 다수의 사이클에 대하여 단계(a)와 (b)를 반복하는 형성 방법.
  27. 청구범위 제26항에 있어서, 박막트랜지스터 형성 방법이 (d) 플래즈마 CVD법으로상기 게이트 절연층상에 질화 실리콘의 2차 게이트 절연층을 침전; (e) 단계(d)에서의 동일한 장치를 사용하는 플래즈마 CVD법으로 2차 절연층상에 비결정 실리콘 반도체층을 침전시키는 단계로 더 이루어진 형성 방법.
  28. 봉인을 형성하는 1차 및 2차 기판, 그 사이의 감광물질과 1차 및 2차 기판 각각의 내면상에 형성된 1차 및 2차 투명 전극으로 이루어진 각 표시소자, 횡열로 배열된 다수의 표시소자, 표시 소자의 각 대응위치에 위치한 박막 트랜지스터, 1차 기판상에 형성된 다수의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 통하여 표시 소자를 구동시키기 위하여 서로 절연되고 기판상에 선택적으로 형성된 버스 라인의 1차 및 2차그룹으로 이루어지고, 상기 박막 트랜지스터가 게이트 전극; ALE침전에 의해 산화 알루미늄으로 되어있는 1차 절연층, 플래즈마 CVD에 의해 질화 실리콘으로 되어있는 2차 절연층 그위의 게이트 전극과 2차 절연층상의 1차 절연층으로 이루어진 게이트 절연층 플래즈마 CVD에 의해 2차 절연층상의 비결정 실리콘층; 비 결정 실리콘층상의 소오스와 드레인 전극으로 이루어진 액티브 매트릭스 표시장치.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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