CN106353909A - 加热板和烘烤装置 - Google Patents

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吴良东
高明圣
陈仲仁
王鹏
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract

本发明提供了一种加热板，用于加热基板，所述加热板包括一个第一加热块和多个第二加热块，多个所述第二加热块对应所述基板的周边位置分布，且多个所述第二加热块围设在所述第一加热块的外周；每个所述第二加热块的加热面积均小于所述第一加热块的加热面积，所述第一加热块及每个所述第二加热块的加热温度均为单独控制。本发明还提供了一种烘烤装置，用于烘烤基板，所述烘烤装置包括箱体、设于所述箱体内的所述加热板及温控单元。本发明的方案能够精确控制基板边缘的烘烤温度，极大提升基板的CD均一性。

Description

加热板和烘烤装置
技术领域
本发明涉及液晶面板技术领域，尤其涉及一种加热板及具有所述加热板的烘烤装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)包括TFT阵列基板和彩膜基板，光刻技术是制造TFT-LCD必不可缺的技术。在光刻技术中的曝光步骤之前，需要在基板上涂布一层光刻胶(或称光阻)，然后通过烘烤工艺对刚涂布的光刻胶层进行硬化处理。
现有的烘烤工艺使用多个尺寸几乎相同的加热块，并统一控制多个加热块的温度，以对基板进行烘烤。然而实验发现，现有的烘烤工艺使得基板周边部位的光刻胶的硬化速度快于基板的中间位置的光刻胶的硬化速度，从而导致在基板的边缘，经曝光后所形成的图形(例如为栅电极与存储电容器Cs所组成的图形)的各个部位线宽(CriticalDimension，简称为CD)不够均匀，进而影响TFT-LCD的画质。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种加热板和具有所述加热板的烘烤装置，能够精确控制基板边缘的烘烤温度，极大提升基板的CD均一性。
一种加热板，用于加热基板，所述加热板包括一个第一加热块和多个第二加热块，多个所述第二加热块对应所述基板的周边位置分布，且多个所述第二加热块围设在所述第一加热块的外周；每个所述第二加热块的加热面积均小于所述第一加热块的加热面积，所述第一加热块及每个所述第二加热块的加热温度均为单独控制。
其中，所述第一加热块位于所述加热板的中心位置。
其中，多个所述第二加热块以所述第一加热板为中心对称分布。
其中，每个所述第二加热块的加热面积均相同。
一种烘烤装置，用于烘烤基板，所述烘烤装置包括箱体、设于所述箱体内的加热板及温控单元；所述加热板包括一个第一加热块和多个第二加热块，多个所述第二加热块对应所述基板的周边位置分布，且多个所述第二加热块围设在所述第一加热块的外周；每个所述第二加热块的加热面积均小于所述第一加热块的加热面积；所述温控单元与所述第一加热块及每个所述第二加热块均电连接，用于分别控制所述第一加热块及每个所述第二加热块的加热温度。
其中，所述第一加热块位于所述加热板的中心位置。
其中，多个所述第二加热块以所述第一加热板为中心对称分布。
其中，每个所述第二加热块的加热面积均相同。
由此，本发明的烘烤装置，在对应基板的周边位置设置多个具有较小加热面积的第二加热块，而在对应基板的中间位置设置一个具有较大加热面积的第一加热块，相当于对原本为整块的加热板进行分割，将加热板的周边区域进行细分，划分出能够单独进行温度控制的各个第二加热块。通过对每个第二加热块分别进行温控，能够精确调节局部的加热温度，使得基板各个部位的温升趋于一致，令基板周边与中间位置的光刻胶的硬化速度也趋于均一，从而减小了基板周边的CD差异，提升了CD均一性。
附图说明
为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。
图1是本发明实施例的烘烤装置的结构示意图；
图2是图1中的加热板的结构示意图；
图3是表示现有技术中批量对基板进行CD值测量而得到的数据柱状图；
图4是表示本发明实施例中对基板进行CD值测量而得到的数据柱状图。
具体实施例
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例提供了一种烘烤装置10，用于对基板进行烘烤硬化，便于后续进行曝光处理。所述基板可以是TFT阵列基板，或者彩膜基板。烘烤装置10包括箱体12、设于箱体12内的加热板13及温控单元(图未示)。其中，箱体12是进行烘烤的场所。箱体12内设有平台11，平台11上承载有基板20。在其他实施例中，箱体内的结构并不限于为上文所述。加热板13对基板20进行加热，以实现烘烤。加热板13具有与基板20相匹配的形状，以覆盖基板20上的全部光阻涂布区。本实施例中，加热板13设在平台11之下，即加热板13隔着平台11对基板20进行加热；在其他实施例中，加热板13也可以设在平台11之内。温控单元设于箱体12内，且与加热板13电连接，用于控制加热板13的加热温度。
具体的，如图2所示，加热板13包括第一加热块131和多个第二加热块132。其中，多个第二加热块132将第一加热块131围设在内。并且第一加热块131对应基板20的中间位置分布，而多个第二加热块132对应基板20的周边位置分布。每个第二加热块132的加热面积均小于第一加热块131的加热面积。所述加热面积即为第一加热块131或第二加热块132中辐射热量的表面积。第一加热块131和每个第二加热块132均与所述温控单元电连接，由此所述温控单元能够分别单独控制第一加热块131和每个第二加热块132的加热温度。
本实施例中，在对应基板20的周边位置设置多个具有较小加热面积的第二加热块132，而在对应基板20的中间位置设置一个具有较大加热面积的第一加热块131，相当于对原本为整块的加热板进行分割，将加热板的周边区域进行细分，划分出能够单独进行温度控制的各个第二加热块132。通过对每个第二加热块132分别进行温控，能够精确调节局部的加热温度，使得基板20各个部位的温升趋于一致，基板20周边与中间的光刻胶的硬化速度也趋于均一，从而减小了基板20周边的CD差异，提升了CD均一性。
图3和图4分别示出了现有技术与本实施例中批量对基板进行CD值测量的结果。图3和图4中的横坐标均代表基板编号，即取基板1～基板8为样本进行测量；纵坐标均代表CD极值差，即每个基板上CD最大值与CD最小值的差。通常最大CD值出现在基板的周边，最小CD值出现在基板的中间，因此所述CD极值差表征了基板周边CD值与基板中间CD值的偏差程度。所述CD极值差越大，表明基板周边CD值与基板中间CD值的偏差程度越大，则CD均一性越差；反之，则CD均一性越好。
如图3和图4所示，现有技术中基板1～基板8的所述CD极值差都较本实施例中的偏大。例如，现有技术中，基板1～基板8的所述CD极值差都在0.6以上；而本实施例中，基板1～基板8的所述CD极值差均小于0.6。此表明本实施例中，由于采用了烘烤装置10进行烘烤工艺，提升了基板的CD均一性。并且，现有技术中，各个基板的所述CD极值差之间的偏差分布的较为杂散不均；而本实施例中，各个基板的所述CD极值差之间的偏差分布的更为集中均一。此又表明采用本实施例的烘烤装置10，能够提升烘烤制程的稳定性。
如图2所示，优选的，第一加热块131位于加热板13的中心，第一加热块131关于加热板13的中心对称。此种结构便于制造加热板13。在其他实施例中，第一加热块131无需严格设于加热板13的中心。根据实际产品需要，第一加热块131设于对应基板20周边以内的位置即可。
如图2所示，进一步的，多个第二加热块132以第一加热块131为中心呈对称分布。此种设置便于制造加热板13。在其他实施例中，根据产品需要，各个第二加热块132无需呈对称分布，而是可以个性化分布在第一加热块131的外周，以对基板20上的局部区域进行精确加热。
如图2所示，进一步的，多个第二加热块132的加热面积均相同。此种设置便于制造加热板13，也提高了所述温控单元的温控效率。在其他实施例中，根据产品需要，各个第二加热块132可以设置不同的加热面积，以实现精细温控的目的。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易的想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种加热板，用于加热基板，其特征在于，
所述加热板包括一个第一加热块和多个第二加热块，多个所述第二加热块对应所述基板的周边位置分布，且多个所述第二加热块围设在所述第一加热块的外周；每个所述第二加热块的加热面积均小于所述第一加热块的加热面积，所述第一加热块及每个所述第二加热块的加热温度均为单独控制。
2.根据权利要求1所述的加热板，其特征在于，所述第一加热块位于所述加热板的中心位置。
3.根据权利要求2所述的加热板，其特征在于，多个所述第二加热块以所述第一加热板为中心对称分布。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的加热板，其特征在于，每个所述第二加热块的加热面积均相同。
5.一种烘烤装置，用于烘烤基板，其特征在于，
所述烘烤装置包括箱体、设于所述箱体内的加热板及温控单元；所述加热板包括一个第一加热块和多个第二加热块，多个所述第二加热块对应所述基板的周边位置分布，且多个所述第二加热块围设在所述第一加热块的外周；每个所述第二加热块的加热面积均小于所述第一加热块的加热面积；所述温控单元与所述第一加热块及每个所述第二加热块均电连接，用于分别控制所述第一加热块及每个所述第二加热块的加热温度。
6.根据权利要求5所述的烘烤装置，其特征在于，所述第一加热块位于所述加热板的中心位置。
7.根据权利要求6所述的烘烤装置，其特征在于，多个所述第二加热块以所述第一加热板为中心对称分布。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的烘烤装置，其特征在于，每个所述第二加热块的加热面积均相同。
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