JP5458525B2 - Ｓｏｉウェーハの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 135
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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Description
本発明は、シリコン単結晶本体に埋込み酸化膜を介してＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハの製造方法に関する。更に詳しくは、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚さがより均一なＳＯＩウェーハの製造方法に関するものである。
ＳＯＩ基板は、（１）素子と基板間の寄生容量を低減できるのでデバイス動作の高速化が可能であり、（２）放射線耐圧に優れており、（３）誘電体分離が容易のため高集積化が可能である、更に（４）耐ラッチアップの特性を向上できる等の非常に優れた特徴を有する。現在ＳＯＩ基板の製造方法には、大きく２つに分類できる。一つの方法は、薄膜化される活性ウェーハと、支持ウェーハを貼合せて形成する貼合せ法であり、他の方法はウェーハ表面より酸素イオンを注入してウェーハ表面から所定の深さの領域に埋込み酸化層を形成するＳＩＭＯＸ法である。特にＳＩＭＯＸ法は製造工程数が少なく、またＳＩＭＯＸ法により製造されるＳＯＩ基板、即ちＳＩＭＯＸウェーハは、大面積でかつ結晶性の良好な素子形成領域を容易に得ることができるため、将来的に有効な手法として期待されている。
例えば、ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法は、シリコン単結晶基板の一方の主面を鏡面加工した後に、この鏡面加工面から酸素イオンを基板中の所定深さに注入する酸素イオン注入工程と、酸素イオンを注入した基板に酸化雰囲気下、高温熱処理を施すことにより基板内部に埋込み酸化層を形成する高温熱処理工程から構成される。具体的には、シリコン単結晶基板を５００℃〜６５０℃の温度に保持し、基板表面から１０17〜１０18個／ｃｍ2程度の酸素原子イオン或いは酸素分子イオンを所定の深さに注入する。引続き酸素イオンを注入したシリコン基板を５００℃〜７００℃の温度に保持した熱処理炉内に投入し、スリップを発生させないように徐々に昇温を開始して１３００℃〜１３９０℃程度の温度で１０時間程度の熱処理を施す。この高温熱処理により基板内部に注入された酸素イオンがシリコンと反応して基板内部に埋込み酸化膜が形成される。このような工程を経て、支持基板と、この支持基板上に形成された埋込み酸化膜と、この埋込み酸化膜上に形成されたＳＯＩ層とを備えたＳＯＩ基板、即ちＳＩＭＯＸウェーハが製造される。
近年、更なる高性能化が要求される最先端デバイスへのニーズに対応するため、ＳＩＭＯＸウェーハ等のＳＯＩウェーハにおいて、ＳＯＩ層の薄膜化が急速に進んでいる。薄膜のＳＯＩウェーハにおいてＳＯＩ層の厚さはデバイス特性に大きな影響を与えるため、デバイス歩留まり等を向上させるには、ＳＯＩ層の厚さのばらつきを低減し、ＳＯＩ層の厚さをより均一にすることが求められる。
ＳＯＩウェーハの製造において、ＳＯＩ層の厚さのばらつきの原因は、ＳＩＭＯＸ法における酸素イオンの注入条件や、熱処理条件などが影響することが知られているが、これらＳＯＩ層の厚さに影響するすべての因子を毎回ばらつきが生じないようコントロールすることは極めて困難である。そこで、ＳＯＩウェーハの製造に際し、予め目標とするＳＯＩ層よりも厚めのＳＯＩ層を形成しておき、最終的なＳＯＩ層の調整を、洗浄工程とは別途に設けたエッチング工程により行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００７−２６６０５９号公報（請求項１）
しかしながら、上記特許文献１記載の発明では、複数のウェーハを同時に処理できるという利点はあるものの、処理液にウェーハをディッピングさせてエッチングするため、ウェーハの厚い部分を選択的にエッチングすることはできない。そのため、ウェーハ表面の凹部も凸部も表面から均一の厚さでエッチングされ、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化することは困難であった。例えば、図８は従来法により、ＳＯＩ層の厚み分布を均一化したウェーハ面内の膜厚分布を示す図である。図８が示すように、このウェーハの表面には、厚み分布の均一化を行った後も、比較的大きな高低差が残っており、更にウェーハの外周部が中心部に比べ、厚くなる傾向があることがわかる。
本発明の目的は、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布をより均一化することが可能なＳＯＩウェーハの製造方法を提供することにある。
請求項１に係る発明は、支持基板上に埋込み酸化膜とＳＯＩ層をこの順に有するＳＯＩウェーハの製造方法において、ＳＯＩウェーハはその表裏面に熱酸化膜を形成する熱処理工程と、熱酸化膜を除去する工程とを経て製造され、熱酸化膜を除去する工程に続いて、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程を更に含み、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布の均一化が、オゾン水をＳＯＩ層の厚い部分に噴射して酸化するのと同時に、ウェーハ全面にフッ酸を噴射して酸化させた部分をフッ酸で除去することにより行われるＳＯＩウェーハの製造方法である。
請求項２に係る発明は、支持基板上に埋込み酸化膜とＳＯＩ層をこの順に有するＳＯＩウェーハの製造方法において、ＳＯＩウェーハはその表裏面に熱酸化膜を形成する熱処理工程と、熱酸化膜を除去する工程とを経て製造され、熱酸化膜を除去する工程に続いて、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程を更に含み、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布の均一化が、オゾン水をウェーハ全面に噴射して酸化するのと同時に、オゾン水により酸化させたＳＯＩ層の厚い部分にフッ酸を噴射してＳＯＩ層の厚い部分を除去することにより行われるＳＯＩウェーハの製造方法である。
本発明によれば、ＳＯＩウェーハを製造する方法において、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去するため、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布をより均一にすることができる。
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本発明は、支持基板上に埋込み酸化膜とＳＯＩ層をこの順に有するＳＯＩウェーハの製造方法に関するものである。その特徴ある構成は、ＳＯＩウェーハはその表裏面に熱酸化膜を形成する熱処理工程と、熱酸化膜を除去する工程とを経て製造され、熱酸化膜を除去する工程に続いて、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程を更に含むことにある。
本発明は、支持基板上に埋込み酸化膜とＳＯＩ層をこの順に有するＳＯＩウェーハの製造方法に関するものである。その特徴ある構成は、ＳＯＩウェーハはその表裏面に熱酸化膜を形成する熱処理工程と、熱酸化膜を除去する工程とを経て製造され、熱酸化膜を除去する工程に続いて、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程を更に含むことにある。
次に、本発明のＳＯＩウェーハの製造方法のうち、ＳＩＭＯＸ法による製造方法を代表して説明する。
先ず、チョクラルスキー法やフローティングゾーン法等の方法により製造された単結晶インゴットを、スライスしてウェーハに加工し、このウェーハにラッピング、エッチング、研削、研磨、更には鏡面研磨等を施し形成されたシリコンウェーハを準備する。この酸素イオン注入前のシリコンウェーハの酸素濃度は、１５〜３０ａｔｏｍｓ／ｃｍ3が好ましい。
先ず、チョクラルスキー法やフローティングゾーン法等の方法により製造された単結晶インゴットを、スライスしてウェーハに加工し、このウェーハにラッピング、エッチング、研削、研磨、更には鏡面研磨等を施し形成されたシリコンウェーハを準備する。この酸素イオン注入前のシリコンウェーハの酸素濃度は、１５〜３０ａｔｏｍｓ／ｃｍ3が好ましい。
そして、準備されたシリコンウェーハの内部に酸素イオンを注入する。酸素イオンの注入は従来から行われている手段と同一の手段で行うが、注入量は、最終的に得られるＳＩＭＯＸウェーハにおけるＳＯＩ層の厚さが５０〜１００ｎｍになるように、ウェーハ表面から所定の深さの領域に注入する。
次に、酸素イオンが注入されたシリコンウェーハを、酸素と不活性ガスとの混合雰囲気中、１３００〜１３９０℃の温度で熱処理を施す。不活性ガスとしては、アルゴンや窒素ガスが挙げられる。従って、この熱処理のガス雰囲気は、酸素とアルゴンの混合ガス、又は酸素と窒素の混合ガスであることが好ましい。また熱処理の熱処理時間は１〜２０時間、好ましくは１０〜２０時間であることが好ましい。この熱処理により、ウェーハ表面から所定の深さの領域に埋込み酸化膜が形成されるとともに埋込み酸化膜上のウェーハ表面にＳＯＩ層が形成される。また、熱処理した後のＳＩＭＯＸウェーハは、その表裏面が熱処理によって厚さ５０〜１０００ｎｍの熱酸化膜で覆われる。そのため、この熱酸化膜をフッ酸等により除去する。これにより、支持基板と、この支持基板上に形成された埋込み酸化膜と、この埋込み酸化膜上に形成されたＳＯＩ層とを有するＳＩＭＯＸウェーハが形成される。
ＳＩＭＯＸウェーハの場合、熱酸化膜を除去した後のウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚さには、上記酸素イオンを注入する際の条件や、熱処理条件によって２〜５ｎｍ程度のばらつきが生じている。本発明の製造方法では、この熱酸化膜の除去工程に続いて、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程が行われる。
先ず、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定する。具体的には、分光エリプソメータ（ＫＬＡ社製）等の装置を用いて測定する。
次に、上記測定したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布に基づいて、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する。
ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布の均一化は、一般的な枚葉式の処理装置を用いるのが好適である。一般に、枚葉式の処理装置は、ウェーハを支持するホルダーと、このホルダーを回転させる回転機構を備えており、回転機構の回転速度は、２００〜８００ｒｐｍ程度である。また、ウェーハの表面に処理液を噴射可能な複数のノズルを備えている。
図１及び図２は、上記枚葉式の処理装置を用いて厚み分布を均一化する方法の一例を示す図である。この例では、熱酸化膜を除去した後のＳＩＭＯＸウェーハ１０の面内におけるＳＯＩ層１１の厚さがウェーハ１０の外周部１０ａのみ同心円状に厚くなるように分布している。１２は埋込酸化膜であり、１３はシリコン基板である。図１及び図２において、図示しないホルダー上に設置されたウェーハ１０を、図示しない回転機構により回転させる。ウェーハ周辺部の上方に設けられた第１ノズル２１からオゾン水を一定の噴射量でＳＯＩ層の厚い部分に噴射する。また、ウェーハ中心に噴射するように設けられた第２ノズル２２から、フッ酸をＳＯＩ層表面の中心に一定の噴射量で噴射する。回転機構の遠心力により、フッ酸はウェーハ全面に供給される。オゾン水が噴射されるウェーハ外周部１０ａは、オゾン水により選択的に酸化される。１０ａ’はＳＯＩ層の酸化された部分である。酸化されたＳＯＩ層の外周部１０ａ’はフッ酸によりその厚さが減少する。オゾン水による酸化後のフッ酸によるＳＯＩ層の取り代は、３〜１０ｎｍが好ましく、４〜６ｎｍが更に好ましい。オゾン水が噴射されない領域１０ｂは、フッ酸により、ウェーハ表面の自然酸化膜が除去される。
次に別の例を図３に示す。この例では、熱酸化膜を除去した後のＳＩＭＯＸウェーハ１０の面内におけるＳＯＩ層１１の厚さが、ウェーハ１０の外周に近づくに従い同心円状に厚くなるよう分布している。図３に示すように、第１ノズル２１を最初にウェーハ中心部に設けておき、オゾン水の噴射開始とともにウェーハ径方向に、ウェーハ周辺部まで移動させる。第１ノズル２１を速度Ｖ1からＶ2に連続的に減速させることにより、オゾン水により酸化されるＳＯＩ層１１の厚みを、外周に近づくに従い厚くなるように調整する。これにより、ＳＯＩ層の厚さに応じてフッ酸による取り代を調整して選択的に厚い部分を除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化することができる。また、ＳＯＩ層の厚みの不均一の度合いが高い場合には、オゾン水によるＳＯＩ層の酸化とその後のフッ酸によるエッチングを２回以上繰り返し行うか、又はオゾン水の溶存オゾン濃度やフッ酸の濃度を高めても良い。なお、図２及び図３では、ＳＯＩ層１１の厚み及び厚み分布形状並びに埋込酸化膜１２の厚みは本発明の内容を理解しやすくするためシリコン基板１３に対して誇張して示している。
本発明において、オゾン水及びフッ酸を用いてウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一にする第１の好適な方法は、オゾン水をＳＯＩ層表面の厚い部分に噴射して酸化させた後、酸化させた部分をフッ酸で除去する方法である。
そして、第２の好適な方法は、オゾン水をＳＯＩ層の厚い部分に噴射して酸化するのと同時に、ウェーハ全面にフッ酸を噴射して酸化させた部分をフッ酸で除去する方法である。第２の方法では、上記第１の方法に比べてウェーハ表面ラフネスが多少大きくなる傾向にあるが、ＳＯＩ層の厚い部分の酸化と同時に酸化させた部分をフッ酸で除去することができるため生産性に優れる。
第３の好適な方法は、オゾン水をウェーハ全面に噴射して酸化するのと同時に、オゾン水により酸化させたＳＯＩ層の厚い部分にフッ酸を噴射してＳＯＩ層の厚い部分を除去する方法である。第３の方法では、上記第１の方法、第２の方法に比べ、オゾン水の消費量が多いけれども、フッ酸の消費量が少なくて済む利点がある。
ＳＯＩ層の酸化にオゾン水を用いる理由は、過酸化水素水や硝酸等の希釈調合が必要な酸化剤では、濃度の安定化が難しく、酸化の反応速度を制御できず、所望の酸化膜の膜厚分布を作るのが困難であるからである。また、使用するオゾン水の溶存オゾンの濃度は、５〜５０ｐｐｍが好ましい。下限値未満では、ＳＯＩ層の酸化が十分に進まず、また、上限の５０ｐｐｍは、実用されているオゾン水の溶存オゾン濃度のほぼ上限であるからである。また、フッ酸の濃度は、０．５〜１０質量％が好ましい。下限値未満では、酸化させた部分の除去に時間がかかりすぎ、上限値を越えると、高濃度のフッ酸にウェーハ表面をさらすため、欠陥の大きさが拡大する場合があるからである。
ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化した後は、ウェーハ表面を超純水により洗浄する。
以上により、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布がより均一なＳＩＭＯＸウェーハを製造することができる。
ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化した後は、ウェーハ表面を超純水により洗浄する。
以上により、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布がより均一なＳＩＭＯＸウェーハを製造することができる。
なお、本発明のＳＯＩウェーハの製造方法は、上記ＳＩＭＯＸ法による製造方法に限定されるものではなく、水素イオン剥離法や貼り合わせウェーハを研削研磨してＳＯＩ層を作製する方法等の貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の製造方法にも適用できる。
次に本発明の実施例を比較例とともに説明する。
＜実施例１＞
先ず、直径が３００ｍｍの熱酸化膜を除去した後のＳＩＭＯＸウェーハを用意した。このウェーハには厚さ８９０〜９１０ｎｍのＳＯＩ層が形成されていた。このＳＩＭＯＸウェーハは単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハに、所定の条件で酸素イオン注入した後、熱処理を施し、更に、ウェーハの表裏面に形成された熱酸化膜を除去して得られたものである。
＜実施例１＞
先ず、直径が３００ｍｍの熱酸化膜を除去した後のＳＩＭＯＸウェーハを用意した。このウェーハには厚さ８９０〜９１０ｎｍのＳＯＩ層が形成されていた。このＳＩＭＯＸウェーハは単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハに、所定の条件で酸素イオン注入した後、熱処理を施し、更に、ウェーハの表裏面に形成された熱酸化膜を除去して得られたものである。
酸素イオンの注入は、ウェーハを４００℃に加熱し、この状態で次の条件にて酸素イオンを注入することにより行った。
加速電圧： ２００ｋｅＶ
ドーズ量： ２．５×１０17／ｃｍ2
酸素イオン注入後の熱処理は、ウェーハを酸素及びアルゴンの混合ガス雰囲気中、１３５０℃の一定温度で、１０時間熱処理を施すことにより行った。熱酸化膜の除去は、濃度１０質量％のフッ酸水溶液をエッチング溶液として用いてエッチングすることにより行った。
加速電圧： ２００ｋｅＶ
ドーズ量： ２．５×１０17／ｃｍ2
酸素イオン注入後の熱処理は、ウェーハを酸素及びアルゴンの混合ガス雰囲気中、１３５０℃の一定温度で、１０時間熱処理を施すことにより行った。熱酸化膜の除去は、濃度１０質量％のフッ酸水溶液をエッチング溶液として用いてエッチングすることにより行った。
次に、このウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を分光エリプソメータ（ＫＬＡ社製）により測定した。測定した結果、上記条件により酸素イオンを注入し、熱処理を行ったウェーハは、ＳＯＩ層が、ウェーハの外周に近づくに従いほぼ同心円状に厚くなるよう分布していた。
次いで、測定したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布に基づき、枚葉式の処理装置を用いて厚み分布を均一化した。
この枚葉式の処理装置は、ウェーハを支持するホルダーとこのホルダーを回転させる回転機構を備え、また、オゾン水を噴射する第１ノズルとフッ酸を噴射する第２ノズルとを備える。第１ノズルはウェーハ中心から径方向に向かって可動し、第２ノズルはフッ酸をウェーハの中心部に噴射するように固定されている。なお、第１ノズルのオゾン水の流量は１リットル／ｍｉｎ、フッ酸の流量は１リットル／ｍｉｎに固定されている。
この枚葉式の処理装置は、ウェーハを支持するホルダーとこのホルダーを回転させる回転機構を備え、また、オゾン水を噴射する第１ノズルとフッ酸を噴射する第２ノズルとを備える。第１ノズルはウェーハ中心から径方向に向かって可動し、第２ノズルはフッ酸をウェーハの中心部に噴射するように固定されている。なお、第１ノズルのオゾン水の流量は１リットル／ｍｉｎ、フッ酸の流量は１リットル／ｍｉｎに固定されている。
厚み分布の均一化は、先ず、熱酸化膜の除去を行った後のＳＩＭＯＸウェーハを、処理装置のホルダー上に設置し、回転機構により回転速度５００ｒｐｍで回転させながら、第１ノズルからオゾン水を噴射し、ＳＯＩ層の厚い部分を酸化した。第１ノズルの径方向の移動速度については、ウェーハ中心部での初速をＶ1を６０ｍｍ／秒とし、順次減速してウェーハ外周部での最終速度Ｖ2を６ｍｍ／秒とした。次に、第２ノズルからフッ酸を噴射し、オゾン水により酸化した部分の除去を行った。除去したＳＯＩ層のウェーハ面内における取り代の分布を図４に示す。また、図４のＹ＝０における切断面について、Ｘ軸方向におけるＳＯＩ層の取り代の分布を図５に示す。なお、使用したオゾン水の溶存オゾン濃度は３０ｐｐｍ、フッ酸の濃度は５質量％であった。
上記オゾン水によるＳＯＩ層の酸化工程とフッ酸による酸化部分のエッチング工程とを１サイクルとして、このサイクルを６回繰り返し行い、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化した。
最後に、ＳＯＩ層表面を超純水で洗浄し、ＳＩＭＯＸウェーハを得た。同様の方法で、４９８枚のＳＩＭＯＸウェーハを製造した。
＜比較例１＞
熱酸化膜を除去した後、ＳＯＩ層の厚み分布の測定及び厚み分布の均一化を行わなかったこと以外は、実施例１と同様に、ＳＩＭＯＸウェーハ４９８枚を得た。
熱酸化膜を除去した後、ＳＯＩ層の厚み分布の測定及び厚み分布の均一化を行わなかったこと以外は、実施例１と同様に、ＳＩＭＯＸウェーハ４９８枚を得た。
＜比較試験及び評価＞
実施例１で得た４９８枚のＳＩＭＯＸウェーハと、比較例１で得た４９８枚のＳＩＭＯＸウェーハについて、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚さの均一性をそれぞれ求めた。具体的には、各ウェーハ１枚につき、５７箇所のＳＯＩ層の厚さを測定し、その最大厚さから最小厚さを引いた値を膜厚レンジ（ｎｍ）とした。実施例１における４９８枚のウェーハについての結果を図６に示し、比較例１における４９８枚のウェーハについての結果を図７に示す。またこれらの平均値を以下の表１に示す。
実施例１で得た４９８枚のＳＩＭＯＸウェーハと、比較例１で得た４９８枚のＳＩＭＯＸウェーハについて、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚さの均一性をそれぞれ求めた。具体的には、各ウェーハ１枚につき、５７箇所のＳＯＩ層の厚さを測定し、その最大厚さから最小厚さを引いた値を膜厚レンジ（ｎｍ）とした。実施例１における４９８枚のウェーハについての結果を図６に示し、比較例１における４９８枚のウェーハについての結果を図７に示す。またこれらの平均値を以下の表１に示す。
Claims (2)
- 支持基板上に埋込み酸化膜とＳＯＩ層をこの順に有するＳＯＩウェーハの製造方法において、
前記ＳＯＩウェーハはその表裏面に熱酸化膜を形成する熱処理工程と、前記熱酸化膜を除去する工程とを経て製造され、
前記熱酸化膜を除去する工程に続いて、
前記熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、前記ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程を更に含み、
前記ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布の均一化が、オゾン水をＳＯＩ層の厚い部分に噴射して酸化するのと同時に、ウェーハ全面にフッ酸を噴射して前記酸化させた部分をフッ酸で除去することにより行われるＳＯＩウェーハの製造方法。 - 支持基板上に埋込み酸化膜とＳＯＩ層をこの順に有するＳＯＩウェーハの製造方法において、
前記ＳＯＩウェーハはその表裏面に熱酸化膜を形成する熱処理工程と、前記熱酸化膜を除去する工程とを経て製造され、
前記熱酸化膜を除去する工程に続いて、
前記熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、前記ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程を更に含み、
前記ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布の均一化が、オゾン水をウェーハ全面に噴射して酸化するのと同時に、前記オゾン水により酸化させたＳＯＩ層の厚い部分にフッ酸を噴射して前記ＳＯＩ層の厚い部分を除去することにより行われるＳＯＩウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2010040729A JP2010040729A (ja) | 2010-02-18 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP5458525B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9698062B2 (en) * | 2013-02-28 | 2017-07-04 | Veeco Precision Surface Processing Llc | System and method for performing a wet etching process |
| JP6086105B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-03-01 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| TW201828356A (zh) * | 2016-10-26 | 2018-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 液體處理方法及液體處理裝置 |
| JP2020123676A (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | 信越半導体株式会社 | エッチング方法 |
| JP6864145B1 (ja) * | 2020-09-07 | 2021-04-28 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの表面形状調整方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750234A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェーハ製造装置および製造方法 |
| JP2004031715A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウエーハ |
| JP2004335695A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 薄膜ｓｏｉウェーハの製造方法および薄膜ｓｏｉウェーハの欠陥評価方法 |
| JP2005005674A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-01-06 | Canon Inc | 基板製造方法及び基板処理装置 |
-
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010040729A (ja) | 2010-02-18 |
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