KR850003612A - 반도체 기억 장치 - Google Patents

반도체 기억 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR850003612A
KR850003612A KR1019840006906A KR840006906A KR850003612A KR 850003612 A KR850003612 A KR 850003612A KR 1019840006906 A KR1019840006906 A KR 1019840006906A KR 840006906 A KR840006906 A KR 840006906A KR 850003612 A KR850003612 A KR 850003612A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
electrode
memory cell
semiconductor substrate
insulating film
Prior art date
Application number
KR1019840006906A
Other languages
English (en)
Inventor
미즈마사 고야나기 (외 1)
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP58210825A external-priority patent/JPS60103665A/ja
Priority claimed from JP58216143A external-priority patent/JPH077823B2/ja
Application filed by 미쓰다 가쓰시게, 가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 filed Critical 미쓰다 가쓰시게
Publication of KR850003612A publication Critical patent/KR850003612A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 다이나믹 RAM(이하 DRAM 이라고 한다)의 메모리 셀어레이의 주요부분을 표시한 등가 회로도, 제2도a는 본 발명의 제1실시예의 DRAM의 메모리 셀의 주요부의 평면도, 제2도b는 제2도a에서 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단하였을 때의 단면도, 제3도b는 본 발명의 원리를 설명하기 위한 그래프.

Claims (18)

  1. 제1도는 전형의 반도체 기판의 하나의 주면에 형성된 스윗칭 소자와, 상기 반도체 기판의 주면위에 형성된 제1절연막과, 일부분이 상기 스윗칭 소자에 전기적으로 접속되고, 또한 상기 제1절연막 윗쪽에 메모리 셀마다 독립적으로 형성된 제1전극, 그리고 상기 제1절연막의 아래쪽의 반도체 기판에다 상기 반도체 기판보다도 더 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제1반도체 영역으로된 제1전극에 의하여 이루어지는 용량소자에 의하여 구성되고, 하나의 메모리 셀의 제1반도체 영역은 동일한 메모리 셀 어레이내의 상기 하나의 메모리 셀에 인접하는 메모리 셀들중에서 최소한 한 개의 메모리 셀의 제1반도체 영역과, 연속되어 있으며, 이 연속된 제1반도체 영역의 일부는 연속된 제2반도체 영역의 중앙을 가로지르게 되지만, 정전 용량으로서의 작용은 하지 않는다. 상기와 같이 구성된 메모리 셀을 가로와 세로방향으로, 배치시켜서 이루어진 메모리 셀 어레이를 갖는 반도체 기억장치.
  2. 상기 용량 소자는 골을 이용하여 형성되고, 이 좁은 골을 상기 반도체 기판의 하나의 주면으로부터 그 내부 방향으로 상기 반도체 기판의 일부를 제거시키므로서 형성되며, 상기 제1반도체 영역은 상기 반도체 기판의 하나의 주면과, 상기 좁은 골의 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 특허 청구범위 제1항 기재의 반도체 기억장치.
  3. 하나의 메모리 셀의 제1반도체 영역은, 동일한 메모리 셀 어레이내의 상기 하나의 메모리 셀에 인접하고, 또한 상기 하나의 메모리 셀과 동일한 비트선에 접속되어 인접하는 워드선에 접속되는 하나의 메모리셀의 제1반도체 영역과 연속되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제1항 기재의 반도체 기억장치.
  4. 상기 반도체 기판의 주면 윗쪽에 형성된 제1절연막과, 일부분이 상기 스윗칭 소자에 전기적으로 접속되고, 또한 상기 제1절연막의 윗쪽에 메모리 셀마다 독립적으로 형성된, 제1전극, 그리고 상기 제1절연막 아래쪽의 반도체 기판에다 상기 반도체 기판보다도 더 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제1반도체영연으로 된 제2전극에 의하여 이루어지는 제1용량 소자와, 상기 제1전극과, 상기 제1전극 윗쪽에다 최소한 형성된 제2절연막과, 최소한 상기 제2절연막위에 형성된 제3전극에 의하여 이루어진 제2용량소자에 의하여, 구성되는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항 기재의 반도체 기억장치.
  5. 상기 제3전극은 동일한 메모리 셀 어레이내의 모드 메모리 셀에 공통인 전극이며, 또한 하나의 메모리 셀 어레이 내에서는 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 제4항 기재의 반도체 기억장치.
  6. 상기 제2절연막은 상기 제3전극 아래쪽의 전체면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 제5항 기재의 반도체 기억장치.
  7. 상기 제3전극은 상기 반도체 기억장치의 기준전위에 접속되는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 제5항 기재의 반도체 기억장치.
  8. 상기 용량소자는 좁은 골을 이용하여 형성되고, 이 좁은 골은 상기 반도체 기판의 하나의 주면으로부터 그 내부 방향으로 상기 반도체 기판의 일부를 제거시키므로서 형성되며, 서기 제1반도체 영연은 상기 반도체 기판의 하나의 주면과 상기 좁은 골의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 제4항 기재의 반도체 기억장치.
  9. 하나의 메모리 셀의 제1반도체 영역은, 동일한 메모리 셀 어레이내의 상기 하나의 메모리 셀에 인접하고, 또한 상기 하나의 메모리 셀과 동일한 비트선에 접속되어 인접하는 워드선에 접속되는 하나의 메모리셀의 제1반도체 영역과 연속되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 제4항 기재의 반도체 기억장치.
  10. 상기 제1반도체 영역은, 동일한 메모리 셀 어레이내의 모든 메모리 셀에 공통인 영역이며, 또한 하나의 메모리 셀 어레이내에서 연속해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항 기재의 반도체 기억장치.
  11. 상기 용량 소자는 좁은 골을 이용하여 형성되고, 이 좁은 골은 상기 반도체 기판의 하나의 주면으로부터 그 내부방향으로 상기 반도체 기판의 일부를 제거시키므로서 형성되며, 상기 제1반도체 영역은 상기 반도체 기판의 하나의 주면과 상기 좁은 골의 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제10항 기재의 반도체 기억장치.
  12. 상기 반도체 기판의 주면 윗쪽에 형성된 제1절연막과, 일부분이 상기 스윗칭 소자에 전기적으로 접속되고, 또한 상기 제1절연막의 윗쪽에 메모리 셀마다 독립적으로 형성된 제1전극, 그리고 상기 제1절연막 아래쪽의 반도체 기판에다 상기 반도체 기판보다도 더 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제1반도체 영역으로 된 제2전극에 의하여 이루어지는 제1용량 소자와, 상기 제1전극과, 상기 제1전극 윗쪽에다 최소한 형성된 제2절연막과, 최소한 상기 제3절연막 위에 형성된 제2전극에 의하여 이루어진 제2용량 소자에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제10항 기재의 반도체 기억장치.
  13. 상기 제3전극은 동일한 메모리 셀 어레이내의 모든 메모리 셀에 공통인 전극이며, 또한 하나의 메모리셀 어레이 내에서는, 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제12항 기재의 반도체 기억장치.
  14. 상기 제2절연막은 상기 제3전극 아래쪽의 전체면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제12항 기재의 반도체 기억장치.
  15. 상기 제3전극은 상기 반도체 기억장치의 기준전위 접속되는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제13항 기재의 반도체 기억장치.
  16. 상기 용량 소자는 좁은 골을 이용하여 형성되고, 이 좁은 골은 상기 반도체 기판의 하나의 주면으로부터 그 내부 방향으로 상기 반도체 기판의 일부를 제거시키므로서 형성되며, 상기 제1반도체 영역은, 상기 반도체 기판의 하나의 주면과, 상기 좁은 골의 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구 범의 제12항 기재의 반도체 기억장치.
  17. 제1도전형의 반도체 기판의 하나의 주면에 형성된 스윗치 소자와, 상기 반도체 기판의 주면위에 형성된 제1절연막과, 일부분이 상기 스윗칭 소자에 전기적으로 접속되고, 또한 상기 제1절연막 윗쪽에 메모리 셀마다 독립적으로, 형성된 제1전극, 그리고 상기 제1절연막의 아래쪽에 반도체 기판에다 상기 반도체 기판보다도 더 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제2반도체 영역으로 된 제2전극에 의하여 이루어지는 용량 소자에 의하여 구성되고, 상기 용량 소자는 최소한 상기 제2반도체 영역내에 나타내는 공핍층의 공간 전하의 양을, 상기 제1전극에 인가되는 제1과, 제2의 전위에 따라서, 제1과, 제2의 상태로 변화시킬수 있다. 상기와 같이 구성되는 메모리 셀을 가로와 세로 방향으로 배치시켜서 이루어진 메모리 셀을 갖는 반도체 기억장치.
  18. 상기의 용량 소자는 상기 제1전극에 인가되는 제1과, 제2의 전위에 따라서, 상기 제2반도체 영역내에 나타나는 공핍층의 공간 전하의 양과 또한 상기 제2반도체 영역내의 축적층의 전하의 양을 제1과, 제2의 상태로 변화시키는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제17항 기재의 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840006906A 1983-11-11 1984-11-03 반도체 기억 장치 KR850003612A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58210825A JPS60103665A (ja) 1983-11-11 1983-11-11 半導体集積回路装置
JP58-210825 1983-11-11
JP58216143A JPH077823B2 (ja) 1983-11-18 1983-11-18 半導体集積回路装置
JP58-216143 1983-11-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR850003612A true KR850003612A (ko) 1985-06-20

Family

ID=26518291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019840006906A KR850003612A (ko) 1983-11-11 1984-11-03 반도체 기억 장치

Country Status (6)

Country Link
KR (1) KR850003612A (ko)
DE (1) DE3441062A1 (ko)
FR (1) FR2554954B1 (ko)
GB (1) GB2150750B (ko)
HK (1) HK40990A (ko)
IT (1) IT1209595B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910007181B1 (ko) * 1988-09-22 1991-09-19 현대전자산업 주식회사 Sdtas구조로 이루어진 dram셀 및 그 제조방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2553591C2 (de) * 1975-11-28 1977-11-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Speichermatrix mit einem oder mehreren Ein-Transistor-Speicherelementen
DE2728927C2 (de) * 1977-06-27 1984-06-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Ein-Transistor-Speicherelement
DE2728928A1 (de) * 1977-06-27 1979-01-18 Siemens Ag Ein-transistor-speicherelement
JPS561559A (en) * 1979-06-19 1981-01-09 Fujitsu Ltd One-transistor type dynamic memory cell
JPS5623771A (en) * 1979-08-01 1981-03-06 Hitachi Ltd Semiconductor memory
JPS5643753A (en) * 1979-09-18 1981-04-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory storage
JPS583260A (ja) * 1981-06-29 1983-01-10 Fujitsu Ltd 竪型埋め込みキヤパシタ
JPS58137245A (ja) * 1982-02-10 1983-08-15 Hitachi Ltd 大規模半導体メモリ
JPS5982761A (ja) * 1982-11-04 1984-05-12 Hitachi Ltd 半導体メモリ
JPH0666436B2 (ja) * 1983-04-15 1994-08-24 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
HK40990A (en) 1990-06-01
IT8423518A0 (it) 1984-11-09
IT1209595B (it) 1989-08-30
GB2150750A (en) 1985-07-03
FR2554954A1 (fr) 1985-05-17
DE3441062A1 (de) 1985-05-23
GB8424555D0 (en) 1984-11-07
GB2150750B (en) 1987-08-26
FR2554954B1 (fr) 1989-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980006394A (ko) 반도체 장치
KR910020904A (ko) 반도체기억장치 및 그 제조 방법
KR940016841A (ko) 정적 램 셀 및 메모리 소자
KR910013555A (ko) 반도체 기억장치
KR930020690A (ko) 동적 메모리 셀
KR910005460A (ko) 반도체 메모리 장치
KR840007312A (ko) 적층 캐패시터형 메모리셀을 갖춘 반도체 기억장치
KR920003517A (ko) 비트 라인에 대해 경사지게 배열된 메모리 매트릭스를 갖고 있는 반도체 메모리 디바이스
KR870009381A (ko) 트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스메모리
KR900003896A (ko) 반도체 메모리와 그 제조방법
KR940016813A (ko) 반도체 메모리셀
KR890011107A (ko) 반도체 장치
KR860000716A (ko) 다이내믹형 메모리셀과 그 제조방법
KR850006983A (ko) 반도체 메모리 장치
KR850004875A (ko) 반도체 메모리 장치
US3810125A (en) Integrated circuit electrical capacitor, particularly as a storage element for semiconductor memories
GB1535615A (en) Semiconductor devices
KR910019235A (ko) 반도체기억장치
KR970008613A (ko) 셀선택 트랜지스터가 안정화 임계값을 갖는 dram을 구비한 반도체 집적회로장치
KR920013713A (ko) 반도체메모리장치 및 그 제조방법
KR850005172A (ko) 직렬접속한 misfet와 캐파시터를 가진 반도체 집적회로 장치
KR970067851A (ko) 강자성체 비휘발성 메모리 셀 및 메모리 셀 형성 방법
US5698872A (en) Semiconductor memory wherein metallic interconnection layer is applied with the same potential as word line and is connected to word line in regions other than memory cells
US4158238A (en) Stratified charge ram having an opposite dopant polarity MOSFET switching circuit
KR850003612A (ko) 반도체 기억 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application