KR20140089365A

KR20140089365A - 은분

Info

Publication number: KR20140089365A
Application number: KR1020147011996A
Authority: KR
Inventors: 게이스케 미야노하라; 도시카즈 마츠야마
Original assignee: 미쓰이금속광업주식회사
Priority date: 2012-03-12
Filing date: 2012-12-13
Publication date: 2014-07-14
Also published as: CN103930226B; WO2013136615A1; TW201338893A; JP2013185251A; JP5985216B2; CN103930226A

Abstract

은 페이스트 중의 은 농도를 높게 할 수 있고, 균질이며 또한, 전기 저항이 한층 더 낮은 소결 도체를 형성할 수 있는, 새로운 은분을 제공한다. 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D50(「_SEMD50」이라 함)이 2.50㎛∼7.50㎛이고, 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D10(「_SEMD10」이라 함), D50(「_SEMD50」이라 함) 및 D90(「_SEMD90」이라 함)의 관계가, 관계식 : (_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50≤0.50으로 표시되는 것을 특징으로 하는 은분을 제안한다.

Description

은분{SILVER POWDER}

본 발명은, 소결형 도전성 페이스트에 호적(好適)하게 사용할 수 있는 은분에 관한 것이다.

도전성 페이스트는, 수지계 바인더와 용매로 이루어지는 비이클 중에 도전 필러를 분산시킨 유동성 조성물이며, 전기 회로의 형성이나, 세라믹 콘덴서의 외부 전극의 형성 등에 널리 사용되고 있다. 이러한 종류의 도전성 페이스트에는, 수지의 경화에 의하여 도전성 필러가 압착되어 도통(導通)을 확보하는 수지 경화형과, 고온 소결에 의하여 유기 성분이 휘발하고 도전성 필러가 소결하여 도통을 확보하는 소결형이 있다.

이 중의 소결형 도전성 페이스트는, 일반적으로 도전 필러(금속 분말)와 유리 프릿(frit)을 유기 비이클 중에 분산시켜서 이루어지는 페이스트상 조성물이며, 400∼800℃에서 소결함에 의해, 유기 비이클이 휘발하고, 또한 도전 필러가 소결함에 의하여 도통성을 확보하는 것이다. 이때, 유리 프릿은, 이 도전막을 기판에 접착시키는 작용을 가지며, 유기 비이클은, 금속 분말 및 유리 프릿을 인쇄 가능하게 하기 위한 유기 액체 매체로서 작용한다.

이러한 소결형 도전성 페이스트에 사용하는 은분에 대해서는, 종래, 전극이나 회로의 파인 라인화에 대응하기 위하여, 미립이며 또한 샤프한 입도 분포를 갖는 은분이 일반적으로 요구되기 때문에, 그에 대응한 새로운 기술이 제안되어 있다.

또한, 이러한 종류의 은분에는, 건식법으로 제작된 건식 은분과 습식법으로 제작된 습식 은분이 있지만, 습식 은분은, 작은 결정이 모여서 하나의 입자를 형성하기 때문에, 건식 은분에 비해서, 소성 온도가 낮다는 특징이 있다.

그래서 습식 은분에 관하여, 종래, 예를 들면 특허문헌 1에 있어서, 미립의 은분이며, 또한 분립의 응집이 적은 단분산에 보다 가까운 분산성을 구비하는 미립 은분으로서, 주사형 전자현미경상(電子顯微鏡像)의 화상 해석에 의해 얻어지는 1차 입자의 평균 입경 D_IA가 0.6㎛ 이하이고, 상기 1차 입자의 평균 입경 D_IA와, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정법에 의한 평균 입경 D₅₀를 사용해서 D₅₀/D_IA로 표시되는 응집도가 1.5 이하이고, 결정자경이 10㎚ 이하이고, 유기 불순물 함유량이 탄소량 환산으로 0.25wt% 이하인 미립 은분이 제안되어 있다.

또한, 특허문헌 2에는, 평균 입경이 0.1㎛ 이상, 1㎛ 미만이고, 입도 분포가 샤프하며 또한 고분산성의 구상 은분으로서, 레이저 회절법에 의해 측정한 누적 10질량% 입경을 D10, 누적 50질량% 입경을 D50, 누적 90질량% 입경을 D90으로 표기하고, 주사형 전자현미경상의 화상 해석으로부터 얻어지는 1차 입자의 평균 입경을 DSEM으로 표기했을 때, D50이 0.1㎛ 이상, 1㎛ 미만, 또한, D50/DSEM의 값이 1.3 이하, 또한, (D90-D10)/D50의 값이 0.8 이하인 것을 특징으로 하는 구상 은분이 제안되어 있다.

일본국 특개2005-48237호 공보 일본국 특개2010-70793호 공보

도전성 페이스트를 사용해서 전극이나 회로 등의 소결 도체를 형성할 때, 균질이며 또한, 전기 저항이 한층 더 낮은 소결 도체를 형성하는 것은 중요한 과제의 하나이며, 그것을 위한 수단으로서, 은 페이스트 중의 은 농도를 높게 하는 방법을 생각할 수 있다.

그래서 본 발명은, 은 페이스트 중의 은 농도를 높게 할 수 있고, 균질이며 또한, 전기 저항이 한층 더 낮은 소결 도체를 형성할 수 있는, 새로운 은분을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명은, 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D50(「_SEMD50」이라 함)이 2.50㎛∼7.50㎛이고, 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D10(「_SEMD10」이라 함), D50(「_SEMD50」이라 함) 및 D90(「_SEMD90」이라 함)의 관계가, 관계식 : (_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50≤0.50으로 표시되는 것을 특징으로 하는 은분을 제안한다.

본 발명이 제안하는 은분은, 은 페이스트 중의 은 농도를 높게 할 수 있고, 균질이며 또한, 전기 저항이 한층 더 낮은 소결 도체를 형성할 수 있다.

종래의 은분 입자는, 미립자를 많이 함유하기 때문에, 대체로 비표면적이 커, 은 페이스트를 조제할 때에는 다량의 수지가 필요해지고, 그 때문에, 페이스트 중의 은 농도를 높이는 것이 어렵고, 그 결과로서 소결 도체의 전기 저항이 높아져 버리고 있었다. 그에 대하여, 본 발명이 제안하는 은분은, 비교적 대입경이면서, 입경이 고르게 되어 있기 때문에, 은 페이스트 중의 은 농도를 높게 할 수 있고, 균질이며 또한, 전기 저항이 한층 더 낮은 소결 도체를 형성할 수 있다.

다음으로, 실시의 형태예에 의거하여 본 발명을 설명하지만, 본 발명이 다음에 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다.

<본 은분>

본 실시형태에 따른 은분(이하, 「본 은분」이라 함)은, 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D50(「_SEMD50」이라 함)이 2.50㎛∼7.50㎛이고, 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D10(「_SEMD10」이라 함), D50(「_SEMD50」이라 함) 및 D90(「_SEMD90」이라 함)의 관계가, 관계식 : (_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50≤0.50으로 표시되는 것을 특징으로 하는 은분이다.

이하, 본 은분의 특징에 대하여 설명한다.

(습식 은분)

본 은분은, 습식법으로 제작되는 습식 은분, 건식법으로 제작되는 은분을 모두 포함한다. 그 중에서도, 습식 은분인 것이 바람직하다.

습식 은분의 특징은, 작은 결정자가 모여서 하나의 입자를 형성하기 때문에, 건식법으로 제작되는 은분에 비해서, TMA 측정에 있어서의 500℃에서의 수축율이 크다는 특징이 있다. 본 은분이 습식 은분이면, TMA 측정에 있어서의 500℃에서의 수축은 1.0∼23.0%, 그 중에서도 3.0% 이상 혹은 23.0% 이하로 되며, 그 중에서도 바람직하게는 5.0% 이상 혹은 23.0% 이하로 된다.

이때, 상기한 TMA 측정에 있어서의 수축율은 다음과 같이 측정할 수 있다.

은분(샘플) 0.2g을 사용하여, 493㎏을 가중시켜서 φ3.8㎜의 원주상으로 성형했다. 이 성형체의 세로 방향의 선 수축율(%)을, 이코인스트루먼츠사제의 열기계 분석 장치(TMA)(EXSTAR6000TMA/SS6200)를 사용하여, 98mN의 하중을 걸면서 Air 분위기 중 20℃/분의 승온 속도로 측정하여, 500℃에 있어서의 열수축율(%)을 구할 수 있다.

또한, 습식법에 의하면, 진구상(眞球狀) 혹은 거의 진구상의 입자이며, 또한 대입경의 것을 제작할 수 있다. 건식법이어도, 아토마이즈법 혹은 PVD법에 의하여 구상의 입자를 제작하는 것은 가능하지만, 아토마이즈법으로는 진구 입자를 제작하는 것은 곤란하며, PVD법으로는, 진구가 얻어져도, 본 발명이 규정하는 정도 대입자를 제작하는 것은 곤란하다.

(D50)

본 은분에 있어서는, 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D50(「_SEMD50」이라 함)이 2.50㎛∼7.50㎛인 것이 중요하다.

본 은분의 _SEMD50이 2.50㎛ 이상이면, 페이스트 조제 시에 수지의 양을 줄일 수 있으며, 그 결과로서 형성한 소결 도체의 전기 저항을 낮게 할 수 있다. 또한, _SEMD50이 7.50㎛ 이하이면 비교적 안정적으로 제조할 수 있다.

따라서, 이러한 관점에서, 본 은분의 _SEMD50은, 특히 3.00㎛ 이상, 혹은 6.50㎛ 이하, 그 중에서도 3.00㎛ 이상, 혹은, 5.50㎛ 이하인 것이 한층 더 바람직하다.

(입도 분포)

본 은분에 있어서는, 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D10(「_SEMD10」이라 함), D50(「_SEMD50」이라 함) 및 D90(「_SEMD90」이라 함)의 관계가, 관계식 : (_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50≤0.50으로 표시되는 것이 중요하다.

여기에서, D10은, 주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 입도 분포에 있어서의 개수 기준 누적 도수(度數) 10%의 입자경의 의미이고, D50은, 당해 개수 기준 누적 도수 50%의 입자경의 의미이고, D90은, 당해 개수 기준 누적 도수 90%의 입자경의 의미이다.

(_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50의 값이 0.50 이하이면, 입도 분포가 고르게 되어 있어, 균질인 도전성 페이스트를 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 어느 온도역에서 단시간 안에 소결시킬 수 있다. 이러한 관점에서, (_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50의 값은 0.20 이상 혹은 0.44 이하인 것이 바람직하며, 그 중에서도 0.20 이상 혹은 0.40 이하인 것이 한층 더 바람직하다.

단, 미립자나 조립자(粗粒子)가 약간 함유되어 있어도, 효과에 영향은 적기 때문에, 대략적으로 보아 입도가 고르게 되어 있으면 된다. 그 의미에서 (_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50의 값이 0.50 이하이면, 미립자나 조립자가 함유되어 있어도 된다.

또한, (_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50의 분포가, 하나의 정점(頂点)과 양측에 완만한 산자락을 갖는 단봉성(單峰性) 피크를 나타내는 것이며, 분급에 따라 구획지어지는 분포와는 구별되는 것이다.

<제법>

다음으로, 본 은분의 바람직한 제조 방법으로서, 습식법에 의한 구체적인 제조 방법에 대하여 설명한다. 단, 상술한 바와 같이 습식법으로 한정하는 것은 아니다.

종래의 습식 환원법으로 대입경의 은분을 제조하려고 하면, 환원 반응을 서서히 진행시켜, 입자를 성장시키는 과정이 필요했다. 그러나, 그렇게 하면, 소입경 혹은 소입경의 응집체가 혼재하게 되기 때문에 샤프한 입도 분포를 얻는 것은 곤란했다. 또한, 아토마이즈법에 의하여 대입경을 제조하는 것은 가능하지만, 입자가 지나치게 안정하기 때문에, 소결 온도가 높아져, 소결형 도전성 페이스트에 사용하는 은분으로서는 부적합해진다. 또한, 분급에 의하여 대입경이고 샤프한 입도 분포를 얻는 것도 가능하지만, 생산성이 문제였다.

그래서, 본 발명은, 환원 반응에 사용하는 환원제 용액의 용존 산소를 높여서, 은 원료 용액, 환원제 용액 및 그 외 첨가제를 정지(靜止)한 상태에서 반응시킴으로써, 대입경이며, 또한 입경이 고르게 되어 있는 은분을 얻는 것에 성공했다. 즉, 환원제 용액 중의 용존 산소가 적으면, 곧바로 환원 반응이 시작되어 미립자가 생겨 버리지만, 용존 산소가 많으면, 먼저 용존 산소가 환원 반응하므로, 은이 반응해서 환원 석출하기까지의 시간을 벌 수 있다. 따라서, 그 동안에, 환원제 용액의 액 조성이 균질하며 안정된 상태가 되고, 그 결과, 환원 석출되는 입도를 고르게 할 수 있어, 1차 입자의 입경이 크며 또한 입경이 고른 습식 은분을 얻을 수 있다.

여기에서, 본 은분의 제조 방법의 구체적인 일례에 대하여 설명한다.

우선, 질산은 등의 은 수용액에 착화제를 가하고, 필요에 따라서 스테아르산Na나 K 등의 스테아르산염을 가해서 교반한 후, 용존 산소량을 높인 환원제 용액을 첨가하고, 다음으로 필요에 따라서 분산제를 첨가하여 교반시키면서 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시키고, 그 후, 여과, 세정, 건조 등의 공정을 거쳐, 본 은분을 얻을 수 있다.

여기에서, 환원제 용액은, 순수에 환원제(히드라진)를 첨가해서 조제하고, 그때에, 순수에 환원제(히드라진)를 첨가하고나서, 은 수용액에 첨가하기까지의 시간에 따라, 환원제 용액에 있어서의 용존 산소량의 조정을 도모할 수 있다. 즉, 순수에 환원제(히드라진)를 첨가하면, 원래 순수에 함유되어 있는 용존 산소가 환원제(히드라진)에 의한 환원 작용에 의해서 소비되어 시간 경과와 함께 적어지기 때문에, 순수에 환원제(히드라진)를 첨가한 후, 가능한 한 단시간 안에 은 용액에 첨가하는 것이 바람직하다.

단, 순수를 버블링하는 등, 용액 중의 용존 산소량을 증가시키도록 해도 된다.

상기한 제법에 있어서, 질산은 등의 은 수용액은, 질산은, 은염 착체, 및 은 중간체 중 어느 하나를 함유하는 수용액, 또는 슬러리를 사용할 수 있다.

또한, 착화제로서는, 예를 들면 암모니아수, 암모늄염, 킬레이트 화합물 등을 들 수 있다.

환원제로서는, 아스코르브산, 아황산염, 알칸올아민, 과산화수소수, 포름산, 포름산암모늄, 포름산나트륨, 글리옥살, 타르타르산, 차아인산나트륨, 수소화붕소 금속염, 디메틸아민보란, 히드라진, 히드라진 화합물, 히드로퀴논, 피로갈롤, 포도당, 갈산, 포르말린, 무수 아황산나트륨, 롱갈리트 등을 함유하는 수용액을 들 수 있다.

분산제로서는, 지방산, 지방산염, 계면활성제, 유기 금속, 킬레이트제, 보호 콜로이드 등을 들 수 있다.

(형상 가공)

본 은분은, 그대로 이용하는 것도 가능하지만, 본 은분을 형상 가공 처리한 뒤, 이용할 수도 있다.

예를 들면, 구상 입자 분말(: 80% 이상이 구상 입자로 이루어지는 분말)을, 기계적으로 형상 가공해서, 플레이크상, 인편상(鱗片狀), 평판상 등의 비구상(非球狀) 입자 분말(: 80% 이상이 비구상 입자로 이루어지는 분말)로 가공할 수 있다.

보다 구체적으로는, 비드 밀, 볼 밀, 애트라이터, 진동 밀 등을 사용해서 기계적으로 편평화 가공(압신연(壓伸延) 또는 전신(展伸))함에 의해, 플레이크상 입자 분말(: 80% 이상이 플레이크상 입자로 이루어지는 분말)로 형상 가공할 수 있다. 이때, 입자끼리의 응집이나 결합을 방지하면서 각 입자를 독립한 상태로 가공하기 위하여, 예를 들면 스테아르산 등의 지방산이나, 계면활성제 등의 조제를 첨가하는 것이 바람직하다.

그리고, 이러한 형상 가공 처리한 은분을 이용할 수도 있으며, 또한, 형상 가공하지 않은 원분(元粉)과 이것을 혼합해서 이용할 수도 있다.

본 은분은, 입경이 말끔하게 고르게 되어 있기 때문에, 입경에 알맞은 미디어를 효과적으로 선택할 수 있기 때문에, 플레이크분(紛)으로 해도, 균질인 플레이크분 입자를 얻을 수 있다.

구형분과 플레이크분의 혼합분이어도 된다.

<용도>

본 은분은, 도전 페이스트용, 특히 소결형 도전성 페이스트용의 은분으로서 호적하다.

소결형 도전성 페이스트는, 예를 들면 유기 비이클 중에, 본 은분을 유리 프릿과 함께 혼합함으로써 조제할 수 있다.

이때, 유리 프릿으로서는, 예를 들면, 납보로실리케이트 유리나, 징크보로실리케이트 등의 무연(無鉛) 유리도 들 수 있다.

또한, 수지 바인더로서는, 예를 들면 임의의 수지 바인더를 사용할 수 있다. 예를 들면 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지, 규소 수지, 유리아 수지, 아크릴 수지, 셀룰로오스 수지에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 조성을 채용하는 것이 바람직하다.

<어구의 설명>

본 명세서에 있어서 「X∼Y」(X, Y는 임의의 숫자)로 표현할 경우, 특히 언급이 없는 한 「X 이상 Y 이하」의 의미와 함께, 「바람직하게는 X보다 큰」 혹은 「바람직하게는 Y보다 작은」의 의미도 포함한다.

또한, 「X 이상」(X는 임의의 숫자) 혹은 「Y 이하」(Y는 임의의 숫자)로 표현했을 경우, 「X보다 큰 것이 바람직한」 혹은 「Y 미만인 것이 바람직한」 취지의 의도도 포함한다.

[실시예]

이하, 본 발명을 하기 실시예 및 비교예에 의거하여 더 상세히 기술한다.

실시예 및 비교예에서 얻어진 은분에 관해서, 이하에 나타내는 방법으로 제반 특성을 평가했다.

(1) _SEMD10, _SEMD50, _SEMD90

주사형 전자현미경(SEM)(PHILIPS사제 XL30)을 사용해서 1000∼3000배로 촬영한 임의의 3시야의 주사형 전자현미경(SEM)상을, BMP 파일로 변환하고, 아사히엔지니어링 가부시키가이샤제의 IP-1000PC의 통합 어플리케이션인 A상군(Ａ像くん)으로 도입하고, 원도(圓度) 문턱값 50, 겹침도 30, 표본수 150∼350으로 해서 원형 입자 해석을 행하여, _SEMD10, _SEMD50, _SEMD90를 수동 보정을 가하지 않고 계측했다.

(2) 용존 산소

HORIBA세이사쿠쇼제의 DO(용존 산소)계(OM-51)를 사용해서, 히드라진 수용액 중의 용존 산소 농도를 측정했다.

(3) 균질성 평가

은분 3.5g에, 에틸셀룰로오스(100cp)를 5% 함유한 테르피네올을 소량씩 가하면서 주걱으로 혼합하여, 수지가 균일하게 친화한 시점에서의 수지 첨가량(Xg)을 측정했다. 페이스트 중의 은 농도를 다음의 식으로 구하여, 95% 이상을 균질성이 높은 것으로 판단했다.

(페이스트 중의 은 농도(%))={(은분 3.5g)/(은분 3.5g+수지 첨가량 Xg)}×100

<실시예 1>

은 농도 400g/ℓ의 질산은 수용액 50㎖를 순수 1ℓ에 용해시켜서 질산은 수용액을 조제하고, 농도 25질량%의 암모니아수 60㎖를 첨가해서 교반함에 의해, 은암민 착체 수용액을 얻었다.

다음으로, 20∼30℃의 은암민 착체 수용액에, 1% 농도의 아민계의 분산제(평균 분자량 10000) 수용액 6㎖를 첨가해서 교반하고, 용존 산소 농도 6.00∼8.00㎎/ℓ로 조정한 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ를 혼합하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

다음으로, 이 은 입자를 여과하고, 여과액의 전도율이 40㎲/㎝ 이하로 될 때까지 수세 후, 건조시킴에 의해 은분(샘플)을 얻었다. 얻어진 은분 입자는 거의 진구상이었다.

<실시예 2>

다음으로, 20∼30℃의 은암민 착체 수용액에, 1% 농도의 아민계의 분산제(평균 분자량 10000) 수용액 10㎖를 첨가해서 교반하고, 용존 산소 농도 6.00∼8.00㎎/ℓ로 조정한 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ를 혼합하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

<실시예 3>

다음으로, 20℃의 은암민 착체 수용액에, 용존 산소 농도 6.00∼8.00㎎/ℓ로 조정한, 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ와 농도 2.9g/ℓ의 지방산염 수용액 35㎖(은 1mol에 대해서 1.76×10^-3mol에 상당)의 혼합 용액을 가하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

<실시예 4>

은 농도 400g/ℓ의 질산은 수용액 50㎖를 순수 1ℓ에 용해시켜서 질산은 수용액을 조제하고, 농도 25질량%의 암모니아수 50㎖를 첨가해서 교반함에 의해, 은암민 착체 수용액을 얻었다. 다음으로, 20℃의 은암민 착체 수용액에, 용존 산소 농도 6.00∼8.00㎎/ℓ로 조정한, 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ와 농도 5g/ℓ의 젤라틴 수용액 48㎖(은 1mol에 대해서 1.29g에 상당)의 혼합 용액을 가하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

<비교예 1>

다음으로, 20∼30℃의 은암민 착체 수용액에, 1% 농도의 아민계의 분산제(평균 분자량 10000) 수용액 6㎖를 첨가해서 교반하고, 용존 산소 농도 3.00∼5.00㎎/ℓ로 조정한 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ를 혼합하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

다음으로, 이 은 입자를 여과하고, 여과액의 전도율이 40㎲/㎝ 이하로 될 때까지 수세 후, 건조시킴에 의해 은분(샘플)을 얻었다.

<비교예 2>

다음으로, 20∼30℃의 은암민 착체 수용액에, 1% 농도의 아민계의 분산제(평균 분자량 10000) 수용액 6㎖를 첨가해서 교반하고, 용존 산소 농도 0.20∼2.00㎎/ℓ로 조정한 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ를 혼합하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

<비교예 3>

다음으로, 20∼30℃의 은암민 착체 수용액에, 1% 농도의 아민계의 분산제(평균 분자량 10000) 수용액 10㎖를 첨가해서 교반하고, 용존 산소 농도 3.00∼5.00㎎/ℓ로 조정한 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ를 혼합하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

<비교예 4>

다음으로, 20∼30℃의 은암민 착체 수용액에, 1% 농도의 아민계의 분산제(평균 분자량 10000) 수용액 10㎖를 첨가해서 교반하고, 용존 산소 농도 0.20∼2.00㎎/ℓ로 조정한 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ를 혼합하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

<비교예 5>

다음으로, 20℃의 은암민 착체 수용액에, 용존 산소 농도 0.20∼2.00㎎/ℓ로 조정한, 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ와 농도 2.9g/ℓ의 지방산염 수용액 35㎖(은 1mol에 대해서 1.76×10^-3mol에 상당)의 혼합 용액을 가하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

<비교예 6>

은 농도 400g/ℓ의 질산은 수용액 50㎖를 순수 1ℓ에 용해시켜서 질산은 수용액을 조제하고, 농도 25질량%의 암모니아수 50㎖를 첨가해서 교반함에 의해, 은암민 착체 수용액을 얻었다. 다음으로, 20℃의 은암민 착체 수용액에, 용존 산소 농도 0.20∼2.00㎎/ℓ로 조정한, 농도 11.9g/ℓ의 히드라진 수용액 1ℓ와 농도 5g/ℓ의 젤라틴 수용액 48㎖(은 1mol에 대해서 1.29g에 상당)의 혼합 용액을 가하여, 교반하지 않고 반응시켜서 은 입자를 환원 석출시켰다.

[표 1]

(고찰)

실시예의 은분은, 비교예의 은분 및 종래 알려진 은분에 비해서 대입자이면서, 입경이 고르게 되어 있기 때문에, 이것을 사용해서 은 페이스트를 제작하면, 은 농도를 높게 할 수 있고, 균질이며 또한, 전기 저항이 한층 더 낮은 소결 도체를 형성할 수 있다.

이러한 관점에서, 본 은분에 있어서는, _SEMD50이 2.50㎛∼7.50㎛이며, 또한, (_SEMD90-_SEMD10)/_SEMD50≤0.50인 것이 바람직한 것으로 생각할 수 있다.

Claims

주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D50(「_SEMD50」이라 함)이 2.50㎛∼7.50㎛이고,
주사형 전자현미경(SEM)상의 화상 해석에 의해 얻어지는 D10(「_SEMD10」이라 함), D50(「_SEMD50」이라 함) 및 D90(「_SEMD90」이라 함)의 관계가, 관계식 : (_SEMD90-_S _EMD10)/_SEMD50≤0.50으로 표시되는 것을 특징으로 하는 은분.
제1항에 있어서,
습식 은분인 것을 특징으로 하는 은분.
제1항 또는 제2항에 있어서,
은분을 형상 가공 처리해서 이루어지는 은분.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 은분을 사용해서 이루어지는 소결형 도전성 페이스트.