KR890004571B1 - Ic 제조를 위한 플라스마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

IC 제조를 위한 플라스마 처리장치
제1도는 본 발명에 의한 플라스마 처리방법 원리를 도식적으로 보여주는 도면.
제2도는 본 발명에 의한 플라스마 처리방법의 원리의 바닥판 꼭대기의 평면도.
제3도는 본 발명에서 또 다른 원리에 의한 플라스마 처리방법으로서 히터를 갖는 바닥면의 부분적인 측면도.
제4도는 본 발명의 플라스마 처리방법의 또 다른 원리로서 기체 구멍의 부분적인 측면도.
제5도는 본 발명의 플라스마 처리방법의 또 다른 원리로서 바닥판의 평면도.
제6도는 본 발명의 플라스마 프로세서 시스템의 개략도이다.
본 발명은 웨이퍼 처리방법과 집적회로(IC) 반도체의 제조에 사용되는 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 IC 제조의 에칭공정에 높은 율로 진행되는 개선된 플라스마 프로세서에 관련된 것이다.
IC산업의 시작에서부터 황산, 염산, 인산등을 사용하는 웨트 에칭법이 이용되어 왔다. 그러나 최근에 왜트 에칭법은 플라스마 에칭법 같은 드라이 에칭법으로 대치되어 왔다.
플라스마 에칭법은 웨트 에칭법과 비교하여 높은 해상도와 언터커팅(under cuttin)의 감소, 균일한 청결도, 그리고 웨이퍼를 세정하거나 건조시키는 등의 여러 공정등을 생략 할 수 있는 등 많은 잇점이 있다.
본 발명의 플라스마 에칭은 특히 한 기계로 에칭과 스트리핑(stripping)을 계속적으로 수행할 수 있으며, IC제조에서의 완전 자동화를 가능케 한다.
플라스마는 고도로 이온화된 기체로서 거의 같은 수의 양, 음의 입자들과 유리된 기를 갖는다. 플라스마에 의하여 유리된 기는 반응물질로서 행동하여 에칭된 물질과 화학적으로 결합하여, 배출장치로 웨이퍼에서 제거된 휘발성 물질을 형성한다. IC디바이스에서의 미세한 패턴을 형성하기 위한 공정에서 에칭공정이 수행되며, 그리고 특히 에칭공정은 프로레지스터 마스크를 제거하는 공정을 뜻하는 에싱(ashing) 공정을 포함한다.
그것들은 각각 실리콘과 실리콘 산화물질등의 보호막을 제거하는 공정과 보통 유기물질막인 포토레지스터 마스크를 제거하는 공정이다. 보통 예를들면 에슁의 경우, 산소(O2)는 에칭용 개스로서 사용되며, 에칭의 경우는 카본 테트라 플로라이드(CF4) 또는 카본 테트라 클로라이드(CCl4)등의 혼합기체가 적당한 기압과 온도하에 사용된다.
플라스마 방법은 두 가지 타입으로 분류되며, 첫번째 타입의 플라스마는 플라스마 발생기에서 발생되며, 활성화된 기체가 웨이퍼 위로 유도된다. 두번째 타입에서는 플라스마 발생기 주변에서 플라스마 주위에 놓여진다.
첫번째 방법은 공정의 속도가 매우 늦다는 결합이 있으며, 에칭 공정으로 사용될때 웨이퍼의 표면이 균일치 못하다. 두번째 방법은 웨이퍼가 플라스마 주위에 노출될때 이온충돌, 자외선, 소프트 X선 등에 의해 손상을 입는 결합이 있고, 더우기 개스에 포함된 불순물에 의해 오염되어 웨이퍼 표면의 질은 광법위하게 변한다.
본 발명의 일반 목적은 플라스마 처리방법과 빠른 처리속도와 에칭공정 후 처리된 반도체 표면의 균일화를 기하는 프로세서에 있다.
본 발명의 플라스마 프로세서는 활성화 기체가 유도되는 웨이퍼 처리 장소의 바닥판에 많은 구멍이 있는 밀폐된 용기를 구성한다. 웨이퍼는 표면이 아래쪽으로 에칭되도록 하는 바닥판 위에 놓여진다.
웨이퍼는 바닥판에서 불어나는 활성화된 에칭용 기체로 처리된다. 웨이퍼는 이온충돌, 자외선, 소프트 X선 등의 영향을 받지 않고 빠른 속도로 균일하게 처리되며, 신뢰성과 생산성이 개선된다.
더욱 상세한 것과 본 발명의 잇점은 첨부도면과 전술에 대한 상세한 설명으로 명백해질 것이다. 본 발명에 의한 IC 제조에 대한 플라스마 프로세서의 구현은 첨부 도면을 참고하며, 설명될 것이다.
제1도는 본 발명의 의한 플라스마 처리방법의 원리를 도식적으로 설명했다. 플라스마 프로세서는 밀폐된 반응용기 11안의 반응지역 4(반응기)에서 분리된 플라스마 발생지역 12와 펌프 17을 구성한다. 웨이퍼 1은 표면이 아래쪽으로 에칭되도록 유지된 채 하나씩 바닥판 위에 놓여진다.
반응용기 11안의 공기는 펌프 17에 의해 배출되며, 에칭용 기체는 에칭용 기체 소스 2에서 반응지역 4로 공급된다. 마이크로 웨이브 발생기 3에 의하여 발생된 마이크로 웨이브 에너지가 플라스마 발생지역 12에 전달될때 기체는 이온화된다.
화학적으로 활성화된 기들이 플라스마 발생지역 12에서 발생되며, 캐비티(cavity) 15a로 이끌려진다. 활성화된 에칭용 기체는 구멍 13에서 반응지역 4로 쏟아져 나오며, 에칭용 기체의 분출을 형성한다. 이 에칭용 기체의 분출에 의해 웨이퍼 1은 바닥판 15C의 폭 대기에서 띄워지며, 동시에 웨이퍼는 에칭된다. 즉, 웨이퍼 1의 표면에 닿는 기는 웨이퍼 1의 물질과 반응하여 화합물질을 만든다.
화합기체들은 펌프 17에 의하여 배출관 16을 통하여 제거된다. 예를들면 산소(O2) 플라스마 기체는 플라스마 발생지역 12에서 발생되며, 주파수 2.45GHz의 마이크로 웨이브에 의하여 여자(勵磁)되며, 캐비리 15a로 유도되며, 바닥판 15의 내부에 분포된다. 산소 플라스마 기체는 미세 노즐로된 기체구멍 13으로부터 불려나온다. 반응용기 11의 반응지역 4의 압력은 대략 1토르(Torr)로 유지된다. 캐비리 15a의 압력 역시 대략 2-3 토르로 유지된다. 기체는 이 압력 차이로 불려진다. 에칭용 기체의 기는 웨이퍼와 바닥판의 꼭대기 표면 사이의 공간으로 압력을 받게된다.
그 결과로 기체의 압력에 의하여 약간 띄워진다. 그림에서 화살표 방향으로 보인대로 가스는 웨이퍼 1과 가이드 14사이의 공간으로부터 불어나간다. 띄워진 웨이퍼의 위치는 개스 압력에 의하여 조절된다. 웨이퍼가 띄워져 있는 동안 웨이퍼의 높이는 0.1-1.0mm로서 바닥판위에 유지되도록 가이드 14에 의해 보호받는다. 웨이퍼와 바닥판 사이의 에칭용 개스의 평평하고 균일한 분출에 의하여 웨이퍼는 균일하게 빠른 처리속도로 균일하게 에칭된다.
이 공정에 사용되는 개스는 관례적인 플라스마 플라스마 프로세서에 비교해서 절감된다. 플라스마 공정후 화합된 기체는 펌프 17에 의해 배출관 16을 통하여 배출된다. 이와 같은 부유 웨이퍼 처리방법에 의하여 웨이퍼는 보통의 에칭방법과 비교하여 빠른 속도로 균일하게 에칭되어짐을 알 수 있다. 제2도는 본 발명의 바닥판의 꼭대기의 평면도이다. 0.5mm에서 2.5mm 직경의 많은 가스구멍 13이 10mm간격으로 배열되어 있다. 구멍의 축은 바닥판의 표면에 대하여 수직이다. 바닥판 15는 알미늄 또는 티타늄으로 만들어진다. 제3도는 본 발명의 또 다른 플라스마 처리방법을 보인다. 제1도와 비교하여 에칭용 개스를 가열시키는 히터가 준비된다. 그림에서 참고번호는 제1도에서 보여진 프로세서의 대응하는 부분과 같다.
제3도와 제1도의 바닥판의 차이점은 히터소자 18과 온도조절장치 19가 있는 것이다. 플라스마 처리가 진행되는 동안 구멍 13에 있는 에칭용 개스는 가열소자 18에 의하여 가열된다. 그 결과 웨이퍼는 에칭용 개스의 열전달에 의하여 적당한 온도로 가열된다. 온도는 온도조절장치 19에 의해 조절된다. 웨이퍼의 가열에 의하여특히 빠른 속도로 에칭처리하는 것이 가능하다. 웨이퍼의 온도는 빠른 처리속도를 위하여 150℃정도로 되는 것이 바람직한 것으로 발견되었다.
제4도는 측면으로서 특히 본 발명의 플라스마 처리방법에서 또 다른 원리의 개스구멍 단면이다.
제4도와 제1도의 구멍구조상 차잇점은 개스구멍 21은 바닥판 15에 배열되어 있고, 그것의 축은 바닥판의 표면에 대하여 경사지어 있다. 경사각은 30-60°이다. 그림의 화살표 방향으로 기체의 흐름으로서 웨이퍼는 전방으로 보내진다.
여기서 웨이퍼1은 에칭용 개스에 의하여 처리되며, 동시에 웨이퍼 1은 웨이퍼를 다루는 시스템에 널리 쓰이는 에어베어링(air gearing)과 유사한 방법으로 에칭 개스에 의하여 전달되어진다. 그러므로 이 시스템은 플라스마 처리 시스템과 동시에 웨이퍼 전달 시스템으로 이용될 수 있다.
사용되는 개스의 전환에 의하여 플라스마 프로세서에서 에어 베어링 시스템으로의 전환이 가능하다. 제5도는 본 발명의 플라스마 처리방법의 또 다른 원리로서 바닥판의 평면도이다. 제5도와 제1도의 바닥판 사이의 차잇점은 웨이퍼를 회전시키기 위하여 개스구멍을 배열하는데 있다. 개스구멍은 바닥판 23의 중심주위 동심원 위에 위치한다. 각 구성을 원을 따라 정해진 방향으로 45o정도 바닥판 23의 표면에 경사져 있다.
제5도에서 바닥판 23의 중심주위의 두 동심원 22a와 22b위에 같은 간격으로 배열되어 있다. 이 구멍들에서의 개스의 분출에 의하여 웨이퍼는 플라스마 공정중 개스에 의하여 요구된 속도로 뛰어지고 회전된다. 이런 회전 공정의 적용에 의하여 공정의 균일성이 더욱 증가된다. 제4,5도에서 히터와 온도조절 장치는 처리속도를 상승시키는데 적용될 수 있다. 이와 같은 적용은 기술적으로 숙련된 사람에게 쉽게 이해될 것이므로 설명을 생략한다.
제6도는 본 발명의 플라스마 프로세서 시스템의 도해도이다. 이 그림에서 같거나 유사한 참고번호는 제1도에서 보여진 프로세서의 같거나 대응하는 부분을 말한다. 제6도에서 설명된 시스템은 완전히 자동화기능을 갖고 있다. 그것은 웨이퍼나 웨이퍼 용기를 수동으로 조작할 필요가 없다. 웨이퍼는 싣는 것은 진공의 로드록(l oad lock)공간 26a와 26b를 통하여 이루어진다. 그러므로 반응용기 11은 특정된 개스압력으로 유지되며 대기중에 노출되지 않는다.
로드록 공간 26a는 입구 게이트 밸브 38a와 슬리트(slit) 게이트밸브 39a사이의 밀폐된 공간을 구성한다. 슬리트 밸브는 로드록 공간과 반응용기 11사이의 전달에 사용된다. 모든 공정의 진행이 콘트롤 모듈을 통하여 마이크로 프로세스로 조정된다. 시스템의 동작과 진행은 다음과 같다.
웨이퍼 1은 폴리우레탄 벨트 34a위에서 이동되며 진공적 29a위의 위치에 이동된다. 입구밸브 38a가 열리기 전에 슬리트 밸브 39a는 상하 이동기구 31a에 의하여 위로 올려지며, 반응용기 11의 우측벽에 늘려진다. 그 공간은 입구밸브 38a에 의하여 둘러싸여진다.
슬리트 밸브 39a와 반응용기 11의 벽은 밀폐된 로드록 공간 26a를 구성한다. 로드록 공간 26a에 있는 개스는 배출되고 입력 시스템 41에 의하여 공기로 대치되며, 이와같은 개스의 대치는 매우 빠르게 진행된다. 그러기 위하여 로드록 공간 26a는 매우 작다. (예를들면 높이 5mm, 직경 15cm). 그리고 입구밸브 38a는 여닫는 장치 36a에 의하여 잡아당겨 진다. 웨이퍼 1은 진공척 29a에 의하여 물려지고 리버스장치 30a에 의하여 돌려지며, 스테이지 5에 놓여진다. 입구밸브 38a는 여닫는 장치 36a에 의하여 다시 닫혀진다. 로드록 공간의 공기는 이때 반응용기 11의 개스에 의하여 대치된다. 그후에 슬리트밸브 39a는 상하 이동장치 31a에 의하여 아래로 당겨진다. 이러한 방법으로 웨이퍼는 반응용기 11로 반응용기 상태의 교환없이 옮겨진다.
그러므로 플라스마 공정은 다음 웨이퍼가 들어오거나 나가는 동안에도 계속 되어질 수 있다. 다음에 웨이퍼는 회전장치 32a에 의하여 회전되는 암(arm) 8a위의 척 9a에 의하여 물려진다. 웨이퍼 1은 바닥판 15에 있는 스테이지 6 (점선)위로 옮겨진다. 웨이퍼는 바닥판 15웨이서 아래쪽으로 낮추어지며, 본 발명의 부유 웨이퍼 공정에 의하여 바로 에칭될 수 있다. 산소(O2) 플라스마 개스는 예를들면 플라스마 발생지역 12에서 발생되며 주파수 2.45GHz의 마이크로 웨이브에 의하여 여기되어 격리판 10을 통하여 캐비리 15a로 유도된다. 절연체는 유전체로서 웨이브 가이드 40에 형성되어 있으며, 플라스마 발생지역 12부분을 정의하기 위한 것이다. 이 유전체는 마이크로 웨이브를 전달한다. 산소 플라스마 개스는 히터소자 18과 온도 콘트롤장치 19를 구성하는 바닥판에서 개스 구멍13으로 불려나온다.
반응용기 11의 반응지역 4의 압력은 1토르 정도로 유지된다. 캐비티 15a의 압력 역시 약 2-3토르로 유지된다. 에칭 개스의 기는 웨이퍼와 바닥판의 표면 꼭대기 사이의 공간으로 압력을 받는다. 그 결과 웨이퍼는 개스의 압력에 의하여 약간 띄워진다. 개스는 웨이퍼 1과 가이드 14사이의 공간에서 불려나온다. 띄워진 웨이퍼의 위치는 가스압력에 의해서 콘트롤 되어진다.
웨이퍼가 띄워지는 동안 웨이퍼의 높이는 0.1-1.0mm 이며, 바닥판 15위에서 이 상태를 유지하기 위하여 가이드 14에 의하여 보호된다. 웨이퍼와 바닥판 사이의 이 평평하고 일정한 에칭용 개스의 분출에 의하여 웨이퍼는 빠른속도로 일정하게 에칭된다. 공정에 사용되는 개스는 일반적인 플라스마 프로세서에 비하여 절감된다.
플라스마 공정후 화합된 개스는 펌프 17에 의하여 배출관 16을 통하여 배출된다. 로드 또는 언로드(unload)의 주기가 반복될 수 있다. 언로드 웨이퍼는 화전장치 32b에 의하여 돌려지고 슬리트 밸브 39b위의 스테이지 7으로 이동된다. 다음에 오르내리는 장치 31b을 사용하여 웨이퍼는 로드록 공간 26b로 올려진다. 그리고 언로드 웨이퍼는 로드록 공간 26b위에 닫혀지며, 로드록 공간 26b의 개스는 배출되고 압력 시스템 41을 통한 공기에 의하여 대치된다.
로드록 밸브 38b는 열려지고 여닫는 장치 36b에 의하여 스테이지 7위의 웨이퍼가 물리며, 리버스 장치 30b에 의하여 돌려진다. 언로드 웨이퍼는 리턴 벨브 34b에 올려지고 로드록은 반응용기 11의 개스로 채워진다. 처리된 웨이퍼는 수신 카셋트(보여지지 않았음)로 수송되며, 프로세서의 주기가 완료된다. 제6도의 플라스마 프로세서에서 반응지역 4는 반드시 밀폐되어야 한다.
왜냐하면 에칭 개스나 누출되면 동작하는 사람에게 위험하며, 또한 에칭 개스가 습기, 먼지등에 의하여 오염되어 진다. 그러므로 팩킹 또는 0링(o-fing)이 움직이는 축 또는 밸브 38a,38b,39a,39b주위에 그리고 반응용기 11의 개스는 펌프 17에 의하여 특정한 압력으로 유지되어야 한다. 예를들면, 에칭 개스 카본테트라 플로라이드 (CF4) 또는 카본 테트라 클로라이드(CCl4)의 압력과 반응용기11의 반응지역 4의 압력은 대략 0.3토르였다. 로드록 공정은 몇가지 잇점이 있다. 그것은 대기로부터 반으용기를 격리시키며, 압력과 마찬가지로 온도가 마련되며, 개수가 안정성 있게 흐른다.
용기에서의 공기와 수분의 감소는 에칭의 재현성과 공저의 균일성 모두를 개선 시킨다. 로드록 동작의 또 다른 잇점은 안정성이다. 동작하는 사람이 플라스마 공정에서 사용되는 에칭 개스에 노출되지 않는다. 시스템은 지속적인 공정으로 동작되어 질 수었다. 즉, 한 웨이퍼가 처리되는 동안 또 다른 웨이퍼가 반응용기로 들어오가나 나갈수 있다. 그래서 생산성은 증대된다. 계속적인 상태에서 생산량은 표준 동작상태(수동 시스템과 유사한)에서 60%더 높다. 역시 에칭의 균일성은 회전처리 시스템에 의하여 증대된다. 에칭률은 대략 6μm/min 까지 증가되며, 일반적인 플라스마 프로세서 시스템의 거의 두배가 된다.
위에서 설명한 바와같이 본 발명의 플라스마 프로세서에 따라 에칭 처리는 빠른 속도로 진행되며, 에칭의 균일성은 일반적인 플로스마 프로세서에 비하여 넓은 범위로 증가한다. 비록 본 발명의 한구현이 설명되어졌지만 발명의 많은 다른 구현과 수정이 가능함이 명백하다. 모든 수성 또는 변화는 본 발명의 범위안에 있다.

Claims (9)

  1. 웨이퍼를 가공 장소에 높고 에칭가스로 상기 웨이퍼를 띄우며, 동싱에 상기 웨이퍼의 아래쪽을 에칭하기 위하여 상기 웨이퍼의 아래쪽으로 부터 에칭가스를 불어넣는 단계로 구성되는 웨이퍼의 에칭공정을 행하는 처리방법.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 에칭가스가 특정온도로 히터에 의하여 가열되는 웨이퍼 처리방법.
  3. 웨이퍼가 처리되어지는 밀페된 반응용기와, 상기 웨이퍼가 아래쪽으로 처리되어지는 표면을 유지하도록 놓여지는 다수의 구멍을 갖는 바닥판과 에칭가스로 웨이퍼를 띄우며, 상기 에칭 가스에 상기 웨이퍼의 아래쪽을 에칭시키기 위해 상기 구멍으로 부터 에칭가스를 불어내는 수단으로 구성되는 상기 반응실로 구성되는 웨이퍼 처리장치.
  4. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 구멍이 상기 바닥판에 대하여 특정한 방향으로 경사져 있으며, 상기 웨이퍼가 상기 구멍으로 부터 불어나온 상기 에칭 가스에 의하여 특정한 방향으로 이동하며, 동시에 에칭되어지는 웨이퍼 처리장치.
  5. 청구범위 제3항에 있어서 상기 구멍이 바닥판의 중심주위 둘레의 원을 따라 있으며, 원주위의 특정 방향으로 상기 바닥 판에 대하여 겅사지고, 상기 웨이퍼가 상기 구멍으로 부터 불어나오는 상기 에칭 가스에 의하여 상기 특정 방향으로 회전하며, 동시에 에칭되는 웨이퍼 처리장치.
  6. 청구범위 제3하에 있어서, 바닥판이 상기 에칭 가스를 가열시키기 위한 가열방법과 특정 온도로 상기 개스 온도를 유지시키는 상기 가열방법을 조절하기 위한 온도 조절기로 구성되는 웨이퍼 처리장치.
  7. 청구범위 제3,4,5,6항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 에칭가스는 플라스마로 활성화된 에칭 개스인 웨이퍼 처리장치.
  8. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 에칭 개스를 준비하는 에칭 개스원, 플라스마로 활성화된 에칭 개스를 형성시키는 상기 개스원으로 부터 공급받아 상기 에칭 개스의 플라스마를 발생시키기 위한 플라스마 발생영역, 플라스마 발생영역에 마이크로 웨이브를 공급시키기 위한 마이크로 웨이브 발생기.
    상기 반응용기에 플라스마로 활성화된 에칭개스를 전달하는 수단, 그리고 특정한 압력에서 반응용기의 가스를 배출하는 퍼프장치로 구성되는 웨이퍼 처리장치.
  9. 청구범위 제8항에 있어서, 입구 게이트 밸브와 슬리트(slit)게이트 밸브사이의 공간에 의하여 구성된 밀폐 공간이 있는로드록(load lock)공간과, 상기 로드록 공간을 통하여 외부 공간과 반응실 사이의 전달을 제공하는 상기 입구 게이트 밸브와 슬리트 게이트 밸브, 상기 로드록 공간을 연결하는 공간의 것과 같은 압력을 가지며, 같은 개스로 다시 채우고, 상기 로드록 공간을 비우는 압력장치. 콘베어 벨트로 부터 상기 웨이퍼를 집어올리며, 그것을 뒤집고, 상기 입구 게이트 밸브를 통하여 상기 슬리트 게이트 밸브의 스테이지위에 그것을 놓거나, 상기 입구 게이트 밸브를 통하여 슬리트 게이트 밸브의 스테이지로 부터 상기 웨이퍼를 집어 올리고, 그것을 뒤집고, 그것을 콘베어 밸트위에 놓는 리버스 시스템(reverse system), 상기 입구 게이트 밸브를 열거나 닫기 위한 개폐장치, 상기 로드록 공간을 열거나 닫기 위하여 상기 슬리트 게이트 밸브를 이동시키기 위한 상하운동장치, 상기 슬리트 게이트 밸브의 스테이지로 부터 반응실의 상기 바닥판으로 또는 역으로 사기 웨이퍼를 전달하는 암(arm)을 회전시키기 위한 상기 웨이퍼를 집어올리는 척(chuck)을 갖는 회전 장치로 구성되는 웨이퍼 처리장치.
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Families Citing this family (342)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4615755A (en) * 1985-08-07 1986-10-07 The Perkin-Elmer Corporation Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system
NL8601824A (nl) * 1986-07-11 1988-02-01 Hauzer Holding Werkwijze en inrichting voor het met een geleidend plasmakanaal ontsteken van een boog.
NL8703024A (nl) * 1986-12-18 1988-07-18 De Beers Ind Diamond Werkwijze voor het bepalen van een stralingsdosis alsmede inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
US5871811A (en) * 1986-12-19 1999-02-16 Applied Materials, Inc. Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4960495A (en) * 1987-06-26 1990-10-02 Mikakto Precision Engineering Research Institute Co., Ltd. Process for precise processing of workpiece using free radicals
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US4857142A (en) * 1988-09-22 1989-08-15 Fsi International, Inc. Method and apparatus for controlling simultaneous etching of front and back sides of wafers
US4869777A (en) * 1988-12-16 1989-09-26 Ibm Corporation Method for selectively etching the materials of a composite of two materials
DE69017271T2 (de) * 1989-06-15 1995-06-22 Semiconductor Energy Lab Gerät zur Bearbeitung mittels Mikrowellen in einem magnetischen Feld.
US5061838A (en) * 1989-06-23 1991-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Toroidal electron cyclotron resonance reactor
US5075256A (en) * 1989-08-25 1991-12-24 Applied Materials, Inc. Process for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
USH1145H (en) 1990-09-25 1993-03-02 Sematech, Inc. Rapid temperature response wafer chuck
JPH06251896A (ja) * 1992-12-28 1994-09-09 Hitachi Ltd プラズマ処理方法及び装置
US5346601A (en) * 1993-05-11 1994-09-13 Andrew Barada Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution
US5556476A (en) * 1994-02-23 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Controlling edge deposition on semiconductor substrates
DE19505906A1 (de) * 1995-02-21 1996-08-22 Siemens Ag Verfahren zum Damage-Ätzen der Rückseite einer Halbleiterscheibe bei geschützter Scheibenvorderseite
WO1996032742A1 (fr) * 1995-04-11 1996-10-17 Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Nauchno-Proizvodstvennaya Firma 'az' Installation destinee au traitement par flux plasmiques de plaques
US5614026A (en) * 1996-03-29 1997-03-25 Lam Research Corporation Showerhead for uniform distribution of process gas
US6183565B1 (en) * 1997-07-08 2001-02-06 Asm International N.V Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
US6039834A (en) 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
WO1998058731A2 (en) * 1997-06-20 1998-12-30 Flowgenix Corporation Apparatus for exposing substrates to gas-phase radicals
US6379575B1 (en) 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US6105435A (en) * 1997-10-24 2000-08-22 Cypress Semiconductor Corp. Circuit and apparatus for verifying a chamber seal, and method of depositing a material onto a substrate using the same
US6797188B1 (en) 1997-11-12 2004-09-28 Meihua Shen Self-cleaning process for etching silicon-containing material
US6136211A (en) * 1997-11-12 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Self-cleaning etch process
US6872322B1 (en) 1997-11-12 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Multiple stage process for cleaning process chambers
US6194038B1 (en) * 1998-03-20 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Method for deposition of a conformal layer on a substrate
US6336775B1 (en) * 1998-08-20 2002-01-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Gas floating apparatus, gas floating-transporting apparatus, and thermal treatment apparatus
NL1011487C2 (nl) * 1999-03-08 2000-09-18 Koninkl Philips Electronics Nv Werkwijze en inrichting voor het roteren van een wafer.
US6569775B1 (en) 1999-03-30 2003-05-27 Applied Materials, Inc. Method for enhancing plasma processing performance
NL1012004C2 (nl) 1999-05-07 2000-11-13 Asm Int Werkwijze voor het verplaatsen van wafers alsmede ring.
US6322116B1 (en) 1999-07-23 2001-11-27 Asm America, Inc. Non-contact end effector
NL1013984C2 (nl) 1999-12-29 2001-07-02 Asm Int Werkwijze en inrichting voor het behandelen van substraten.
US6527968B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-04 Applied Materials Inc. Two-stage self-cleaning silicon etch process
US7030401B2 (en) * 2000-04-13 2006-04-18 Nanophotonics Ag Modular substrate measurement system
US6644964B2 (en) * 2000-06-20 2003-11-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6450117B1 (en) 2000-08-07 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Directing a flow of gas in a substrate processing chamber
US6399510B1 (en) * 2000-09-12 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Bi-directional processing chamber and method for bi-directional processing of semiconductor substrates
US6905800B1 (en) 2000-11-21 2005-06-14 Stephen Yuen Etching a substrate in a process zone
FI111939B (fi) * 2000-12-05 2003-10-15 Liekki Oy Menetelmä ja laitteisto lasipinnoitteen valmistamiseksi
US6852242B2 (en) 2001-02-23 2005-02-08 Zhi-Wen Sun Cleaning of multicompositional etchant residues
US7378127B2 (en) * 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US6676760B2 (en) 2001-08-16 2004-01-13 Appiled Materials, Inc. Process chamber having multiple gas distributors and method
DE10157703B4 (de) * 2001-11-24 2004-05-06 Weidenmüller, Ralf Vorrichtung zum gleichzeitigen Fördern und Temperieren von Formteilen
US7229666B2 (en) * 2002-01-22 2007-06-12 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition method
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US7104578B2 (en) * 2002-03-15 2006-09-12 Asm International N.V. Two level end effector
US7427329B2 (en) * 2002-05-08 2008-09-23 Asm International N.V. Temperature control for single substrate semiconductor processing reactor
US6843201B2 (en) * 2002-05-08 2005-01-18 Asm International Nv Temperature control for single substrate semiconductor processing reactor
US7468104B2 (en) * 2002-05-17 2008-12-23 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus and deposition method
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
US6788991B2 (en) 2002-10-09 2004-09-07 Asm International N.V. Devices and methods for detecting orientation and shape of an object
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
DE10319379A1 (de) 2003-04-30 2004-11-25 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Transportieren eines flachen Substrats in einer Vakuumkammer
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
US7022627B2 (en) 2003-10-31 2006-04-04 Asm International N.V. Method for the heat treatment of substrates
US7410355B2 (en) * 2003-10-31 2008-08-12 Asm International N.V. Method for the heat treatment of substrates
US6883250B1 (en) * 2003-11-04 2005-04-26 Asm America, Inc. Non-contact cool-down station for wafers
KR100653687B1 (ko) * 2003-11-04 2006-12-04 삼성전자주식회사 반도체기판들을 건조시키는 장비들 및 이를 사용하여반도체기판들을 건조시키는 방법들
US7217670B2 (en) * 2004-11-22 2007-05-15 Asm International N.V. Dummy substrate for thermal reactor
JP4396847B2 (ja) * 2004-12-22 2010-01-13 Ｓｍｃ株式会社 除電装置付きエア浮上装置及び該浮上装置における除電方法
US20070264427A1 (en) * 2005-12-21 2007-11-15 Asm Japan K.K. Thin film formation by atomic layer growth and chemical vapor deposition
US8551290B2 (en) * 2006-01-31 2013-10-08 Perfect Dynasty Taiwan Ltd. Apparatus for substrate processing with fluid
US8097120B2 (en) * 2006-02-21 2012-01-17 Lam Research Corporation Process tuning gas injection from the substrate edge
US7615061B2 (en) * 2006-02-28 2009-11-10 Arthrocare Corporation Bone anchor suture-loading system, method and apparatus
KR101501426B1 (ko) * 2006-06-02 2015-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US7967996B2 (en) 2007-01-30 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Process for wafer backside polymer removal and wafer front side photoresist removal
US20080179288A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Collins Kenneth S Process for wafer backside polymer removal and wafer front side scavenger plasma
US20080179287A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Collins Kenneth S Process for wafer backside polymer removal with wafer front side gas purge
US20080179008A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Collins Kenneth S Reactor for wafer backside polymer removal using an etch plasma feeding a lower process zone and a scavenger plasma feeding an upper process zone
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
US8057601B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
US8118946B2 (en) * 2007-11-30 2012-02-21 Wesley George Lau Cleaning process residues from substrate processing chamber components
CN102396060A (zh) * 2009-04-24 2012-03-28 应用材料公司 具有侧出气口的基板支撑件及方法
US9598247B2 (en) * 2009-09-03 2017-03-21 Game Changers, Llc Method and apparatus for a dynamic air cushion transport system
JP2011056335A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Toray Eng Co Ltd 予備乾燥装置及び予備乾燥方法
US20120225206A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP6076780B2 (ja) * 2012-03-12 2017-02-08 エア・ウォーター株式会社 粉体処理装置および粉体処理方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
IL234727B (en) 2013-09-20 2020-09-30 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser in an optical system corrected for deviations and the method of manufacturing the system as mentioned
IL234729B (en) 2013-09-20 2021-02-28 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser and a method using a mode mixer
JP6282080B2 (ja) * 2013-10-30 2018-02-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20150162169A1 (en) * 2013-12-05 2015-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Etching apparatus and method
GB201402126D0 (en) * 2014-02-07 2014-03-26 Spts Technologies Ltd Method of processing a substrate
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9741553B2 (en) 2014-05-15 2017-08-22 Excelitas Technologies Corp. Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps
EP3457429B1 (en) 2014-05-15 2023-11-08 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with adjustable pressure
US10186416B2 (en) 2014-05-15 2019-01-22 Excelitas Technologies Corp. Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp
JP6356516B2 (ja) 2014-07-22 2018-07-11 東芝メモリ株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10057973B2 (en) 2015-05-14 2018-08-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp
US10008378B2 (en) 2015-05-14 2018-06-26 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with improved stability
US9576785B2 (en) 2015-05-14 2017-02-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single CW laser driven xenon lamp
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
CN108701639B (zh) * 2016-03-10 2022-09-16 三菱电机株式会社 基板吸附台、基板处理装置、基板处理方法
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN106403605B (zh) * 2016-11-17 2018-09-14 绥阳县华夏陶瓷有限责任公司 瓷砖烧结装置
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US10109473B1 (en) 2018-01-26 2018-10-23 Excelitas Technologies Corp. Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
JP2022507368A (ja) 2018-11-14 2022-01-18 ラム リサーチ コーポレーション 次世代リソグラフィにおいて有用なハードマスクを作製する方法
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN113785381A (zh) 2019-04-30 2021-12-10 朗姆研究公司 用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
CN111135730B (zh) * 2020-01-06 2022-04-12 常州费曼生物科技有限公司 一种药液过滤器滤膜的制备工艺及药液过滤器滤膜
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210135004A (ko) 2020-01-15 2021-11-11 램 리써치 코포레이션 포토레지스트 부착 및 선량 감소를 위한 하부층
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
JP7437187B2 (ja) * 2020-02-26 2024-02-22 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20230028428A (ko) * 2020-06-22 2023-02-28 램 리써치 코포레이션 포토레지스트의 건식 배면 및 베벨 에지 세정
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3645581A (en) * 1968-11-26 1972-02-29 Ind Modular Systems Corp Apparatus and method for handling and treating articles
JPS53121469A (en) * 1977-03-31 1978-10-23 Toshiba Corp Gas etching unit
JPS5420584A (en) * 1977-07-15 1979-02-16 Hitachi Ltd Air bearing type conveying apparatus
JPS5420586A (en) * 1977-07-15 1979-02-16 Hitachi Ltd Air bearing
US4348139A (en) * 1980-04-30 1982-09-07 International Business Machines Corp. Gas film wafer transportation system
JPS5740931A (en) * 1980-08-25 1982-03-06 Fujitsu Ltd Plasma processing device
US4380488A (en) * 1980-10-14 1983-04-19 Branson International Plasma Corporation Process and gas mixture for etching aluminum
JPS57111031A (en) * 1980-12-27 1982-07-10 Clarion Co Ltd Sputtering device
US4392915A (en) * 1982-02-16 1983-07-12 Eaton Corporation Wafer support system
JPS58204537A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 Hitachi Ltd プラズマエツチング方法
JPS58207217A (ja) * 1982-05-28 1983-12-02 Fujitsu Ltd 真空中に於ける物体の移送方法
US4411733A (en) * 1982-06-18 1983-10-25 Bell Telephone Laboratories, Incorporated SPER Device for material working
US4417947A (en) * 1982-07-16 1983-11-29 Signetics Corporation Edge profile control during patterning of silicon by dry etching with CCl4 -O2 mixtures
NL8203318A (nl) * 1982-08-24 1984-03-16 Integrated Automation Inrichting voor processing van substraten.
NL8302163A (nl) * 1983-06-16 1985-01-16 Bok Edward Verbeterde proces installatie met "floating" transport van substraten.

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