CN109473381A - 湿法刻蚀清洗设备和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种湿法刻蚀清洗设备，包括晶圆托举装置，底座表面用于放置晶圆，在底座上设置有多个加热装置，各加热装置按照晶圆的分区进行设置且用于实现对晶圆的各分区进行独立加热；湿法刻蚀对膜层的刻蚀速率和温度相关，在对晶圆进行湿法刻蚀过程中，各加热装置独立控制对应的晶圆的分区的温度从而控制对应的晶圆的分区的温度的刻蚀速率。本发明公开了一种湿法刻蚀清洗方法。本发明能对晶圆进行分区加热从而实现对晶圆的各分区的刻蚀温度进行单独控制，从而能对晶圆的各分区的刻蚀速率进行独立调节并最后能提高刻蚀后的膜层的面内平整度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种湿法刻蚀清洗设备；本发明还涉及一种湿法刻蚀清洗方法。
背景技术
在集成电路生产中，四甲基氢氧化铵(TMAH)经常作为碱性刻蚀药液，用来刻蚀或者剥离晶圆(wafer)表面的硅膜层。在目前主流的工艺中，TMAH药剂被喷射到晶圆表面，晶圆高速旋转，药液充分分布到晶圆表面各位置。TMAH的浓度、温度、氧含量等会影响刻蚀速率，并影响刻蚀的面内均一性，并会影响到晶圆的面内平整度。
随着技术节点的不断推进，在一些特殊工艺中，要求晶圆表面在硅刻蚀后有很高的面内平整度，如背照式图像传感器(CMOS Image Sensor Backside Illumination,CISBSI)工艺。这一方面要求硅膜层刻蚀要有高的刻蚀面内均一性；另一方面，要求可以根据晶圆在硅刻蚀工艺前的不同面内平整度状况，选择不同的硅刻蚀程式，以最终达到要求的面内平整度(total thickness variation，TTV)。目前，部分厂家通过调节药液喷嘴在晶圆表面的移动位置、移动速度来提升刻蚀面内均一性，但效果有限。
如图1A所示，是现有湿法刻蚀清洗方法中湿法刻蚀时示意图；刻蚀时，将晶圆101防止在晶圆托举装置的底座上，在湿法刻蚀过程中，底座会进行如标记104所示的旋转；刻蚀液103会通过供液装置102的喷嘴喷到晶圆101的表面的膜层上。对应硅膜层，刻蚀液103通常为TMAH，也能为KOH。
TMAH的浓度、温度、氧含量等会影响刻蚀速率，并影响刻蚀的面内均一性，并会影响到晶圆的面内平整度。随着，技术节点的不断推进，现有方法刻蚀后的膜层的面内平整度往往达不到要求。如图1B所示，是现有湿法刻蚀清洗方法完成后晶圆的膜层面内分布图；可以看出，晶圆101上的标记105a、105b和105c对应的三个区域的膜层的厚度会不一样，从而影响到膜层的面内平整度。而现有方法中，往往通过调整供液装置102的喷嘴在晶圆101表面的移动位置、移动速度来提升刻蚀面内均一性，这对应提高膜层的面内平整度的效果有限。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种湿法刻蚀清洗设备，能对晶圆进行分区加热从而实现对晶圆的各分区的刻蚀温度进行单独控制，从而能对晶圆的各分区的刻蚀速率进行独立调节并最后能提高刻蚀后的膜层的面内平整度。
为解决上述技术问题，本发明提供的湿法刻蚀清洗设备包括晶圆托举装置。
所述晶圆托举装置的底座表面用于放置晶圆，在所述底座上设置有多个加热装置，各所述加热装置按照所述晶圆的分区进行设置且用于实现对所述晶圆的各分区进行独立加热。
湿法刻蚀对所述膜层的刻蚀速率和温度相关，在对所述晶圆进行湿法刻蚀过程中，各所述加热装置独立控制对应的所述晶圆的分区的温度从而控制对应的所述晶圆的分区的温度的刻蚀速率，并使得所述晶圆上的膜层在湿法刻蚀后的面内平整度提高。
进一步的改进是，所述湿法刻蚀对应的所述膜层为硅膜层。
进一步的改进是，所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加。
进一步的改进是，所述湿法刻蚀的刻蚀液为TMAH。
进一步的改进是，所述晶圆的分区结构为：
按照所述晶圆的半径进行等分形成一个最内侧圆形以及依次位于所述最内侧圆形外的多个圆环形。
对各所述圆环形按照角度等分成多个扇形，越往外侧的所述圆环形等分的所述扇形的数量越多。
在各所述扇形处以及所述最内侧圆形处设置一个对应的所述加热装置。
进一步的改进是，等分后形成的各所述扇形和所述最内侧圆形的面积趋于相等。
进一步的改进是，所述湿法刻蚀的刻蚀液为KOH。
进一步的改进是，所述湿法刻蚀对应的所述膜层为氧化硅膜层，所述湿法刻蚀的刻蚀液中包含有氢氟酸。
为解决上述技术问题，本发明提供的湿法刻蚀清洗方法包括如下步骤：
步骤一、对湿法刻蚀清洗设备的晶圆托举装置进行如下设置：
所述晶圆托举装置的底座表面用于放置晶圆，在所述底座上设置有多个加热装置，各所述加热装置按照所述晶圆的分区进行设置且用于实现对所述晶圆的各分区进行独立加热。
步骤二、将表面形成有需要被刻蚀的膜层的所述晶圆放置在所述晶圆托举装置的底座上。
步骤三、通过各所述加热装置独立控制对应的所述晶圆的分区的温度。
步骤四、在所述晶圆的所述膜层的表面喷射刻蚀液实现对所述膜层的湿法刻蚀，利用所述湿法刻蚀对所述膜层的刻蚀速率和温度相关性，通过对所述晶圆的各分区的温度的独立控制来实现对各分区的刻蚀速率的独立控制，使得所述晶圆上的膜层在湿法刻蚀后的面内平整度提高。
进一步的改进是，所述湿法刻蚀对应的所述膜层为硅膜层。
所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加，步骤三中根据所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度变化的关系曲线设置所述晶圆的各分区的温度。
进一步的改进是，所述湿法刻蚀的刻蚀液为TMAH。
进一步的改进是，所述湿法刻蚀对应的所述膜层为氧化硅膜层，所述湿法刻蚀的刻蚀液中包含有氢氟酸。
进一步的改进是，所述晶圆的分区结构为：
按照所述晶圆的半径进行等分形成一个最内侧圆形以及依次位于所述最内侧圆形外的多个圆环形。
对各所述圆环形按照角度等分成多个扇形，越往外侧的所述圆环形等分的所述扇形的数量越多。
在各所述扇形处以及所述最内侧圆形处设置一个对应的所述加热装置。
进一步的改进是，在步骤二将所述晶圆放置在所述晶圆托举装置的底座上之前，还包括预先测量所述晶圆的所述膜层的面内平整度的步骤，步骤三中根据预先测量的面内平整度设置所述晶圆的各分区的温度。
进一步的改进是，在进行所述晶圆的湿法刻蚀之前，先预备一片测试晶圆，在所述测试晶圆上形成有测试膜层，所述测试膜层和所述晶圆上的所述膜层结构相同，在进行所述晶圆的所述膜层的湿法刻蚀之前，预先进行一次不通过各所述加热装置控制所述测试晶圆的各分区的温度的湿法刻蚀并测试湿法刻蚀后的所述测试晶圆上的所述测试膜层的面内平整度；在后续的所述晶圆的所述膜层的对应的步骤三中，根据所述测试膜层对应的湿法刻蚀后的面内平整度，调节所述晶圆的各分区对应的温度并使得步骤四完成后所述晶圆上的所述膜层的面内平整度达到要求。
进一步的改进是，根据工艺要求需要在步骤四的湿法刻蚀完成之后，在对应的分区中需要得到不同于其它分区的厚度的所述膜层时，在步骤三中控制对应分区的温度使得所对应的分区的所述膜层的湿法刻蚀后的厚度达到需要值。
本发明在湿法刻蚀清洗设备的晶圆托举装置的底座上设置了加热装置，且加热装置时根据晶圆的分区进行设置的，这样能对晶圆进行分区加热从而实现对晶圆的各分区的刻蚀温度进行单独控制，从而能对晶圆的各分区的刻蚀速率进行独立调节并最后能提高刻蚀后的膜层的面内平整度。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1A是现有湿法刻蚀清洗方法中湿法刻蚀时示意图；
图1B是现有湿法刻蚀清洗方法完成后晶圆的膜层面内分布图；
图2A是本发明实施例湿法刻蚀清洗设备的结构示意图；
图2B是本发明实施例湿法刻蚀清洗设备对应的晶圆的分区结构图；
图3是本发明实施例中膜层的湿法刻蚀速率和温度的关系曲线；
图4是本发明第一较佳实施例方法中根据膜层的湿法刻蚀前的膜层的面内平整度进行刻蚀速率和温度的分区设置的示意图；
图5A是本发明第二较佳实施例方法中根据测试膜层的面内平整度进行对应的膜层的刻蚀速率和温度的分区设置的示意图；
图5B是本发明第二较佳实施例湿法刻蚀清洗方法完成后晶圆的膜层面内分布图；
图6A是本发明第三较佳实施例方法对的特定分区进行所需的刻蚀速率和温度的设置的示意图；
图6B是本发明第三较佳实施例湿法刻蚀清洗方法完成后晶圆的膜层面内分布图。
具体实施方式
如图2A所示，是本发明实施例湿法刻蚀清洗设备的结构示意图；如图2B所示，是本发明实施例湿法刻蚀清洗设备对应的晶圆1的分区结构图；本发明实施例湿法刻蚀清洗设备包括晶圆托举装置。
所述晶圆托举装置的底座4表面用于放置晶圆1，在所述底座4上设置有多个加热装置5，各所述加热装置5按照所述晶圆1的分区进行设置且用于实现对所述晶圆1的各分区进行独立加热。
湿法刻蚀对所述膜层的刻蚀速率和温度相关，在对所述晶圆1进行湿法刻蚀过程中，各所述加热装置5独立控制对应的所述晶圆1的分区的温度从而控制对应的所述晶圆1的分区的温度的刻蚀速率，并使得所述晶圆1上的膜层在湿法刻蚀后的面内平整度提高。
所述湿法刻蚀对应的所述膜层为硅膜层。所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加。
所述湿法刻蚀的刻蚀液为TMAH。如图3所示，是本发明实施例中膜层的湿法刻蚀速率和温度的关系曲线；曲线201、202、203和204之间表示不同浓度的TMAH，可以看出，不同浓度的TMAH的湿法刻蚀速率都会随温度的增加而增加。在其他实施例中也能为：所述湿法刻蚀的刻蚀液为KOH等碱性刻蚀药剂。
在其他实施例中，所述湿法刻蚀对应的所述膜层也能为其他任何在湿法刻蚀中刻蚀速率和温度相关的膜层，例如所述膜层为氧化硅膜层，所述湿法刻蚀的刻蚀液中包含有氢氟酸，如采用DHF刻蚀。
如图2B所示，所述晶圆1的分区结构为：
按照所述晶圆1的半径进行等分形成一个最内侧圆形6a以及依次位于所述最内侧圆形6a外的多个圆环形。图2B中，包括了2个圆环形，分布为位于最内侧圆形6a和圆形6b之间的圆环形以及位于圆形6a和所述晶圆1的最外侧圆形边之间的圆环形。
对各所述圆环形按照角度等分成多个扇形，越往外侧的所述圆环形等分的所述扇形的数量越多。更优选择为，等分后形成的各所述扇形和所述最内侧圆形6a的面积趋于相等，也就使各分区的面积尽量相等。
在各所述扇形处以及所述最内侧圆形6a处设置一个对应的所述加热装置5。
本发明实施例在湿法刻蚀清洗设备的晶圆托举装置的底座4上设置了加热装置5，且加热装置5时根据晶圆1的分区进行设置的，这样能对晶圆1进行分区加热从而实现对晶圆1的各分区的刻蚀温度进行单独控制，从而能对晶圆1的各分区的刻蚀速率进行独立调节并最后能提高刻蚀后的膜层的面内平整度。
本发明第实施例方法：
本发明实施例湿法刻蚀清洗方法包括如下步骤：
步骤一、对湿法刻蚀清洗设备的晶圆托举装置进行如下设置：
所述晶圆托举装置的底座4表面用于放置晶圆1，在所述底座4上设置有多个加热装置5，各所述加热装置5按照所述晶圆1的分区进行设置且用于实现对所述晶圆1的各分区进行独立加热。
如图2B所示，所述晶圆1的分区结构为：
按照所述晶圆1的半径进行等分形成一个最内侧圆形6a以及依次位于所述最内侧圆形6a外的多个圆环形。图2B中，包括了2个圆环形，分布为位于最内侧圆形6a和圆形6b之间的圆环形以及位于圆形6a和所述晶圆1的最外侧圆形边之间的圆环形。
对各所述圆环形按照角度等分成多个扇形，越往外侧的所述圆环形等分的所述扇形的数量越多。更优选择为，等分后形成的各所述扇形和所述最内侧圆形6a的面积趋于相等，也就使各分区的面积尽量相等。
在各所述扇形处以及所述最内侧圆形6a处设置一个对应的所述加热装置5。
步骤二、将表面形成有需要被刻蚀的膜层的所述晶圆1放置在所述晶圆托举装置的底座4上。
所述湿法刻蚀对应的所述膜层为硅膜层。
所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加。
所述湿法刻蚀的刻蚀液为TMAH。在其他实施例方法中也能为：所述湿法刻蚀的刻蚀液为KOH等碱性刻蚀药剂。
步骤三、通过各所述加热装置5独立控制对应的所述晶圆1的分区的温度。
所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加，步骤三中根据所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度变化的关系曲线即图3所示的曲线设置所述晶圆1的各分区的温度。
步骤四、在所述晶圆1的所述膜层的表面喷射刻蚀液实现对所述膜层的湿法刻蚀，利用所述湿法刻蚀对所述膜层的刻蚀速率和温度相关性，通过对所述晶圆1的各分区的温度的独立控制来实现对各分区的刻蚀速率的独立控制，使得所述晶圆1上的膜层在湿法刻蚀后的面内平整度提高。
在其他实施例方法中，所述湿法刻蚀对应的所述膜层也能为其他任何在湿法刻蚀中刻蚀速率和温度相关的膜层，例如所述膜层为氧化硅膜层，所述湿法刻蚀的刻蚀液中包含有氢氟酸，如采用稀释的氢氟酸(dilute HF，DHF)刻蚀。
下面介绍三种在上述本发明实施例的基础上形成的三个较佳实施例方法：
本发明第一较佳实施例方法：
如图4所示，是本发明第一较佳实施例方法中根据膜层的湿法刻蚀前的膜层的面内平整度进行刻蚀速率和温度的分区设置的示意图；
本发明第一较佳实施例方法中，在步骤二将所述晶圆1放置在所述晶圆托举装置的底座4上之前，还包括预先测量所述晶圆1的所述膜层的面内平整度的步骤，步骤三中根据预先测量的面内平整度设置所述晶圆1的各分区的温度。图4中的标记301表示预先测量的所述晶圆1的所述膜层的表面位置，可以看出所述膜层的表面位置会有波形起伏。可以根据标记301对应的波形起伏曲线进行分区，分成了标记302和303所示的两种类型的区域，在标记302所示的区域中，所述膜层的厚度较大，这时可以将这些区域的温度升高，使这些区域的刻蚀速率增加；而在标记303所对应的区域中，可以将这些区域的温度降低，使这些区域的刻蚀速率降低。
经过标记302和303所示的独立温度设置之后，能使刻蚀后的所述膜层的面内平整度改善。
本发明第二较佳实施例方法：
在进行所述晶圆1的湿法刻蚀之前，先预备一片测试晶圆，在所述测试晶圆上形成有测试膜层，所述测试膜层和所述晶圆1上的所述膜层结构相同，在进行所述晶圆1的所述膜层的湿法刻蚀之前，预先进行一次不通过各所述加热装置5控制所述测试晶圆的各分区的温度的湿法刻蚀并测试湿法刻蚀后的所述测试晶圆上的所述测试膜层的面内平整度。所述测试晶圆的所述测试膜层的面内平整度就是图1B所示的现有方法形成对的膜层的面内平整度，故所述测试膜层的面内平整度请参考图1B所示，可以看出，在晶圆101的面内主要分成了3个区域，即标记105a、105b和105c所对应的区域。
这样就可以更加图1B的3个区域的厚度分布来进行步骤三中的各分区的温度设置，也即：在后续的所述晶圆1的所述膜层的对应的步骤三中，根据所述测试膜层对应的湿法刻蚀后的面内平整度，调节所述晶圆1的各分区对应的温度。如图5A所示，是本发明第二较佳实施例方法中根据测试膜层的面内平整度进行对应的膜层的刻蚀速率和温度的分区设置的示意图；标记5a、5b和5c对应的加热装置的区域和图1B中的标记105a、105b和105c的区域相对应，故可以根据标记105a、105b和105c的区域厚度设置标记5a、5b和5c对应的加热装置的加热功率从而调节对应区域的温度，使得标记105a、105b和105c的区域中厚度较厚的区域的刻蚀速率增加以及厚度较小的区域的刻蚀速率降低。
最后，使得步骤四完成后所述晶圆1上的所述膜层的面内平整度达到要求。如图5B所示，是本发明第二较佳实施例湿法刻蚀清洗方法完成后晶圆的膜层面内分布图，可以看出，标记1a对应的膜层的厚度分布较均匀，在图1B的不均匀的结构的基础上进行了改善。
本发明第三较佳实施例方法：
有些工艺工艺，并不需要在同一晶圆1上的各位置处的膜层的厚度都一致，部分区域的膜层的厚度需要单独设置，这时就需要利用到本发明第三较佳实施例方法，本发明第三较佳实施例方法中，根据工艺要求需要在步骤四的湿法刻蚀完成之后，在对应的分区中需要得到不同于其它分区的厚度的所述膜层时，在步骤三中控制对应分区的温度使得所对应的分区的所述膜层的湿法刻蚀后的厚度达到需要值。如图6A所示，是本发明第三较佳实施例方法对的特定分区进行所需的刻蚀速率和温度的设置的示意图；标记5d和其他标记5e对应的加热装置的加热功率不同，这样能使标记5d对应的区域的膜层的刻蚀速率不同于其它区域，并在最后使得标记5d的加热装置所控制的分区的膜层的厚度不同。如图6B所示，是本发明第三较佳实施例湿法刻蚀清洗方法完成后晶圆的膜层面内分布图，可以看出，虚线圈401所对应的区域位于标记5d的而加热装置所控制的分区，虚线圈401所对应的区域膜层的厚度不同于其它区域的膜层的厚度，从而实现了对虚线圈401所对应的区域膜层的厚度的单独调节。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：包括晶圆托举装置；
所述晶圆托举装置的底座表面用于放置晶圆，在所述底座上设置有多个加热装置，各所述加热装置按照所述晶圆的分区进行设置且用于实现对所述晶圆的各分区进行独立加热；
湿法刻蚀对所述膜层的刻蚀速率和温度相关，在对所述晶圆进行湿法刻蚀过程中，各所述加热装置独立控制对应的所述晶圆的分区的温度从而控制对应的所述晶圆的分区的温度的刻蚀速率，并使得所述晶圆上的膜层在湿法刻蚀后的面内平整度提高。
2.如权利要求1所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述湿法刻蚀对应的所述膜层为硅膜层；所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加。
3.如权利要求2所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述湿法刻蚀的刻蚀液为TMAH。
4.如权利要求3所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述晶圆的分区结构为：
按照所述晶圆的半径进行等分形成一个最内侧圆形以及依次位于所述最内侧圆形外的多个圆环形；
对各所述圆环形按照角度等分成多个扇形，越往外侧的所述圆环形等分的所述扇形的数量越多；
在各所述扇形处以及所述最内侧圆形处设置一个对应的所述加热装置。
5.如权利要求4所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：等分后形成的各所述扇形和所述最内侧圆形的面积趋于相等。
6.如权利要求2所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述湿法刻蚀的刻蚀液为KOH。
7.如权利要求1所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述湿法刻蚀对应的所述膜层为氧化硅膜层，所述湿法刻蚀的刻蚀液中包含有氢氟酸。
8.一种湿法刻蚀清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、对湿法刻蚀清洗设备的晶圆托举装置进行如下设置：
所述晶圆托举装置的底座表面用于放置晶圆，在所述底座上设置有多个加热装置，各所述加热装置按照所述晶圆的分区进行设置且用于实现对所述晶圆的各分区进行独立加热；
步骤二、将表面形成有需要被刻蚀的膜层的所述晶圆放置在所述晶圆托举装置的底座上；
步骤三、通过各所述加热装置独立控制对应的所述晶圆的分区的温度；
步骤四、在所述晶圆的所述膜层的表面喷射刻蚀液实现对所述膜层的湿法刻蚀，利用所述湿法刻蚀对所述膜层的刻蚀速率和温度相关性，通过对所述晶圆的各分区的温度的独立控制来实现对各分区的刻蚀速率的独立控制，使得所述晶圆上的膜层在湿法刻蚀后的面内平整度提高。
9.如权利要求8所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：所述湿法刻蚀对应的所述膜层为硅膜层；
所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加，步骤三中根据所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度变化的关系曲线设置所述晶圆的各分区的温度。
10.如权利要求9所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：所述湿法刻蚀的刻蚀液为TMAH。
11.如权利要求8所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：所述湿法刻蚀对应的所述膜层为氧化硅膜层，所述湿法刻蚀的刻蚀液中包含有氢氟酸。
12.如权利要求10所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：所述晶圆的分区结构为：
按照所述晶圆的半径进行等分形成一个最内侧圆形以及依次位于所述最内侧圆形外的多个圆环形；
对各所述圆环形按照角度等分成多个扇形，越往外侧的所述圆环形等分的所述扇形的数量越多；
在各所述扇形处以及所述最内侧圆形处设置一个对应的所述加热装置。
13.如权利要求12所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：在步骤二将所述晶圆放置在所述晶圆托举装置的底座上之前，还包括预先测量所述晶圆的所述膜层的面内平整度的步骤，步骤三中根据预先测量的面内平整度设置所述晶圆的各分区的温度。
14.如权利要求12所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：在进行所述晶圆的湿法刻蚀之前，先预备一片测试晶圆，在所述测试晶圆上形成有测试膜层，所述测试膜层和所述晶圆上的所述膜层结构相同，在进行所述晶圆的所述膜层的湿法刻蚀之前，预先进行一次不通过各所述加热装置控制所述测试晶圆的各分区的温度的湿法刻蚀并测试湿法刻蚀后的所述测试晶圆上的所述测试膜层的面内平整度；在后续的所述晶圆的所述膜层的对应的步骤三中，根据所述测试膜层对应的湿法刻蚀后的面内平整度，调节所述晶圆的各分区对应的温度并使得步骤四完成后所述晶圆上的所述膜层的面内平整度达到要求。
15.如权利要求12所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：根据工艺要求需要在步骤四的湿法刻蚀完成之后，在对应的分区中需要得到不同于其它分区的厚度的所述膜层时，在步骤三中控制对应分区的温度使得所对应的分区的所述膜层的湿法刻蚀后的厚度达到需要值。
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