KR20170038860A - 은 분말 및 그의 제조 방법 - Google Patents
은 분말 및 그의 제조 방법Info
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- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 335
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 32
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims abstract description 32
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims abstract description 32
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims abstract description 32
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 150000008431 aliphatic amides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 175
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 19
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 12
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 12
- DVFGEIYOLIFSRX-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylhexoxy)propan-1-amine Chemical compound CCCCC(CC)COCCCN DVFGEIYOLIFSRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 10
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 10
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- ZRJOUVOXPWNFOF-UHFFFAOYSA-N 3-dodecoxypropan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCCN ZRJOUVOXPWNFOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011369 resultant mixture Substances 0.000 claims 1
- HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N hexadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229940081141 hexadecanamide Drugs 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 211
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 211
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 177
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 46
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 40
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 39
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 32
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 27
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 fatty acid salt Chemical class 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 4
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002035 hexane extract Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- UIAMCVSNZQYIQS-KTKRTIGZSA-N oleonitrile Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC#N UIAMCVSNZQYIQS-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N arachidonic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 2
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 2
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000205754 Colocasia esculenta Species 0.000 description 1
- 235000006481 Colocasia esculenta Nutrition 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229940114079 arachidonic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021342 arachidonic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- YWXYYJSYQOXTPL-SLPGGIOYSA-N isosorbide mononitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[C@@H]1CO[C@@H]2[C@@H](O)CO[C@@H]21 YWXYYJSYQOXTPL-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 1
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000011987 methylation Effects 0.000 description 1
- 238000007069 methylation reaction Methods 0.000 description 1
- YILPMYPPOWAECC-UHFFFAOYSA-N n-(2-ethylhexyl)heptanamide Chemical compound CCCCCCC(=O)NCC(CC)CCCC YILPMYPPOWAECC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- B22F2301/255—Silver or gold
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- B22F2302/00—Metal Compound, non-Metallic compound or non-metal composition of the powder or its coating
- B22F2302/45—Others, including non-metals
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- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08K2201/00—Specific properties of additives
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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Abstract
틱소비나 캐손 항복값이 높은 도전성 페이스트를 얻을 수 있고 또한 저항이 낮은 도전 패턴을 형성할 수 있는, 은 분말 및 그의 제조 방법을 제공한다. 표면이 스테아르산 등의 지방산으로 피복된 은 분말에 헥사데실아민 등의 지방족 아민을 첨가하여 교반하고, 혼합하여, 은 분말의 최표면에 지방족 아민을 형성함과 함께, 지방산과 지방족 아민을 반응시켜서 지방산과 지방족 아민의 사이에 헥사데칸아미드 등의 지방족 아미드를 형성한다.
Description
본 발명은, 은 분말 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 적층 콘덴서의 내부 전극, 회로 기판의 도체 패턴, 플라즈마 디스플레이 패널이나 태양 전지의 기판의 전극이나 회로 등의 전자 부품에 사용하는 도전성 페이스트용 은 분말 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 적층 콘덴서의 내부 전극, 회로 기판의 도체 패턴, 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 전극 등의 전자 부품에 사용되는 도전성 페이스트로서, 은 분말을 유리 프릿과 함께 유기 비히클(vehicle) 중에 첨가하여 혼련함으로써 제조되는 은 페이스트가 사용되고 있다. 이러한 은 페이스트를 기판 위에 도포하고, 건조한 후, 소성함으로써 도체 패턴이 형성되어 있다.
근년, 이와 같은 전자 부품의 소형화가 진행되고 있어, 도체 패턴의 고밀도화나 파인 라인화에 대응하기 위해서, 도전성 페이스트용 은 분말은, 입경이 적절하게 작고, 입도가 가지런한 것이 요구되고 있다.
이와 같은 도전성 페이스트용 은 분말을 제조하는 방법으로서, 은염 함유 수용액에 알칼리 또는 착화제를 첨가하여, 산화은 함유 슬러리 또는 은 착염 함유 수용액을 생성한 후, 환원제를 첨가함으로써 은 분말을 환원 석출시키는 방법이 알려져 있다.
그러나, 이와 같은 종래의 방법에 의해 제조된 은 분말은, 응집이 격렬하여, 근년의 파인 라인화한 도체 패턴이나 적층 세라믹 콘덴서의 내부 전극이나, 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 전극 등의 전자 부품에 적용할 수 없다는 문제가 있었다.
그로 인해, 응집이 적고 분산성이 우수한 은 분말을 생성하기 위해서, 은염 함유 수용액에 알칼리 또는 착화제를 첨가하여, 산화은 함유 슬러리 또는 은 착염 함유 수용액을 생성하고, 환원제를 첨가하여 은 입자를 환원 석출시킨 후, 은 함유 슬러리 용액에 분산제로서 지방산, 지방산 염, 계면 활성제, 유기 금속, 보호 콜로이드 중 어느 1종 이상을 첨가함으로써, 은 분말을 생성하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
그러나, 도체 패턴의 파인 라인화가 더 진행되어, 도전성 페이스트를 더 세밀하게 인쇄하는 것이 요망되고 있으며, 그와 같은 도전성 페이스트의 세선 인쇄에는, 도전성 페이스트의 틱소비(빠르게 뒤섞었을 때의 점도에 대한 천천히 뒤섞었을 때의 점도의 비율)나 캐손(Casson) 항복값(유동되기 시작하는 전단 응력의 한계값)이 클수록 유리하게 된다.
따라서, 본 발명은, 이와 같은 종래의 문제점을 감안하여, 틱소비나 캐손 항복값이 높은 도전성 페이스트를 얻을 수 있고 또한 저항이 낮은 도전 패턴을 형성할 수 있는, 은 분말 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 연구한 결과, 표면이 지방산으로 피복된 은 분말에 지방족 아민을 첨가하여 교반하고, 혼합하여, 은 분말의 최표면에 지방족 아민을 형성함과 함께, 지방산과 지방족 아민을 반응시켜서 지방산과 지방족 아민의 사이에 지방족 아미드를 형성함으로써, 틱소비나 캐손 항복값이 높은 도전성 페이스트를 얻을 수 있고 또한 저항이 낮은 도전 패턴을 형성할 수 있는, 은 분말을 제조할 수 있다는 사실을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 따른 은 분말의 제조 방법은, 표면이 지방산으로 피복된 은 분말에 지방족 아민을 첨가하여 교반하고, 혼합하여, 은 분말의 최표면에 지방족 아민을 형성함과 함께, 지방산과 지방족 아민을 반응시켜서 지방산과 지방족 아민의 사이에 지방족 아미드를 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 은 분말의 제조 방법에 있어서, 지방산이 스테아르산 또는 올레산인 것이 바람직하며, 지방족 아민이, 이소부틸아민, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 올레일아민, 2-에틸헥실옥시프로필아민 및 3-라우릴옥시프로필아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 은 분말은, 표면이 지방산과 지방족 아민과 지방족 아미드로 피복되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 은 분말에 있어서, 표면이 지방산으로 피복되고, 최표면에 지방족 아민이 형성되며, 지방산과 지방족 아민의 사이에 지방족 아미드가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 지방산이 스테아르산 또는 올레산인 것이 바람직하며, 지방족 아민이, 이소부틸아민, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 올레일아민, 2-에틸헥실옥시프로필아민 및 3-라우릴옥시프로필아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
또한, 이 은 분말 89.9질량%에 에틸셀룰로오스 0.6질량%와 텍사놀(texanol) 6.5질량%와 유리 프릿 1.0질량%와 산화아연 2.0질량%를 혼련해서 얻어지는 혼련물의 점도를 E형 점도계에 의해 25℃에 있어서 5rpm에서 측정했을 때의 점도에 대한 1rpm에서 측정했을 때의 점도의 비(틱소비)가 3.5 이상인 것이 바람직하고, 이 혼련물의 캐손 항복값이 520Pa·s 이상인 것이 바람직하다.
또는, 상기의 은 분말 89.3 내지 91.0질량%에, 에틸셀룰로오스 0.6질량%와, 유리 프릿 1.0질량%와, 산화아연 2.0질량%와, 잔부로서 텍사놀과 부틸카르비톨아세테이트를 1:1로 혼합한 용제를 혼련해서 얻어지는 혼련물의 점도를 E형 점도계에 의해 25℃에 있어서 10rpm에서 측정했을 때의 점도에 대한 0.1rpm에서 측정했을 때의 점도의 비(틱소비)가 30 이상인 것이 바람직하고, 이 혼련물의 캐손 항복값이 340Pa·s 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 도전성 페이스트는, 상기의 은 분말을 도체로서 사용한 것을 특징으로 한다. 또는, 본 발명에 따른 도전성 페이스트는, 용제 및 수지를 포함하는, 도전성 분체로서 상기의 은 분말을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 태양 전지용 전극의 제조 방법은, 상기의 도전성 페이스트를 기판에 도포한 후에 소성함으로써 기판의 표면에 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 틱소비나 캐손 항복값이 높은 도전성 페이스트를 얻을 수 있고 또한 저항이 낮은 도전 패턴을 형성할 수 있는, 은 분말을 제조할 수 있다.
도 1은, 실시예 17의 아민 처리 후의 은 분말의 가스 크로마토그래프 질량 분석에 의한 성분 분석의 결과를 나타내는 스펙트럼도이다.
본 발명에 따른 은 분말의 제조 방법의 실시 형태에서는, 표면이 지방산으로 피복된 은 분말에 지방족 아민을 첨가하여 교반하고, 혼합하여, 은 분말의 최표면에 지방족 아민을 형성함과 함께, 지방산과 지방족 아민을 반응시켜서 지방산과 지방족 아민의 사이에 지방족 아미드를 형성한다.
지방산으로서, 프로피온산, 카프릴산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 베헨산, 아크릴산, 올레산, 리놀산, 아라키돈산 등을 사용할 수 있지만, 스테아르산 또는 올레산을 사용하는 것이 바람직하다.
지방족 아민으로서, 이소부틸아민, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 올레일아민, 2-에틸헥실옥시프로필아민, 3-라우릴옥시프로필아민, 스테아릴아민 등을 사용할 수 있다.
지방산과 지방족 아민의 반응에 의해 형성되는 지방족 아미드는, 스테아르산 아미드, 올레산 아미드, N-(2-에틸헥실)헵탄 아미드, 헥사데칸아미드 등이다. 또한, 지방산 아민은, 조대(粗大)한 입자가 발생하거나, 최표면에 형성되는 지방족 아민이 불균일해지는 것을 방지하기 위해서, 여러 번으로 나누어 첨가하는 것이 바람직하다.
최표면에 지방족 아민을 형성한 은 분말은, 레이저 회절법에 의한 평균 입경이 0.1 내지 5㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 3㎛인 것이 더 바람직하다. 레이저 회절법에 의한 평균 입경이 0.1㎛보다 작으면, 파인 라인화에 대한 대응은 가능하지만, 입자의 활성이 높아, 은 분말을 소성형 페이스트에 사용하는 경우에 500℃ 이상에서 소성하는 데에는 적합하지 않다. 한편, 레이저 회절법에 의한 평균 입경이 5㎛보다 커지면 분산성이 떨어지게 되어, 역시 파인 라인화에 대한 대응이 어려워진다. 또한, 이 은 분말의 BET 비표면적은 0.1 내지 5㎡/g인 것이 바람직하며, 0.1 내지 2㎡/g인 것이 더 바람직하다. BET 비표면적이 5㎡/g를 초과하면, 페이스트의 점도가 너무 높아, 인쇄성 등이 나빠지게 된다. 한편, BET 비표면적이 0.1㎡/g 미만이면 입자가 너무 커서, 파인 라인화에 대한 대응이 어려워지게 된다.
또한, 본 발명에 따른 은 분말의 실시 형태에서는, 표면이 지방산(의 층)으로 피복되고, 최표면에 지방족 아민(의 층)이 형성되고, 지방산(의 층)과 지방족 아민(의 층)의 사이에 지방족 아미드(의 층)이 형성되어 있다. 표면이 스테아르산 등의 지방산으로 피복된 은 분말(표면의 스테아르산 등의 지방산과 강하게 결합한 은 분말)의 지방산이 헥사데실아민 등의 지방족 아민과 반응하여, 은 분말과 결합하기 어려운 헥사데실아민 등의 지방족 아민을 (지방산과 지방족 아민의 반응에 의한) 헥사데칸아미드 등의 지방족 아미드를 통해서 은 분말의 표면에 담지시킬 수 있다. 또한, 은 분말에 담지되지 않은 지방족 아민이 증가하면, 그러한 은 분말을 사용해서 제작한 도전성 페이스트를 기판 위에 선 형상으로 인쇄한 후에 가열 처리(소성)하여 제작한 도전막에서는, 단면적/선폭이 작아, 도전 패턴의 파인 라인화에 불리해지므로, 지방족 아민의 첨가량은, 은 분말에 대하여 0.5질량% 이하인 것이 바람직하며, 0.33질량% 이하인 것이 더 바람직하다.
이 은 분말 89.9질량%에 에틸셀룰로오스 0.6질량%와 텍사놀 6.5질량%와 유리 프릿 1.0질량%와 산화아연 2.0질량%를 혼련해서 얻어지는 혼련물의 점도를 E형 점도계에 의해 25℃에 있어서 5rpm에서 측정했을 때의 점도에 대한 1rpm에서 측정했을 때의 점도의 비(틱소비)가 3.5 이상인 것이 바람직하며, 3.7 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 이 혼련물의 캐손 항복값이 520Pa·s 이상인 것이 바람직하며, 550Pa·s인 것이 더 바람직하다.
또는, 상기의 은 분말 89.3 내지 91.0질량%에, 에틸셀룰로오스 0.6질량%와, 유리 프릿 1.0질량%와, 산화아연 2.0질량%와, 잔부로서 텍사놀과 부틸카르비톨아세테이트를 1:1로 혼합한 용제를 혼련해서 얻어지는 혼련물의 점도를 E형 점도계에 의해 25℃에 있어서 10rpm에서 측정했을 때의 점도에 대한 0.1rpm에서 측정했을 때의 점도의 비(틱소비)가 30 이상인 것이 바람직하며, 이 혼련물의 캐손 항복값이 340Pa·s 이상인 것이 바람직하다.
또한, 도전성 페이스트의 캐손 항복값은 이하와 같이 산출할 수 있다. 즉, 도전성 페이스트의 각 회전수에 있어서의 점도의 측정값으로부터, 횡축을 전단 속도 D(1/s)의 1/2 제곱으로 하고, 종축을 전단 응력 τ(=점도 η×전단 속도 D)(Pa·s)의 1/2 제곱으로 하여 플롯하면, 캐손(Casson)의 식(τ1 /2=η∞1/2×D1/2+τ01 /2)(η∞는 캐손 점도(무한대의 전단 응력을 가했을 때의 점도(극한 점도), τ0은 캐손 항복값)으로부터, 기울기가 캐손 점도 η∞의 1/2 제곱이 되고, 절편이 캐손 항복값 τ0의 1/2 제곱이 된다. 따라서, 이 플롯에 의해 구한 캐손 점도 η∞의 1/2 제곱과 캐손 항복값 τ0의 1/2 제곱으로부터, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명에 따른 은 분말 및 그의 제조 방법의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
[실시예 1]
은 이온으로서 47.8g/L의 질산은 용액 452.3L에, 공업용 암모니아수 75L를 첨가하여, 은의 암민 착체 용액을 생성하였다. 생성된 은의 암민 착체 용액에 농도 100g/L의 수산화나트륨 용액 200L를 첨가하여 pH 조정하고, 물 350L를 첨가하여 희석하고, 환원제로서 공업용 포르말린 24.2L를 첨가하였다. 그 직후에, 스테아르산의 에멀션(스테아르산 함량 18%) 360g을 첨가하였다. 이와 같이 하여 얻어진 은의 슬러리를 여과하고, 수세한 후, 건조해서 은 분말 21.6㎏을 얻었다. 이 은 분말을 헨셀 믹서(고속 교반기)로 표면 평활화 처리한 후, 분급해서 11㎛보다 큰 은의 응집체를 제거하였다.
이와 같이 하여 얻어진 대략 구 형상의 은 분말에 대하여, 레이저 회절법에 의한 입도 분포, BET 비표면적을 측정함과 함께, 탭 밀도 및 강열 감량값을 산출하였다.
레이저 회절법에 의한 입도 분포는, 은 분말 0.3g을 이소프로필알코올 30mL에 첨가하고, 출력 50W의 초음파 세정기에 의해 5분간 분산시킨 후, 마이크로 트랙 입도 분포 측정 장치(니키소사 제조의 9320HRA)를 사용하여 측정하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=2.0㎛, D90=3.1㎛였다.
BET 비표면적은, 은 분말을 60℃에서 10분간 탈기한 후, 비표면적 측정 장치(퀀타 크롬(Quanta Chrome)사 제조의 모노소브)를 사용하여, 질소 흡착에 의한 BET 1점법으로 측정하였다. 그 결과, BET 비표면적은 0.49㎡/g이었다.
탭 밀도는, 은 분말 15g을 계량해서 20mL의 시험관에 넣고, 낙차 20㎜로 1,000회 탭핑하고, 탭 밀도=시료 질량(15g)/탭핑 후의 시료 부피(㎤)로부터 산출하였다. 그 결과, 탭 밀도는 5.8g/㎤이었다.
강열 감량값(Ig-loss)은, 은 분말 3g을 칭량(w1)해서 자성 도가니에 넣고, 전기로(애드반테크사 제조의 KM-1302)에 의해 800℃에서 30분 강열한 후, 냉각하고, 다시 칭량(w2)함으로써, 강열 감량값(%)=(w1-w2)×100/w1로부터 구하였다. 그 결과, 강열 감량값은 0.65%이었다.
또한, 90.0질량%의 헥사데실아민(도쿄카세이코교 가부시키가이샤 제조) 60.0g을 에탄올(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조의 일급 시약) 54.0g에 용해시킨 헥사데실아민 용액(헥사데실아민 농도 47.4질량%) 114.0g을 준비하고, 얻어진 은 분말 15㎏을 헨셀 믹서에 의해 2분간 교반하여 예비 표면 처리를 행한 후, 이 은 분말에 상기의 헥사데실아민 용액 63.33g(은 분말에 대한 헥사데실아민 0.2질량%)을 첨가하고, 교반·혼합하여 아민에 의한 표면 처리를 행한 후, 분급하여 40㎛보다 큰 은의 응집체를 제거하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 상기의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께, 탭 밀도 및 강열 감량값을 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.9㎛, D90=2.9㎛이며, 탭 밀도는 5.0g/㎤이었다. 또한, 강열 감량값은 0.86%이며, 아민 처리 전의 은 분말의 강열 감량값보다 0.21% 증가했다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 주사전자현미경(SEM)으로 관찰한바, 대략 구 형상의 은 분말인 것이 관찰되었다. 또한, 아민 처리 후의 은 분말 2g과 n-헥산 5mL를 10mL의 바이얼에 넣어서 1분간 진탕한 후, 20분간 초음파 처리하고, 은 분말의 표면을 피복하고 있는 유기물을 헥산층으로 옮겨서 분취하고, 이 분취된 헥산 추출액을 가스 크로마토그래프 질량 분석 장치(GC-MS)(애질런트·테크놀로지(Agilent Technologies)사 제조)에 의해 성분 분석하였다. 또한, 극성이 높기 때문에 감도가 낮은 스테아르산의 정량 분석을 행하기 위해서, 카르복실기를 메틸화하여 정량 분석을 행하였다. 즉, 상기의 헥산 추출액 1mL를 10mL의 바이얼에 넣어서 100μL 미만으로 농축하고, 메틸화 시약(염산과 메탄올의 혼합액) 1mL를 첨가하여, 50℃에서 30분간 가열해서 스테아르산을 메틸화한 후, 방냉하고, 순수 1mL와 n-헥산 2mL를 첨가하여 진탕하고, 헥산층을 분취하여, 이 분취된 헥산 추출액을 상기의 가스 크로마토그래프 질량 분석 장치(GC-MS)에 의해 성분 분석하였다. 이들 성분 분석의 결과, 스테아르산과 헥사데실아민 외에, (스테아르산과 헥사데실아민의 반응에 의한) 헥사데칸아미드가 검출되었다. 이와 같이, 표면이 스테아르산으로 피복된 은 분말을 헥사데실아민으로 표면 처리함으로써, (스테아르산과 헥사데실아민의 반응에 의한) 헥사데칸아미드가 형성되어 있는 점에서, 은 분말의 표면에 스테아르산(의 층)이 형성되고, 최표층에 헥사데실아민(의 층)이 형성되고, 이들 (의 층)의 사이에 (스테아르산과 헥사데실아민의 반응에 의한) 헥사데칸아미드(의 층)이 형성되어 있다는 사실을 알게 되었다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말 89.9질량%와, 에틸셀룰로오스 수지(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.6질량%와, 용제(JMC 가부시키가이샤 제조의 텍사놀) 6.5질량%와, 첨가제로서 유리 프릿(오쿠노세이야쿠코교사 제조의 G3-5754(Pb계)) 1.0질량% 및 산화아연(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 2.0질량%를, 자전공전식 진공 교반 탈포 장치(가부시키가이샤 싱키사 제조의 아와토리 렌타로 V-mini/Mini Dappo)에 의해 혼합(예비 혼련)한 후, 3개 롤(오토 하먼사 제조의 EXAKT80S)에 의해 혼련함으로써, 도전성 페이스트를 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트의 점도를 E형 점도계(부룩필드사 제조의 DV-III Ultra)에 의해 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 측정한바, 각각 2460Pa·s, 393Pa·s, 104Pa·s 및 42Pa·s이며, 5rpm에서 측정한 점도에 대한 0.1rpm에서 측정한 점도의 비(틱소비(Ti값)=0.1rpm에 있어서의 점도/5rpm에 있어서의 점도)(이하, 이 Ti값을 「Ti1」이라 함)는 24, 10rpm에서 측정한 점도에 대한 0.1rpm에서 측정한 점도의 비(틱소비(Ti값)=0.1rpm에 있어서의 점도/10rpm에 있어서의 점도)(이하, 이 Ti값을 「Ti2」라 함)는 59, 5rpm에서 측정한 점도에 대한 1rpm에서 측정한 점도의 비(틱소비(Ti값)=1rpm에 있어서의 점도/5rpm에 있어서의 점도)(이하, 이 Ti값을 「Ti3」이라 함)는 3.8이었다.
또한, 얻어진 도전성 페이스트의 각 회전수에 있어서의 점도의 측정값으로부터, 횡축을 전단 속도 D(1/s)의 1/2 제곱으로 하고, 종축을 전단 응력 τ(=점도 η×전단 속도 D)(Pa·s)의 1/2 제곱으로 하여 플롯하면, 캐손(Casson)의 식(τ1 /2=η∞1/2×D1/2+τ01/2)(η∞는 캐손 점도(무한대의 전단 응력을 가했을 때의 점도(극한 점도), τ0은 캐손 항복값)으로부터, 기울기가 캐손 점도 η∞의 1/2 제곱이 되고, 절편이 캐손 항복값 τ0의 1/2 제곱이 되므로, 이 플롯에 의해 구한 캐손 점도 η∞의 1/2 제곱과 캐손 항복값 τ0의 1/2 제곱으로부터, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출한바, 각각 3Pa, 567Pa·s였다.
다음으로, 이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를, 96% 알루미나 기판 위에, 스크린 인쇄기(마이크로테크사 제조의 MT-320T)를 사용하여, 스퀴지압 180MPa, 인쇄 속도 300㎜/sec이고, 폭 50㎛×길이 15㎜의 도막이 되도록 스크린 인쇄하여, 실온에서 건조시켰다. 이 도막의 선폭을 초심도 표면 형상 측정 현미경(가부시키가이샤 키엔스사 제조의 VK-9700)에 의해 측정한바, 66.7㎛이며, 본래의 선폭(50㎛)과의 차(늘어짐 폭)는 16.7㎛, 늘어짐 폭의 비율은 33.4%(=16.7㎛×100/50㎛), 도막의 단면적은 752.2㎛2였다. 또한, 도막의 두께를 표면 조도 측정기(가부시키가이샤 고사카겐큐쇼사 제조의 SE-30D)에 의해 측정한바, 20.1㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.30(=20.1㎛/66.7㎛)이었다.
또한, 건조한 도막을 850℃에서 10분간 가열 처리하여 도전막을 제작하고, 이 도전막의 저항을 디지털 멀티미터(FLUKE8840A)에 의해 측정한바, 0.77Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.02(mΩ/㎛2)(=770(mΩ)/752.2(㎛2)), 단면적/선폭은 11.3㎛였다.
[실시예 2]
실시예 1과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용하고, 은 분말에 첨가하는 헥사데실아민 용액의 양을 104.50g(은 분말에 대한 헥사데실아민 0.33질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께, 탭 밀도 및 강열 감량값을 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.9㎛, D90=3.0㎛이며, 탭 밀도는 4.6g/㎤였다. 또한, 강열 감량값은 1.03%이며, 아민 처리 전의 은 분말의 강열 감량값보다 0.38% 증가했다.
또한, 아민 처리 후의 은을 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 분석한바, 은 분말의 표면에 스테아르산이 형성되고, 최표층에 헥사데실아민이 형성되며, 이들 사이에 헥사데칸아미드가 형성되어 있다는 사실을 알게 되었다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2700Pa·s, 405Pa·s, 104Pa·s 및 44.1Pa·s이며, Ti1은 26, Ti2는 61, Ti3은 3.9였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 3Pa, 캐손 항복값 τ0은 604Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도막을 형성하여 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 68.5㎛이며, 본래의 선폭(50㎛)과의 차(늘어짐 폭)는 18.5㎛, 늘어짐 폭의 비율은 37.0%(=18.5㎛×100/50㎛), 도막의 단면적은 691.2㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 15.2㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.22(=15.2㎛/68.5㎛), 단면적/선폭은 10.1㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.71Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.03(mΩ/㎛2)(=710(mΩ)/691.2(㎛2))였다.
[실시예 3]
실시예 1과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용하고, 은 분말에 첨가하는 헥사데실아민 용액의 양을 158.33g(은 분말에 대한 헥사데실아민 0.5질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께, 탭 밀도 및 강열 감량값을 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.9㎛, D90=3.0㎛이며, 탭 밀도는 4.8g/㎤였다. 또한, 강열 감량값은 1.22%이며, 아민 처리 전의 은 분말의 강열 감량값보다 0.57% 증가했다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 분석한바, 은 분말의 표면에 스테아르산이 형성되고, 최표층에 헥사데실아민이 형성되며, 이들 사이에 헥사데칸아미드가 형성되어 있다는 사실을 알게 되었다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2820Pa·s, 405Pa·s, 106Pa·s 및 45.6Pa·s이며, Ti1은 27, Ti2는 62, Ti3은 3.8이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 3Pa, 캐손 항복값 τ0은 616Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 66.7㎛이며, 본래의 선폭(50㎛)과의 차(늘어짐 폭)는 16.7㎛, 늘어짐 폭의 비율은 33.4%(=16.7㎛×100/50㎛), 도막의 단면적은 522.4㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 15.6㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.23(=15.6㎛/66.7㎛), 단면적/선폭은 7.8㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.79Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.51(mΩ/㎛2)였다.
[비교예 1]
실시예 1과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1190Pa·s, 381Pa·s, 178Pa·s 및 69.9Pa·s이며, Ti1은 7, Ti2는 17, Ti3은 2.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 33Pa, 캐손 항복값 τ0은 289Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 72.4㎛이며, 본래의 선폭(50㎛)과의 차(늘어짐 폭)는 22.4㎛, 늘어짐 폭의 비율은 44.8%(= 22.4㎛×100/50㎛), 도막의 단면적은 577.3㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 14.6㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.20(=14.6㎛/72.4㎛), 단면적/선폭은 8.0㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막의 제작을 시도하였지만, 양호한 도막이 아니었기 때문에, 도막의 단선에 의해, 도전막의 저항을 측정할 수 없었다.
[비교예 2]
스테아르산(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 223.8g를 에탄올 225.0g에 용해시킨 스테아르산 용액과 헥사데실아민 250.0g을 에탄올 225.0g에 용해시킨 헥사데실아민 용액을 혼합하여 얻어진 스테아르산 아미드 용액을 준비하고, 이 스테아르산 아미드 용액 78.3g을 헥사데실아민 용액 대신에 사용한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지의 방법에 의해, 표면 처리를 행한 은 분말을 제작하였다.
이와 같이 하여 아미드 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께, 탭 밀도 및 강열 감량값을 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.9㎛, D90=2.9㎛이며, 탭 밀도는 4.5g/㎤였다. 또한, 강열 감량값은 0.93%이며, 아미드 처리 전의 은 분말의 강열 감량값보다 0.28% 증가했다.
또한, 아미드 처리 후의 은 분말을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아미드 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2380Pa·s, 433Pa·s, 132Pa·s 및 67.5Pa·s이며, Ti1은 18, Ti2는 35, Ti3은 3.3이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 13Pa, 캐손 항복값 τ0은 500Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도막을 형성하여 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 72.4㎛이며, 본래의 선폭(50㎛)과의 차(늘어짐 폭)는 22.4㎛, 늘어짐 폭의 비율은 44.8%(=22.4㎛×100/50㎛), 도막의 단면적은 653.9㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 17.2㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.24(=17.2㎛/72.4㎛), 단면적/선폭은 9.0㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막의 제작을 시도하였지만, 양호한 도막이 아니었기 때문에, 도막의 단선에 의해, 도전막의 저항을 측정할 수 없었다.
[비교예 3]
은 이온으로서 0.2몰/L를 포함하는 질산은 수용액 496.8L에, 공업용 암모니아수 35L를 첨가하여, 은 암민 착체 용액을 생성하였다. 이 은 암민 착체 용액에 물 465L를 첨가하여 희석한 후에 환원제로서 히드라진 80% 수용액 3.2L를 첨가하여 얻어진 은의 슬러리를 여과하고, 수세한 후 건조해서 은 분말을 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포, BET 비표면적을 측정함과 함께, 탭 밀도 및 강열 감량값을 산출하였다. 그 결과, D10=6.9㎛, D50=18.6㎛, D90=39.5㎛였다. 또한, BET 비표면적은 0.30㎡/g, 탭 밀도는 4.7g/㎤, 강열 감량값은 0.01%였다.
또한, 얻어진 은 분말을 사용한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다. 이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께, 탭 밀도 및 강열 감량값을 산출하였다. 그 결과, D10=3.2㎛, D50=8.3㎛, D90=19.1㎛이며, 탭 밀도는 4.6g/㎤였다. 또한, 강열 감량값은 0.36%이며, 아민 처리 전의 은 분말의 강열 감량값보다 0.35% 증가했다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 953Pa·s, 425Pa·s, 172Pa·s 및 77.4Pa·s이며, Ti1은 5.5, Ti2는 12, Ti3은 2.5였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 39Pa, 캐손 항복값 τ0은 257Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 64.8㎛이며, 본래의 선폭(50㎛)과의 차(늘어짐 폭)는 14.8㎛, 늘어짐 폭의 비율은 29.6%(= 14.8㎛×100/50㎛), 도막의 단면적은 827.0㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 21.3㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.33(=21.3㎛/64.8㎛), 단면적/선폭은 12.8㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막의 제작을 시도하였지만, 양호한 도막이 아니었기 때문에, 도막의 단선에 의해 도전막의 저항을 측정할 수 없었다.
[비교예 4]
스테아르산(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 223.8g을 에탄올 225.0g에 용해시킨 스테아르산 용액과 헥사데실아민 250.0g을 에탄올 225.0g에 용해시킨 헥사데실아민 용액을 혼합하여 얻어진 스테아르산 아미드 용액을 준비하고, 이 스테아르산 아미드 용액 78.3g을 헥사데실아민 용액 대신에 사용한 것 이외에는, 비교예 3과 마찬가지의 방법에 의해, 표면 처리를 행한 은 분말을 제작하였다.
이와 같이 하여 아미드 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께, 탭 밀도 및 강열 감량값을 산출하였다. 그 결과, D10=2.7㎛, D50=7.1㎛, D90=17.0㎛이며, 탭 밀도는 4.5g/㎤였다. 또한, 강열 감량값은 0.93%이며, 아미드 처리 전의 은 분말의 강열 감량값보다 0.33% 증가했다.
또한, 아미드 처리 후의 은 분말을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아미드 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1670Pa·s, 380Pa·s, 133Pa·s 및 75.4Pa·s이며, Ti1은 13, Ti2는 22, Ti3은 2.9였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 25Pa, 캐손 항복값 τ0은 337Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 70.5㎛이며, 본래의 선폭(50㎛)과의 차(늘어짐 폭)는 20.5㎛, 늘어짐 폭의 비율은 41.0%(=20.5㎛×100/50㎛), 도막의 단면적은 882.7㎛였다. 또한, 도막의 두께는 13.5㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.19(=13.5㎛/70.5㎛)2, 단면적/선폭은 12.5㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막의 제작을 시도하였지만, 양호한 도막이 아니었기 때문에, 도막의 단선에 의해 도전막의 저항을 측정할 수 없었다.
[비교예 5]
비교예 3과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 198Pa·s, 333Pa·s, 169Pa·s 및 48.0Pa·s이며, Ti1은 1.5, Ti2는 4, Ti3은 3.3이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 39Pa, 캐손 항복값 τ0은 125Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도막의 형성과 도전막의 제작을 시도하였지만, 양호한 선 형상의 도막을 형성할 수 없었기 때문에, 도막의 선폭이나 두께를 측정할 수 없고, 도전막의 저항을 측정할 수 없었다.
이들 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5의 결과를 표 1 내지 표 5에 나타낸다.
[실시예 4]
은 이온으로서 21.4g/L의 질산은 용액 502.7L에, 공업용 암모니아수 45L를 첨가하여, 은의 암민 착체 용액을 생성하였다. 생성된 은의 암민 착체 용액에 농도 100g/L의 수산화나트륨 용액 8.8L를 첨가하여 pH 조정하고, 물 462L를 첨가하여 희석하고, 환원제로서 공업용 포르말린 48L를 첨가하였다. 그 직후에, 스테아르산의 에멀션(스테아르산 함량 16%) 121g을 첨가하였다. 이와 같이 하여 얻어진 은의 슬러리를 여과하고, 수세한 후 건조해서 은 분말을 얻었다. 이 은 분말을 헨셀 믹서(고속 교반기)로 표면 평활화 처리한 후, 분급하여 11㎛보다 큰 은의 응집체를 제거하였다.
이와 같이 하여 얻어진 대략 구 형상의 은 분말에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 입도 분포 및 BET 비표면적을 측정함과 함께, 탭 밀도를 산출한바, D10=1.2㎛, D50=1.9㎛, D90=3.1㎛이며, BET 비표면적은 0.40㎡/g, 탭 밀도는 6.0g/㎤였다.
이와 같이 하여 얻어진 은 분말(아민 처리 전의 은 분말) 120g을 소형 분쇄기(샘플 밀)(쿄리츠리코 가부시키가이샤 제조)에 투입해서 30초간 예비 분쇄하고, 지방족 아민으로서 이소부틸아민(코에이카가쿠쿄교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 이소부틸아민 0.05질량%)의 절반량을 첨가해서 30초간 해쇄한 후, 나머지의 절반량의 이소부틸아민을 첨가해서 30초간 해쇄함으로써, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도(TAP)를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.9㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.41㎡/g, 탭 밀도는 5.6g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말 89.4질량%와, 에틸셀룰로오스 수지(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.6질량%와, 텍사놀(JMC 가부시키가이샤 제조)과 부틸카르비톨아세테이트(BCA)(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조)를 1:1(각각 3.5질량%)로 혼합한 용제와, 첨가제로서 유리 프릿(오쿠노세이야쿠코교사 제조의 G3-5754(Pb계)) 1.0질량% 및 산화아연(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 2.0질량%를, 자전공전식 진공 교반 탈포 장치(가부시키가이샤 싱키사 제조의 아와토리 렌타로 V-mini/Mini Dappo)에 의해 혼합(예비 혼련)한 후, 3개 롤(오토 하먼사 제조의 EXAKT80S)에 의해 혼련함으로써, 도전성 페이스트를 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2020Pa·s, 369Pa·s, 122Pa·s 및 58Pa·s이며, Ti1은 17, Ti2는 35, Ti3은 3.0이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 12Pa, 캐손 항복값 τ0은 427Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 초심도 표면 형상 측정 현미경(가부시키가이샤 키엔스사 제조의 VK-9700)에 의해 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 85.8㎛이며, 도막의 단면적은 780㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 16.1㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.19(=16.1㎛/85.8㎛), 단면적/선폭은 9.1㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.826Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.06(mΩ/㎛2)(=826(mΩ)/780(㎛2))였다.
[실시예 5]
은 분말에 첨가하는 이소부틸아민 용액의 양을 0.6g(은 분말에 대한 이소부틸아민 0.5질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.8㎛, D90=2.8㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.40㎡/g, 탭 밀도는 6.0g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1720Pa·s, 310Pa·s, 94Pa·s 및 53Pa·s이며, Ti1은 18, Ti2는 32, Ti3은 3.3이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 12Pa, 캐손 항복값 τ0은 346Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 80.1㎛이며, 도막의 단면적은 742㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 15.6㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.19(=15.6㎛/80.1㎛), 단면적/선폭은 9.3㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.902Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.22(mΩ/㎛2)(=902(mΩ)/742(㎛2))였다.
[실시예 6]
지방족 아민으로서 이소부틸아민 대신에, 옥틸아민(가오사 제조의 파민 08D) 0.06g(은 분말에 대한 옥틸아민 0.05질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.9㎛, Dmax=7.8㎛이며, BET 비표면적은 0.42㎡/g, 탭 밀도는 5.2g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 89.6질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.4질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1830Pa·s, 341Pa·s, 106Pa·s 및 48Pa·s이며, Ti1은 17, Ti2는 38, Ti3은 3.2였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 9Pa, 캐손 항복값 τ0은 404Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 72.4㎛이며, 도막의 단면적은 707㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 17.6㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.24(=17.6㎛/72.4㎛), 단면적/선폭은 9.8㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.665Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.941(mΩ/㎛2)(=665(mΩ)/707(㎛2))였다.
[실시예 7]
은 분말에 첨가하는 옥틸아민 용액의 양을 0.6g(은 분말에 대한 옥틸아민 0.5질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지의 방법에 의해 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.8㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.36㎡/g, 탭 밀도는 5.0g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 91.0질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.7질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2100Pa·s, 357Pa·s, 117Pa·s 및 56Pa·s이며, Ti1은 18, Ti2는 38, Ti3은 3.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 11Pa, 캐손 항복값 τ0은 435Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 74.3㎛이며, 도막의 단면적은 690㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 17.5㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.24(=17.5㎛/74.3㎛), 단면적/선폭은 9.3㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.714Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.03(mΩ/㎛2)(=714(mΩ)/690(㎛2))였다.
[실시예 8]
지방족 아민으로서 이소부틸아민 대신에, 데실아민(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 데실아민 0.05질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.8㎛, Dmax=7.8㎛이며, BET 비표면적은 0.37㎡/g, 탭 밀도는 4.5g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.0질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.2질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1920Pa·s, 357Pa·s, 114Pa·s 및 52Pa·s이며, Ti1은 17, Ti2는 37, Ti3은 3.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 10Pa, 캐손 항복값 τ0은 420Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 80.1㎛이며, 도막의 단면적은 679㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 16.8㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.21(=16.8㎛/80.1㎛), 단면적/선폭은 8.5㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.635Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.935(mΩ/㎛2)(=635(mΩ)/679(㎛2))였다.
[실시예 9]
은 분말에 첨가하는 데실아민 용액의 양을 0.6g(은 분말에 대한 데실아민 0.5질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 8과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.8㎛, Dmax=5.5㎛이며, BET 비표면적은 0.36㎡/g, 탭 밀도는 4.3g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 91.0질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.7질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2300Pa·s, 389Pa·s, 120Pa·s 및 57Pa·s이며, Ti1은 19, Ti2는 40, Ti3은 3.2였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 10Pa, 캐손 항복값 τ0은 486Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 76.2㎛이며, 도막의 단면적은 732㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 17.8㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.23(=17.8㎛/76.2㎛), 단면적/선폭은 9.6㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.796Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.09(mΩ/㎛2)(=796(mΩ)/732(㎛2))였다.
[실시예 10]
지방족 아민으로서 이소부틸아민 대신에, 도데실아민(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 도데실아민 0.05질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.3㎛, D50=1.9㎛, D90=3.1㎛, Dmax=11.0㎛이며, BET 비표면적은 0.46㎡/g, 탭 밀도는 4.6g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 89.8질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.3질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1710Pa·s, 329Pa·s, 110Pa·s 및 52Pa·s이며, Ti1은 16, Ti2는 33, Ti3은 3.0이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 12Pa, 캐손 항복값 τ0은 365Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 78.2㎛이며, 도막의 단면적은 725㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 17.5㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.22(=17.5㎛/78.2㎛), 단면적/선폭은 9.3㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.695Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.959(mΩ/㎛2)(=695(mΩ)/725(㎛2))였다.
[실시예 11]
은 분말에 첨가하는 도데실아민 용액의 양을 0.6g(은 분말에 대한 도데실아민 0.5질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 10과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.9㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.35㎡/g, 탭 밀도는 4.1g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 91.0질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.7질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2220Pa·s, 389Pa·s, 117Pa·s 및 50Pa·s이며, Ti1은 19, Ti2는 45, Ti3은 3.3이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 7Pa, 캐손 항복값 τ0은 500Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 76.2㎛이며, 도막의 단면적은 753㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 18.9㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.25(=18.9㎛/76.2㎛), 단면적/선폭은 9.9㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.618Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.821(mΩ/㎛2)(=618(mΩ)/753(㎛2))였다.
[실시예 12]
지방산으로서 이소부틸아민 대신에, 헥사데실아민(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 헥사데실아민 0.05질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.7㎛, D90=2.9㎛, Dmax=5.5㎛이며, BET 비표면적은 0.40㎡/g, 탭 밀도는 5.4g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 89.8질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.3질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1940Pa·s, 369Pa·s, 114Pa·s 및 54Pa·s이며, Ti1은 17, Ti2는 36, Ti3은 3.2였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 11Pa, 캐손 항복값 τ0은 425Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 76.2㎛이며, 도막의 단면적은 743㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 18.3㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.24(=18.3㎛/76.2㎛), 단면적/선폭은 9.7㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.748Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.01(mΩ/㎛2)(=748(mΩ)/743(㎛2))였다.
[실시예 13]
지방족 아민으로서 이소부틸아민 대신에, 헥사데실아민(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 헥사데실아민 0.5질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.8㎛, D90=2.8㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.36㎡/g, 탭 밀도는 4.3g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 89.2질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.6질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2380Pa·s, 345Pa·s, 100Pa·s 및 48Pa·s이며, Ti1은 24, Ti2는 50, Ti3은 3.5였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 6Pa, 캐손 항복값 τ0은 488Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 70.5㎛이며, 도막의 단면적은 858㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 22.0㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.31(=22.0㎛/70.5㎛), 단면적/선폭은 12.2㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.795Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.927(mΩ/㎛2)(=795(mΩ)/858(㎛2))였다.
[실시예 14]
지방족 아민으로서 이소부틸아민 대신에, 옥타데실아민(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 옥타데실아민 0.05질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.7㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.42㎡/g, 탭 밀도는 5.8g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 89.2질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.6질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1870Pa·s, 333Pa·s, 106Pa·s 및 50Pa·s이며, Ti1은 18, Ti2는 37, Ti3은 3.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 10Pa, 캐손 항복값 τ0은 398Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 76.2㎛이며, 도막의 단면적은 670㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 17.5㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.23(=17.5㎛/76.2㎛), 단면적/선폭은 8.8㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.649Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.969(mΩ/㎛2)(=649(mΩ)/670(㎛2))였다.
[실시예 15]
은 분말에 첨가하는 옥타데실아민 용액의 양을 0.6g(은 분말에 대한 옥타데실아민 0.5질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 14와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.3㎛, D50=2.0㎛, D90=3.2㎛, Dmax=7.8㎛이며, BET 비표면적은 0.40㎡/g, 탭 밀도는 4.4g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.6질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.9질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2740Pa·s, 381Pa·s, 114Pa·s 및 50Pa·s이며, Ti1은 24, Ti2는 55, Ti3은 3.3이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 5Pa, 캐손 항복값 τ0은 570Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 64.8㎛이며, 도막의 단면적은 732㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 19.6㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.30(=19.6㎛/64.8㎛), 단면적/선폭은 11.3㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.697Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.952(mΩ/㎛2)(=697(mΩ)/732(㎛2))였다.
[실시예 16]
지방족 아민으로서 이소부틸아민 대신에, 올레일아민(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 올레일아민 0.05질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.8㎛, D90=2.9㎛, Dmax=5.5㎛이며, BET 비표면적은 0.39㎡/g, 탭 밀도는 5.2g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 91.0질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.7질량%로 한 것 이외에는, 은 분말의 양을 90.6질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.9질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2060Pa·s, 381Pa·s, 121Pa·s 및 50Pa·s이며, Ti1은 17, Ti2는 41, Ti3은 3.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 9Pa, 캐손 항복값 τ0은 467Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 74.3㎛이며, 도막의 단면적은 674㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 16.9㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.23(=16.9㎛/74.3㎛), 단면적/선폭은 9.1㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.668Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.991(mΩ/㎛2)(=668(mΩ)/674(㎛2))였다.
[실시예 17]
은 분말에 첨가하는 올레일아민 용액의 양을 0.6g(은 분말에 대한 올레일아민 0.5질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 16과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=1.8㎛, D90=2.8㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.25㎡/g, 탭 밀도는 4.3g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 13㎎을 파이롤라이저(프런티어 랩사 제조의 EGA/PY3030D)에 의해 460℃로 가열하여, 가스 크로마토그래프 질량 분석 장치(GC-MS)(애질런트·테크놀로지사 제조에 7890A/5975C)에 의해 성분 분석을 행한바, 도 1에 도시한 바와 같이, 팔미트산(분자량 256), 스테아르산(분자량 284), 올레일아민(분자량 267), 올레오니트릴(분자량 263) 및 분자량 533의 성분 유래의 피크가 확인되었다. 분자량 533의 성분은, 스테아르산과 올레일아민이 축합 반응하고, 물분자(분자량 18)가 빠진 피크라고 추정되어, 스테아르산과 올레일아민에 의해 아미드가 형성되어 있다는 사실을 알게 되었다. 또한, 팔미트산은 스테아르산의 시약 유래의 불순물이며, 올레오니트릴은 올레일아민의 시약 유래의 불순물이라고 생각된다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.2질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.1질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2340Pa·s, 377Pa·s, 110Pa·s 및 47Pa·s이며, Ti1은 21, Ti2는 50, Ti3은 3.4였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 5Pa, 캐손 항복값 τ0은 515Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 70.5㎛이며, 도막의 단면적은 800㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 22.4㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.32(=22.4㎛/70.5㎛), 단면적/선폭은 11.3㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.722Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.903(mΩ/㎛2)(=722(mΩ)/800(㎛2))였다.
[실시예 18]
지방족 아민으로서 이소부틸아민 대신에, 2-에틸헥실옥시프로필아민(2EHOPA)(코에이카가쿠쿄교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 2-에틸헥실옥시프로필아민 0.05질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.8㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.36㎡/g, 탭 밀도는 6.1g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 89.6질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.4질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2260Pa·s, 393Pa·s, 112Pa·s 및 56Pa·s이며, Ti1은 20, Ti2는 41, Ti3은 3.5였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 9Pa, 캐손 항복값 τ0은 485Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 76.2㎛이며, 도막의 단면적은 711㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 16.9㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.22(=16.9㎛/76.2㎛), 단면적/선폭은 9.3㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.766Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.08(mΩ/㎛2)(=766(mΩ)/711(㎛2))였다.
[실시예 19]
은 분말에 첨가하는 2-에틸헥실옥시프로필아민(2EHOPA) 용액의 양을 0.6g(은 분말에 대한 2-에틸헥실옥시프로필아민 0.5질량%)으로 한 것 이외에는, 실시예 18과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=2.9㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.27㎡/g, 탭 밀도는 4.3g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.2질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.1질량%로 한 것 이외에는, 은 분말의 양을 91.0질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.7질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1670Pa·s, 306Pa·s, 96Pa·s 및 46Pa·s이며, Ti1은 17, Ti2는 37, Ti3은 3.2였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 9Pa, 캐손 항복값 τ0은 359Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 70.5㎛이며, 도막의 단면적은 806㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 20.1㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.29(=20.1㎛/70.5㎛), 단면적/선폭은 11.4㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.759Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.942(mΩ/㎛2)(=759(mΩ)/806(㎛2))였다.
[실시예 20]
지방족 아민으로서 헥사데실아민 대신에 3-라우릴옥시프로필아민(코에이카가쿠쿄교 가부시키가이샤 제조) 0.06g(은 분말에 대한 3-라우릴옥시프로필아민 0.5질량%)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.3㎛, D50=2.0㎛, D90=3.0㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.34㎡/g, 탭 밀도는 4.8g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.4질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.0질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1720Pa·s, 294Pa·s, 94Pa·s 및 51Pa·s이며, Ti1은 18, Ti2는 34, Ti3은 3.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 11Pa, 캐손 항복값 τ0은 340Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 82.0㎛이며, 도막의 단면적은 693㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 17.3㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.21(=17.3㎛/82.0㎛), 단면적/선폭은 8.4㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.773Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.12(mΩ/㎛2)(=773(mΩ)/693(㎛2))였다.
[비교예 6]
실시예 1과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.9㎛, D90=3.1㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.40㎡/g, 탭 밀도는 6.5g/㎤였다.
상기의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 88.8질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.8질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1510Pa·s, 357Pa·s, 110Pa·s 및 59Pa·s이며, Ti1은 14, Ti2는 26, Ti3은 3.2였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 16Pa, 캐손 항복값 τ0은 335Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 85.8㎛이며, 도막의 단면적은 700㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 14.8㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.17(=14.8㎛/85.8㎛), 단면적/선폭은 8.2㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 1.009Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.44(mΩ/㎛2)(=1009(mΩ)/700(㎛2))였다.
[비교예 7]
스테아르산(와코준야쿠사 제조) 3.8g과 올레일아민 5.0g을 열풍식 항온조에 의해 60℃에서 60분간 가열해서 얻어진 스테아르산 아미드 용액을 준비하고, 이 스테아르산 아미드 용액 0.6g(은 분말에 대한 스테아르산 아미드 0.5질량%)을 헥사데실아민 용액 대신에 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해, 표면 처리를 행한 은 분말을 제작하였다.
이와 같이 하여 아미드 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=1.8㎛, D90=3.2㎛, Dmax=6.5㎛이며, BET 비표면적은 0.29㎡/g, 탭 밀도는 3.6g/㎤였다.
또한, 아미드 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 함유량을 89.2질량%, 텍사놀과 BCA의 함유량을 각각 3.6질량%로 한 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 1670Pa·s, 306Pa·s, 106Pa·s 및 54Pa·s이며, Ti1은 16, Ti2는 31, Ti3은 2.9이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 14Pa, 캐손 항복값 τ0은 336Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 76.2㎛이며, 도막의 단면적은 658㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 15.2㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.20(=15.2㎛/76.2㎛), 단면적/선폭은 8.6㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바 1.138Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.73(mΩ/㎛2)(= 1·138(mΩ)/658(㎛2))였다.
이들 실시예 4 내지 20 및 비교예 6 내지 7의 결과를 표 6 내지 표 8에 나타낸다.
[실시예 21]
은 이온으로서 21.4g/L의 질산은 용액 502.7L에, 공업용 암모니아수 45L를 첨가하여, 은의 암민 착체 용액을 생성하였다. 생성된 은의 암민 착체 용액에 농도 100g/L의 수산화나트륨 용액 8.8L를 첨가하여 pH 조정하고, 물 462L를 첨가하여 희석하고, 환원제로서 공업용 포르말린 48L를 첨가하였다. 그 직후에, 올레산 19.4g을 첨가하였다. 이와 같이 하여 얻어진 은의 슬러리를 여과하고, 수세한 후, 건조해서 은 분말을 얻었다. 이 은 분말을 헨셀 믹서(고속 교반기)로 표면 평활화 처리한 후, 분급하여 11㎛보다 큰 은의 응집체를 제거하였다.
이와 같이 하여 얻어진 대략 구 형상의 은 분말에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 입도 분포 및 BET 비표면적을 측정함과 함께, 탭 밀도를 산출한바, D10=1.2㎛, D50=2.3㎛, D90=3.5㎛이며, BET 비표면적은 0.41㎡/g, 탭 밀도는 5.0g/㎤였다.
이와 같이 하여 얻어진 은 분말을 사용하여, 실시예 5와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=2.0㎛, D90=3.3㎛, Dmax=9.3㎛이며, BET 비표면적은 0.37㎡/g, 탭 밀도는 5.0g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.4질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.0질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2460Pa·s, 401Pa·s, 129Pa·s 및 55Pa·s이며, Ti1은 19, Ti2는 45, Ti3은 3.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 8.5Pa, 캐손 항복값 τ0은 529Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 62.9㎛이며, 도막의 단면적은 662㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 17.5㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.28(=17.5㎛/62.9㎛), 단면적/선폭은 10.5㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.754Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.14(mΩ/㎛2)(=754(mΩ)/662(㎛2))였다.
[실시예 22]
실시예 21과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용한 것 이외에는, 실시예 7과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=2.3㎛, D90=3.8㎛, Dmax=9.3㎛이며, BET 비표면적은 0.35㎡/g, 탭 밀도는 4.3g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.6질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.9질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2200Pa·s, 314Pa·s, 108Pa·s 및 51Pa·s이며, Ti1은 17, Ti2는 38, Ti3은 2.9였다. 또한, 캐손 점도 η∞는 8.7Pa, 캐손 항복값 τ0은 429Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 64.3㎛이며, 도막의 단면적은 721㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 22.3㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.35(=22.3㎛/64.3㎛), 단면적/선폭은 11.2㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.662Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.918(mΩ/㎛2)(=662(mΩ)/721(㎛2))였다.
[실시예 23]
실시예 21과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=2.1㎛, D90=3.8㎛, Dmax=7.8㎛이며, BET 비표면적은 0.36㎡/g, 탭 밀도는 4.2g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.6질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.9질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2420Pa·s, 413Pa·s, 121Pa·s 및 65Pa·s이며, Ti1은 20, Ti2는 37, Ti3은 3.4이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 11.8Pa, 캐손 항복값 τ0은 495Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 64.8㎛이며, 도막의 단면적은 715㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 21.0㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.32(=21.0㎛/64.8㎛), 단면적/선폭은 11.0㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.756Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.06(mΩ/㎛2)(=756(mΩ)/715(㎛2))였다.
[실시예 24]
실시예 21과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=2.0㎛, D90=3.3㎛, Dmax=7.8㎛이며, BET 비표면적은 0.35㎡/g, 탭 밀도는 4.1g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.2질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.1질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2060Pa·s, 325Pa·s, 100Pa·s 및 52Pa·s이며, Ti1은 21, Ti2는 40, Ti3은 3.3이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 8.9Pa, 캐손 항복값 τ0은 413Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 62.8㎛이며, 도막의 단면적은 672㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 18.9㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.30(=18.9㎛/62.8㎛), 단면적/선폭은 10.7㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.578Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.860(mΩ/㎛2)(=578(mΩ)/672(㎛2))였다.
[실시예 25]
실시예 21과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용한 것 이외에는, 실시예 13과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=2.1㎛, D90=3.8㎛, Dmax=7.8㎛이며, BET 비표면적은 0.32㎡/g, 탭 밀도는 4.4g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 89.6질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.4질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2740Pa·s, 421Pa·s, 117Pa·s 및 50Pa·s이며, Ti1은 23, Ti2는 55, Ti3은 3.6이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 4Pa, 캐손 항복값 τ0은 603Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 66.7㎛이며, 도막의 단면적은 730㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 20.1㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.30(=20.1㎛/66.7㎛), 단면적/선폭은 10.9㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.706Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.967(mΩ/㎛2)(=706(mΩ)/730(㎛2))였다.
[실시예 26]
실시예 21과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용한 것 이외에는, 실시예 15와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=2.1㎛, D90=3.4㎛, Dmax=9.5㎛이며, BET 비표면적은 0.31㎡/g, 탭 밀도는 4.0g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2660Pa·s, 385Pa·s, 108Pa·s 및 44Pa·s이며, Ti1은 25, Ti2는 60, Ti3은 3.6이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 3.1Pa, 캐손 항복값 τ0은 582Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 66.7㎛이며, 도막의 단면적은 730㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 19.1㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.29(=19.1㎛/66.7㎛), 단면적/선폭은 10.9㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.608Ω이며, (저항/단면적)의 값은 0.833(mΩ/㎛2)(=608(mΩ)/730(㎛2))였다.
[실시예 27]
실시예 21과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용한 것 이외에는, 실시예 17과 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.1㎛, D50=2.1㎛, D90=3.4㎛, Dmax=7.8㎛이며, BET 비표면적은 0.28㎡/g, 탭 밀도는 4.2g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 12㎎을 사용하여, 실시예 17과 마찬가지의 방법에 의해, 성분 분석을 행한바, 올레산(분자량 282), 올레일아민(분자량 267), 올레오니트릴(분자량 263), 옥타데실 아미드(분자량 281) 및 분자량 531의 성분 유래의 피크가 확인되었다. 분자량 531의 성분은, 올레산과 올레일아민이 축합 반응하고, 물분자(분자량 18)가 빠진 피크라고 추정되어, 올레산과 올레일아민에 의해 아미드가 형성되어 있다는 사실을 알게 되었다. 또한, 올레오니트릴은 올레일아민의 시약 유래의 불순물이며, 옥타데실 아미드는 올레산과 올레일아민이 반응한 생성물이라고 생각된다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.8질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.8질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2100Pa·s, 357Pa·s, 114Pa·s 및 57Pa·s이며, Ti1은 18, Ti2는 37, Ti3은 3.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 11.3Pa, 캐손 항복값 τ0은 430Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 66.7㎛이며, 도막의 단면적은 738㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 21.0㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.31(=21.0㎛/66.7㎛), 단면적/선폭은 11.1㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.743Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.01(mΩ/㎛2)(=743(mΩ)/738(㎛2))였다.
[실시예 28]
실시예 21과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)을 사용한 것 이외에는, 실시예 19와 마찬가지의 방법에 의해, 아민에 의한 표면 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 아민 처리를 행한 은 분말에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=2.3㎛, D90=3.8㎛, Dmax=9.3㎛이며, BET 비표면적은 0.28㎡/g, 탭 밀도는 4.1g/㎤였다.
또한, 아민 처리 후의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 90.8질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 2.8질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2260Pa·s, 385Pa·s, 126Pa·s 및 55Pa·s이며, Ti1은 18, Ti2는 41, Ti3은 3.1이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 9.5Pa, 캐손 항복값 τ0은 487Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 69.1㎛이며, 도막의 단면적은 763㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 19.8㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.29(=19.8㎛/69.1㎛), 단면적/선폭은 11.0㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.876Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.15(mΩ/㎛2)(=876(mΩ)/763(㎛2))였다.
[비교예 8]
실시예 21과 마찬가지의 은 분말(아민 처리 전의 은 분말)에 대하여, 실시예 1의 아민 처리 전의 은 분말과 마찬가지의 방법에 의해, 레이저 회절법에 의한 입도 분포를 측정함과 함께 BET 비표면적을 측정하고, 탭 밀도를 산출하였다. 그 결과, D10=1.2㎛, D50=2.3㎛, D90=3.5㎛, Dmax=7.8㎛이며, BET 비표면적은 0.41㎡/g, 탭 밀도는 5.0g/㎤였다.
상기의 은 분말을 사용하여, 은 분말의 양을 89.2질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.6질량%로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 도전성 페이스트에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 점도를 측정하고, 캐손 점도 η∞와 캐손 항복값 τ0을 산출하였다. 그 결과, 아민 처리 후의 은 분말의 점도는, 25℃에 있어서 0.1rpm, 1rpm, 5rpm 및 10rpm에서 각각 2060Pa·s, 373Pa·s, 125Pa·s 및 61Pa·s이며, Ti1은 16, Ti2는 34, Ti3은 3.0이었다. 또한, 캐손 점도 η∞는 13.6Pa, 캐손 항복값 τ0은 428Pa·s였다.
이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 실시예 4와 마찬가지의 방법에 의해 도막을 형성하여, 그 폭과 두께를 측정하였다. 그 결과, 도막의 선폭은 68.6㎛이며, 도막의 단면적은 527㎛2였다. 또한, 도막의 두께는 13.9㎛이며, 도막의 단면의 애스펙트비는 0.20(=13.9㎛/68.6㎛), 단면적/선폭은 7.7㎛였다.
또한, 이 도막을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 도전막을 제작하고, 그 도전막의 저항을 측정한바, 0.637Ω이며, (저항/단면적)의 값은 1.21(mΩ/㎛2)(=637(mΩ)/527(㎛2))였다.
이들 실시예 21 내지 28 및 비교예 8의 결과를 표 9 내지 표 11에 나타낸다.
또한, 실시예 13, 14 및 16 내지 18의 각각의 은 분말 86.2질량%와, 에틸셀룰로오스 수지(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 1.2질량%와, 텍사놀(JMC 가부시키가이샤 제조)과 부틸카르비톨아세테이트(BCA)(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조)를 1:1(각각 3.5질량%)로 혼합한 용제와, 첨가제로서, 유리 프릿(아사히 글라스 가부시키가이샤 제조의 ASF-1898B) 1.5질량%, 산화비스무트(DOWA 하이테크 가부시키가이샤 제조) 0.1질량%, 스테아르산 마그네슘(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.2질량%, 올레산(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 0.5질량% 및 2산화텔루륨(와코준야쿠코교 가부시키가이샤 제조) 3.2질량%를, 자전공전식 진공 교반 탈포 장치(가부시키가이샤 싱키사 제조의 아와토리 렌타로)에 의해 혼합(예비 혼련)한 후, 3개 롤(오토 하먼사 제조의 EXAKT80S)에 의해 혼련함으로써, 각각 도전성 페이스트를 얻었다.
또한, 실시예 15, 19 및 비교예 6 내지 7의 은 분말을 사용하고, 실시예 15에서는, 은 분말의 양을 86.0질량%로 하고, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.6질량%로 한 것 이외에는, 상기와 마찬가지의 방법에 의해, 실시예 19에서는, 은 분말의 양을 85.2질량%, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 4.1질량%, 유리 프릿의 양을 1.5질량%, 2산화텔루륨의 양을 3.1질량%로 한 것 이외에는, 상기와 마찬가지의 방법에 의해, 비교예 6에서는, 은 분말의 양을 85.4질량%, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 4.0질량%, 유리 프릿의 양을 1.5질량%, 2산화텔루륨의 양을 3.1질량%로 한 것 이외에는, 상기와 마찬가지의 방법에 의해, 비교예 7에서는, 은 분말의 양을 85.8질량%, 텍사놀과 BCA의 양을 각각 3.7질량%로 한 것 이외에는, 상기와 마찬가지의 방법에 의해, 각각 도전성 페이스트를 얻었다.
다음으로, 8장의 실리콘 웨이퍼(E&M사 제조, 80Ω/□, 6인치 단결정)를 준비하고, 각각의 실리콘 웨이퍼의 이면에 스크린 인쇄기(마이크로테크 가부시키가이샤 제조의 MT-320T)에 의해 알루미늄 페이스트(도요알루미늄 가부시키가이샤 제조의 ALSOLAR 14-7021(Pb 함유))를 길이 154㎜의 솔리드 패턴으로 인쇄한 후에, 열풍식 건조기에 의해 200℃에서 10분간 건조함과 함께, 실리콘 웨이퍼의 표면에 스크린 인쇄기(마이크로테크 가부시키가이샤 제조의 MT-320T)에 의해, 상기의 도전성 페이스트(실시예 13 내지 19 및 비교예 6 내지 7의 은 분말을 사용해서 제작한 각각의 도전성 페이스트)를 폭 50㎛의 100개의 핑거 전극 형상과 폭 1.3㎜의 3개의 버스 바 전극 형상으로 인쇄한 후, 열풍식 건조기에 의해 200℃에서 10분간 건조하고, 고속 소성 IR로(니혼가이시 가부시키가이샤 제조의 고속 소성 시험 4실로)의 인-아웃 21초간으로 하여 피크 온도 820℃에서 소성하여 태양 전지를 제작하였다.
이들 태양 전지에 3개의 버스 바 전극의 막 두께, 선폭 및 단면적을 접촉식 표면 조도계(가부시키가이샤 고사카겐큐쇼사 제조의 SE-30D)에 의해 측정하고, 단면의 애스펙트비(막 두께/선폭)를 구한바, 단면적은 각각 662㎛2(실시예 13), 680㎛2(실시예 14), 540㎛2(실시예 15), 678㎛2(실시예 16), 733㎛2(실시예 17), 725㎛2(실시예 18), 548㎛2(실시예 19), 456㎛2(비교예 6), 805㎛2(비교예 6)이며, 비교예 6의 페이스트를 사용한 경우의 단면의 애스펙트비를 100으로 했을 때의 각각의 실시예의 페이스트를 사용한 경우의 단면의 애스펙트비 상대값은, 117.0(실시예 13), 128.6(실시예 14), 110.3(실시예 15), 115.7(실시예 16), 114.9(실시예 17), 125.4(실시예 18), 118.8(실시예 19), 96.5(비교예 7)였다.
상기의 태양 전지에 솔라 시뮬레이터(가부시키가이샤 와콤 덴소사 제조)의 크세논 램프에 의해 광조사 에너지 100mW㎠의 의사 태양광을 조사해서 전지 특성 시험을 행하였다. 그 결과, 비교예 6의 페이스트를 사용해서 제작한 태양 전지의 발전 효율 Eff(최대 출력 Pmax를 (1㎠당) 조사 광량(W)으로 나눈 값에 100을 곱한 값)를 100으로 했을 때의 각각의 실시예의 페이스트를 사용해서 제작한 태양 전지의 발전 효율 Eff의 상대값은, 100.7(실시예 13), 100.9(실시예 14), 101.3(실시예 15), 100.8(실시예 16), 101.1(실시예 17), 101.5(실시예 18), 100.6(실시예 19), 99.8(비교예 7)이었다.
Claims (15)
- 표면이 지방산으로 피복된 은 분말에 지방족 아민을 첨가하여 교반하고, 혼합하여, 은 분말의 최표면에 지방족 아민을 형성함과 함께, 지방산과 지방족 아민을 반응시켜서 지방산과 지방족 아민의 사이에 지방족 아미드를 형성하는 것을 특징으로 하는 은 분말의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 지방족 아민이, 이소부틸아민, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 올레일아민, 2-에틸헥실옥시프로필아민 및 3-라우릴옥시프로필아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은 분말의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지방산이 스테아르산 또는 올레산인 것을 특징으로 하는 은 분말의 제조 방법.
- 표면이 지방산과 지방족 아민과 지방족 아미드로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제4항에 있어서, 상기 표면이 상기 지방산으로 피복되고, 최표면에 상기 지방족 아민이 형성되고, 상기 지방산과 상기 지방족 아민의 사이에 상기 지방족 아미드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 지방족 아민이, 이소부틸아민, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 올레일아민, 2-에틸헥실옥시프로필아민 및 3-라우릴옥시프로필아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지방산이 스테아르산 또는 올레산인 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 분말 89.9질량%에 에틸셀룰로오스 0.6질량%와 텍사놀(texanol) 6.5질량%와 유리 프릿 1.0질량%와 산화아연 2.0질량%를 혼련해서 얻어지는 혼련물의 점도를 E형 점도계에 의해 25℃에 있어서 5rpm에서 측정했을 때의 점도에 대한 1rpm에서 측정했을 때의 점도의 비(틱소비)가 3.5 이상인 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제8항에 있어서, 상기 혼련물의 캐손(Casson) 항복값이 520Pa·s 이상인 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 분말 89.9질량%에 에틸셀룰로오스 0.6질량%와 텍사놀 6.5질량%와 유리 프릿 1.0질량%와 산화아연 2.0질량%를 혼련해서 얻어지는 혼련물의 캐손 항복값이 520Pa·s 이상인 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 분말 89.3 내지 91.0질량%에, 에틸셀룰로오스 0.6질량%와, 유리 프릿 1.0질량%와, 산화아연 2.0질량%와, 잔부로서 텍사놀과 부틸카르비톨아세테이트를 1:1로 혼합한 용제를 혼련해서 얻어지는 혼련물의 점도를 E형 점도계에 의해 25℃에 있어서 10rpm에서 측정했을 때의 점도에 대한 0.1rpm에서 측정했을 때의 점도의 비(틱소비)가 30 이상인 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제11항에 있어서, 상기 혼련물의 캐손 항복값이 340Pa·s 이상인 것을 특징으로 하는 은 분말.
- 제4항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 은 분말을 도체로서 사용한 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
- 용제 및 수지를 포함하는, 도전성 분체로서 제4항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 은 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
- 제13항 또는 제14항에 기재된 도전성 페이스트를 기판에 도포한 후에 소성함으로써 기판의 표면에 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2014-154416 | 2014-07-30 | ||
| JP2014154416 | 2014-07-30 | ||
| JPJP-P-2015-144553 | 2015-07-22 | ||
| JP2015144553A JP6282616B2 (ja) | 2014-07-30 | 2015-07-22 | 銀粉およびその製造方法 |
| PCT/JP2015/003710 WO2016017128A1 (ja) | 2014-07-30 | 2015-07-24 | 銀粉およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170038860A true KR20170038860A (ko) | 2017-04-07 |
| KR102281720B1 KR102281720B1 (ko) | 2021-07-23 |
Family
ID=55217047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177005124A KR102281720B1 (ko) | 2014-07-30 | 2015-07-24 | 은 분말 및 그의 제조 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9984788B2 (ko) |
| JP (1) | JP6282616B2 (ko) |
| KR (1) | KR102281720B1 (ko) |
| CN (1) | CN106573304B (ko) |
| TW (1) | TWI592364B (ko) |
| WO (1) | WO2016017128A1 (ko) |
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- 2015-07-22 JP JP2015144553A patent/JP6282616B2/ja active Active
- 2015-07-24 CN CN201580041920.0A patent/CN106573304B/zh active Active
- 2015-07-24 WO PCT/JP2015/003710 patent/WO2016017128A1/ja active Application Filing
- 2015-07-24 KR KR1020177005124A patent/KR102281720B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-24 US US15/326,536 patent/US9984788B2/en active Active
- 2015-07-28 TW TW104124367A patent/TWI592364B/zh active
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2018
- 2018-01-02 US US15/859,909 patent/US10170213B2/en active Active
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| WO2022097840A1 (ko) * | 2020-11-03 | 2022-05-12 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 탄성도가 우수한 전도성 페이스트용 은 분말 및 이의 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016033259A (ja) | 2016-03-10 |
| CN106573304B (zh) | 2020-03-03 |
| KR102281720B1 (ko) | 2021-07-23 |
| US20170206998A1 (en) | 2017-07-20 |
| JP6282616B2 (ja) | 2018-02-21 |
| WO2016017128A1 (ja) | 2016-02-04 |
| CN106573304A (zh) | 2017-04-19 |
| TWI592364B (zh) | 2017-07-21 |
| US9984788B2 (en) | 2018-05-29 |
| US10170213B2 (en) | 2019-01-01 |
| TW201612101A (en) | 2016-04-01 |
| US20180158564A1 (en) | 2018-06-07 |
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