KR20120102077A - Ｃｄ 균일성을 향상시키기 위한 기판 온도의 조절 - Google Patents

Ｃｄ 균일성을 향상시키기 위한 기판 온도의 조절 Download PDF

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Abstract

다수의 독립적으로 제어가능한 히터 존들을 구비한 기판 지지 어셈블리를 갖는 플라즈마 식각 시스템. 플라즈마 식각 시스템은, 임계 디바이스 파라미터들의 프리 식각 및/또는 포스트 식각 비균일성이 보상될 수 있도록 미리결정된 위치들의 식각 온도를 제어하도록 구성된다.

Description

ＣＤ 균일성을 향상시키기 위한 기판 온도의 조절{ADJUSTING SUBSTRATE TEMPERATURE TO IMPROVE CD UNIFORMITY}
본 출원은 2009년 12월 15일에 출원된 미국 가출원 No. 61/286,653 에 대해 35 U.S.C. § 119 하에서 우선권을 주장하며, 그 내용은 전체가 참조로써 본 명세서에 원용된다.
각각의 연속적인 반도체 테크놀로지 세대에 따라, 기판들, 예를 들어, 웨이퍼들의 직경들이 증가하고 트랜지스터 사이즈가 작아지는 경향이 있어, 그 결과 기판 프로세싱에 있어서 보다 더 높은 정도의 정확성 및 반복성이 요구되고 있다. 반도체 기판 재료들, 예컨대, 실리콘 기판들이 진공 챔버들의 사용을 포함하는 기술들에 의해 프로세싱된다. 이 기술들은 전자 빔 증착 등의 비플라즈마 애플리케이션들, 그리고 스퍼터 증착, 플라즈마 강화 화학적 기상 증착 (PECVD), 레지스트 스트립, 및 플라즈마 식각 등의 플라즈마 애플리케이션들을 포함한다.
오늘날 이용가능한 플라즈마 식각 시스템들은 정확성 및 반복성 향상을 위해 요구가 증가되는 반도체 제조 툴들에 속한다. 플라즈마 식각 시스템들에 대한 하나의 메트릭 (metric) 은, 반도체 기판 표면 상의 프로세스 결과들의 균일성, 및 명목상 동일한 입력 파라미터들로 프로세싱된 일련의 기판들의 프로세스 결과들의 균일성을 포함하는, 증가된 균일성이다. 기판내 균일성의 연속적인 개선이 바람직하다. 다른 것들 중에서도, 이것은 개선된 균일성, 일관성 및 자기 진단을 갖는 플라즈마 챔버들을 요구한다.
본 명세서에는, 기판 상의 디바이스 다이 위치들 아래에서 일 배열로 복수의 독립적으로 제어가능한 히터 존들을 포함하는, 플라즈마 식각 동안 기판을 지지하기 위한 기판 지지 어셈블리, 및 각각의 히터 존을 제어하는 제어기 유닛을 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법이 개시되어 있다. 방법은 (a) 기판 상의 기판의 디바이스 다이 위치들에 대해, 프리 식각 (pre-etch), 또는 이전에 식각된 기판으로부터의 포스트 식각 (post-etch) 임계 디바이스 파라미터들을 측정하는 단계; (b) 프리 식각 또는 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들을 플라즈마 식각 시스템에 통신하는 단계; (c) 후속하여 기판 지지 어셈블리 상에 기판을 지지하는 단계; (d) 프로세스 레시피 파라미터들을 플라즈마 식각 시스템에 통신하고 및/또는 프로세스 레시피 파라미터들을 메모리로부터 플라즈마 식각 시스템으로 로딩하는 단계; (e) 프로세스 레시피 파라미터들, 타켓 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터 데이터, 및 인입되는 기판들로부터의 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들, 및/또는 이전에 식각된 기판으로부터의 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들로부터 기판 상의 미리결정된 위치들에서의 타켓 식각 온도들을 추론하는 단계; (f) 제어가능한 히터 존들을 이용하여 미리결정된 위치에서의 타켓 식각 온도에 기초하여 각각의 미리결정된 위치에서의 온도를 조절하는 단계; 및 (g) 기판을 플라즈마 식각하는 단계를 포함한다.
기판 상의 타켓 임계 치수 (CD) 균일성을 달성하기 위해서 반도체 프로세싱 장치에서의 방사상 및 방위각의 기판 온도 제어가 더욱 요구되고 있다. 온도의 작은 변화 조차도 CD 에 허용불가능한 정도로 영향을 줄 수도 있으며, CD 가 반도체 제조 프로세스들에서 20nm 아래로 접근하는 경우 특히 그러하다.
기판 지지 어셈블리는, 기판을 지지하고, 기판 온도를 튜닝하며, 무선 주파수 전력을 공급하는 것과 같은 프로세싱 동안의 다양한 기능들을 위해 구성될 수도 있다. 기판 지지 어셈블리는 프로세싱 동안 기판 지지 어셈블리 상에 기판을 정전기적으로 클램핑하기에 유용한 정전척 (ESC) 을 포함할 수 있다. ESC 는 튜닝가능한 ESC (T-ESC) 일 수도 있다. T-ESC 는 참조로써 원용되는, 공동 양도된 (commonly assigned) 미국 특허 Nos. 6,847,014 및 6,921,724 에 기재되어 있다. 기판 지지 어셈블리는 세라믹 기판 홀더, 유체-냉각된 히트 싱크 (이하, 냉각판이라 함) 및 복수의 동심원 히터 존들을 포함하여, 단계적이고 방사상인 온도 제어를 실현할 수도 있다. 통상적으로, 냉각판은 0 ℃ ~ 30 ℃ 에서 유지된다. 히터들은 사이에 열적 절연체층을 갖는 냉각판 상에 위치된다. 히터들은 기판 지지 어셈블리의 지지 표면을, 냉각판 온도를 초과하는 약 0 ℃ ~ 80 ℃ 의 온도로 유지할 수 있다. 복수의 히터 존들 내의 히터 전력을 변화시킴으로써, 기판 지지 온도 프로파일이 중심 고온, 중심 저온 및 균일한 온도 사이에서 변화될 수 있다. 또한, 평균 기판 지지 온도는 냉각판 온도를 초과하는 0 ~ 80 ℃ 의 동작 범위 내에서 단계적으로 변화될 수 있다. CD 가 반도체 테크놀로지의 진보에 따라 감소하므로 작은 방위각 온도 변화는 점점 더 큰 도전을 제기한다.
온도 제어는 여러가지 이유들 때문에 쉬운 일이 아니다. 첫째로, 열원들 및 열 싱크들의 위치들, 미디어의 이동, 재료들 및 형상들과 같은 많은 팩터들이 열 전달에 영향을 줄 수 있다. 둘째로, 열 전달은 동적 프로세스이다. 문제의 시스템이 열 평형이 아닌 경우에는, 열 전달이 일어날 것이고 온도 프로파일 및 열 전달이 시간에 따라 변할 것이다. 셋째로, 물론 플라즈마 프로세싱에서 항상 존재하는, 플라즈마와 같은 비평형 현상은, 임의의 실제적인 플라즈마 프로세싱 장치의 열 전달 거동의 이론적 예측을 불가능하지는 않지만 매우 곤란하게 한다.
플라즈마 프로세싱 장치에서의 기판 온도 프로파일은 플라즈마 밀도 프로파일, RF 전력 프로파일 및 정전척에서의 다양한 가열 또는 냉각 소자들의 상세 구조와 같은, 많은 팩터들에 의해 영향을 받으며, 이로인해 기판 온도 프로파일은 종종 비균일하고 소수의 가열 또는 냉각 소자들을 이용해 제어하기에 곤란한 경우가 있다. 이러한 결점은 전 기판에 걸친 프로세싱 속도에서의 비균일성 및 기판 상의 디바이스 다이들의 임계 치수에서의 비균일성으로 해석된다.
임계 치수의 비균일성은 업스트림 프로세스들, 예를 들어, 포토리소그래피에 의해 야기될 수 있다. 포토리소그래피의 평행 성질 (parallel nature) (즉, 기판 상의 모든 디바이스 다이들이 함께 노출됨) 및 광원 비균일성, 포토마스크들 상의 회절, 온도의 비균일성, 포토레지스트 두께의 비균일성 등과 같은 제어하기 어려운 팩터들 때문에, 포스트 리소그래피 및 프리 식각 기판들은 보통 디바이스 피쳐들에서 비균일성을 갖는다. 체크되지 않고 다운스트림 프로세스들로 전파되는 것으로 허용되는 경우, 이러한 비균일성은 결과적으로 디바이스 수율을 감소시킬 수 있다.
다수의 독립적으로 제어가능한 히터 존들을 기판 지지 어셈블리에 포함시켜, 플라즈마 식각 시스템이 타켓 공간적 및 시간적 온도 프로파일을 활성적으로 생성 및 유지하고, CD 균일성에 영향을 주는 부정적인 팩터들을 보상할 수 있도록 하는 것이 이롭고 바람직할 것이다.
독립적으로 제어된 히터 존들을 갖는 기판 지지 어셈블리는 참조로써 원용되는 2009년 10월 21일에 출원된 미국 특허 출원 No. 12/582,991 에 기재되어 있다.
본 명세서에는, 기판 상의 복수의 디바이스 다이 위치들에 대해 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들, 또는 이전에 식각된 기판으로부터의 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들을 측정하고, 측정된 정보를 식각 동안 기판 상의 미리결정된 위치들에서의 온도들을 튜닝하기 위해서 이용함으로써, 식각될 기판 상의 비균일성을 보상하기 위해서, 독립적으로 제어가능한 히터 존들을 구비한 기판 지지 어셈블리를 갖는 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법이 기재되어 있다.
예를 들어, 기판이 리소그래피를 겪은 이후, 기판 상의 레지스트층에 패턴이 형성된다. 레지스트층에서의 패턴은 임계 치수들에서의 비균일성을 가질 수 있다. 기판 상의 각 디바이스 다이 상의 레지스트층에서의 프리 식각 임계 치수들은 적합한 툴을 이용하여 측정될 수 있다. 패터닝된 레지스트층은 기판 하부의 이후의 플라즈마 식각에서 마스크로서 사용된다. 플라즈마 식각 동안의 온도는 기판에서의 식각된 패턴의 임계 치수들 (포스트 식각 임계 치수들) 에 영향을 줄 수 있다. 디바이스 다이 위치에서의 프리 식각 임계 치수들이 타켓 값들로부터 허용가능한 에러를 넘는 것으로 결정된다면, 포스트 식각 임계 치수들이 타켓 값들로부터 허용가능한 에러 내에 있도록 디바이스 다이 위치의 식각 온도가 히터 존들에 의해 튜닝될 수 있다. 즉, 측정된 프리 식각 임계 치수들을 사용하여 각 디바이스 다이 위치의 식각 온도를 조절하여, 디바이스 다이 위치에서의 프리 식각 임계 치수들의 특정량의 에러를 보상할 수 있다.
플라즈마 식각 시스템은 가열판에 조립된 독립적으로 제어가능한 히터 존들, 및 각각의 히터 존을 제어하는 제어기 유닛을 가질 수 있다. 제어기 유닛의 제어하에서 각각의 히터 존의 전력을 튜닝함으로써, 프로세싱 동안의 온도 프로파일이 방사상 및 방위각 모두로 형태를 가질 수 있다. 히터 존들은 바람직하게 정의된 패턴, 예를 들어, 직사각형 그리드, 육각형 그리드, 또는 다른 패턴으로 배열된다. 가열판의 각각의 히터 존은 바람직하게 기판 상의 단일 디바이스 다이와 유사한 사이즈 (예를 들어, ±10%) 이다. 예시적인 배열에서, 전기적 접속들의 수를 최소화하기 위해서, 각각의 전력 공급선이 히터 존들의 상이한 그룹에 접속되고 각각의 전력 리턴선이 히터 존들의 상이한 그룹에 접속되도록 전력 공급 및 전력 리턴선들이 배열되고, 각각의 히터 존은 특정 전력 공급선에 접속된 그룹들 중 하나 및 특정 전력 리턴선에 접속된 그룹들 중 하나에 있다. 어떠한 2개의 히터 존들도 동일한 쌍의 전력 공급 및 전력 리턴선들에 접속되지 않는다. 즉, 히터 존은 이 특정 히터 존이 접속되는 한 쌍의 전력 공급 및 전력 리턴선들을 통해 전기적 전류를 안내함으로써 활성화될 수 있다. 히터 소자들의 전력은 바람직하게 20W 보다 작고, 보다 바람직하게 5 ~ 10 W 이다. 히터 소자들은 펠티에 (Peltier) 디바이스들 및/또는 폴리이미드 히터들, 실리콘 고무 히터들, 마이카 히터들, 금속 히터들 (예를 들어, W, Ni/Cr 합금, Mo 또는 Ta), 세라믹 히터들 (예를 들어, WC), 반도체 히터들 또는 카본 히터들과 같은 저항성 히터들일 수 있다. 히터 소자들은 스크린 인쇄되거나, 와이어 와인딩되거나, 또는 식각된 호일 히터들일 수도 있다. 히터 소자들의 두께는 2 ㎛ ~ 1 ㎜, 바람직하게 5 ~ 80 ㎛ 일 수 있다. 히터 존들 및/또는 전력 공급 및 전력 리턴선들 사이에 공간을 허용하기 위해서, 히터 존들의 총 면적은 기판 지지 어셈블리의 상부 표면의 면적의 90% 까지일 수도 있으며, 예를 들어, 그 면적의 50-90% 일 수도 있다. 전력 공급선들 또는 전력 리턴선들 (총체적으로, 전력선들) 은 히터 존들 사이에서 1 ~ 10 mm 범위의 갭으로 배열될 수 있거나, 또는 전기적 절연층들에 의해 히터 존들 평면으로부터 분리된 별도의 평면에 배열될 수도 있다. 전력 공급선들 및 전력 리턴선들은, 큰 전류를 운반하고 주울 (Joule) 열을 감소시키기 위해서, 공간이 허용하는 한 넓게 만들어지는 것이 바람직하다. 전력선들은 히터 존들과 동일한 평면에 있을 수 있거나, 또는 히터 존들과 상이한 평면들 상에 있을 수 있다. 전력 공급 및 전력 리턴선들의 재료들은 히터 소자들의 재료들과 동일하거나 또는 상이할 수도 있다. 바람직하게, 전력 공급 및 전력 리턴선들의 재료들은 Cu, Al, W, Inconel? 또는 Mo 과 같이, 저항율이 낮은 재료들이다. 기판 지지 어셈블리는, 기판으로부터 디바이스들의 수율을 최대화하기 위해서, 기판 온도 및 결과적으로 각각의 디바이스 다이 위치에서의 플라즈마 식각 프로세스를 제어하도록 작동가능하다. 플라즈마 식각 시스템은 바람직하게 적어도 9개의 히터 존들을 갖는다.
일 실시형태에서, 플라즈마 식각 시스템은, 인간 사용자 (human user), 온보드 (onboard) 측정 툴, 호스트 네트워크 (프로세싱 라인에서 프로세싱 툴들 사이의 데이터를 공유하는 네트워크) 등과 같은 소스들로부터, 내부에서 프로세싱될 기판 상의 복수의 디바이스 다이 위치들 (바람직하게 각각의 디바이스 다이 위치에서의 적어도 하나의 위치) 에서 측정된 임계 디바이스 파라미터들 (예를 들어, 프리 식각 임계 치수들) 을 수신할 수 있다 (프리 식각 임계 디바이스 파라미터들). 바람직하게, 플라즈마 식각 시스템은, 호스트 통신 네트워크를 통해 오프-보드 (off-board) 검사 툴로부터, 프로세싱될 기판의 배치의 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들을 수신한다. 이러한 오프-보드 검사 툴은 광학 및/또는 전자 빔 검사 툴일 수 있다. 플라즈마 식각 시스템은 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들을 수신하기 위한 하드웨어 및/또는 소프트웨어 인터페이스를 가질 수 있다. 플라즈마 식각 시스템은 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들을 프로세싱하기 위해 적합한 소프트웨어를 가질 수 있다.
플라즈마 식각 시스템은 또한 하드웨어 및/또는 소프트웨어 인터페이스를 통해 수신할 수 있고 및/또는 측정된 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들 및 식각 온도들에 대한 타켓 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들의 의존성을 정의하는 프로세스 레시피 파라미터들을 메모리로부터 로딩할 수 있고; 그리고 프로세스 레시피 파라미터들, 타켓 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들, 및 측정된 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들로부터 기판 상의 미리결정된 위치들에서의 타켓 식각 온도를 추론할 수 있다. 바람직하게, 플라즈마 식각 시스템은 각각의 프로세스 레시피 단계에 대해 이러한 프로세스 레시피 파라미터들을 수신할 수 있다.
바람직하게, 플라즈마 식각 시스템은 또한, 각각의 디바이스 다이의 타켓 임계 디바이스 파라미터를 달성하기 위해서, 각각의 디바이스 다이 위치의 타켓 식각 온도에 기초하여 각각의 히터 존에 대해 타켓 제어 파라미터들 (전력, 전압, 전류 등과 같이 직접 제어될 수 있는 파라미터들) 을 산출할 수 있다.
타켓 제어 파라미터들은, 적용된 상이한 제어 파라미터들에 대한 기판 지지 어셈블리의 표면 온도들의 응답을 측정함으로써, 기판 지지 어셈블리의 제작 동안 획득될 수 있다. 대안으로, 타켓 제어 파라미터들은 열 전달 이론 또는 유한 요소 해석 등과 같은 이론적 또는 경험적 모델을 이용함으로써 결정될 수 있다.
바람직하게, 정상 이득 행렬 (steady gain matrix) 은 히터 존 하부에 적용된 제어 파라미터에 대한 각각의 디바이스 다이 위치의 직접적 응답, 및 다른 히터 존들에 적용된 제어 파라미터들에 대한 상기 디바이스 다이의 간접적 응답 (크로스토크) 을 이용하여 타켓 제어 파라미터들을 산출하기 위해서 사용될 수 있다. 정상 이득 행렬은, 그 전체가 참조로써 원용되는 G. Golub 등에 의한 행렬 연산 (Matrix Computation) (존스 홉킨스 대학 출판사, 보스톤, 1996년) 에 기재된 방법들을 이용하여 산출될 수 있다.
일 실시형태에서, 플라즈마 식각 시스템은 n 개의 독립적인 히터 존들을 갖는 것으로 가정한다. 그들 각각의 제어 파라미터는 Xi (i=1, 2, …, n) 이다. 모든 제어 파라미터들 Xi 는 벡터로서 기재될 수 있다.
Figure pct00001
여기서, Xi 는 바람직하게 i 번째 히터 존에 적용된 시간-평균된 (time-averaged) 전력이다.
Ti 는 i 번째 히터 존 내의 디바이스 다이 위치에서의 타켓 식각 온도이며, 이것은 다른 벡터로 기재될 수 있다.
Figure pct00002
벡터 T 는 벡터 X 의 함수이다. 벡터 X 및 T 사이의 관계는 n×n 행렬 K 로 나타낼 수 있으며, 여기서 T=K·X 이다. 대각 원소들 Kii 는 기판 지지 어셈블리 또는 플라즈마 식각 시스템의 제작 동안 측정될 수 있다. 비대각 원소들 Kij (i≠j) 는 기판 지지 어셈블리 또는 플라즈마 식각 시스템의 제작 동안 측정될 수 있거나, 또는 유한 요소 열적 모델, 대각 원소들의 값들 및 i 번째 및 j 번째 히터 존들 사이의 물리적 거리로부터 유도될 수 있다. 행렬 K 는 플라즈마 식각 시스템에 저장된다. 플라즈마 식각 시스템은 또한 T 에 기초하여 X 를 추론하기 위한 알고리즘을 실행하기에 기능적인 소프트웨어 또는 펌웨어를 갖는다. 알고리즘은 역행렬 이후에 행렬 곱셈이 이어지며, 즉, X=K-1·T 이다.
다른 실시형태에서, 플라즈마 식각 시스템은 n 개의 독립적인 히터 존들을 갖는 것으로 가정한다. 그들 각각의 제어 파라미터는 Xi (i=1, 2, …, n) 이다. 모든 제어 파라미터들 Xi 는 벡터로서 기재될 수 있다.
Figure pct00003
여기서, Xi 는 바람직하게 i 번째 히터 존에 적용된 시간-평균된 (time-averaged) 전력이다.
P={Pj} 는, 각각의 히터 존에 대한 온도 응답이 종래의 모델링 또는 교정 측정들에 기초하여 알려져 있는, 기판 상의 미리결정된 위치들에서의 일 세트의 예측된 식각 온도들이다. P 는 또 다른 벡터로서 기재될 수 있다.
Figure pct00004
T={Tj} 는 기판 상의 동일한 미리결정된 위치들에서의 일 세트의 타켓 식각 온도들이다. T 는 또 다른 벡터로서 기재될 수 있다.
Figure pct00005
이 실시형태에서, 각각의 타켓 식각 온도들을 갖는 기판 상의 위치들의 수 m 은 히터 존들의 수와 동일하지 않으며, 즉, m≠n 이다. 온도 응답을 갖는 위치들은 히터 존들의 위치들과 상이할 수도 있다. 벡터 P 는 벡터 X 의 함수이다. 벡터 P 및 T 사이의 관계는 m×n 행렬 K 로 나타낼 수 있으며, 여기서 P=K·X 이다. 원소들 Kij 는 기판 지지 어셈블리 또는 플라즈마 식각 시스템의 제작 동안 측정될 수 있거나, 또는 유한 원소 열적 모델로부터 유도될 수 있다. 행렬 K 는 플라즈마 식각 시스템에 저장된다. 플라즈마 식각 시스템은 또한 행렬 및 최적화 알고리즘, 예를 들어, 최소 자승 최적화 (least squares optimization) 를 이용하는, T 에 기초하여 X 를 추론하기 위한 알고리즘을 실행하기에 기능적인 소프트웨어 또는 펌웨어를 갖는다. 최적화 알고리즘은 디바이스 다이 위치들에서의 예측된 온도들 및 기판 상의 각각의 위치들에서의 타켓 온도들 사이의 차이를 최소화함으로써 히터 전력 설정점들의 결정을 용이하게 한다.
상기 실시형태들에서, 기판 특징들, 예를 들어, CD 측정들이 측정되는 위치는 히터 존들의 수와 상이할 수도 있다. 또한, 기판 특징들이 측정되는 위치들은, 각각의 히터 존에 대한 온도 응답이 예를 들어 측정 동안 모델링 또는 이전의 측정들에 기초하여 알려져 있는 위치들과 일치하지 않을 수도 있다. 즉, 기판 특징들 측정 위치들은 행렬 K 를 구성하기 위해 사용되는 것들과 상이하다. 결과적으로, 기판 특징들은 행렬 K 를 구성하기 위해 사용되는 것들과 동일한 위치들에서 추정될 필요가 있다. 바람직한 실시형태에서, 선형 또는 비선형 보간과 같은 기술은, 기판 특징들, 예를 들어, CD 측정들에 대한 데이터를, 기판 특징들 측정 위치들로부터, 개별 히터 응답들이 교정동안 모델링/측정되었던 위치들, 즉, 행렬 K 를 구성하기 위해 사용된 위치들로 변환하기 위해 사용될 수 있다.
대안의 실시형태에서, 제어 파라미터들은 각각의 히터 존에서의 온도 센서들 (예를 들어, 광학 센서들, 열전쌍들, 다이오드들 등) 의 출력에 기초하여 제어 회로 (예를 들어, PID 제어기) 에 의해 동적으로 결정될 수 있다.
구체적인 실시형태들을 참조하여 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법이 상세히 기재되어 있지만, 첨부된 청구범위들의 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 변화들 및 변형들이 이루어질 수 있고 등가물이 채용될 수 있음이 당업자들에게 명백할 것이다.

Claims (16)

  1. 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법으로서,
    상기 플라즈마 식각 시스템은,
    기판 상의 디바이스 다이 위치들 아래에서 일 배열로 복수의 독립적으로 제어가능한 히터 존들을 포함하는, 플라즈마 식각 동안 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지 어셈블리, 및
    각각의 히터 존을 제어하는 제어기 유닛을 포함하고,
    상기 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법은,
    상기 기판 상의 복수의 디바이스 다이 위치들에 대해 프리 식각 (pre-etch) 임계 디바이스 파라미터들을 측정하는 단계;
    상기 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들 및 이전에 식각된 기판으로부터의 포스트 식각 (post-etch) 임계 디바이스 파라미터들 중 적어도 하나를 상기 플라즈마 식각 시스템에 통신하는 단계;
    후속하여 상기 기판 지지 어셈블리 상에 상기 기판을 지지하는 단계;
    프로세스 레시피 파라미터들을 상기 플라즈마 식각 시스템에 통신하고 및/또는 상기 프로세스 레시피 파라미터들을 메모리로부터 상기 플라즈마 식각 시스템으로 로딩하는 단계;
    상기 프로세스 레시피 파라미터들, 타켓 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들, 상기 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들, 및 상기 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들 중 적어도 하나로부터 상기 기판 상의 미리결정된 위치들에 대해 타켓 식각 온도를 추론하는 (deduce) 단계;
    상기 제어가능한 히터 존들을 이용하여 각각의 디바이스 다이 위치의 온도를 그 타켓 식각 온도로 조절하는 단계; 및
    상기 기판을 플라즈마 식각하는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    식각 프로세스 레시피의 각각의 단계에 대해서 프로세스 레시피 파라미터들을 상기 플라즈마 식각 시스템에 통신하고 및/또는 상기 프로세스 레시피 파라미터들을 메모리로부터 상기 플라즈마 식각 시스템으로 로딩하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상의 미리결정된 위치들에서의 상기 타켓 식각 온도들에 기초하여 각각의 히터 존의 타켓 제어 파라미터들을 통신 및/또는 산출하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터 존들의 수 및 상기 디바이스 다이 위치들의 수는 동일하며,
    상기 제어가능한 히터 존들을 이용하여 온도를 조절하는 단계는,
    상기 히터 존들의 타켓 제어 파라미터들 및 상기 디바이스 다이 위치들의 상기 타켓 식각 온도들의 관계를 나타내는 역행렬을, 원소들이 상기 다바이스 다이 위치들의 상기 타켓 식각 온도들인 벡터로 곱함으로써 상기 히터 존들에 대한 히터 전력 설정점들을 결정하는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 식각 시스템은 각각의 히터 존 위치의 식각 온도를 측정하기 위해 구성된 하나 이상의 온도 센서들을 포함하고,
    상기 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법은 상기 온도 센서들로부터의 출력들에 기초하여 각각의 히터 존의 타켓 제어 파라미터들을 산출하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  6. 제 1 항에 기재된 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법을 수행하기 위한 플라즈마 식각 시스템으로서,
    기판 아래에서 일 배열로 복수의 독립적으로 제어가능한 히터 존들을 포함하는, 플라즈마 식각 동안 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지 어셈블리, 및
    각각의 히터 존을 제어하는 제어기 유닛을 포함하는, 플라즈마 식각 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    호스트 통신 네트워크를 통해 오프-보드 (off-board) 검사 툴로부터 상기 프리 식각 또는 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들을 수신하는 인터페이스를 포함하는, 플라즈마 식각 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터 존들의 수 및 상기 디바이스 다이 위치들의 수는 동일하지 않으며,
    상기 제어가능한 히터 존들을 이용하여 온도를 조절하는 단계는,
    상기 히터 존들의 타켓 제어 파라미터들 및 상기 기판 상의 미리결정된 위치들의 예측된 식각 온도들의 관계를 나타내는 행렬에 기초하여 상기 히터 존들에 대한 히터 전력 설정점들을 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 디바이스 다이 위치들의 예측된 식각 온도들 및 상기 디바이스 다이 위치들의 타켓 식각 온도들 사이의 차는 최적화 기술에 의해 최소화되는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 최적화 기술은 최소 자승 최적화 (least squares optimization) 인, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  10. 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법으로서,
    상기 플라즈마 식각 시스템은,
    기판 상의 디바이스 다이 위치들 아래에서 일 배열로 독립적으로 제어가능한 히터 존들을 포함하는, 플라즈마 식각 동안 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지 어셈블리, 및
    각각의 히터 존을 제어하는 제어기 유닛을 포함하고,
    상기 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법은,
    상기 기판 상의 제 1 세트의 미리결정된 위치들에서 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들을 측정하는 단계;
    상기 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들 및 이전에 식각된 기판으로부터의 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들 중 적어도 하나를 상기 플라즈마 식각 시스템에 통신하는 단계;
    후속하여 상기 기판 지지 어셈블리 상에 상기 기판을 지지하는 단계;
    프로세스 레시피 파라미터들 중 적어도 하나를 통신하고, 상기 프로세스 레시피 파라미터들을 메모리로부터 상기 플라즈마 식각 시스템으로 로딩하는 단계;
    상기 프로세스 레시피 파라미터들, 타켓 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들, 상기 프리 식각 임계 디바이스 파라미터들, 및 상기 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들 중 적어도 하나에 기초하여 상기 기판 상의 제 2 세트의 미리결정된 위치들에서의 타켓 식각 온도들을 추론하는 단계;
    상기 히터 존들의 각각에 대한 히터 전력 및 상기 제 2 세트의 미리결정된 위치들에서의 예측된 식각 온도들 사이의 관계에 기초하여 상기 제어가능한 히터 존들에 대한 히터 전력 설정점들을 결정하는 단계로서, 상기 히터 전력 설정점들은 상기 예측된 식각 온도들 및 상기 타켓 식각 온도들 사이의 차가 최적화 기술에 의해 최소화되도록 결정되는, 상기 히터 전력 설정점들을 결정하는 단계;
    상기 기판을 플라즈마 식각하는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 최적화 기술은 최소 자승 최적화인, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 타켓 식각 온도들을 추론하는 단계는, 상기 제 1 세트의 미리결정된 위치들에서의 프리 식각 또는 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들의 데이터에 기초하여, 상기 제 2 세트의 미리결정된 위치들에서의 프리 식각 또는 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들의 데이터를 추정하는 (estimate) 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 추정하는 단계는, 상기 제 2 세트의 미리결정된 위치들에서의 상기 프리 식각 또는 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들의 데이터에 기초하여, 상기 제 2 세트의 미리결정된 위치들에서의 상기 프리 식각 또는 포스트 식각 임계 디바이스 파라미터들의 데이터를 보간하는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 히터 존들의 각각에 대한 상기 히터 전력 및 상기 제 2 세트의 미리결정된 위치들에서의 상기 예측된 식각 온도들 사이의 관계는 행렬에 의해 나타내지는, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 보간하는 단계는 선형 보간인, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 보간하는 단계는 비선형 보간인, 플라즈마 식각 시스템을 이용하는 방법.
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Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8637794B2 (en) 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
KR101644673B1 (ko) 2009-12-15 2016-08-01 램 리써치 코포레이션 Ｃｄ 균일성을 향상시키기 위한 기판 온도의 조절
US8791392B2 (en) 2010-10-22 2014-07-29 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
US8546732B2 (en) 2010-11-10 2013-10-01 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
US9307578B2 (en) 2011-08-17 2016-04-05 Lam Research Corporation System and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array
US9123755B2 (en) * 2011-08-30 2015-09-01 Watlow Electric Manufacturing Company System and method for controlling a thermal array
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US8624168B2 (en) 2011-09-20 2014-01-07 Lam Research Corporation Heating plate with diode planar heater zones for semiconductor processing
US8461674B2 (en) * 2011-09-21 2013-06-11 Lam Research Corporation Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
US9324589B2 (en) 2012-02-28 2016-04-26 Lam Research Corporation Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing
US8809747B2 (en) * 2012-04-13 2014-08-19 Lam Research Corporation Current peak spreading schemes for multiplexed heated array
US10049948B2 (en) 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
US8852964B2 (en) 2013-02-04 2014-10-07 Lam Research Corporation Controlling CD and CD uniformity with trim time and temperature on a wafer by wafer basis
KR101905158B1 (ko) * 2013-08-06 2018-10-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 국부적으로 가열되는 다-구역 기판 지지부
JP6100672B2 (ja) 2013-10-25 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置
TW201518538A (zh) 2013-11-11 2015-05-16 Applied Materials Inc 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
US10217615B2 (en) 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof
US9716022B2 (en) 2013-12-17 2017-07-25 Lam Research Corporation Method of determining thermal stability of a substrate support assembly
US9435692B2 (en) 2014-02-05 2016-09-06 Lam Research Corporation Calculating power input to an array of thermal control elements to achieve a two-dimensional temperature output
US11158526B2 (en) 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9589853B2 (en) 2014-02-28 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of planarizing an upper surface of a semiconductor substrate in a plasma etch chamber
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
TWI499925B (zh) * 2014-04-23 2015-09-11 Cheng Uei Prec Ind Co Ltd 連接器尺寸優化系統及方法
US9543171B2 (en) * 2014-06-17 2017-01-10 Lam Research Corporation Auto-correction of malfunctioning thermal control element in a temperature control plate of a semiconductor substrate support assembly that includes deactivating the malfunctioning thermal control element and modifying a power level of at least one functioning thermal control element
US20160240366A1 (en) * 2015-02-17 2016-08-18 Infineon Technologies Ag Processing of Semiconductor Devices
CN113675115A (zh) 2015-05-22 2021-11-19 应用材料公司 方位可调整的多区域静电夹具
US9779974B2 (en) 2015-06-22 2017-10-03 Lam Research Corporation System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
US10386821B2 (en) 2015-06-22 2019-08-20 Lam Research Corporation Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values
US9864361B2 (en) 2015-06-22 2018-01-09 Lam Research Corporation Flexible temperature compensation systems and methods for substrate processing systems
US10381248B2 (en) * 2015-06-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity
US10763142B2 (en) 2015-06-22 2020-09-01 Lam Research Corporation System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter
US10690414B2 (en) 2015-12-11 2020-06-23 Lam Research Corporation Multi-plane heater for semiconductor substrate support
US11069545B2 (en) * 2017-01-19 2021-07-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, temperature control method, and temperature control program
JP6986947B2 (ja) 2017-01-19 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、温度制御方法及び温度制御プログラム
KR102296942B1 (ko) 2017-05-05 2021-09-01 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스 제조 프로세스의 수율의 예측 방법
EP3432071A1 (en) 2017-07-17 2019-01-23 ASML Netherlands B.V. Information determining apparatus and method
KR20200015775A (ko) 2017-07-17 2020-02-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 정보 결정 장치 및 방법
US11236422B2 (en) * 2017-11-17 2022-02-01 Lam Research Corporation Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability
EP3518040A1 (en) 2018-01-30 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid
EP3531207A1 (en) 2018-02-27 2019-08-28 ASML Netherlands B.V. Alignment mark positioning in a lithographic process
JP7202972B2 (ja) * 2018-06-29 2023-01-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ状態検出方法およびプラズマ状態検出プログラム
US11908715B2 (en) 2018-07-05 2024-02-20 Lam Research Corporation Dynamic temperature control of substrate support in substrate processing system
CN109117595B (zh) 2018-09-25 2021-06-25 新智数字科技有限公司 一种热负荷预测方法、装置、可读介质及电子设备
CN109473381A (zh) * 2018-10-31 2019-03-15 上海华力微电子有限公司 湿法刻蚀清洗设备和方法
WO2020108862A1 (en) 2018-11-26 2020-06-04 Asml Netherlands B.V. Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process
EP3705959A1 (en) 2019-03-04 2020-09-09 ASML Netherlands B.V. Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process
WO2020114686A1 (en) 2018-12-03 2020-06-11 Asml Netherlands B.V. Method to predict yield of a semiconductor manufacturing process
US11803127B2 (en) 2018-12-07 2023-10-31 Asml Netherlands B.V. Method for determining root cause affecting yield in a semiconductor manufacturing process
EP3693795A1 (en) 2019-02-06 2020-08-12 ASML Netherlands B.V. Method for decision making in a semiconductor manufacturing process
US11687007B2 (en) 2019-01-29 2023-06-27 Asml Netherlands B.V. Method for decision making in a semiconductor manufacturing process
US11533783B2 (en) * 2019-07-18 2022-12-20 Applied Materials, Inc. Multi-zone heater model-based control in semiconductor manufacturing
CN114207527A (zh) 2019-08-20 2022-03-18 Asml荷兰有限公司 用于控制半导体制造过程的方法
EP3848757A1 (en) 2020-01-13 2021-07-14 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus
WO2021032398A1 (en) 2019-08-22 2021-02-25 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus
EP4127834A1 (en) 2020-04-02 2023-02-08 ASML Netherlands B.V. Method for determining an inspection strategy for a group of substrates in a semiconductor manufacturing process
EP3910417A1 (en) 2020-05-13 2021-11-17 ASML Netherlands B.V. Method for determining an inspection strategy for a group of substrates in a semiconductor manufacturing process
US11493551B2 (en) 2020-06-22 2022-11-08 Advantest Test Solutions, Inc. Integrated test cell using active thermal interposer (ATI) with parallel socket actuation
TWI788029B (zh) 2020-09-28 2022-12-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 目標結構及相關聯之方法與裝置
US11549981B2 (en) 2020-10-01 2023-01-10 Advantest Test Solutions, Inc. Thermal solution for massively parallel testing
US11821913B2 (en) 2020-11-02 2023-11-21 Advantest Test Solutions, Inc. Shielded socket and carrier for high-volume test of semiconductor devices
US11808812B2 (en) 2020-11-02 2023-11-07 Advantest Test Solutions, Inc. Passive carrier-based device delivery for slot-based high-volume semiconductor test system
US20220155364A1 (en) 2020-11-19 2022-05-19 Advantest Test Solutions, Inc. Wafer scale active thermal interposer for device testing
US11609266B2 (en) 2020-12-04 2023-03-21 Advantest Test Solutions, Inc. Active thermal interposer device
US20240004309A1 (en) 2020-12-21 2024-01-04 Asml Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process
EP4030236A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
EP4050416A1 (en) 2021-02-25 2022-08-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic method
US20240004307A1 (en) 2020-12-24 2024-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic method
US11573262B2 (en) 2020-12-31 2023-02-07 Advantest Test Solutions, Inc. Multi-input multi-zone thermal control for device testing
EP4036646A1 (en) 2021-01-29 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Metrology methods and appratuses
EP4040233A1 (en) 2021-02-03 2022-08-10 ASML Netherlands B.V. A method of determining a measurement recipe and associated metrology methods and appratuses
EP4050328A1 (en) 2021-02-25 2022-08-31 ASML Netherlands B.V. Method to predict metrology offset of a semiconductor manufacturing process
US11587640B2 (en) 2021-03-08 2023-02-21 Advantest Test Solutions, Inc. Carrier based high volume system level testing of devices with pop structures
EP4113210A1 (en) 2021-07-01 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a measurement recipe and associated metrology methods and apparatuses
EP4120019A1 (en) 2021-07-12 2023-01-18 ASML Netherlands B.V. Method of determining a correction for at least one control parameter in a semiconductor manufacturing process
EP4191337A1 (en) 2021-12-01 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
KR20240056509A (ko) 2021-09-07 2024-04-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 공정을 모니터링하는 방법 및 관련된 장치
EP4174577A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter distribution
US11656273B1 (en) 2021-11-05 2023-05-23 Advantest Test Solutions, Inc. High current device testing apparatus and systems
KR20240046106A (ko) 2022-09-26 2024-04-08 주식회사 히타치하이테크 반도체 디바이스의 제조 시스템 및 제조 방법
EP4357854A1 (en) 2022-10-20 2024-04-24 ASML Netherlands B.V. Method of predicting a parameter of interest in a semiconductor manufacturing process
US11828795B1 (en) 2022-10-21 2023-11-28 AEM Holdings Ltd. Test system with a thermal head comprising a plurality of adapters for independent thermal control of zones
US11693051B1 (en) 2022-10-21 2023-07-04 AEM Holdings Ltd. Thermal head for independent control of zones
US11796589B1 (en) 2022-10-21 2023-10-24 AEM Holdings Ltd. Thermal head for independent control of zones
US11656272B1 (en) 2022-10-21 2023-05-23 AEM Holdings Ltd. Test system with a thermal head comprising a plurality of adapters and one or more cold plates for independent control of zones
US11828796B1 (en) 2023-05-02 2023-11-28 AEM Holdings Ltd. Integrated heater and temperature measurement
CN116759347B (zh) * 2023-08-17 2023-12-12 浙江求是创芯半导体设备有限公司 外延工艺的控制方法及控制装置、半导体加工设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006519497A (ja) * 2003-02-27 2006-08-24 ラム　リサーチ　コーポレーション 局所的なウェーハの温度調節によるウェーハ全体における微細寸法のばらつき補正

Family Cites Families (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3440883A (en) * 1966-12-01 1969-04-29 Monsanto Co Electronic semiconductor thermometer
US3946370A (en) * 1972-11-02 1976-03-23 U.S. Philips Corporation Method of making light-dot distribution for the holographic storage of binary information with the aid of electronically controlled switching masks
GB1548520A (en) * 1976-08-27 1979-07-18 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing a semiconductor device
JPS601918A (ja) 1983-06-17 1985-01-08 Fuji Electric Co Ltd マトリツクス形選択回路
JPS621176A (ja) 1985-06-26 1987-01-07 Hitachi Ltd ヘツド支持装置
US5536918A (en) * 1991-08-16 1996-07-16 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers
FR2682253A1 (fr) * 1991-10-07 1993-04-09 Commissariat Energie Atomique Sole chauffante destinee a assurer le chauffage d'un objet dispose a sa surface et reacteur de traitement chimique muni de ladite sole.
US5255520A (en) * 1991-12-20 1993-10-26 Refir Technologies Advanced thermoelectric heating and cooling system
JP3440475B2 (ja) 1992-06-29 2003-08-25 アイシン精機株式会社 人体局部洗浄装置
US5414245A (en) * 1992-08-03 1995-05-09 Hewlett-Packard Corporation Thermal-ink heater array using rectifying material
DE4231702C2 (de) * 1992-09-22 1995-05-24 Litef Gmbh Thermoelektrische, beheizbare Kühlkammer
KR100290748B1 (ko) * 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5504471A (en) * 1993-09-16 1996-04-02 Hewlett-Packard Company Passively-multiplexed resistor array
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5667622A (en) * 1995-08-25 1997-09-16 Siemens Aktiengesellschaft In-situ wafer temperature control apparatus for single wafer tools
JPH09213781A (ja) * 1996-02-01 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及びそれを用いた処理装置
US6095084A (en) * 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5740016A (en) * 1996-03-29 1998-04-14 Lam Research Corporation Solid state temperature controlled substrate holder
US5802856A (en) * 1996-07-31 1998-09-08 Stanford University Multizone bake/chill thermal cycling module
KR200159921Y1 (ko) 1996-11-23 1999-11-01 이세원 리프터의 업/다운 제어회로
JP3526184B2 (ja) * 1997-03-17 2004-05-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6730541B2 (en) * 1997-11-20 2004-05-04 Texas Instruments Incorporated Wafer-scale assembly of chip-size packages
US6222161B1 (en) * 1998-01-12 2001-04-24 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
US5886866A (en) * 1998-07-06 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing
JP3892609B2 (ja) * 1999-02-16 2007-03-14 株式会社東芝 ホットプレートおよび半導体装置の製造方法
DE19907497C2 (de) * 1999-02-22 2003-05-28 Steag Hamatech Ag Vorrichtung und Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten
US6353209B1 (en) * 1999-03-04 2002-03-05 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Temperature processing module
US6523493B1 (en) * 2000-08-01 2003-02-25 Tokyo Electron Limited Ring-shaped high-density plasma source and method
US6100506A (en) * 1999-07-26 2000-08-08 International Business Machines Corporation Hot plate with in situ surface temperature adjustment
US6175175B1 (en) * 1999-09-10 2001-01-16 The University Of Chicago Levitation pressure and friction losses in superconducting bearings
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
EP1199908A4 (en) * 1999-10-22 2003-01-22 Ibiden Co Ltd CERAMIC HEATING PLATE
US6271459B1 (en) * 2000-04-26 2001-08-07 Wafermasters, Inc. Heat management in wafer processing equipment using thermoelectric device
US6403403B1 (en) * 2000-09-12 2002-06-11 The Aerospace Corporation Diode isolated thin film fuel cell array addressing method
US6475336B1 (en) * 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
AU2002212963A1 (en) * 2000-10-25 2002-05-06 Tokyo Electron Limited Method of and structure for controlling electrode temperature
US6501052B2 (en) * 2000-12-22 2002-12-31 Chrysalis Technologies Incorporated Aerosol generator having multiple heating zones and methods of use thereof
AU2002240261A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-19 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for active temperature control of susceptors
US6746616B1 (en) * 2001-03-27 2004-06-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for providing etch uniformity using zoned temperature control
US6741446B2 (en) * 2001-03-30 2004-05-25 Lam Research Corporation Vacuum plasma processor and method of operating same
JP3582518B2 (ja) * 2001-04-18 2004-10-27 住友電気工業株式会社 抵抗発熱体回路パターンとそれを用いた基板処理装置
CN100401852C (zh) * 2001-04-30 2008-07-09 科林研发公司 用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置
US20050211385A1 (en) 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
US6847014B1 (en) * 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US6795292B2 (en) * 2001-05-15 2004-09-21 Dennis Grimard Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
US20060191637A1 (en) 2001-06-21 2006-08-31 John Zajac Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control
US6483690B1 (en) * 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
JP3897563B2 (ja) * 2001-10-24 2007-03-28 日本碍子株式会社 加熱装置
US6739138B2 (en) * 2001-11-26 2004-05-25 Innovations Inc. Thermoelectric modules and a heating and cooling apparatus incorporating same
US6858361B2 (en) * 2002-03-01 2005-02-22 David S. L. Mui Methodology for repeatable post etch CD in a production tool
US6921724B2 (en) * 2002-04-02 2005-07-26 Lam Research Corporation Variable temperature processes for tunable electrostatic chuck
US6612673B1 (en) * 2002-04-29 2003-09-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for predicting dynamic thermal conditions of an inkjet printing system
JP3808407B2 (ja) * 2002-07-05 2006-08-09 住友大阪セメント株式会社 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法
DE10397020B4 (de) * 2002-07-11 2022-08-04 Temptronic Corp. Werkstück-Einspannvorrichtung mit Temperatursteuereinheit mit Abstandshaltern zwischen Schichten, die einen Zwischenraum für thermoelektrische Module schaffen und Verfahren zum Halten eines Werkstücks
US6825681B2 (en) * 2002-07-19 2004-11-30 Delta Design, Inc. Thermal control of a DUT using a thermal control substrate
US7504006B2 (en) * 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
JP3924524B2 (ja) 2002-10-29 2007-06-06 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置およびその製造方法
US7372001B2 (en) * 2002-12-17 2008-05-13 Nhk Spring Co., Ltd. Ceramics heater
US6979805B2 (en) * 2003-01-08 2005-12-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fuel-cell resistors and methods
EP1588423A2 (en) * 2003-01-22 2005-10-26 Group IV Semiconductor Inc. Rare earth doped group iv nanocrystal layers
US6825617B2 (en) * 2003-02-27 2004-11-30 Hitachi High-Technologies Corporation Semiconductor processing apparatus
JP4607865B2 (ja) * 2003-03-28 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板の温度コントロールのための方法とシステム
US20040200574A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-14 Applied Materials, Inc. Method for controlling a process for fabricating integrated devices
US6989210B2 (en) * 2003-04-23 2006-01-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fuel cartridge with thermo-degradable barrier system
US8974630B2 (en) * 2003-05-07 2015-03-10 Sungkyunkwan University Inductively coupled plasma processing apparatus having internal linear antenna for large area processing
US20050016465A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having electrode with rounded edge
TWI247551B (en) * 2003-08-12 2006-01-11 Ngk Insulators Ltd Method of manufacturing electrical resistance heating element
JP2005123286A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2005136025A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及びウエハステージ
KR20050053464A (ko) 2003-12-01 2005-06-08 정준호 직렬 연결된 2개의 다이오드를 이용한 반도체 기억소자
US20100257871A1 (en) * 2003-12-11 2010-10-14 Rama Venkatasubramanian Thin film thermoelectric devices for power conversion and cooling
US7250309B2 (en) * 2004-01-09 2007-07-31 Applied Materials, Inc. Integrated phase angle and optical critical dimension measurement metrology for feed forward and feedback process control
JP4349952B2 (ja) * 2004-03-24 2009-10-21 京セラ株式会社 ウェハ支持部材とその製造方法
US7141763B2 (en) * 2004-03-26 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for rapid temperature change and control
WO2006004281A1 (en) 2004-03-30 2006-01-12 Adaptive Plasma Technology Corp. Plasma source coil and plasma chamber using the same
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
JP2005294237A (ja) 2004-04-05 2005-10-20 Aun:Kk 面状ヒーター
JP4281605B2 (ja) * 2004-04-08 2009-06-17 住友電気工業株式会社 半導体加熱装置
US20050229854A1 (en) * 2004-04-15 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for temperature change and control
US7415312B2 (en) * 2004-05-25 2008-08-19 Barnett Jr James R Process module tuning
JP2005347612A (ja) 2004-06-04 2005-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハトレイ及びウェハバーンインユニット、それを用いたウェハレベルバーンイン装置並びに半導体ウェハの温度制御方法
KR20050121913A (ko) 2004-06-23 2005-12-28 삼성전자주식회사 베이크 장치
US7396431B2 (en) * 2004-09-30 2008-07-08 Tokyo Electron Limited Plasma processing system for treating a substrate
US20060090855A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate temperature control method
KR100632544B1 (ko) 2004-12-15 2006-10-09 현대자동차주식회사 직류변환기의 게이트 드라이버 회로
US7475551B2 (en) * 2004-12-23 2009-01-13 Nanocoolers, Inc. System employing temporal integration of thermoelectric action
US20060226123A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 Applied Materials, Inc. Profile control using selective heating
JP4667158B2 (ja) * 2005-08-09 2011-04-06 パナソニック株式会社 ウェーハレベルバーンイン方法
JP2007081160A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP4483751B2 (ja) 2005-09-16 2010-06-16 株式会社デンソー 電源逆接続保護回路
JP2006074067A (ja) * 2005-11-08 2006-03-16 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および処理方法
US20070125762A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
JP2006303514A (ja) * 2006-05-01 2006-11-02 Fujitsu Ltd 静電チャック、成膜方法及びエッチング方法
US8168050B2 (en) * 2006-07-05 2012-05-01 Momentive Performance Materials Inc. Electrode pattern for resistance heating element and wafer processing apparatus
JP4394667B2 (ja) * 2006-08-22 2010-01-06 日本碍子株式会社 ヒータ付き静電チャックの製造方法
US7557328B2 (en) * 2006-09-25 2009-07-07 Tokyo Electron Limited High rate method for stable temperature control of a substrate
US7723648B2 (en) * 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
US7297894B1 (en) * 2006-09-25 2007-11-20 Tokyo Electron Limited Method for multi-step temperature control of a substrate
US7625680B2 (en) * 2006-09-29 2009-12-01 Tokyo Electron Limited Method of real time dynamic CD control
JP4850664B2 (ja) * 2006-11-02 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置
KR20080058109A (ko) 2006-12-21 2008-06-25 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 가열장치 및 가열방법
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US7671412B2 (en) * 2007-02-15 2010-03-02 Tokyo Electron Limited Method and device for controlling temperature of a substrate using an internal temperature control device
US20080197015A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Terry Bluck Multiple-magnetron sputtering source with plasma confinement
KR100849069B1 (ko) * 2007-04-20 2008-07-30 주식회사 하이닉스반도체 정전기 방전 보호 장치
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
JP2008288427A (ja) 2007-05-18 2008-11-27 Elpida Memory Inc 温度調節装置、ステージ装置、露光装置および露光方法
US20090000738A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Neil Benjamin Arrays of inductive elements for minimizing radial non-uniformity in plasma
JP2009170509A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Hitachi High-Technologies Corp ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置
JP4486135B2 (ja) * 2008-01-22 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 温度制御機構およびそれを用いた処理装置
JP5351479B2 (ja) * 2008-01-28 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 加熱源の冷却構造
JP5307445B2 (ja) 2008-04-28 2013-10-02 日本碍子株式会社 基板保持体及びその製造方法
US20100116788A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-13 Lam Research Corporation Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support
JP2010153730A (ja) 2008-12-26 2010-07-08 Omron Corp 配線構造、ヒータ駆動装置、計測装置および制御システム
GB2470063B (en) * 2009-05-08 2011-09-28 Siemens Magnet Technology Ltd Quench propagation circuit for superconducting magnets
KR101842675B1 (ko) * 2009-07-08 2018-03-27 플라즈마시, 인크. 플라즈마 처리를 위한 장치 및 방법
US8637794B2 (en) 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
KR101644673B1 (ko) 2009-12-15 2016-08-01 램 리써치 코포레이션 Ｃｄ 균일성을 향상시키기 위한 기판 온도의 조절
US8791392B2 (en) 2010-10-22 2014-07-29 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
US8546732B2 (en) 2010-11-10 2013-10-01 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US8624168B2 (en) 2011-09-20 2014-01-07 Lam Research Corporation Heating plate with diode planar heater zones for semiconductor processing
US8461674B2 (en) 2011-09-21 2013-06-11 Lam Research Corporation Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006519497A (ja) * 2003-02-27 2006-08-24 ラム　リサーチ　コーポレーション 局所的なウェーハの温度調節によるウェーハ全体における微細寸法のばらつき補正

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