JP2004335695A - 薄膜soiウェーハの製造方法および薄膜soiウェーハの欠陥評価方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、SOI(Silicon on Insulator )ウェーハのSOI層のエッチング法による薄膜化方法およびSOI層の評価方法を提供することを目的とし、有害な重金属を使用せず、また、窒素酸化物などの有害ガスを発生しない処理方法としている。
【解決手段】SOI層のエッチング液として、フッ酸に酸化剤として過酸化水素またはオゾンを含有させることにより、エッチング前の表面平坦度および清浄度を保ったままで均一なエッチングを行うことができ、SOI層を必要とする膜厚に均一に薄膜化させることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】SOI層のエッチング液として、フッ酸に酸化剤として過酸化水素またはオゾンを含有させることにより、エッチング前の表面平坦度および清浄度を保ったままで均一なエッチングを行うことができ、SOI層を必要とする膜厚に均一に薄膜化させることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、SOI(Silicon on Insulator )ウェーハに関し、SOIウェーハのSOI層を薄膜化する方法及び、SOIウェーハのSOI層を薄膜化してSOI層中の欠陥を評価するSOIウェーハの評価方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
システムソフトウェアの高性能化、データの大容量化が進み、携帯端末の発展に伴って、次世代の半導体集積回路は、高速且つ低消費電力化であるものが切望されている。SOIウェーハは既存のLSIプロセスを大幅に改善することなく、今まで使用していたバルクウェーハの代わりに使用することで、その上に作製したMOSトランジスタの高速且つ低消費電力化を実現する唯一のシリコンウェーハである。
【0003】
代表的なSOIウェーハとしては、貼り合わせタイプとSIMOX(Separation by Implant Oxygen )タイプがある。貼り合わせタイプのSOIウェーハは、支持側ウェーハと活性層側ウェーハを別々に作製し、酸化膜を介して貼り合わせた後、活性層側ウェーハを機械研磨や化学エッチング、あるいはその両方の手段を用いて所定の厚みを持つ活性層(SOI層)としSOIウェーハとしている。一方、SIMOXタイプのSOIウェーハは、シリコンウェーハ表面に酸素イオンを注入し、熱処理により酸化層(BOX層)を形成してSOIウェーハとしている。
【0004】
最近ではSOIウェーハの特性を活かすため、従来より更に薄い(〜数十nm)SOI層を有するものが望まれてきている。SIMOXタイプでは酸素イオンの注入条件やその後の熱処理条件により薄膜化が可能であるが膜厚のばらつきが大きく、貼り合わせタイプでは研削及び研磨で薄膜化が可能であるが精度の限界により難しい。また、エッチングによる薄膜化も行われているがエッチング液による汚染や、廃液処理に問題がある。
【0005】
特許文献1には、アルカリ系洗浄液で洗浄し、SOI層を0.1μm以下の厚さにする方法が記載されている。しかし、アルカリ系洗浄液は面荒れと言う問題がある。また、COP等のピットの拡大と言う問題もある。
【0006】
また、これらSOIウェーハのSOI層やBOX層にはいわゆる欠陥が存在し、デバイス不良の原因になることが知られている。この欠陥の検出方法としては、セコ液でSOI層をエッチングした後、高濃度のフッ酸液に浸漬して欠陥を検出する方法や、セコ液でのエッチングを行わず、直接高濃度のフッ酸に浸漬して欠陥を検出する方法が知られている。
【0007】
SOIウェーハのSOI層やBOX層の欠陥を検出する方法として、特許文献2には、アルカリ系洗浄液で洗浄し、SOI層を0.1μm以下の厚さにした後フッ酸液に浸漬し、SOI層に存在する微小エッチピットを拡大して検出する方法が記載されている。しかし、特許文献1と同じくアルカリ系洗浄液を用いるため同様の問題点がある。
【0008】
【特許文献1】
特開2001−168308号公報
【特許文献2】
特開平11−74493号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、SIMOXタイプでは酸素イオンの注入条件やその後の熱処理条件により薄膜化は可能であるが、ばらつきが大きく最適化が非常に難しい。また、貼り合わせタイプでは研削及び研磨では精度の限界により均一な膜厚の薄膜化は難しい。エッチングによる薄膜化も行われているが、酸系によるエッチングではパーティクルの増大といった問題があり、アルカリ系のエッチングでは時間の経過と共に表面が荒れる現象があり、均一な表面を得ることができないという問題がある。また、セコ液などによるエッチングは、有害な重金属(6価クロムが相当量含まれている)を使用するため廃液の処理に問題がある。また、ダッシュ液などによるエッチングは、ダッシュ液に含まれているフッ酸と硝酸がシリコンと反応し、窒素酸化物などの有害ガスを発生するという問題があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような上記問題点に鑑みてなされたものであって、SOIウェーハのSOI層、活性層をエッチングにより薄膜化するにあたり、従来のエッチング法の問題解決手段として、有害な重金属を使用せず、また、窒素酸化物などの有害ガスを発生しない処理方法として、フッ酸に酸化剤を使用することで、フッ酸と酸化剤の濃度を調節することにより、エッチングレートの調節が可能となり、エッチング前の表面平坦度および清浄度を保ったまま薄膜化が可能となる方法を提供することを目的としている。
【0011】
本発明に用いるエッチング液としては、フッ酸に酸化剤として過酸化水素またはオゾンを用いることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる方法を用いた実施の形態を図を用いて説明する。本発明によるエッチングを実施しSOIウェーハのSOI層、活性層を薄膜化した場合の具体例を示すが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【0013】
あらかじめフッ酸濃度、酸化剤濃度、エッチング時間からエッチングレートを求めておく。これにより必要とするSOI層の厚みに制御する事ができる。酸化剤として過酸化水素を用いたものとオゾンを用いた例を図1に示す。フッ酸の濃度は高くするとエッチングレートは上がるが、0.1%以上になると表面が撥水面になりパーティクルが付着しやすくなる。濃度が低いとエッチング時間が長くなるので、好ましい濃度範囲は0.01%から0.1%とする。オゾンの純水中への溶解濃度は常温では30ppm位が限度で、濃度が低いと酸化力が落ちフッ酸によるエッチングレートが落ちるので、オゾンの濃度は10ppm以上が好ましい。
【0014】
次に、SOIウェーハの構造の一例を示すと、SIMOXタイプのSOIウェーハは、シリコン基板中に酸素の高濃度イオンを注入して、シリコン基板中に酸化膜(SiO2 )を形成することにより作成される。貼り合わせタイプのSOIウェーハは、二枚の半導体基板の間に酸化膜(SiO2 )を介在させて貼り合わせた後、活性側となる半導体基板を薄膜化することにより作成される。いずれも、図2(a)に示すように、シリコン基板1上に埋め込み酸化膜2、SOI層3から構成され、自然酸化膜4がその上に形成されている。
【0015】
まず、SOI層3上の自然酸化膜4を希フッ酸溶液で除去し、次にSOI層3表面をエッチングする。この時用いるエッチング溶液としてはフッ酸に酸化剤を混入したエッチング溶液を用い、SOIウェーハを該溶液に浸漬することでSOI層3をエッチングする。フッ酸の濃度、酸化剤の濃度からエッチングレートが求められているので必要とする薄膜SOI層の厚みのものが得られる。図2(b)
【0016】
エッチング前の清浄度が保たれているため基板中の欠陥の検出に際し、外部からのパーティクル等を欠陥としてカウントすることを防止でき、高精度で薄膜SOI層中の欠陥を検出評価することができる。
【0017】
【実施例】
次に本実施例について説明する。直径200mmのSIMOXタイプSOIウェーハのSOI層3(厚さ140nm)の表面酸化膜を希フッ酸洗浄を行い除去した後、オゾンが20ppm含まれている0.05%のフッ酸溶液で30分間エッチング処理をした。光学式膜厚測定器による面内9点測定でのエッチング量は平均で9.6nm、標準偏差は0.73であった。
【0018】
また、SOI層の厚さが140nmのウェーハをオゾンが20ppm含まれている0.05%のフッ酸溶液で200分間エッチング処理をし、SOI層を70nmとした。光学式表面検査装置にて表面LPDをカウント後、座標対応顕微鏡を用いてパーティクルを測定した。その結果、0.5μm以上のサイズのパーティクルは直径200mmのウェーハ面内で3個、欠陥密度に直すと0.01個/cm2 検出された。このウェーハを更に49%フッ酸液に15分間浸漬し微小欠陥を拡大後、顕微鏡を用いて欠陥のカウントを行ったところ、欠陥密度は0.04個/cm2であった。
【0019】
次に比較例として、酸素雰囲気で1000℃、6時間の犠牲酸化を行い、フッ酸5%水溶液による10分間の希フッ酸洗浄により、SOI層を140nmから70nmにしたウェーハについて前記と同様の処理を行い、欠陥をカウントしたところ、2個/cm2であり、雰囲気中からのパーティクル等の影響が多大であった。
【0020】
また、SC1溶液により140nmのSOI層を70nmにしたウェーハについても前記同様の処理を行い欠陥をカウントしたところ、欠陥密度は0.13個/cm2であった。犠牲酸化ではSOI中の欠陥が酸化されやすく、BOX層まで到達するものが増えるため検出数が増えるものと考えられ、SC1溶液では犠牲酸化のような欠陥選択性はないと考えられる。フッ酸と酸化剤によるエッチングはSC1溶液によるエッチングと同等以上の欠陥密度であった。
【0021】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、エッチング法における問題点である有害な重金属の使用や、窒素酸化物などの有害ガスを発生するという問題の解決手段として、フッ酸溶液に酸化剤を含有させることにより表面平坦度および清浄度を保ったままでのエッチングを行うことができるので、均一に薄膜化が可能となる方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のエッチングレートを示す図である。
【図2】本発明におけるエッチングの工程を示す図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 埋め込み酸化膜
3 SOI層
4 自然酸化膜
【発明の属する技術分野】
この発明は、SOI(Silicon on Insulator )ウェーハに関し、SOIウェーハのSOI層を薄膜化する方法及び、SOIウェーハのSOI層を薄膜化してSOI層中の欠陥を評価するSOIウェーハの評価方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
システムソフトウェアの高性能化、データの大容量化が進み、携帯端末の発展に伴って、次世代の半導体集積回路は、高速且つ低消費電力化であるものが切望されている。SOIウェーハは既存のLSIプロセスを大幅に改善することなく、今まで使用していたバルクウェーハの代わりに使用することで、その上に作製したMOSトランジスタの高速且つ低消費電力化を実現する唯一のシリコンウェーハである。
【0003】
代表的なSOIウェーハとしては、貼り合わせタイプとSIMOX(Separation by Implant Oxygen )タイプがある。貼り合わせタイプのSOIウェーハは、支持側ウェーハと活性層側ウェーハを別々に作製し、酸化膜を介して貼り合わせた後、活性層側ウェーハを機械研磨や化学エッチング、あるいはその両方の手段を用いて所定の厚みを持つ活性層(SOI層)としSOIウェーハとしている。一方、SIMOXタイプのSOIウェーハは、シリコンウェーハ表面に酸素イオンを注入し、熱処理により酸化層(BOX層)を形成してSOIウェーハとしている。
【0004】
最近ではSOIウェーハの特性を活かすため、従来より更に薄い(〜数十nm)SOI層を有するものが望まれてきている。SIMOXタイプでは酸素イオンの注入条件やその後の熱処理条件により薄膜化が可能であるが膜厚のばらつきが大きく、貼り合わせタイプでは研削及び研磨で薄膜化が可能であるが精度の限界により難しい。また、エッチングによる薄膜化も行われているがエッチング液による汚染や、廃液処理に問題がある。
【0005】
特許文献1には、アルカリ系洗浄液で洗浄し、SOI層を0.1μm以下の厚さにする方法が記載されている。しかし、アルカリ系洗浄液は面荒れと言う問題がある。また、COP等のピットの拡大と言う問題もある。
【0006】
また、これらSOIウェーハのSOI層やBOX層にはいわゆる欠陥が存在し、デバイス不良の原因になることが知られている。この欠陥の検出方法としては、セコ液でSOI層をエッチングした後、高濃度のフッ酸液に浸漬して欠陥を検出する方法や、セコ液でのエッチングを行わず、直接高濃度のフッ酸に浸漬して欠陥を検出する方法が知られている。
【0007】
SOIウェーハのSOI層やBOX層の欠陥を検出する方法として、特許文献2には、アルカリ系洗浄液で洗浄し、SOI層を0.1μm以下の厚さにした後フッ酸液に浸漬し、SOI層に存在する微小エッチピットを拡大して検出する方法が記載されている。しかし、特許文献1と同じくアルカリ系洗浄液を用いるため同様の問題点がある。
【0008】
【特許文献1】
特開2001−168308号公報
【特許文献2】
特開平11−74493号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、SIMOXタイプでは酸素イオンの注入条件やその後の熱処理条件により薄膜化は可能であるが、ばらつきが大きく最適化が非常に難しい。また、貼り合わせタイプでは研削及び研磨では精度の限界により均一な膜厚の薄膜化は難しい。エッチングによる薄膜化も行われているが、酸系によるエッチングではパーティクルの増大といった問題があり、アルカリ系のエッチングでは時間の経過と共に表面が荒れる現象があり、均一な表面を得ることができないという問題がある。また、セコ液などによるエッチングは、有害な重金属(6価クロムが相当量含まれている)を使用するため廃液の処理に問題がある。また、ダッシュ液などによるエッチングは、ダッシュ液に含まれているフッ酸と硝酸がシリコンと反応し、窒素酸化物などの有害ガスを発生するという問題があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような上記問題点に鑑みてなされたものであって、SOIウェーハのSOI層、活性層をエッチングにより薄膜化するにあたり、従来のエッチング法の問題解決手段として、有害な重金属を使用せず、また、窒素酸化物などの有害ガスを発生しない処理方法として、フッ酸に酸化剤を使用することで、フッ酸と酸化剤の濃度を調節することにより、エッチングレートの調節が可能となり、エッチング前の表面平坦度および清浄度を保ったまま薄膜化が可能となる方法を提供することを目的としている。
【0011】
本発明に用いるエッチング液としては、フッ酸に酸化剤として過酸化水素またはオゾンを用いることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる方法を用いた実施の形態を図を用いて説明する。本発明によるエッチングを実施しSOIウェーハのSOI層、活性層を薄膜化した場合の具体例を示すが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【0013】
あらかじめフッ酸濃度、酸化剤濃度、エッチング時間からエッチングレートを求めておく。これにより必要とするSOI層の厚みに制御する事ができる。酸化剤として過酸化水素を用いたものとオゾンを用いた例を図1に示す。フッ酸の濃度は高くするとエッチングレートは上がるが、0.1%以上になると表面が撥水面になりパーティクルが付着しやすくなる。濃度が低いとエッチング時間が長くなるので、好ましい濃度範囲は0.01%から0.1%とする。オゾンの純水中への溶解濃度は常温では30ppm位が限度で、濃度が低いと酸化力が落ちフッ酸によるエッチングレートが落ちるので、オゾンの濃度は10ppm以上が好ましい。
【0014】
次に、SOIウェーハの構造の一例を示すと、SIMOXタイプのSOIウェーハは、シリコン基板中に酸素の高濃度イオンを注入して、シリコン基板中に酸化膜(SiO2 )を形成することにより作成される。貼り合わせタイプのSOIウェーハは、二枚の半導体基板の間に酸化膜(SiO2 )を介在させて貼り合わせた後、活性側となる半導体基板を薄膜化することにより作成される。いずれも、図2(a)に示すように、シリコン基板1上に埋め込み酸化膜2、SOI層3から構成され、自然酸化膜4がその上に形成されている。
【0015】
まず、SOI層3上の自然酸化膜4を希フッ酸溶液で除去し、次にSOI層3表面をエッチングする。この時用いるエッチング溶液としてはフッ酸に酸化剤を混入したエッチング溶液を用い、SOIウェーハを該溶液に浸漬することでSOI層3をエッチングする。フッ酸の濃度、酸化剤の濃度からエッチングレートが求められているので必要とする薄膜SOI層の厚みのものが得られる。図2(b)
【0016】
エッチング前の清浄度が保たれているため基板中の欠陥の検出に際し、外部からのパーティクル等を欠陥としてカウントすることを防止でき、高精度で薄膜SOI層中の欠陥を検出評価することができる。
【0017】
【実施例】
次に本実施例について説明する。直径200mmのSIMOXタイプSOIウェーハのSOI層3(厚さ140nm)の表面酸化膜を希フッ酸洗浄を行い除去した後、オゾンが20ppm含まれている0.05%のフッ酸溶液で30分間エッチング処理をした。光学式膜厚測定器による面内9点測定でのエッチング量は平均で9.6nm、標準偏差は0.73であった。
【0018】
また、SOI層の厚さが140nmのウェーハをオゾンが20ppm含まれている0.05%のフッ酸溶液で200分間エッチング処理をし、SOI層を70nmとした。光学式表面検査装置にて表面LPDをカウント後、座標対応顕微鏡を用いてパーティクルを測定した。その結果、0.5μm以上のサイズのパーティクルは直径200mmのウェーハ面内で3個、欠陥密度に直すと0.01個/cm2 検出された。このウェーハを更に49%フッ酸液に15分間浸漬し微小欠陥を拡大後、顕微鏡を用いて欠陥のカウントを行ったところ、欠陥密度は0.04個/cm2であった。
【0019】
次に比較例として、酸素雰囲気で1000℃、6時間の犠牲酸化を行い、フッ酸5%水溶液による10分間の希フッ酸洗浄により、SOI層を140nmから70nmにしたウェーハについて前記と同様の処理を行い、欠陥をカウントしたところ、2個/cm2であり、雰囲気中からのパーティクル等の影響が多大であった。
【0020】
また、SC1溶液により140nmのSOI層を70nmにしたウェーハについても前記同様の処理を行い欠陥をカウントしたところ、欠陥密度は0.13個/cm2であった。犠牲酸化ではSOI中の欠陥が酸化されやすく、BOX層まで到達するものが増えるため検出数が増えるものと考えられ、SC1溶液では犠牲酸化のような欠陥選択性はないと考えられる。フッ酸と酸化剤によるエッチングはSC1溶液によるエッチングと同等以上の欠陥密度であった。
【0021】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、エッチング法における問題点である有害な重金属の使用や、窒素酸化物などの有害ガスを発生するという問題の解決手段として、フッ酸溶液に酸化剤を含有させることにより表面平坦度および清浄度を保ったままでのエッチングを行うことができるので、均一に薄膜化が可能となる方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のエッチングレートを示す図である。
【図2】本発明におけるエッチングの工程を示す図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 埋め込み酸化膜
3 SOI層
4 自然酸化膜
Claims (3)
- SOIウェーハのSOI層をフッ酸と酸化剤によるエッチングを用いて薄膜化することを特徴とする薄膜SOIウェーハの製造方法。
- 上記酸化剤は過酸化水素またはオゾンであることを特徴とする請求項1記載の薄膜SOIウェーハの製造方法。
- SOIウェーハのSOI層をフッ酸と酸化剤によるエッチングを用いて薄膜化して欠陥を評価することを特徴とする薄膜SOIウェーハの欠陥評価方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003128937A JP2004335695A (ja) | 2003-05-07 | 2003-05-07 | 薄膜soiウェーハの製造方法および薄膜soiウェーハの欠陥評価方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003128937A JP2004335695A (ja) | 2003-05-07 | 2003-05-07 | 薄膜soiウェーハの製造方法および薄膜soiウェーハの欠陥評価方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004335695A true JP2004335695A (ja) | 2004-11-25 |
Family
ID=33504927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003128937A Pending JP2004335695A (ja) | 2003-05-07 | 2003-05-07 | 薄膜soiウェーハの製造方法および薄膜soiウェーハの欠陥評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004335695A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040729A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Sumco Corp | Soiウェーハの製造方法 |
JP4863409B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-01-25 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | エッチングによって半導体ウェハを処理するための方法および装置 |
JP2012237602A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハのsoi層の膜厚測定方法 |
JP2015195289A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 酸化膜付き異種soi基板の製造方法 |
JP2015195290A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 酸化膜付き異種soi基板の欠陥検出方法 |
-
2003
- 2003-05-07 JP JP2003128937A patent/JP2004335695A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4863409B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-01-25 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | エッチングによって半導体ウェハを処理するための方法および装置 |
JP2010040729A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Sumco Corp | Soiウェーハの製造方法 |
JP2012237602A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハのsoi層の膜厚測定方法 |
US8981291B2 (en) | 2011-05-10 | 2015-03-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for measuring film thickness of SOI layer of SOI wafer |
JP2015195289A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 酸化膜付き異種soi基板の製造方法 |
JP2015195290A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 酸化膜付き異種soi基板の欠陥検出方法 |
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