WO2020262119A1 - 銀粉およびその製造方法 - Google Patents

銀粉およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020262119A1
WO2020262119A1 PCT/JP2020/023615 JP2020023615W WO2020262119A1 WO 2020262119 A1 WO2020262119 A1 WO 2020262119A1 JP 2020023615 W JP2020023615 W JP 2020023615W WO 2020262119 A1 WO2020262119 A1 WO 2020262119A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
particle size
silver powder
size distribution
cumulative
laser diffraction
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/023615
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
政徳 藤井
Original Assignee
Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 filed Critical Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社
Priority to KR1020227002086A priority Critical patent/KR20220027978A/ko
Priority to CN202080045793.2A priority patent/CN114008727A/zh
Priority to US17/622,275 priority patent/US20220258230A1/en
Publication of WO2020262119A1 publication Critical patent/WO2020262119A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/052—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B22F1/056—Submicron particles having a size above 100 nm up to 300 nm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/07—Metallic powder characterised by particles having a nanoscale microstructure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/25—Noble metals, i.e. Ag Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru
    • B22F2301/255—Silver or gold
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00—Physical aspects of the powder
    • B22F2304/05—Submicron size particles
    • B22F2304/058—Particle size above 300 nm up to 1 micrometer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00—Physical aspects of the powder
    • B22F2304/10—Micron size particles, i.e. above 1 micrometer up to 500 micrometer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to silver powder and a method for producing the same, and more particularly to silver powder suitable for a material for a conductive paste and a method for producing the same.
  • electrodes of solar cells internal electrodes of electronic parts using low temperature co-fired ceramics (LTCC) and laminated ceramic electronic parts such as multilayer ceramic inductors (MLCI), external electrodes such as multilayer ceramic capacitors and multilayer ceramic inductors are formed.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics
  • MLCI multilayer ceramic inductors
  • a metal powder such as silver powder is used.
  • JP-A-2007-194581 (paragraph number 0012)
  • the resistance value of the electrode may be relatively high, and the resistance value of the electrode is reduced in order to improve the conversion efficiency of the solar cell. Is desired.
  • the present invention forms a conductive film having a low resistance value when used as a material for a conductive paste, even if the firing time of the conductive paste is shorter than before. It is an object of the present invention to provide a silver powder and a method for producing the same.
  • the present inventors have a crystallite diameter of 50 nm or less calculated by measuring with a powder X-ray diffractometer and wet with a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device.
  • a large-diameter silver powder having a cumulative 50% particle diameter (D 50 ) of 1 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less and a crystallite diameter calculated by measuring with a powder X-ray diffractometer are 50 nm.
  • the cumulative 50% particle size (D 50 ) is 0.3 ⁇ m or more and less than 1 ⁇ m. If a silver powder having a crystallite diameter of 50 nm or less and a compression density of 6.3 g / cm 3 or more calculated by measuring with a powder X-ray diffractor is produced by mixing the above, a material for a conductive paste can be produced.
  • the present invention has been completed by finding that it is possible to produce silver powder capable of forming a conductive film having a low resistance value even if the firing time of the conductive paste is shorter than before. It was.
  • the crystallite diameter calculated by measuring with a powder X-ray diffractometer is 50 nm or less, and the volume obtained by wet measurement with a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device.
  • Powder by mixing with a small diameter silver powder having a cumulative 50% particle size (D 50 ) of 0.3 ⁇ m or more and less than 1 ⁇ m in a volume-based particle size distribution obtained by wet measurement with a scattering type particle size distribution measuring device. It is characterized by producing silver powder having a crystallite diameter of 50 nm or less and a compression density of 6.3 g / cm 3 or more calculated by measuring with an X-ray diffractometer.
  • D 50 cumulative 50% particle size
  • the silver powder according to the present invention is characterized in that the crystallite diameter calculated by measuring with a powder X-ray diffractometer is 50 nm or less and the compression density is 6.3 g / cm 3 or more.
  • the ratio of the cumulative 90% particle size (D 90 ) to the cumulative 10% particle size (D 10 ) is 4. It is preferably .0 to 6.5. Further, in the volume-based particle size distribution obtained by wet measurement with this silver powder laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device, the cumulative 50% particle size (D 50 ) is 1.2 to 3.0 ⁇ m. preferable. Further, it is preferable that the wet measurement by the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device is performed by dispersing the above silver powder in isopropyl alcohol.
  • the conductive paste according to the present invention is characterized in that the above-mentioned silver powder is dispersed in an organic component.
  • the present invention when used as a material for a conductive paste, it is possible to produce silver powder capable of forming a conductive film having a low resistance value even if the firing time of the conductive paste is shorter than before. it can.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the volume-based particle size distribution obtained by wet measurement by the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring apparatus of silver powder 1 used in an Example. It is a scanning electron micrograph (SEM image) of 10,000 times the silver powder 1 used in an Example. It is a figure which shows the volume-based particle size distribution obtained by the wet measurement by the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring apparatus of silver powder 2 used in an Example. It is an SEM image of 10,000 times as much as the silver powder 2 used in the Example. It is a figure which shows the volume-based particle size distribution obtained by wet measurement by the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring apparatus of the silver powder obtained in Example 1.
  • FIG. 1 shows the volume-based particle size distribution obtained by wet measurement by the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring apparatus of silver powder 1 used in an Example. It is a scanning electron micrograph (SEM image) of 10,000 times the silver powder 1 used in an Example. It
  • 6 is a scanning electron micrograph (SEM image) of a cross section of a conductive film after firing the conductive paste obtained in Example 1.
  • 6 is an SEM image of a cross section of the conductive film after firing the conductive paste obtained in Example 2.
  • 6 is an SEM image of a cross section of the conductive film after firing the conductive paste obtained in Comparative Example 1.
  • the crystallite diameter calculated by measuring with a powder X-ray diffractometer is 50 nm (preferably 42 nm) or less, and is wet with a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device.
  • a large-diameter silver powder having a cumulative 50% particle diameter (D 50 ) of 1 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less and a crystallite diameter calculated by measuring with a powder X-ray diffractometer are 50 nm.
  • Cumulative 50% particle size (D 50 ) is 0.3 ⁇ m or more and less than 1 ⁇ m in the volume-based particle size distribution obtained by wet measurement with a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device (preferably 42 nm) or less.
  • a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device preferably 42 nm
  • a silver powder having a crystallite diameter of 50 nm or less and a compression density of 6.3 g / cm 3 or more calculated by measuring with a powder X-ray diffractor is produced.
  • the ratio of (D 90 ) is preferably 4.0 to 6.5.
  • the cumulative 50% particle size (D 50 ) is 1.2 to 3.0 ⁇ m in the volume-based particle size distribution obtained by wet measurement with a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device for the produced silver powder. Is preferable, and 1.5 to 2.8 ⁇ m is more preferable.
  • the wet measurement by the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device is performed by dispersing the silver powder in a solvent such as isopropyl alcohol.
  • the crystallite diameter calculated by measuring with a powder X-ray diffractometer is 50 nm or less, and the compression density is 6.3 g / cm 3 or more.
  • the ratio of the cumulative 90% particle size (D 90 ) to the cumulative 10% particle size (D 10 ) is 4. It is preferably .0 to 6.5.
  • the cumulative 50% particle size (D 50 ) is 1.2 to 3.0 ⁇ m. It is preferably 1.5 to 2.8 ⁇ m, more preferably 1.5 to 2.8 ⁇ m.
  • the mass ratio of the large-diameter silver powder to the small-diameter silver powder in the silver powder (mixed silver powder) is preferably 95: 5 to 50:50, and more preferably 90:10 to 65:35. Further, it is preferable that the wet measurement by the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device is performed by dispersing the above silver powder in a solvent such as isopropyl alcohol.
  • silver powder according to the present invention is used as a material for a conductive paste (such as a calcined conductive paste)
  • a conductive paste such as a calcined conductive paste
  • silver powder and (saturated aliphatic hydrocarbons, unsaturated fat) are used as components of the conductive paste.
  • organic solvents such as group hydrocarbons, ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ethers, esters, alcohols, etc.
  • a vehicle in which a binder resin such as ethyl cellulose or acrylic resin
  • a binder resin such as ethyl cellulose or acrylic resin
  • the content of the silver powder in the conductive paste is preferably 5 to 98% by mass, more preferably 70 to 95% by mass, from the viewpoint of the conductivity and the manufacturing cost of the conductive paste.
  • the content of the binder resin in the conductive paste is preferably 0.1 to 10% by mass, preferably 0.1 to 10% by mass, from the viewpoint of the dispersibility of the silver powder in the conductive paste and the conductivity of the conductive paste. It is more preferably to 6% by mass. Two or more kinds of vehicles in which this binder resin is dissolved in an organic solvent may be mixed and used.
  • the content of glass frit in the conductive paste is such that when the conductive paste is applied to the substrate to form an electrode, the conductivity between the electrode and the substrate is ensured by fire-through after the conductive paste is sintered. From the viewpoint of the conductivity of the electrode, it is preferably 0.1 to 20% by mass, and more preferably 0.1 to 10% by mass. This glass frit may be used by mixing two or more kinds.
  • the content of the organic solvent in the conductive paste (when the vehicle is contained in the conductive paste, the total content of the organic solvent including the organic solvent in the vehicle) is the dispersibility of the silver powder in the conductive paste. In consideration of the appropriate viscosity of the conductive paste, 0.8 to 20% by mass is preferable, and 0.8 to 15% by mass is more preferable. This organic solvent may be used by mixing two or more kinds.
  • Such a conductive paste is produced, for example, by weighing each component, putting it in a predetermined container, pre-kneading it with a raker, a universal stirrer, a kneader, etc., and then main-kneading it with three rolls. can do. Further, if necessary, an organic solvent may be added thereafter to adjust the viscosity. Further, after main kneading only glass frit or inorganic oxide and vehicle to reduce the particle size, silver powder may be added at the end for main kneading.
  • Example 1 Prepare commercially available silver powder 1 (AG-5-54F manufactured by DOWA Hi-Tech Co., Ltd.), add 10.1 g of this silver powder to 40 mL of isopropyl alcohol (IPA), and add an ultrasonic homogenizer with a chip tip diameter of 18 mm (Nippon Seiki Co., Ltd.). A sample obtained by dispersing for 2 minutes with US-150T manufactured by Mfg. Co., Ltd. (19.5 kHz) was subjected to a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device (MICROTRAC MT3300EXII manufactured by Microtrack Bell Co., Ltd.) in full reflection mode.
  • IPA isopropyl alcohol
  • the cumulative 10% particle size (D 10 ) was 1.7 ⁇ m and the cumulative 50% particle size (D 50 ) was 2.
  • the cumulative 90% particle size (D 90 ) was 3.9 ⁇ m, and the D 90 / D 10 was 2.3. Further, assuming that the most frequent particle size is the peak particle size A, the peak particle size A was 2.8 ⁇ m at a frequency of 11.2%.
  • the measurement result is shown in FIG. 1A. Further, a scanning electron micrograph (SEM image) of 10,000 times that of the silver powder (silver powder 1) is shown in FIG. 1B.
  • XRD X-ray diffraction
  • the peak data of plane (200) was used for the calculation.
  • the crystallite diameter (Dx) of silver powder 1 was 390 angstroms (39.0 nm).
  • silver powder 1 when 20 g of the above silver powder (silver powder 1) is filled in a cylindrical chamber having an inner diameter of 1.91 cm ⁇ of a dry automatic densitometer (Accupic II 1340 manufactured by Micromeritix) and then compressed at a pressure of 40 N / cm 2. When the density of the silver powder was measured as the compression density, it was 6.2 g / cm 3 .
  • the volume-based particle size distribution of the silver powder was determined by the same method as described above, and the cumulative particle size was 10%.
  • (D 10 ) is 0.8 ⁇ m
  • the cumulative 50% particle size (D 50 ) is 2.1 ⁇ m
  • the cumulative 90% particle size (D 90 ) is 4.1 ⁇ m
  • D 90 / D 10 is 5.1. It was. Further, assuming that the most frequent particle size is the peak particle size A, the frequency was 6.5% and the peak particle size A was 2.5 ⁇ m.
  • the measurement result is shown in FIG. 3A. Further, an SEM image of 10,000 times that of this silver powder (mixed silver powder) is shown in FIG. 3B.
  • a silicon substrate for solar cells (100 ⁇ / ⁇ ) is prepared, and aluminum paste (Alsolar 14 manufactured by Toyo Aluminum Co., Ltd.) is used on the back surface of this silicon substrate using a screen printing machine (MT-320T manufactured by Microtech Co., Ltd.).
  • -7021 is printed on a 154 mm square rectangular pattern and dried at 200 ° C. for 10 minutes with a hot air dryer, and on the surface of a silicon substrate with a screen printing machine (MT-320T manufactured by Microtech Co., Ltd.).
  • the above conductive paste is printed on 110 finger electrode shapes with a width of 27 ⁇ m and 4 bus bar electrode shapes with a width of 1.7 mm, dried by a hot air dryer at 200 ° C.
  • a solar cell was produced by firing in the air at a peak temperature of 770 ° C. for 21 seconds in-out to form a conductive film by a high-speed firing test 4-chamber furnace manufactured by Nippon Gaishi Co., Ltd.
  • the above solar cell was irradiated with pseudo-sunlight having a light irradiation energy of 100 mW / cm 2 by a xenon lamp of a solar simulator (manufactured by Wacom Denso Co., Ltd.).
  • the current (short-circuit current) Isc flowing between both terminals when the output terminal of the solar cell is short-circuited is 8.78A
  • the voltage (opening voltage) Voc between both terminals when the output terminal of the solar cell is opened is 8.78A
  • the current density Jsc (short-circuit current Isc per 1cm 2 ) is 3.3 ⁇ 10 -2 A / cm 2
  • the conversion efficiency (power generation efficiency) Eff maximum output Pmax divided by the irradiation light amount (W) (per 1 cm 2 ) is 100.
  • the value multiplied by) was 18.27%, which was good, and the series resistance Rs was 6.4 ⁇ 10 -3 ⁇ / ⁇ .
  • Example 2 Examples except that 5525 g (85% by mass) of silver powder 1 and 975 g (15% by mass) of silver powder 2 were placed in a V-type mixer (DV-1-10 manufactured by Dalton Co., Ltd.) and mixed at 60 rpm for 360 minutes.
  • V-type mixer DV-1-10 manufactured by Dalton Co., Ltd.
  • the cumulative 10% particle size (D 10 ) was obtained.
  • the cumulative 50% particle size (D 50 ) was 2.2 ⁇ m
  • the cumulative 90% particle size (D 90 ) was 4.0 ⁇ m
  • the D 90 / D 10 was 4.4.
  • the frequency was 7.1% and the peak particle size A was 2.5 ⁇ m.
  • the measurement result is shown in FIG. 4A.
  • an SEM image of 10,000 times that of this silver powder (mixed silver powder) is shown in FIG. 4B.
  • the crystallite diameter (Dx) was calculated by the same method as in Example 1, and the compression density was measured.
  • the crystallite diameter (Dx) was 432 angstroms (43. 2 nm) and the compression density was 6.6 g / cm 3 .
  • a conductive paste was obtained by the same method as in Example 1, a solar cell was manufactured, and a series resistance was determined. As a result, 6.4 ⁇ 10 was obtained. It was -3 ⁇ / ⁇ .
  • the silver ammine complex aqueous solution was stirred for 3 minutes, and 357.6 g of a 21.0% by mass (formalin diluted with pure water) aqueous formaldehyde solution (12 per mol of silver) was added to the stirred silver ammine complex aqueous solution. .4 molar equivalents) are mixed, and 15 seconds after the start of this mixing, 6.01 g of an ethanol solution of stearic acid having a concentration of 1.55% by mass (as a reducing agent) is added to terminate the reduction reaction, and silver particles are contained. A slurry was obtained.
  • This slurry is filtered, washed with water until the electrical conductivity of the filtrate reaches 0.2 mS, dried in a vacuum dryer at 73 ° C. for 10 hours, and the obtained dried powder is crushed by a crusher (Kyoritsu Riko Co., Ltd.). It was put into a company-made SK-M10 type) and crushed for 30 seconds twice to obtain silver powder.
  • the volume-based particle size distribution of the silver powder was determined by the same method as in Example 1, and the cumulative particle size (D) was 10%. 10 ) was 1.1 ⁇ m, the cumulative 50% particle size (D 50 ) was 1.8 ⁇ m, the cumulative 90% particle size (D 90 ) was 2.8 ⁇ m, and the D 90 / D 10 was 2.5. Further, assuming that the most frequent particle size is the peak particle size A, the frequency was 10.2% and the peak particle size A was 2.1 ⁇ m. The measurement result is shown in FIG. 5A. An SEM image of 10,000 times that of this silver powder is shown in FIG. 5B.
  • the crystallite diameter (Dx) was calculated by the same method as in Example 1, and the compression density was measured. As a result, the crystallite diameter (Dx) was 332 angstroms (33.2 nm). The compression density was 5.5 g / cm 3 .
  • a conductive paste was obtained by the same method as in Example 1, a solar cell was manufactured, and a series resistance was determined. As a result, 6.8 ⁇ 10 -3 ⁇ / It was ⁇ .
  • Example 2 A commercially available spherical silver powder (atomized silver powder AO-PCGT-25 manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd.) produced by the atomizing method was prepared, and the silver powder was subjected to the same method as in Example 1 (wet laser diffraction / scattering type particle size).
  • the volume-based particle size distribution of silver powder (by distribution measurement) was determined, the cumulative 10% particle size (D 10 ) was 1.5 ⁇ m, the cumulative 50% particle size (D 50 ) was 2.8 ⁇ m, and the cumulative 90% particle size (D 50 ).
  • D 90 ) was 4.8 ⁇ m and D 90 / D 10 was 3.2. Further, when the crystallite diameter (Dx) of this silver powder was calculated by the same method as in Example 1, it was 575 angstroms (57.5 nm).
  • the volume-based particle size distribution of the silver powder was determined by the same method as in Example 1, and the cumulative total was 10%.
  • the particle size (D 10 ) is 0.9 ⁇ m
  • the cumulative 50% particle size (D 50 ) is 2.5 ⁇ m
  • the cumulative 90% particle size (D 90 ) is 4.6 ⁇ m
  • the D 90 / D 10 is 5.1. Met.
  • An SEM image of 10,000 times that of this silver powder (mixed silver powder) is shown in FIG.
  • the crystallite diameter (Dx) was calculated by the same method as in Example 1, and the compression density was measured. As a result, the crystallite diameter (Dx) was 554 angstrom (55.4 nm). ), And the compression density was 6.6 g / cm 3 .
  • a conductive paste was obtained by the same method as in Example 1, a solar cell was manufactured, and a series resistance was determined. As a result, 7.3 ⁇ 10 -3 ⁇ / It was ⁇ .
  • Example 3 Using the silver powder 1 of Example 1 (AG-5-54F manufactured by DOWA Hightech Co., Ltd.), a conductive paste was obtained by the same method as in Example 1, and then a solar cell was produced to obtain a series resistance. When calculated, it was 6.8 ⁇ 10 -3 ⁇ / ⁇ . The compression density of the silver powder 1 was measured by the same method as in Example 1 and found to be 6.2 g / cm 3 .
  • Example 4 Using the silver powder 2 of Example 1 (AG-2-1C manufactured by DOWA Hightech Co., Ltd.), a conductive paste was obtained by the same method as in Example 1, and then a solar cell was produced to obtain a series resistance. As a result, it was 7.1 ⁇ 10 -3 ⁇ / ⁇ .
  • the compression density of the silver powder 1 was measured by the same method as in Example 1 and found to be 5.3 g / cm 3 .
  • each of the solar cells obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 is divided in the direction perpendicular to the surface thereof, and the cross section thereof is divided by using an ion milling device (ArBlade500 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). , With a beam current of 180 ⁇ A, ON-OFF (ON for 20 seconds and OFF for 10 seconds) was repeated intermittently, and milling was performed for 3 hours. Scanning electron micrographs (SEM images) of the cross section of the conductive film of the solar cell milled in this manner are shown in FIGS. 7 to 9.
  • the silver powder according to the present invention forms electrodes for solar cells, internal electrodes for electronic components using low temperature co-fired ceramics (LTCC) and multilayer ceramic electronic components such as multilayer ceramic inductors, and external electrodes such as multilayer ceramic capacitors and multilayer ceramic inductors. Therefore, it can be used as a material for a fired conductive paste to obtain a highly conductive conductive film.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics
  • multilayer ceramic electronic components such as multilayer ceramic inductors
  • external electrodes such as multilayer ceramic capacitors and multilayer ceramic inductors. Therefore, it can be used as a material for a fired conductive paste to obtain a highly conductive conductive film.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

導電性ペーストの材料として使用する場合に、導電性ペーストの焼成時間が従来よりも短くても、抵抗値が低い導電膜を形成することができる、銀粉およびその製造方法を提供する。結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つ累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上で４μｍ以下の大径の銀粉と、結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つ累積５０％粒子径（Ｄ５０）が０．３μｍ以上で１μｍ未満の小径の銀粉とを混合することにより、結晶子径が５０ｎｍ以下であり、且つ圧縮密度が６．３ｇ／ｃｍ３以上である銀粉を製造する。

Description

銀粉およびその製造方法
　本発明は、銀粉およびその製造方法に関し、特に、導電性ペーストの材料に適した銀粉およびその製造方法に関する。
　従来、太陽電池の電極、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）を使用した電子部品や積層セラミックインダクタ（ＭＬＣＩ）などの積層セラミック電子部品の内部電極、積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタなどの外部電極などを形成する導電性ペーストの材料として、銀粉などの金属粉末が使用されている。
　このような銀粉などの金属粉末を使用する導電性ペーストとして、結晶子径が５８ｎｍ以上の第１銀粉末と、この第１銀粉末と異なる結晶子径の第２銀粉末と、ガラスフリットと、樹脂バインダとを含む太陽電池電極用ペーストが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７－１９４５８１号公報（段落番号００１２）
　しかし、特許文献１のペーストを焼成して太陽電池の電極を形成すると、電極の抵抗値が比較的高くなる場合があり、太陽電池の変換効率を向上させるために、電極の抵抗値を低減することが望まれている。また、特許文献１のペーストを焼成して太陽電池の電極を形成する場合、約６００～９００℃の温度で約２～１５分間焼成する必要があり、焼成時間が長く、電極を形成する基板へのダメージが大きくなる。
　したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、導電性ペーストの材料として使用する場合に、導電性ペーストの焼成時間が従来よりも短くても、抵抗値が低い導電膜を形成することができる、銀粉およびその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上で４μｍ以下の大径の銀粉と、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が０．３μｍ以上で１μｍ未満の小径の銀粉とを混合することにより、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり、且つ圧縮密度が６．３ｇ／ｃｍ３以上である銀粉を製造すれば、導電性ペーストの材料として使用する場合に、導電性ペーストの焼成時間が従来よりも短くても、抵抗値が低い導電膜を形成することができる、銀粉を製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明による銀粉の製造方法は、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上で４μｍ以下の大径の銀粉と、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が０．３μｍ以上で１μｍ未満の小径の銀粉とを混合することにより、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つ圧縮密度が６．３ｇ／ｃｍ３以上である銀粉を製造することを特徴とする。
　この銀粉の製造方法において、製造された銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比が４．０～６．５であるのが好ましい。また、製造された銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１．２～３．０μｍであるのが好ましい。また、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置による湿式の測定が、銀粉をイソプロピルアルコールに分散させて行われるのが好ましい。
　また、本発明による銀粉は、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つ圧縮密度が６．３ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする。
　この銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比が４．０～６．５であるのが好ましい。また、この銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１．２～３．０μｍであるのが好ましい。また、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置による湿式の測定が、上記の銀粉をイソプロピルアルコールに分散させて行われるのが好ましい。
　さらに、本発明による導電性ペーストは、上記の銀粉が有機成分中に分散していることを特徴とする。
　本発明によれば、導電性ペーストの材料として使用する場合に、導電性ペーストの焼成時間が従来よりも短くても、抵抗値が低い導電膜を形成することができる、銀粉を製造することができる。
実施例で使用した銀粉１のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布を示す図である。 実施例で使用した銀粉１の１万倍の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）である。 実施例で使用した銀粉２のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布を示す図である。 実施例で使用した銀粉２の１万倍のＳＥＭ像である。 実施例１で得られた銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布を示す図である。 実施例１で得られた銀粉の１万倍のＳＥＭ像である。 実施例２で得られた銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布を示す図である。 実施例２で得られた銀粉の１万倍のＳＥＭ像である。 比較例１で得られた銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布を示す図である。 比較例１で得られた銀粉の１万倍のＳＥＭ像である。 比較例２で得られた銀粉の１万倍のＳＥＭ像である。 実施例１で得られた導電性ペーストを焼成した後の導電膜の断面の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）である。 実施例２で得られた導電性ペーストを焼成した後の導電膜の断面のＳＥＭ像である。 比較例１で得られた導電性ペーストを焼成した後の導電膜の断面のＳＥＭ像である。
　本発明による銀粉の実施の形態の製造方法では、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ（好ましくは４２ｎｍ）以下であり且つレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上で４μｍ以下の大径の銀粉と、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ（好ましくは４２ｎｍ）以下であり且つレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が０．３μｍ以上で１μｍ未満の小径の銀粉とを混合することにより、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり、且つ圧縮密度が６．３ｇ／ｃｍ３以上である銀粉を製造する。
　この銀粉の製造方法により製造された銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比が４．０～６．５であるのが好ましい。また、製造された銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１．２～３．０μｍであるのが好ましく、１．５～２．８μｍであるのがさらに好ましい。また、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置による湿式の測定が、銀粉をイソプロピルアルコールなどの溶媒に分散させて行われるのが好ましい。
　また、本発明による銀粉の実施の形態は、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり、且つ圧縮密度が６．３ｇ／ｃｍ３以上である。
　この銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比が４．０～６．５であるのが好ましい。また、この銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１．２～３．０μｍであるのが好ましく、１．５～２．８μｍであるのがさらに好ましい。なお、銀粉（混合銀粉）中の大径の銀粉と小径の銀粉の質量比は、９５：５～５０：５０であるのが好ましく、９０：１０～６５：３５であるのがさらに好ましい。また、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置による湿式の測定が、上記の銀粉をイソプロピルアルコールなどの溶媒に分散させて行われるのが好ましい。
　本発明による銀粉の実施の形態を（焼成型導電性ペーストなどの）導電性ペーストの材料として使用する場合、導電性ペーストの構成要素として、銀粉と、（飽和脂肪族炭化水素類、不飽和脂肪族炭化水素類、ケトン類、芳香族炭化水素類、グリコールエーテル類、エステル類、アルコール類などの）有機溶剤が含まれる。また、必要に応じて、（エチルセルロースやアクリル樹脂などの）バインダ樹脂を有機溶剤に溶解したビヒクル、ガラスフリット、無機酸化物、分散剤などを含んでもよい。
　導電性ペースト中の銀粉の含有量は、導電性ペーストの導電性および製造コストの観点から、５～９８質量％であるのが好ましく、７０～９５質量％であるのがさらに好ましい。また、導電性ペースト中のバインダ樹脂の含有量は、導電性ペースト中の銀粉の分散性や導電性ペーストの導電性の観点から、０．１～１０質量％であるのが好ましく、０．１～６質量％であるのがさらに好ましい。このバインダ樹脂を有機溶剤に溶解したビヒクルは、２種以上を混合して使用してもよい。また、導電性ペースト中のガラスフリットの含有量は、導電性ペーストを基板に塗布して電極を形成する場合に、導電性ペーストを焼結した後のファイアスルーによる電極と基板間の導通の確保と電極の導電性の観点から、０．１～２０質量％であるのが好ましく、０．１～１０質量％であるのがさらに好ましい。このガラスフリットは、２種以上を混合して使用してもよい。また、導電性ペースト中の有機溶剤の含有量（導電性ペースト中にビヒクルが含まれる場合は、ビヒクルの有機溶剤を含む合計の有機溶剤の含有量）は、導電性ペースト中の銀粉の分散性や導電性ペーストの適切な粘度を考慮して、０．８～２０質量％であるのが好ましく、０．８～１５質量％であるのがさらに好ましい。この有機溶剤は、２種以上を混合して使用してもよい。
　このような導電性ペーストは、例えば、各構成要素を計量して所定の容器に入れ、らいかい機、万能攪拌機、ニーダーなどを用いて予備混練した後、３本ロールで本混練することによって作製することができる。また、必要に応じて、その後、有機溶剤を添加して、粘度調整を行ってもよい。また、ガラスフリットや無機酸化物とビヒクルのみを本混練して粒度を下げた後、最後に銀粉を追加して本混練してもよい。
　以下、本発明による銀粉およびその製造方法の実施例について詳細に説明する。
［実施例１］
　市販の銀粉１（ＤＯＷＡハイテック株式会社製のＡＧ－５－５４Ｆ）を用意し、この銀粉１０．１ｇをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）４０ｍＬに加えて、チップ先端直径１８ｍｍの超音波ホモジナイザー（株式会社日本精機製作所製のＵＳ－１５０Ｔ、１９．５ｋＨｚ）により２分間分散させて得られた試料について、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置（マイクロトラック・ベル株式会社製のＭＩＣＲＯＴＲＡＣ　ＭＴ３３００ＥＸＩＩ）により、全反射モードで（湿式レーザー回折・散乱式粒度分布測定による）銀粉１の体積基準の粒度分布を求めたところ、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は１．７μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は２．５μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は３．９μｍであり、Ｄ９０／Ｄ１０は２．３であった。また、最も頻度の高い粒径をピーク粒径Ａとすると、頻度１１．２％でピーク粒径Ａは２．８μｍであった。この測定結果を図１Ａに示す。また、この銀粉（銀粉１）の１万倍の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）を図１Ｂに示す。
　また、上記の銀粉１について、粉末Ｘ線回折装置（株式会社リガク製のＲＡＤ－ｒＢ）により、Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。このＸ線回折測定により得られたＸ線回折パターンから、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式（Ｄｈｋｌ＝Ｋλ／βｃｏｓθ）によって結晶子径（Ｄｘ）を求めた。この式中、Ｄｈｋｌは結晶子径の大きさ（ｈｋｌに垂直な方向の結晶子の大きさ）（オングストローム）、λは測定Ｘ線の波長（オングストローム）（Ｃｕターゲット使用時１．５４０５オングストローム）、βは結晶子の大きさによる回折線の広がり（ｒａｄ）（半価幅を用いて表す）、θは回折角のブラッグ角（ｒａｄ）（入射角と反射角が等しいときの角度であり、ピークトップの角度を使用する）、ＫはＳｃｈｅｒｒｅｒ定数（Ｄやβの定義により異なり、βに半価幅を用いる場合にはＫ＝０．９４）である。なお、計算には（２００）面のピークデータを使用した。その結果、銀粉１の結晶子径（Ｄｘ）は３９０オングストローム（３９．０ｎｍ）であった。
　また、上記の銀粉（銀粉１）２０ｇを乾式自動密度計（マイクロメリティックス社製のアキュピックＩＩ１３４０）の内径１．９１ｃｍφの円筒形のチャンバに充填した後に４０Ｎ／ｃｍ２の圧力で圧縮したときの銀粉の密度を圧縮密度として測定したところ、６．２ｇ／ｃｍ３であった。
　また、別の市販の銀粉２（ＤＯＷＡハイテック株式会社製のＡＧ－２－１Ｃ）を用意し、この銀粉２について、上記と同様の方法により、（湿式レーザー回折・散乱式粒度分布測定による）銀粉２の体積基準の粒度分布を求めたところ、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は０．４μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は０．９μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は１．７μｍであり、Ｄ９０／Ｄ１０は４．２５であった。また、最も頻度の高い粒径をピーク粒径Ａとすると、頻度６．６％でピーク粒径Ａは１．１μｍであった。この測定結果を図２Ａに示す。また、この銀粉（銀粉２）の１万倍のＳＥＭ像を図２Ｂに示す。
　また、上記の銀粉２について、上記と同様の方法により、結晶子径（Ｄｘ）を算出したところ、３８３オングストローム（３８．３ｎｍ）であった。
　次に、４２．５ｇ（８５質量％）の銀粉１と７．５ｇ（１５質量％）の銀粉２を電動コーヒーミル（メリタ株式会社製のＥＣＧ－６２）に入れ、４分間混合した。
　このようにして得られた銀粉（混合銀粉）について、上記と同様の方法により、（湿式レーザー回折・散乱式粒度分布測定による）銀粉の体積基準の粒度分布を求めたところ、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は０．８μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は２．１μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は４．１μｍであり、Ｄ９０／Ｄ１０は５．１であった。また、最も頻度の高い粒径をピーク粒径Ａとすると、頻度６．５％でピーク粒径Ａは２．５μｍであった。この測定結果を図３Ａに示す。また、この銀粉（混合銀粉）の１万倍のＳＥＭ像を図３Ｂに示す。
　また、得られた銀粉（混合銀粉）について、上記と同様の方法により、結晶子径（Ｄｘ）を算出したところ、４５６オングストローム（４５．６ｎｍ）であった。
　また、得られた銀粉（混合銀粉）２０ｇを乾式自動密度計（マイクロメリティックス社製のアキュピックＩＩ１３４０）の内径１．９１ｃｍφの円筒形のチャンバに充填した後に４０Ｎ／ｃｍ２の圧力で圧縮したときの銀粉の密度を圧縮密度として測定したところ、７．１ｇ／ｃｍ３であった。
　また、得られた銀粉（混合銀粉）８９．８質量％と、ガラスフリット（岡本ガラス株式会社製のＦＳＧＣＯ２）２．０質量％と、分散剤としてオレイン酸０．４質量％と、樹脂としてエチルセルロールとヒドロキシプロピルセルロースの混合物０．２質量％と、溶剤としてテルピネオールとテキサノールとブチルカルビトールアセテートの混合物６．２質量％と、チクソ剤として水添ヒマシ油１．１質量％と、ライン形状保持剤としてジメチルポリシロキサン０．４質量％とをプロペラレス自公転式攪拌脱泡装置（株式会社シンキー製のＡＲ２５０）で混練し、３本ロール（ＥＸＡＫＴ社製の８０Ｓ）で混練した後、５００μｍのメッシュを通過させることにより、導電性ペーストを得た。
　次に、太陽電池用シリコン基板（１００Ω／□）を用意し、このシリコン基板の裏面にスクリーン印刷機（マイクロテック株式会社製のＭＴ－３２０Ｔ）によりアルミペースト（東洋アルミニウム株式会社製のアルソーラー１４－７０２１）を１５４ｍｍ四方の矩形のパターンに印刷して、熱風式乾燥機により２００℃で１０分間乾燥するとともに、シリコン基板の表面にスクリーン印刷機（マイクロテック株式会社製のＭＴ－３２０Ｔ）により、上記の導電性ペーストを幅２７μｍの１１０本のフィンガー電極形状と幅１．７ｍｍの４本のバスバー電極形状に印刷して、熱風式乾燥機により２００℃で１０分間乾燥した後に、高速焼成ＩＲ炉（日本ガイシ株式会社製の高速焼成試験４室炉）により、大気中において、イン－アウト２１秒間としてピーク温度７７０℃で焼成して導電膜を形成することにより太陽電池を作製した。
　上記の太陽電池にソーラーシミュレータ（株式会社ワコム電創製）のキセノンランプにより光照射エネルギー１００ｍＷ／ｃｍ２の疑似太陽光を照射した。その結果、太陽電池の出力端子を短絡させたときに両端子間に流れる電流（短絡電流）Ｉｓｃは８．７８Ａ、太陽電池の出力端子を開放したときの両端子間の電圧（開放電圧）Ｖｏｃは０．６３Ｖ、電流密度Ｊｓｃ（１ｃｍ２当たりの短絡電流Ｉｓｃ）は３．３×１０－２Ａ／ｃｍ２、最大出力Ｐｍａｘ（＝Ｉｍａｘ・Ｖｍａｘ）を開放電圧Ｖｏｃと電流密度Ｊｓｃの積で除した値（曲線因子）ＦＦ（＝Ｐｍａｘ／Ｖｏｃ・Ｉｓｃ）は７９．６６、変換効率（発電効率）Ｅｆｆ（最大出力Ｐｍａｘを（１ｃｍ２当たりの）照射光量（Ｗ）で除した値に１００を乗じた値）は１８．２７％で良好であり、直列抵抗Ｒｓは６．４×１０－３Ω／□であった。
［実施例２］
　５５２５ｇ（８５質量％）の銀粉１と９７５ｇ（１５質量％）の銀粉２をＶ型混合器（株式会社ダルトン製のＤＶ－１－１０）に入れ、６０ｒｐｍで３６０分間混合した以外は、実施例１と同様の方法により、得られた銀粉（混合銀粉）について、（湿式レーザー回折・散乱式粒度分布測定による）銀粉の体積基準の粒度分布を求めたところ、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は０．９μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は２．２μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は４．０μｍであり、Ｄ９０／Ｄ１０は４．４であった。また、最も頻度の高い粒径をピーク粒径Ａとすると、頻度７．１％でピーク粒径Ａは２．５μｍであった。この測定結果を図４Ａに示す。また、この銀粉（混合銀粉）の１万倍のＳＥＭ像を図４Ｂに示す。
　また、得られた銀粉（混合銀粉）について、実施例１と同様の方法により、結晶子径（Ｄｘ）を算出し、圧縮密度を測定したところ、結晶子径（Ｄｘ）は４３２オングストローム（４３．２ｎｍ）であり、圧縮密度は６．６ｇ／ｃｍ３であった。
　また、得られた銀粉（混合銀粉）を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、太陽電池を作製し、直列抵抗を求めたところ、６．４×１０－３Ω／□であった。
［比較例１］
　銀濃度１．４質量％の硝酸銀水溶液３６７０．１ｇをガラス製ビーカーに入れ、この硝酸銀水溶液に、濃度２８質量％のアンモニア水１６１．８ｇ（銀１モルに対してアンモニア２．６７モル当量）を加え、このアンモニア水を加えてから３０秒後に、濃度２０質量％の水酸化ナトリウム水溶液７．５ｇを加えて、銀アンミン錯体水溶液を得た。この銀アンミン錯体水溶液を３分間撹拌し、この撹拌されている銀アンミン錯体水溶液に、（ホルマリンを純水で希釈した）２１．０質量％のホルムアルデヒド水溶液３５７．６ｇ（銀１モルに対して１２．４モル当量）を混合し、この混合開始から１５秒後に、（還元剤として）濃度１．５５質量％のステアリン酸のエタノール溶液６．０１ｇを加えて還元反応を終了させ、銀粒子を含むスラリーを得た。このスラリーをろ過し、ろ液の電気伝導率が０．２ｍＳになるまで水洗した後、真空乾燥機により７３℃で１０時間乾燥させた後、得られた乾燥粉を解砕機（協立理工株式会社製のＳＫ－Ｍ１０型）に投入し、３０秒間の解砕を２回繰り返して銀粉を得た。
　このようにして得られた銀粉について、実施例１と同様の方法により、（湿式レーザー回折・散乱式粒度分布測定による）銀粉の体積基準の粒度分布を求めたところ、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は１．１μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は１．８μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は２．８μｍであり、Ｄ９０／Ｄ１０は２．５であった。また、最も頻度の高い粒径をピーク粒径Ａとすると、頻度１０．２％でピーク粒径Ａは２．１μｍであった。この測定結果を図５Ａに示す。また、この銀粉の１万倍のＳＥＭ像を図５Ｂに示す。
　また、得られた銀粉について、実施例１と同様の方法により、結晶子径（Ｄｘ）を算出し、圧縮密度を測定したところ、結晶子径（Ｄｘ）は３３２オングストローム（３３．２ｎｍ）であり、圧縮密度は５．５ｇ／ｃｍ３であった。
　また、得られた銀粉を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、太陽電池を作製し、直列抵抗を求めたところ、６．８×１０－３Ω／□であった。
［比較例２］
　アトマイズ法により製造された市販の球状銀粉（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製のアトマイズ銀粉ＡＯ－ＰＣＧＴ－２５）を用意し、この銀粉について、実施例１と同様の方法により、（湿式レーザー回折・散乱式粒度分布測定による）銀粉の体積基準の粒度分布を求めたところ、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は１．５μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は２．８μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は４．８μｍであり、Ｄ９０／Ｄ１０は３．２であった。また、この銀粉について、実施例１と同様の方法により、結晶子径（Ｄｘ）を算出したところ、５７５オングストローム（５７．５ｎｍ）であった。
　この銀粉４５．２ｇと実施例１の銀粉２（ＤＯＷＡハイテック株式会社製のＡＧ－２－１Ｃ）７．５ｇを電動コーヒーミル（メリタ株式会社製のＥＣＧ－６２）に入れ、４分間混合した。
　このようにして得られた銀粉（混合銀粉）について、実施例１と同様の方法により、（湿式レーザー回折・散乱式粒度分布測定による）銀粉の体積基準の粒度分布を求めたところ、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は０．９μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は２．５μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は４．６μｍであり、Ｄ９０／Ｄ１０は５．１であった。なお、この銀粉（混合銀粉）の１万倍のＳＥＭ像を図６に示す。
　また、上記の銀粉（混合銀粉）について、実施例１と同様の方法により、結晶子径（Ｄｘ）を算出し、圧縮密度を測定したところ、結晶子径（Ｄｘ）は５５４オングストローム（５５．４ｎｍ）であり、圧縮密度は６．６ｇ／ｃｍ３であった。
　また、得られた銀粉を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、太陽電池を作製し、直列抵抗を求めたところ、７．３×１０－３Ω／□であった。
［比較例３］
　実施例１の銀粉１（ＤＯＷＡハイテック株式会社製のＡＧ－５－５４Ｆ）を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、太陽電池を作製し、直列抵抗を求めたところ、６．８×１０－３Ω／□であった。なお、実施例１と同様の方法により、銀粉１の圧縮密度を測定したところ、６．２ｇ／ｃｍ３であった。
［比較例４］
　実施例１の銀粉２（ＤＯＷＡハイテック株式会社製のＡＧ－２－１Ｃ）を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、太陽電池を作製し、直列抵抗を求めたところ、７．１×１０－３Ω／□であった。なお、実施例１と同様の方法により、銀粉１の圧縮密度を測定したところ、５．３ｇ／ｃｍ３であった。
　これらの実施例および比較例の銀粉の特性を表１～表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　また、実施例１～２および比較例１で得られた各々の太陽電池をその表面に対して垂直方向に割り、その断面を、イオンミリング装置（株式会社日立ハイテクノロジーズ製のＡｒＢｌａｄｅ５００）を用いて、ビーム電流１８０μＡで、間欠的にＯＮ－ＯＦＦ（２０秒間ＯＮと１０秒間ＯＦＦ）を繰り返して、３時間ミリングした。このようにしてミリングした太陽電池の導電膜の断面の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）を図７～図９に示す。
　本発明による銀粉は、太陽電池の電極、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）を使用した電子部品や積層セラミックインダクタなどの積層セラミック電子部品の内部電極、積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタなどの外部電極などを形成するために、焼成型導電性ペーストの材料として利用して、高い導電性の導電膜を得ることができる。

Claims (9)

  1. 粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上で４μｍ以下の大径の銀粉と、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が０．３μｍ以上で１μｍ未満の小径の銀粉とを混合することにより、粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つ圧縮密度が６．３ｇ／ｃｍ３以上である銀粉を製造することを特徴とする、銀粉の製造方法。
  2. 前記製造された銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比が４．０～６．５であることを特徴とする、請求項１に記載の銀粉の製造方法。
  3. 前記製造された銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１．２～３．０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の銀粉の製造方法。
  4. 前記レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置による湿式の測定が、前記銀粉をイソプロピルアルコールに分散させて行われることを特徴とする、請求項１に記載の銀粉の製造方法。
  5. 粉末Ｘ線回折装置により測定して算出した結晶子径が５０ｎｍ以下であり且つ圧縮密度が６．３ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする、銀粉。
  6. 前記銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比が４．０～６．５であることを特徴とする、請求項５に記載の銀粉。
  7. 前記銀粉のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により湿式で測定して得られた体積基準の粒度分布において累積５０％粒子径（Ｄ５０）が１．２～３．０μｍであることを特徴とする、請求項５に記載の銀粉。
  8. 前記レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置による湿式の測定が、前記銀粉をイソプロピルアルコールに分散させて行われることを特徴とする、請求項５に記載の銀粉。
  9. 請求項５に記載の銀粉が有機成分中に分散していることを特徴とする、導電性ペースト。
PCT/JP2020/023615 2019-06-27 2020-06-16 銀粉およびその製造方法 WO2020262119A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227002086A KR20220027978A (ko) 2019-06-27 2020-06-16 은 분말 및 그의 제조 방법
CN202080045793.2A CN114008727A (zh) 2019-06-27 2020-06-16 银粉及其制造方法
US17/622,275 US20220258230A1 (en) 2019-06-27 2020-06-20 Silver powder and method for producing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-119934 2019-06-27
JP2019119934A JP7334076B2 (ja) 2019-06-27 2019-06-27 銀粉およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020262119A1 true WO2020262119A1 (ja) 2020-12-30

Family

ID=74061954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/023615 WO2020262119A1 (ja) 2019-06-27 2020-06-16 銀粉およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220258230A1 (ja)
JP (1) JP7334076B2 (ja)
KR (1) KR20220027978A (ja)
CN (1) CN114008727A (ja)
TW (1) TWI777181B (ja)
WO (1) WO2020262119A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010070793A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Dowa Electronics Materials Co Ltd 球状銀粉およびその製造方法
WO2015194536A1 (ja) * 2014-06-16 2015-12-23 国立大学法人大阪大学 銀粒子の合成方法、銀粒子、導電性ペーストの製造方法、および導電性ペースト
JP2018049735A (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 矢崎総業株式会社 導電性ペースト及びそれを用いた配線板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4976642B2 (ja) * 2004-02-10 2012-07-18 三井金属鉱業株式会社 高結晶性銀粉及びその製造方法
JP5323307B2 (ja) 2005-12-21 2013-10-23 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 太陽電池電極用ペースト
JP6856350B2 (ja) * 2015-10-30 2021-04-07 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010070793A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Dowa Electronics Materials Co Ltd 球状銀粉およびその製造方法
WO2015194536A1 (ja) * 2014-06-16 2015-12-23 国立大学法人大阪大学 銀粒子の合成方法、銀粒子、導電性ペーストの製造方法、および導電性ペースト
JP2018049735A (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 矢崎総業株式会社 導電性ペースト及びそれを用いた配線板

Also Published As

Publication number Publication date
TW202102691A (zh) 2021-01-16
US20220258230A1 (en) 2022-08-18
KR20220027978A (ko) 2022-03-08
JP2021004410A (ja) 2021-01-14
CN114008727A (zh) 2022-02-01
JP7334076B2 (ja) 2023-08-28
TWI777181B (zh) 2022-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10170213B2 (en) Silver powder and method for producing same
JP5937730B2 (ja) 銅粉の製造方法
CN113677458B (zh) 混合银粉和包含其的导电糊
JP7093812B2 (ja) 銀粉およびその製造方法
JP2004330247A (ja) ニッケル粉末、及び導電性ペースト、並びに積層セラミック電子部品
WO2020262119A1 (ja) 銀粉およびその製造方法
JP5756694B2 (ja) 扁平金属粒子
JP6791652B2 (ja) 銀粉およびその製造方法
WO2020262115A1 (ja) 銀粉およびその製造方法
US11801556B2 (en) Metal particle aggregates, method for producing same, paste-like metal particle aggregate composition, and method for producing bonded body using said paste-like metal particle aggregate composition
JP5362615B2 (ja) 銀粉及びその製造方法
JP2013504177A (ja) 光電池のための導体
JP6357599B1 (ja) 導電性ペースト
WO2019054242A1 (ja) 銀被覆ガラス粉末およびその製造方法
JP2021063254A (ja) ニッケル粒子及びその製造方法
JP2003328001A (ja) 金属粉末およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20833472

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227002086

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20833472

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1