JP6086105B2 - Soiウェーハの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 329
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 272
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 119
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 82
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 52
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 52
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 229
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
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- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
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- H01L21/02002—Preparing wafers
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- H01L21/02551—Group 12/16 materials
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
また酸化膜の形成と除去及びエッチングによる上記2段階の薄膜化工程において、工程を短縮する方法として、酸化後に酸化膜が付いたままSOI層の膜厚を測定し、測定したSOI層の膜厚をもとに、酸化膜除去及びエッチング、更には洗浄工程を洗浄の同一バッチ処理で行う方法が提案されている。
また、酸化膜の形成と除去及びバッチ式洗浄機による薄膜化に加えて、枚葉式のエッチング装置を用いてSOI層の薄膜化を制御する方法も提案されている(特許文献2)。
(A1)前記SOI層が形成されたSOIウェーハの前記薄膜化工程前のSOI膜厚を測定する工程、
(A2)前記(A1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(A3)前記(A2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層を薄膜化する工程、
を含むSOIウェーハの製造方法を提供する。
(B0)酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行って前記SOI層の表面に熱酸化膜を形成する工程、
(B1)前記(B0)工程で熱酸化膜が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を、前記熱酸化膜付きのまま測定する工程、
(B2)前記(B1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(B3)前記(B2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層表面の熱酸化膜除去及び前記SOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(B1)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を薄膜化する工程、
を含むSOIウェーハの製造方法を提供する。
(C0)酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行って前記SOI層の表面に熱酸化膜を形成する工程、
(C1)前記(C0)工程で熱酸化膜が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を、前記熱酸化膜付きのまま測定する工程、
(C2)前記(C1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記第一の薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記第一の薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、
(C3)前記(C2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層表面の熱酸化膜除去及び前記SOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(C1)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を最終のターゲット値より厚くなるように薄膜化する第一の薄膜化工程、
(C4)前記第一の薄膜化工程後のSOIウェーハのSOI膜厚を測定する工程、
(C5)前記(C4)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記第二の薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記第二の薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(C6)前記(C5)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層のエッチングを含む洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(C4)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を最終のターゲット値となるように薄膜化する第二の薄膜化工程、
を含むSOIウェーハの製造方法を提供する。
(A1)前記SOI層が形成されたSOIウェーハの前記薄膜化工程前のSOI膜厚を測定する工程、
(A2)前記(A1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(A3)前記(A2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層を薄膜化する工程、
を含むSOIウェーハの製造方法である。
[SOI層の形成]
本発明において、SOI層の形成方法は特に限定されないが、例えば、イオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウェーハと支持基板となるベースウェーハとを接合する工程と、微小気泡層を境界としてボンドウェーハを剥離してベースウェーハ上に薄膜を形成する工程とを有するイオン注入剥離法によって行うことが好ましい。イオン注入剥離法であれば、極薄で比較的面内膜厚分布の小さいSOI層が形成されたSOIウェーハが得られる。
(A1)工程では、SOI層が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を調整する薄膜化工程前のSOI膜厚を測定する。薄膜化工程前のSOI膜厚測定は、特に限定されず、公知の方法で行えばよい。
(A2)工程では、(A1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、薄膜化工程を行う際のSOIウェーハの回転位置を決定し、決定した回転位置になるようにSOIウェーハを中心軸まわりに回転させる。
膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布の最大値を示す領域と、予め求めた薄膜化工程での面内取り代分布の最大値を示す領域とが一致する位置を回転位置に決定する。
(基準2)
膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布の最小値を示す領域と、予め求めた薄膜化工程での面内取り代分布の最小値を示す領域とが一致する位置を回転位置に決定する。
(基準3)
膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた薄膜化工程での面内取り代分布をもとに、回転位置を所定の角度ずつ変えた場合の薄膜化工程後のSOI膜厚の面内分布をそれぞれ計算し、該計算した薄膜化工程後のSOI膜厚の面内最大値と面内最小値の差が最小となる位置を回転位置に決定する。
(A3)工程では、(A2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層を薄膜化する。SOI膜厚を調整するSOI層の薄膜化の方法としては、バッチ式洗浄機を用いた洗浄(エッチング)による薄膜化を適用することが効果的であるが、これに限定されることなく、所望の取り代などに応じて、枚葉式洗浄機を用いた洗浄(エッチング)、犠牲酸化処理(バッチ処理、枚葉処理)、ガス(HCl等)によるガスエッチング、ドライエッチング、ウェットエッチング、水素やアルゴン等の還元性雰囲気熱処理によるSOI層の減厚を伴う平坦化処理等の種々の薄膜化方法を適用することができる。
薄膜化工程後のSOI膜厚分布を測定すると、図2(d)のようにSOI膜厚の平均値は12.0nm、面内膜厚分布(膜厚Range)は0.56nmとなっており、このことから図1のようなフローで薄膜化工程を行うことで、薄膜化工程前に比べて面内膜厚分布を改善させることができ、薄膜化工程後の面内膜厚均一性が良好なSOIウェーハを製造できることが分かる。
(B0)酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行って前記SOI層の表面に熱酸化膜を形成する工程、
(B1)前記(B0)工程で熱酸化膜が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を、前記熱酸化膜付きのまま測定する工程、
(B2)前記(B1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(B3)前記(B2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層表面の熱酸化膜除去及び前記SOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(B1)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を薄膜化する工程、
を含むSOIウェーハの製造方法を提供する。
本発明において、熱酸化膜の形成は酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行う方法であれば特に限定されず、公知の方法で行うことができる。
(B3)工程では、(B2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層表面の熱酸化膜除去及びSOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄によって、SOI層のエッチング量を(B1)工程で得られたSOI膜厚(例えば、面内平均値)に応じて制御しながら、SOI層を薄膜化する。SOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄による薄膜化の具体的な方法は、特に限定されないが、上述のバッチ式洗浄機とSC1溶液を用いた洗浄(エッチング)を適用することが好ましい。
(C0)酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行って前記SOI層の表面に熱酸化膜を形成する工程、
(C1)前記(C0)工程で熱酸化膜が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を、前記熱酸化膜付きのまま測定する工程、
(C2)前記(C1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記第一の薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記第一の薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、
(C3)前記(C2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層表面の熱酸化膜除去及び前記SOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(C1)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を最終のターゲット値より厚くなるように薄膜化する第一の薄膜化工程、
(C4)前記第一の薄膜化工程後のSOIウェーハのSOI膜厚を測定する工程、
(C5)前記(C4)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記第二の薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記第二の薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(C6)前記(C5)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層のエッチングを含む洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(C4)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を最終のターゲット値となるように薄膜化する第二の薄膜化工程、
を含むSOIウェーハの製造方法を提供する。
(C3)工程では、(C2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層表面の熱酸化膜除去及びSOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄によって、SOI層のエッチング量を(C1)工程で得られたSOI膜厚(例えば、面内平均値)に応じて制御しながら、SOI層を最終のターゲット値より厚くなるように薄膜化する。(C3)工程は、上述の(B3)工程と同様にして行えばよいが、第一の薄膜化工程では最終のターゲット値より厚くなるように薄膜化し、後述の第二の薄膜化工程で最終のターゲット値となるように薄膜化する。
(C4)工程では、第一の薄膜化工程後のSOIウェーハのSOI膜厚を測定する。(C4)工程は、上述の(A1)工程と同様に行えばよい。
(C5)工程では、(C4)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた第二の薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、第二の薄膜化工程を行う際のSOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるようにSOIウェーハを中心軸まわりに回転させる。(C5)工程は、上述の(A2)工程と同様に行えばよい。
(C6)工程では、(C5)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層のエッチングを含む洗浄によって、SOI層のエッチング量を(C4)工程で得られたSOI膜厚(例えば、面内平均値)に応じて制御しながら、SOI層を最終のターゲット値となるように薄膜化する。なお、(C6)工程の洗浄は、上述の(A3)工程と同様にして行えばよく、特に枚葉式洗浄で行うことが好ましい。
まず、イオン注入剥離法を用いて作製されたSOI膜厚150nmのSOIウェーハ(直径300mm)を50枚用意し、このSOIウェーハに対して表1に示す酸化条件で熱処理を行ってSOI層の表面に熱酸化膜を形成した。次に、エリプソメーターを用いて、熱酸化膜を形成したSOIウェーハのSOI層と熱酸化膜の膜厚を測定した。結果を表1に示す。
その後、第一の薄膜化工程後のSOI膜厚の測定を行った。結果を表1に示す。
第一の薄膜化工程を行う前のSOIウェーハの回転、及び第二の薄膜化工程を行う前のSOIウェーハの回転を、別途ウェーハの回転工程を設けずSOI膜厚測定装置内のウェーハ回転機構で行う以外は実施例1と同様の操作を行い、SOI層の薄膜化を行った。なお、第一の薄膜化工程及び第二の薄膜化工程を行う前のSOIウェーハの回転では、実施例1と同様に、SOI層の面内膜厚で最も薄い領域が薄膜化工程を行う洗浄槽内の上側(即ち、取り代が最小となる領域)になるように回転させた。
実験条件、各段階でのSOI膜厚測定結果、及び算出した歩留を表1に示す。
第一の薄膜化工程を行う前のSOIウェーハの回転、及び第二の薄膜化工程を行う前のSOIウェーハの回転を、別途ウェーハの回転工程を設けずSOI膜厚測定装置内のウェーハ回転機構で行い、また第二の薄膜化工程をウェーハ浸漬型の枚葉式洗浄で行う以外は実施例1と同様の操作を行い、SOI層の薄膜化を行った。なお、第一の薄膜化工程及び第二の薄膜化工程を行う前のSOIウェーハの回転では、実施例1と同様に、SOI層の面内膜厚で最も薄い領域が薄膜化工程を行う洗浄槽内の上側(即ち、取り代が最小となる領域)になるように回転させた。
また、ウェーハ浸漬型の枚葉式洗浄では、第一の薄膜化工程後のSOI膜厚測定結果に基づき、SOI膜厚に応じてウェーハ毎にSC1浸漬時間を変えてターゲット値(12.0nm)まで薄膜化を行った。なお、SC1は第一の薄膜化工程と同様のものを使用した。
実験条件、各段階でのSOI膜厚測定結果、及び算出した歩留を表1に示す。
第一の薄膜化工程を行う前のSOIウェーハの回転、及び第二の薄膜化工程を行う前のSOIウェーハの回転を行わない以外は実施例1と同様の操作を行い、SOI層の薄膜化を行った。実験条件、各段階でのSOI膜厚測定結果、及び算出した歩留を表1に示す。
また、膜厚Rangeが改善した結果、SOI膜厚の規格(12.0nm±0.5nm)に対する製造歩留が向上した。
Claims (10)
- SOI層が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を調整する薄膜化工程を有するSOIウェーハの製造方法において、
(A1)前記SOI層が形成されたSOIウェーハの前記薄膜化工程前のSOI膜厚を測定する工程、
(A2)前記(A1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記薄膜化工程前のSOI膜厚と前記薄膜化工程での取り代との差分のばらつきがウェーハ面内で小さくなるように、前記薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(A3)前記(A2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層を薄膜化する工程、
を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。 - SOI層が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を調整する薄膜化工程を有するSOIウェーハの製造方法において、
(B0)酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行って前記SOI層の表面に熱酸化膜を形成する工程、
(B1)前記(B0)工程で熱酸化膜が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を、前記熱酸化膜付きのまま測定する工程、
(B2)前記(B1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記熱酸化膜が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚と前記薄膜化工程での取り代との差分のばらつきがウェーハ面内で小さくなるように、前記薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(B3)前記(B2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層表面の熱酸化膜除去及び前記SOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(B1)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を薄膜化する工程、
を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。 - SOI層が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を調整する第一と第二の薄膜化工程を有するSOIウェーハの製造方法において、
(C0)酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行って前記SOI層の表面に熱酸化膜を形成する工程、
(C1)前記(C0)工程で熱酸化膜が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚を、前記熱酸化膜付きのまま測定する工程、
(C2)前記(C1)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記第一の薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記熱酸化膜が形成されたSOIウェーハのSOI膜厚と前記第一の薄膜化工程での取り代との差分のばらつきがウェーハ面内で小さくなるように、前記第一の薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、
(C3)前記(C2)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層表面の熱酸化膜除去及び前記SOI層のエッチングを含むバッチ式洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(C1)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を最終のターゲット値より厚くなるように薄膜化する第一の薄膜化工程、
(C4)前記第一の薄膜化工程後のSOIウェーハのSOI膜厚を測定する工程、
(C5)前記(C4)工程の膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び予め求めた前記第二の薄膜化工程での面内取り代分布に基づいて、前記第一の薄膜化工程後のSOIウェーハのSOI膜厚と前記第二の薄膜化工程での取り代との差分のばらつきがウェーハ面内で小さくなるように、前記第二の薄膜化工程を行う際の前記SOIウェーハの回転位置を決定し、該回転位置になるように前記SOIウェーハを中心軸まわりに回転させる工程、及び
(C6)前記(C5)工程で回転させたSOIウェーハのSOI層のエッチングを含む洗浄によって、前記SOI層のエッチング量を前記(C4)工程で得られたSOI膜厚に応じて制御しながら、前記SOI層を最終のターゲット値となるように薄膜化する第二の薄膜化工程、
を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。 - 前記(C6)工程の洗浄を、枚葉式洗浄で行うことを特徴とする請求項3に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記回転位置の決定を、前記膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布の最大値を示す領域と、前記予め求めた薄膜化工程での面内取り代分布の最大値を示す領域とが一致する位置に決定することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記回転位置の決定を、前記膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布の最小値を示す領域と、前記予め求めた薄膜化工程での面内取り代分布の最小値を示す領域とが一致する位置に決定することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記回転位置の決定を、前記膜厚測定により得られたSOI膜厚の面内分布、及び前記予め求めた薄膜化工程での面内取り代分布をもとに、前記回転位置を所定の角度ずつ変えた場合の薄膜化工程後のSOI膜厚の面内分布をそれぞれ計算し、該計算した薄膜化工程後のSOI膜厚の面内最大値と面内最小値の差が最小となる位置に決定することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記薄膜化工程前のSOI膜厚を測定する工程及びその後に行う前記SOIウェーハを回転させる工程を、同一の装置内で行うことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記SOI層の形成を、少なくとも、イオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウェーハと支持基板となるベースウェーハとを接合する工程と、前記微小気泡層を境界として前記ボンドウェーハを剥離して前記ベースウェーハ上に薄膜を形成する工程とを有するイオン注入剥離法によって行うことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記薄膜化工程を、SC1溶液に浸漬することによって行うことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014194425A JP6086105B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | Soiウェーハの製造方法 |
EP15844654.2A EP3200219B1 (en) | 2014-09-24 | 2015-08-28 | Soi wafer manufacturing method |
US15/508,237 US10115580B2 (en) | 2014-09-24 | 2015-08-28 | Method for manufacturing an SOI wafer |
PCT/JP2015/004358 WO2016047047A1 (ja) | 2014-09-24 | 2015-08-28 | Soiウェーハの製造方法 |
CN201580047351.0A CN106663597B (zh) | 2014-09-24 | 2015-08-28 | Soi晶圆的制造方法 |
SG11201701629WA SG11201701629WA (en) | 2014-09-24 | 2015-08-28 | Method for manufacturing an soi wafer |
KR1020177006584A KR102259162B1 (ko) | 2014-09-24 | 2015-08-28 | Soi 웨이퍼의 제조방법 |
TW104128754A TWI640033B (zh) | 2014-09-24 | 2015-09-01 | Method for manufacturing germanium wafer on insulator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014194425A JP6086105B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | Soiウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016066692A JP2016066692A (ja) | 2016-04-28 |
JP6086105B2 true JP6086105B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=55580599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014194425A Active JP6086105B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | Soiウェーハの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10115580B2 (ja) |
EP (1) | EP3200219B1 (ja) |
JP (1) | JP6086105B2 (ja) |
KR (1) | KR102259162B1 (ja) |
CN (1) | CN106663597B (ja) |
SG (1) | SG11201701629WA (ja) |
TW (1) | TWI640033B (ja) |
WO (1) | WO2016047047A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6354363B2 (ja) * | 2014-06-12 | 2018-07-11 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20180033609A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | QMAT, Inc. | Removal of non-cleaved/non-transferred material from donor substrate |
JP6747386B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-26 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
US10985028B1 (en) * | 2019-10-18 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3697106B2 (ja) | 1998-05-15 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び半導体薄膜の作製方法 |
JP3297417B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2002-07-02 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | ウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法 |
JP4274813B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2009-06-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 製品ウェハの処理レシピ決定方法 |
JP4509488B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2010-07-21 | 株式会社Sumco | 貼り合わせ基板の製造方法 |
US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
JP2005051210A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面内分布データの圧縮法、面内分布の測定方法、面内分布の最適化方法、プロセス装置の管理方法及びプロセス管理方法 |
JP4087345B2 (ja) | 2004-03-02 | 2008-05-21 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの結晶欠陥の評価方法 |
FR2868599B1 (fr) | 2004-03-30 | 2006-07-07 | Soitec Silicon On Insulator | Traitement chimique optimise de type sc1 pour le nettoyage de plaquettes en materiau semiconducteur |
JP2007173354A (ja) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Soi基板およびsoi基板の製造方法 |
WO2007074551A1 (ja) | 2005-12-27 | 2007-07-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Soiウェーハの製造方法及びsoiウェーハ |
JP2007266059A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Sumco Corp | Simoxウェーハの製造方法 |
DE102006023497B4 (de) | 2006-05-18 | 2008-05-29 | Siltronic Ag | Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe |
JP5466410B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2014-04-09 | 信越化学工業株式会社 | Soi基板の表面処理方法 |
JP5689218B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2015-03-25 | 信越化学工業株式会社 | 支持基板が透明なsoi基板の欠陥検出方法 |
JP5458525B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2014-04-02 | 株式会社Sumco | Soiウェーハの製造方法 |
JP5320954B2 (ja) | 2008-10-03 | 2013-10-23 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
JP2010153809A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Sumco Corp | シリコンウェーハの表面に形成された所定の膜厚を有する層の膜厚分布を均一化する処理方法及びシリコンウェーハの厚み分布を均一化する処理方法 |
KR20100092909A (ko) | 2009-02-13 | 2010-08-23 | 주식회사 엘지생명과학 | 잔틴 옥시다제 저해제로서 효과적인 신규 화합물, 그 제조방법 및 그를 함유하는 약제학적 조성물 |
US8395191B2 (en) * | 2009-10-12 | 2013-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
JP2011253906A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP2012004294A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5927894B2 (ja) | 2011-12-15 | 2016-06-01 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
-
2014
- 2014-09-24 JP JP2014194425A patent/JP6086105B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-28 CN CN201580047351.0A patent/CN106663597B/zh active Active
- 2015-08-28 US US15/508,237 patent/US10115580B2/en active Active
- 2015-08-28 EP EP15844654.2A patent/EP3200219B1/en active Active
- 2015-08-28 WO PCT/JP2015/004358 patent/WO2016047047A1/ja active Application Filing
- 2015-08-28 KR KR1020177006584A patent/KR102259162B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-28 SG SG11201701629WA patent/SG11201701629WA/en unknown
- 2015-09-01 TW TW104128754A patent/TWI640033B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3200219B1 (en) | 2022-04-27 |
CN106663597A (zh) | 2017-05-10 |
JP2016066692A (ja) | 2016-04-28 |
CN106663597B (zh) | 2019-05-17 |
KR20170058924A (ko) | 2017-05-29 |
EP3200219A4 (en) | 2018-06-27 |
US20170287697A1 (en) | 2017-10-05 |
TW201624531A (zh) | 2016-07-01 |
SG11201701629WA (en) | 2017-04-27 |
WO2016047047A1 (ja) | 2016-03-31 |
EP3200219A1 (en) | 2017-08-02 |
US10115580B2 (en) | 2018-10-30 |
TWI640033B (zh) | 2018-11-01 |
KR102259162B1 (ko) | 2021-06-01 |
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