KR860007746A - 집적회로와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

직접회로와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 고안의 일실시예에 다른 양방향//CMOS 구조체의 횡단면도.
제2도는 n함몰부가 아닌 p함몰부에 형성된 제1도에 도시된 바와 같은 양방향 트랜시트터터를 도시한 도aus.
제3도는 n함몰부에 형성되sms 양방향/CMOS 구조체의 제조단계를 도시한 구조체의 횡단면도.
* 도면내 주요부분에 대한 부호 설명
1) 양방향 트랜지스터, 2)n-채널 MOS트랜지스터, 3) p-채널 MOS트랜지스터

Claims (20)

  1. 게이트를 가진 MOS트랜지스터와 상기 게이트와 동일물질로된 에미터를 가진 양방향 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접회로.
  2. 다결정성 실리콘 게이트를 가진 MOS트랜지스터와 다결정성 실리콘 에미터를 가진 양방향 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  3. 제2항에 있어서, 다결정성 실리콘 게이트 및 에미터는 일반적인 다결정성 실리콘 층으로 제조된 것을 특징으로 하는 집적회로.
  4. 제2도전형 기판에 형성된 제1도전형의 함몰부와 CMOS트랜지스터들을 포함한 제2항 또는 제3항 기재의 집적회로에 있어서, 양방향 트랜지스터의 콜렉터를 구성하는 제1도전형의 각 함몰부에 양방향 트랜지스터가 형성되고, 양방향 트랜지스터의 베이스는 제2도전형으로 변환된 상기 각 함몰부의 제1영역들을 포함하고 제1도전형의 각 함몰부에 형성된 CMOS트랜지스터들의 MOS트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역들과 동시에 형성되고 상기 제1 영역들은 연결 베이스 영역에 의해 연결되고, 다결정성 실리콘 에미터는 그밑에 있는 산화층내의 윈도우를 통해 연결베이스 영역에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  5. 제2항또는 제3항에 있어서, 제2도전형의 기판에 형성된 제1도전형의 함몰부와 CMOS트랜지스터들을 포함하고, 양방향 트랜지스터가 제1도전형의 함몰부내에 배치된 제2 도전형의 함몰부에 형성되고 상기 제1도전형의 함몰부는 양방향 트랜지스터의 콜랙터를 구비하고, 양방향 트랜지스터의 베이스는 제1도전형으로 변환된 제2도전형의 함몰부의 제2영역들을 포함하고 기판에 직접 형성된 CMOS트랜지스터들의MOS트랜지스터의 소오스 영역 및 드레인 영역들과 함께 동시에 형성되고 생기 제2 영역들은 연결 베이스 영역에 의해 연결되고, 다결정성 실리콘 에미터는 그밑에 있는 산화층내의 윈도우를 통해 연결 베이스 영역에 접촉되어 있는 것을 특징으로하는 집적회로.
  6. 집적회로는 부착된 도면(제1도 혹은 제2도)을 참조로해서 기술한 바와같이 되는 것을 특징으로하는 집적회로.
  7. MOS트랜지스터의 게이트와 동일 재료의 양방향 트랜지스터의 에미터를 형성하는 단계를 포함하면서 양방향 및 MOS트랜지스터들을 갖는 집적 회로의 제조방법.
  8. MOS트랜지스터 게이트와 다결정성 실리콘의 양방향 에미터를 형성하는 단계를 포함하면서 양방향 및 MOS트랜지스터들을 갖는 집적 회로의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, MOS트랜지스터 게이트와 양방향 트랜지스터 에미터는 공동 다결정성 실리콘 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법.
  10. 제2도전형의 기판에 형성된 제1도전형의 함몰부와 CMOS트랜지스터들을 포함한 제9항 기재의 집적회로의 제조 방법에 있어서, 양방향 트랜지스터는 그 콜렉터를 구비하는 제2도전형 각 함몰부에 CMOS트랜지스터틀과 함께 동시에 구성되고, 제1도전형의 함몰부에 형성된 MOS트랜지스터들의 소오스 영역 및 드레인 영역과의 사이에 연결베이스 영역을 생성하여서 이로인해 양방향 트랜지스터의 베이스가 형성되도록 하는 제1처리 단계와 양방향 트랜지스터의 다결정성층 아래에 있는 산화층내에 윈도우를 생성하여서 이로인해 다결정성 에미터가, 양방향 트랜지스터의 베이스에 접촉되도록 하는 제2처리 단계가 추가되는 것만 제외하고 제1도전형 함몰부에 형성되는 CMOS트랜지스터들의 MOS트랜지스터에서 요구되는 처리와 마찬가지로 상기 양방향 트랜지스터가 처리되는 것을 특징으로 하는 직접 회로의 제조방법.
  11. 제2도전형의 기판에 형성된 제1도전형의 함몰부와 CMOS트랜지스터들을 포함한 제9항 기재의 집적회로의 제조 방법에 있어서, 양방향 트랜지스터는 제1도전형 함몰부에 배치된 그 콜렉터를 구비하고 제2도전형의 함몰부에서 CMOS트랜지스터들과 함께 동시에 구성되고,기판내의 MOS트랜지스터들의 소오스 영역 및 드레인 영역들간에 연결 베이스 영역을 생성하여서 이로인해 양방향 트랜지스터의 베이스가 형성되도록 하는 제1처리 단계와 양방향 트랜지스터의 다결정성 에미터 아래에 있는 산화층에 윈도우를 생성하여서 이로인해 다결정성 에미터가 양방향 트랜지스터의 베이스에 접촉되도록 하는 제2처리단계가 추가되는것만 제외하고,기판에 직접 형성된 CMOS트랜지스터들의 MOS트랜지스터에서 요구되는 처리와 마찬가지로 상기 양방향 트랜지스터가 처리되는 것을 특징으로하는 직접회로의 제조방법.
  12. 제2도전형의 기판에 형성된 제1도전형의 함몰부와 CMOS트랜지스터들을 포함한 제9항 기재의 집적회로의 제조 방법에 있어서, 양방향 트랜지스터는 제1도전형의 각 함몰부에 CMOS트랜지스터들과 함께 동시에 형성되고, 양방향 트랜지스터의 베이스 영역의 구조를 완료시키고 다결정성 실리콘 에미터와 베이스 영역간의 접점을 얻기 위한 한번의 주입처리와 2번의 마스킹 처리를 포함하는 양방향 트랜지스터 제작 처리와 동일하게 처리되는 것을 특징으로 하는 직접회로의 제조방법.
  13. 집적회로를 제조하는 방법은 부착된 도면을 참조로해서 기술된 바와같이 되는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법.
  14. 직접회로가 제7항 내지 제13항중 어느 한항에서 청구된 바와 같은 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  15. 실리콘 기판인 제2 도전형의 표면영역에 제1 도전형의 베이스 영역을 형성하는 단계, 베이스 영역과 접촉하는 표면에 제2도전형으로 도우프될 엘리먼트를 형성하고 트랜지스터의 에미터를 구비하는 단계, 엘리먼트를 마스크로써 사용하고 주입동작으로 베이스영역과 접촉하고 있는 표면영역과 그 반대영역에게 제1도전형의 베이스 접점 영역을 한쌍 형성하는 단계 및 상기 표면 영역에 제2도전형의 출력접점을 형성하고 상기 베이스 접점 영역으로부터 이격시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 반자동 정렬화 베이스 접점을 지닌 양방향 트래지스터의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 표면 영역이 제1도전형의 기판에 형성된 제2도전형의 함몰부인 것을 특징으로 하는 양방향 트랜지스터 제조방법.
  17. 제15혹은 제16항에 있어서, 상기 엘리먼트가 다결정성 실리콘인 것을 특징으로하는 양방향 트랜지스터 제조방법.
  18. 양방향 트랜지스터 제조방법은 부착된 도면을 참조로해서 기술된 바와같이 되는 것을 특징으로하는 양방향 트랜지스터 제조방법.
  19. 양방향 트랜지스터가 제15항 내지 제18항중 어느 한항에서 청구된 방법에 의해서 제조되는 것을 특징으로하는 양방향 트랜지스터.
  20. NPN양방향 트랜지스터, 상기 양방향 트랜지스터에 인접한 N-채널 MOS트랜지스터 및 상기 N-채널 트랜지스터에 인접한 P-채널 MOS트랜지스터를 지닌 기판을 포함하는 집적회로 구조체에 있어서, 상기 양방향 트랜지스터와 P-채널 트랜지스터는 상기 기판내의 각 N형 함몰부에 형성되는 것을 특징으로 하는 집적회로 구조체.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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