JP3297417B2 - ウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造等薬
液によるエッチングを工程中に含む製品製造分野におい
て、半導体ウエハのエッチング処理におけるエッチング
均一性向上技術に係り、例えばフッ酸等のエッチング液
を用いて酸化膜等が形成されたウエハのエッチングをし
た後のウェット洗浄処理においてウエハ内でのエッチン
グ量の均一化を図るようにすることで、製品特性のばら
つきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およ
びウェットエッチング方法に関するものである。
液によるエッチングを工程中に含む製品製造分野におい
て、半導体ウエハのエッチング処理におけるエッチング
均一性向上技術に係り、例えばフッ酸等のエッチング液
を用いて酸化膜等が形成されたウエハのエッチングをし
た後のウェット洗浄処理においてウエハ内でのエッチン
グ量の均一化を図るようにすることで、製品特性のばら
つきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およ
びウェットエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のバッチ式の洗浄エッチン
グ装置およびこれを用いたウェットエッチング方法を説
明するための装置構成図であって、同図（ａ）は装置正
面から透視した要部構成図、同図（ｂ）は装置側面から
透視した要部構成図である。図２において、１００は従
来のバッチ式の洗浄エッチング装置を示し、１６はその
洗浄槽、１８はウエハ、１９はウエハ１８の主面（処理
対象面）、２４は水流、２６は純水リンス吐出チュー
ブ、２８は整流板、３０はウエハ受け台を示している。
グ装置およびこれを用いたウェットエッチング方法を説
明するための装置構成図であって、同図（ａ）は装置正
面から透視した要部構成図、同図（ｂ）は装置側面から
透視した要部構成図である。図２において、１００は従
来のバッチ式の洗浄エッチング装置を示し、１６はその
洗浄槽、１８はウエハ、１９はウエハ１８の主面（処理
対象面）、２４は水流、２６は純水リンス吐出チュー
ブ、２８は整流板、３０はウエハ受け台を示している。
【０００３】半導体などのウエハ１８上に形成した膜の
エッチング工程においては、ウエハ１８の主面１９内の
エッチング均一性が、製品特性のばらつき、例えば、デ
バイスの電気特性のばらつき、に影響を与える。そのた
め、均一性を向上させることが重要である。
エッチング工程においては、ウエハ１８の主面１９内の
エッチング均一性が、製品特性のばらつき、例えば、デ
バイスの電気特性のばらつき、に影響を与える。そのた
め、均一性を向上させることが重要である。
【０００４】従来のバッチ式の洗浄エッチング装置１０
０では、図２（ｂ）に示すように複数のウエハ１８，
…，１８をウエハ受け台３０上に並立させて収納した状
態で洗浄槽１６内に収納し、続いて、図２（ａ）に示す
ように、洗浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ
酸等のエッチング液を供給して酸化膜等が形成されたウ
エハ１８をエッチング処理する。その後に、エッチング
処理を停止させるために、純水リンス吐出チューブ２６
から整流板２８を介してリンス液を供給してウェット洗
浄処理（リンス）を行う。
０では、図２（ｂ）に示すように複数のウエハ１８，
…，１８をウエハ受け台３０上に並立させて収納した状
態で洗浄槽１６内に収納し、続いて、図２（ａ）に示す
ように、洗浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ
酸等のエッチング液を供給して酸化膜等が形成されたウ
エハ１８をエッチング処理する。その後に、エッチング
処理を停止させるために、純水リンス吐出チューブ２６
から整流板２８を介してリンス液を供給してウェット洗
浄処理（リンス）を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３は、図２のウェッ
トエッチング方法を実行した際のウエハ１８の主面１９
内でエッチング量ηの分布を説明するためのウエハ断面
図である。図３において、３４はシリコン酸化膜、３６
はエッチング部分を示している。
トエッチング方法を実行した際のウエハ１８の主面１９
内でエッチング量ηの分布を説明するためのウエハ断面
図である。図３において、３４はシリコン酸化膜、３６
はエッチング部分を示している。
【０００６】図４は、図２のウェットエッチング方法を
実行した際のウエハ１８の主面１９内でエッチング量η
の分布を説明するためのグラフである。図４において、
横軸はウエハ１８上の位置、縦軸はエッチング量η（単
位は［μｍ］）である。
実行した際のウエハ１８の主面１９内でエッチング量η
の分布を説明するためのグラフである。図４において、
横軸はウエハ１８上の位置、縦軸はエッチング量η（単
位は［μｍ］）である。
【０００７】しかしながら、従来のバッチ式の洗浄エッ
チング装置およびこれを用いたウェットエッチング方法
では、洗浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ酸
等のエッチング液を供給して酸化膜等が形成されたウエ
ハ１８をエッチング処理する際に、図２（ａ）に示すウ
エハ１８の上部のａ点、ウエハ１８の中央部のｂ点、ウ
エハ１８の下部のｃ点のそれぞれでエッチング時間が不
均一になってしまう。
チング装置およびこれを用いたウェットエッチング方法
では、洗浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ酸
等のエッチング液を供給して酸化膜等が形成されたウエ
ハ１８をエッチング処理する際に、図２（ａ）に示すウ
エハ１８の上部のａ点、ウエハ１８の中央部のｂ点、ウ
エハ１８の下部のｃ点のそれぞれでエッチング時間が不
均一になってしまう。
【０００８】同様に、エッチング処理を停止させるため
に純水リンス吐出チューブ２６から整流板２８を介して
リンス液を供給してリンスを行う際に、図２（ａ）に示
すウエハ１８の上部のａ点、ウエハ１８の中央部のｂ
点、ウエハ１８の下部のｃ点のそれぞれでリンス開始時
期が不均一になってしまう。
に純水リンス吐出チューブ２６から整流板２８を介して
リンス液を供給してリンスを行う際に、図２（ａ）に示
すウエハ１８の上部のａ点、ウエハ１８の中央部のｂ
点、ウエハ１８の下部のｃ点のそれぞれでリンス開始時
期が不均一になってしまう。
【０００９】このため、ウエハ１８内のａ点、ｂ点、ｃ
点のそれぞれにおけるリンス開始時期をエッチング液に
よるエッチング後のリンス中の所定のタイミングに統一
することが難しくなり、エッチング時間の不均一が生じ
てしまうようになる。その結果、図３のウエハ断面図の
ａ点、ｂ点、ｃ点のそれぞれ、および図４のグラフのａ
点、ｂ点、ｃ点のそれぞれに示すように、ａ点、ｂ点、
ｃ点のそれぞれのエッチング量ηが不均一となってしま
う。すなわち、ウェットエッチング洗浄処理においてフ
ッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等が形成されたウ
エハ１８をエッチングする際にウエハ１８内でエッチン
グ量ηが異なってしまい、その結果、製品特性のばらつ
きが生じてしまうという問題点があった。
点のそれぞれにおけるリンス開始時期をエッチング液に
よるエッチング後のリンス中の所定のタイミングに統一
することが難しくなり、エッチング時間の不均一が生じ
てしまうようになる。その結果、図３のウエハ断面図の
ａ点、ｂ点、ｃ点のそれぞれ、および図４のグラフのａ
点、ｂ点、ｃ点のそれぞれに示すように、ａ点、ｂ点、
ｃ点のそれぞれのエッチング量ηが不均一となってしま
う。すなわち、ウェットエッチング洗浄処理においてフ
ッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等が形成されたウ
エハ１８をエッチングする際にウエハ１８内でエッチン
グ量ηが異なってしまい、その結果、製品特性のばらつ
きが生じてしまうという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウェットエッチング洗浄処理に
おいてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等が形成
されたウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチ
ング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低
減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェッ
トエッチング方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ウェットエッチング洗浄処理に
おいてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等が形成
されたウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチ
ング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低
減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェッ
トエッチング方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明にかかるウェット洗浄装置は、洗浄槽において複
数の半導体ウエハを所定の間隔をおいて平行に支持し、
上記洗浄槽にエッチング液を供給して上記半導体ウエハ
をエッチング処理し、その後に上記洗浄槽において上記
半導体ウエハの主面に沿って純水からなる洗浄液を流通
させるとき、上記半導体ウエハの中心軸を回転軸として
上記半導体ウエハを回転させるエッチング均一性向上手
段を備えたことを特徴とするものである。
の発明にかかるウェット洗浄装置は、洗浄槽において複
数の半導体ウエハを所定の間隔をおいて平行に支持し、
上記洗浄槽にエッチング液を供給して上記半導体ウエハ
をエッチング処理し、その後に上記洗浄槽において上記
半導体ウエハの主面に沿って純水からなる洗浄液を流通
させるとき、上記半導体ウエハの中心軸を回転軸として
上記半導体ウエハを回転させるエッチング均一性向上手
段を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】請求項２記載の発明にかかるウェット洗浄
装置は、請求項１に記載のものにおいて、上記半導体ウ
エハの回転を上記洗浄液の流通中の所定のタイミングで
開始させる手段を備えたことを特徴とするものである。
装置は、請求項１に記載のものにおいて、上記半導体ウ
エハの回転を上記洗浄液の流通中の所定のタイミングで
開始させる手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】請求項３記載の発明にかかるウェット洗浄
装置は、請求項１に記載のものにおいて、上記半導体ウ
エハの回転を上記洗浄液の流通開始に先立って開始させ
る手段を備えたことを特徴とするものである。
装置は、請求項１に記載のものにおいて、上記半導体ウ
エハの回転を上記洗浄液の流通開始に先立って開始させ
る手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１４】請求項４記載の発明にかかるウェット洗浄
装置は、請求項１乃至３に記載のものにおいて、前記エ
ッチング均一性向上手段は、前記複数の半導体ウエハの
周縁部分に当接した状態で前記半導体ウエハを回転自在
に保持するとともに、前記半導体ウエハを回転させるた
めの付勢力を与える少なくとも１つ以上のウエハ回転用
ローラーと、前記複数の半導体ウエハの他の周縁部分に
当接した状態で前記半導体ウエハを回転自在に保持する
複数のウエハ押さえローラーとを備えていることを特徴
とするものである。
装置は、請求項１乃至３に記載のものにおいて、前記エ
ッチング均一性向上手段は、前記複数の半導体ウエハの
周縁部分に当接した状態で前記半導体ウエハを回転自在
に保持するとともに、前記半導体ウエハを回転させるた
めの付勢力を与える少なくとも１つ以上のウエハ回転用
ローラーと、前記複数の半導体ウエハの他の周縁部分に
当接した状態で前記半導体ウエハを回転自在に保持する
複数のウエハ押さえローラーとを備えていることを特徴
とするものである。
【００１５】請求項５記載の発明にかかるウェットエッ
チング方法は、半導体ウエハのウェットエッチング処理
工程とこのエッチング処理工程に続き且つこのエッチン
グ処理工程と同一の処理槽で行う洗浄工程とを含み、上
記洗浄工程において、上記半導体ウエハの主面に沿って
純水からなる洗浄液を流通させると共に上記半導体ウエ
ハの中心軸を回転軸として上記半導体ウエハを回転させ
ることを特徴とするものである。
チング方法は、半導体ウエハのウェットエッチング処理
工程とこのエッチング処理工程に続き且つこのエッチン
グ処理工程と同一の処理槽で行う洗浄工程とを含み、上
記洗浄工程において、上記半導体ウエハの主面に沿って
純水からなる洗浄液を流通させると共に上記半導体ウエ
ハの中心軸を回転軸として上記半導体ウエハを回転させ
ることを特徴とするものである。
【００１６】請求項６記載の発明にかかるウェットエッ
チング方法は、請求項５に記載の方法において、上記半
導体ウエハの回転を上記洗浄液の流通中の所定のタイミ
ングで開始することを特徴とするものである。
チング方法は、請求項５に記載の方法において、上記半
導体ウエハの回転を上記洗浄液の流通中の所定のタイミ
ングで開始することを特徴とするものである。
【００１７】請求項７記載の発明にかかるウェットエッ
チング方法は、請求項５に記載の方法において、上記半
導体ウエハの回転を上記洗浄液の流通開始に先立って開
始することを特徴とするものである。
チング方法は、請求項５に記載の方法において、上記半
導体ウエハの回転を上記洗浄液の流通開始に先立って開
始することを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１
は、本発明の一実施の形態に係るウェット洗浄装置およ
びこれを用いたウェットエッチング方法を説明するため
の装置構成図であって、同図（ａ）は装置正面から透視
した要部構成図、図１（ｂ）は装置側面から透視した要
部構成図である。この実施の形態１は、一般に半導体ウ
エハを回転させ、リンス開始時期を均一にしてエッチン
グの均一性を図るための装置及び方法に関する。
実施の形態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１
は、本発明の一実施の形態に係るウェット洗浄装置およ
びこれを用いたウェットエッチング方法を説明するため
の装置構成図であって、同図（ａ）は装置正面から透視
した要部構成図、図１（ｂ）は装置側面から透視した要
部構成図である。この実施の形態１は、一般に半導体ウ
エハを回転させ、リンス開始時期を均一にしてエッチン
グの均一性を図るための装置及び方法に関する。
【００１９】図１において、１０はウェットエッチング
洗浄装置、１２はウエハ押さえローラー、１４はウエハ
押さえアーム機構、１６は洗浄槽、１８はウエハ、１９
はウエハ１８の主面（処理対象面）、２０はモーター、
２１はモーター２０の駆動軸、２２はウエハ回転用ロー
ラー、２４は水流、２６は純水リンス吐出チューブ、２
８は整流板、４０はウエハ押さえローラー１２およびウ
エハ回転用ローラー２２に形成されたグルーブ、４２は
付勢力、４４はウエハ１８の周縁方向を示している。
洗浄装置、１２はウエハ押さえローラー、１４はウエハ
押さえアーム機構、１６は洗浄槽、１８はウエハ、１９
はウエハ１８の主面（処理対象面）、２０はモーター、
２１はモーター２０の駆動軸、２２はウエハ回転用ロー
ラー、２４は水流、２６は純水リンス吐出チューブ、２
８は整流板、４０はウエハ押さえローラー１２およびウ
エハ回転用ローラー２２に形成されたグルーブ、４２は
付勢力、４４はウエハ１８の周縁方向を示している。
【００２０】一般に、半導体などのウエハ１８上に形成
した膜のエッチング工程においては、ウエハ１８の主面
１９内のエッチング均一性が、製品特性のばらつき、例
えば、デバイスの電気特性のばらつきに影響を与える。
そのため、均一性を向上させることが重要である。
した膜のエッチング工程においては、ウエハ１８の主面
１９内のエッチング均一性が、製品特性のばらつき、例
えば、デバイスの電気特性のばらつきに影響を与える。
そのため、均一性を向上させることが重要である。
【００２１】そこで、本実施の形態のウェット洗浄装置
１０では、ウエハ押さえローラー１２と、ウエハ押さえ
アーム機構１４と、モーター２０と、モーター２０の駆
動軸２１と、ウエハ回転用ローラー２２を備えたエッチ
ング均一性向上手段を設け、これにより、任意のタイミ
ングで任意の期間だけ、ウエハ１８を所定円周方向（本
実施の形態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿って所
定回転数（具体的には、毎分０．５〜５回転の範囲）で
回動させ、ウエハ１８上でのウェット処理量（例えば、
エッチング量η）が所定の範囲に収まるようにする。
１０では、ウエハ押さえローラー１２と、ウエハ押さえ
アーム機構１４と、モーター２０と、モーター２０の駆
動軸２１と、ウエハ回転用ローラー２２を備えたエッチ
ング均一性向上手段を設け、これにより、任意のタイミ
ングで任意の期間だけ、ウエハ１８を所定円周方向（本
実施の形態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿って所
定回転数（具体的には、毎分０．５〜５回転の範囲）で
回動させ、ウエハ１８上でのウェット処理量（例えば、
エッチング量η）が所定の範囲に収まるようにする。
【００２２】上記エッチング均一性向上手段（１２，１
４，２０および２２）は、図１（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、洗浄槽１６内で所定円周方向（本実施の形態では
ウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８を、ウ
エハ１８の中心（ウエハ回転中心）を軸として回転自在
に保持する、ウエハ１８の整列方向を長軸とする２本の
ウエハ押さえローラー１２を備えている。
４，２０および２２）は、図１（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、洗浄槽１６内で所定円周方向（本実施の形態では
ウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８を、ウ
エハ１８の中心（ウエハ回転中心）を軸として回転自在
に保持する、ウエハ１８の整列方向を長軸とする２本の
ウエハ押さえローラー１２を備えている。
【００２３】エッチング均一性向上手段（１２，１４，
２０および２２）は、ウエハ１８上でのウェット処理量
（例えば、エッチング量η）が所定の範囲に収まる程度
にウエハ１８を毎分０．５〜５回転の範囲で回転させる
ように構成されている。これにより、ウエハ１８の主面
１９が常に洗浄槽１６内の流体（洗浄液）の流れ、すな
わち、純水リンス吐出チューブ２６から整流板２８を介
してウエハ１８の方向（図面では下方から上方）へ供給
される水流２４の流れに沿って概ね平行な状態で回転自
在に保持される。また、ウエハ回転用ローラー２２およ
びモーター２０を用いてウエハ１８を回転してエッチン
グ量ηのウエハ１８の主面１９内での均一性の向上を図
ると同時に、ウエハ１８の主面１９内の各点におけるリ
ンス開始時期を均一にしてエッチング時間の均一性を図
ることができるようになる。
２０および２２）は、ウエハ１８上でのウェット処理量
（例えば、エッチング量η）が所定の範囲に収まる程度
にウエハ１８を毎分０．５〜５回転の範囲で回転させる
ように構成されている。これにより、ウエハ１８の主面
１９が常に洗浄槽１６内の流体（洗浄液）の流れ、すな
わち、純水リンス吐出チューブ２６から整流板２８を介
してウエハ１８の方向（図面では下方から上方）へ供給
される水流２４の流れに沿って概ね平行な状態で回転自
在に保持される。また、ウエハ回転用ローラー２２およ
びモーター２０を用いてウエハ１８を回転してエッチン
グ量ηのウエハ１８の主面１９内での均一性の向上を図
ると同時に、ウエハ１８の主面１９内の各点におけるリ
ンス開始時期を均一にしてエッチング時間の均一性を図
ることができるようになる。
【００２４】また上記ウエハ押さえローラー１２のそれ
ぞれには、ウエハ１８の主面１９が洗浄槽１６内の流体
の流れに沿って概ね平行な状態でウエハ１８を所定のピ
ッチで並設するための凹形状やＶ形状の溝構造のグルー
ブ４０がウエハ１８の枚数だけ形成されている。これに
より、ウエハ１８の主面１９が常に洗浄槽１６内の流体
の流れに沿って概ね平行な状態に維持され、ウエハ１８
をウエハ回転用ローラー２２を用いて確実に回転してエ
ッチング量ηのウエハ１８の主面１９内での均一性の向
上を図ると同時に、ウエハ１８の主面１９内の各点にお
けるリンス開始時期を均一にしてエッチング時間の均一
性を図ることができるようになる。
ぞれには、ウエハ１８の主面１９が洗浄槽１６内の流体
の流れに沿って概ね平行な状態でウエハ１８を所定のピ
ッチで並設するための凹形状やＶ形状の溝構造のグルー
ブ４０がウエハ１８の枚数だけ形成されている。これに
より、ウエハ１８の主面１９が常に洗浄槽１６内の流体
の流れに沿って概ね平行な状態に維持され、ウエハ１８
をウエハ回転用ローラー２２を用いて確実に回転してエ
ッチング量ηのウエハ１８の主面１９内での均一性の向
上を図ると同時に、ウエハ１８の主面１９内の各点にお
けるリンス開始時期を均一にしてエッチング時間の均一
性を図ることができるようになる。
【００２５】また、上記エッチング均一性向上手段（１
２，１４，２０および２２）は、図１（ａ），（ｂ）に
示すように、上記２本のウエハ押さえローラー１２のそ
れぞれをウエハ１８の中心（ウエハ回転中心）に向かっ
た状態でウエハ１８の周縁部分に押し当てた状態で接触
させるためのウエハ押さえアーム機構１４を備えてい
る。これにより、ウエハ１８の主面１９が常に洗浄槽１
６内の流体の流れに沿って概ね平行な状態でウエハ１８
を確実に回転してエッチング量ηのウエハ１８の主面１
９内での均一性の向上を図ると同時に、ウエハ１８の主
面１９内の各点におけるリンス開始時期を均一にしてエ
ッチング時間の均一性を図ることができるようになる。
２，１４，２０および２２）は、図１（ａ），（ｂ）に
示すように、上記２本のウエハ押さえローラー１２のそ
れぞれをウエハ１８の中心（ウエハ回転中心）に向かっ
た状態でウエハ１８の周縁部分に押し当てた状態で接触
させるためのウエハ押さえアーム機構１４を備えてい
る。これにより、ウエハ１８の主面１９が常に洗浄槽１
６内の流体の流れに沿って概ね平行な状態でウエハ１８
を確実に回転してエッチング量ηのウエハ１８の主面１
９内での均一性の向上を図ると同時に、ウエハ１８の主
面１９内の各点におけるリンス開始時期を均一にしてエ
ッチング時間の均一性を図ることができるようになる。
【００２６】また、上記エッチング均一性向上手段（１
２，１４，２０および２２）は、図１（ａ），（ｂ）に
示すように、洗浄槽１６内で所定円周方向（本実施の形
態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８
をウエハ１８の中心（ウエハ回転中心）を軸として回転
自在に保持するとともに、ウエハ１８上でのウェット処
理量（例えば、エッチング量η）が所定の範囲に収まる
程度に、ウエハ１８の周縁部分に当接した状態で所定円
周方向（本実施の形態ではウエハ１８の周縁方向４４）
に沿ってウエハ１８をウエハ１８の中心（ウエハ回転中
心）を軸として回転させるための付勢力４２をウエハ１
８の周縁部分に与える１本のウエハ回転用ローラー２２
を備えている。
２，１４，２０および２２）は、図１（ａ），（ｂ）に
示すように、洗浄槽１６内で所定円周方向（本実施の形
態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８
をウエハ１８の中心（ウエハ回転中心）を軸として回転
自在に保持するとともに、ウエハ１８上でのウェット処
理量（例えば、エッチング量η）が所定の範囲に収まる
程度に、ウエハ１８の周縁部分に当接した状態で所定円
周方向（本実施の形態ではウエハ１８の周縁方向４４）
に沿ってウエハ１８をウエハ１８の中心（ウエハ回転中
心）を軸として回転させるための付勢力４２をウエハ１
８の周縁部分に与える１本のウエハ回転用ローラー２２
を備えている。
【００２７】これにより、ウエハ１８の主面１９が常に
洗浄槽１６内の流体の流れに沿って概ね平行な状態で回
転自在に保持され、ウエハ１８をウエハ回転用ローラー
２２を用いて確実に回転してエッチング量ηのウエハ１
８の主面１９内での均一性の向上を図ると同時に、ウエ
ハ１８の主面１９内の各点におけるリンス開始時期を均
一にしてエッチング時間の均一性を図ることができるよ
うになる。
洗浄槽１６内の流体の流れに沿って概ね平行な状態で回
転自在に保持され、ウエハ１８をウエハ回転用ローラー
２２を用いて確実に回転してエッチング量ηのウエハ１
８の主面１９内での均一性の向上を図ると同時に、ウエ
ハ１８の主面１９内の各点におけるリンス開始時期を均
一にしてエッチング時間の均一性を図ることができるよ
うになる。
【００２８】上記１本のウエハ回転用ローラー２２は、
洗浄槽１６の底部に設けられたモーター２０の駆動軸２
１に連結されるとともに、ウエハ１８上でのウェット処
理量（例えば、エッチング量η）が所定の範囲に収まる
程度に、ウエハ１８の周縁部分に当接した状態で所定円
周方向に沿ってウエハ１８をウエハ１８の中心（ウエハ
回転中心）を軸としてモーター２０の回転駆動力に応じ
て回転させるための付勢力４２をウエハ１８の周縁部分
に与えるように構成されている。
洗浄槽１６の底部に設けられたモーター２０の駆動軸２
１に連結されるとともに、ウエハ１８上でのウェット処
理量（例えば、エッチング量η）が所定の範囲に収まる
程度に、ウエハ１８の周縁部分に当接した状態で所定円
周方向に沿ってウエハ１８をウエハ１８の中心（ウエハ
回転中心）を軸としてモーター２０の回転駆動力に応じ
て回転させるための付勢力４２をウエハ１８の周縁部分
に与えるように構成されている。
【００２９】上記ウエハ回転用ローラー２２には、ウエ
ハ１８の主面１９が洗浄槽１６内の流体の流れに沿って
概ね平行な状態でウエハ１８を所定のピッチで並設する
ための凹形状やＶ形状の溝構造のグルーブ４０がウエハ
１８の枚数だけ形成されている。
ハ１８の主面１９が洗浄槽１６内の流体の流れに沿って
概ね平行な状態でウエハ１８を所定のピッチで並設する
ための凹形状やＶ形状の溝構造のグルーブ４０がウエハ
１８の枚数だけ形成されている。
【００３０】このようなウエハ回転用ローラー２２によ
れば、ウエハ１８の主面１９が常に洗浄槽１６内の流体
の流れに沿って概ね平行な状態で回転自在に保持され、
ウエハ１８をウエハ回転用ローラー２２およびモーター
２０を用いて確実に回転してエッチング量ηのウエハ１
８の主面１９内での均一性の向上を図ると同時に、ウエ
ハ１８の主面１９内の各点におけるリンス開始時期を均
一にしてエッチング時間の均一性を図ることができるよ
うになる。
れば、ウエハ１８の主面１９が常に洗浄槽１６内の流体
の流れに沿って概ね平行な状態で回転自在に保持され、
ウエハ１８をウエハ回転用ローラー２２およびモーター
２０を用いて確実に回転してエッチング量ηのウエハ１
８の主面１９内での均一性の向上を図ると同時に、ウエ
ハ１８の主面１９内の各点におけるリンス開始時期を均
一にしてエッチング時間の均一性を図ることができるよ
うになる。
【００３１】以上説明したように本実施の形態によれ
ば、ウエハ１８の回転によりウエハ１８の主面１９内の
各点におけるリンス開始時期をウエハ１８の主面１９で
均一にすることが可能となり、エッチング時間の均一性
を図ることができるようになる。その結果、エッチング
量ηがウエハ１８の主面１９で均一となるため、製品特
性のばらつき（例えば、デバイスの電気特性のばらつ
き）の低減化を図ることができるようになる。
ば、ウエハ１８の回転によりウエハ１８の主面１９内の
各点におけるリンス開始時期をウエハ１８の主面１９で
均一にすることが可能となり、エッチング時間の均一性
を図ることができるようになる。その結果、エッチング
量ηがウエハ１８の主面１９で均一となるため、製品特
性のばらつき（例えば、デバイスの電気特性のばらつ
き）の低減化を図ることができるようになる。
【００３２】以上説明した本実施の形態の一面を次のよ
うに要約できる。すなわち、本実施の形態のウェット洗
浄装置は、洗浄槽１６において複数の半導体ウエハ１８
を所定の間隔をおいて平行に支持し、半導体ウエハ１８
のエッチング処理の後に上記半導体ウエハ１８の主面に
沿って洗浄液を流通させるとき上記半導体ウエハ１８の
中心軸を回転軸として回転させるエッチング均一性向上
手段を備えたものである。
うに要約できる。すなわち、本実施の形態のウェット洗
浄装置は、洗浄槽１６において複数の半導体ウエハ１８
を所定の間隔をおいて平行に支持し、半導体ウエハ１８
のエッチング処理の後に上記半導体ウエハ１８の主面に
沿って洗浄液を流通させるとき上記半導体ウエハ１８の
中心軸を回転軸として回転させるエッチング均一性向上
手段を備えたものである。
【００３３】次に本実施の形態のウェット洗浄装置１０
の動作（ウェットエッチング方法）について説明する。
本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように複数のウエ
ハ１８，…，１８を、上記２本のウエハ押さえローラー
１２および上記１本のウエハ回転用ローラー２２の合わ
せて３本のローラーのそれぞれに形成されている凹形状
やＶ形状の溝構造のグルーブ４０上に並立させて収納し
た状態で洗浄槽１６内に収納し、続いて、図１（ａ）に
示すように、洗浄槽１６内でのウェット洗浄処理を行
う。
の動作（ウェットエッチング方法）について説明する。
本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように複数のウエ
ハ１８，…，１８を、上記２本のウエハ押さえローラー
１２および上記１本のウエハ回転用ローラー２２の合わ
せて３本のローラーのそれぞれに形成されている凹形状
やＶ形状の溝構造のグルーブ４０上に並立させて収納し
た状態で洗浄槽１６内に収納し、続いて、図１（ａ）に
示すように、洗浄槽１６内でのウェット洗浄処理を行
う。
【００３４】本実施の形態のウェット洗浄処理では、洗
浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ酸等のエッ
チング液を供給して酸化膜等が形成されたウエハ１８を
エッチング処理する。その後に、エッチング処理を停止
させるために、純水リンス吐出チューブ２６から整流板
２８を介してリンス液を供給してリンスを行う。この
際、洗浄槽１６において、任意の期間だけ所定回転数
（具体的には、毎分０．５〜５回転の範囲）でウエハ１
８を所定円周方向（本実施の形態ではウエハ１８の周縁
方向４４）に沿って、ウエハ１８上でのウェット処理量
（例えば、エッチング量η）が所定の範囲に収まる程度
にウエハ１８を回動させるエッチング均一性向上工程を
実行する。
浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ酸等のエッ
チング液を供給して酸化膜等が形成されたウエハ１８を
エッチング処理する。その後に、エッチング処理を停止
させるために、純水リンス吐出チューブ２６から整流板
２８を介してリンス液を供給してリンスを行う。この
際、洗浄槽１６において、任意の期間だけ所定回転数
（具体的には、毎分０．５〜５回転の範囲）でウエハ１
８を所定円周方向（本実施の形態ではウエハ１８の周縁
方向４４）に沿って、ウエハ１８上でのウェット処理量
（例えば、エッチング量η）が所定の範囲に収まる程度
にウエハ１８を回動させるエッチング均一性向上工程を
実行する。
【００３５】これにより、ウエハ１８の回転によりウエ
ハ１８の主面１９内の各点におけるリンス開始時期をウ
エハ１８の主面１９で均一にすることが可能となり、エ
ッチング時間の均一性を図ることができるようになる。
その結果、エッチング量ηがウエハ１８の主面１９で均
一となるため、ウェット洗浄処理においてフッ酸などの
エッチング液を用いてシリコン酸化膜３４などが形成さ
れたウエハ１８をエッチングする際に、製品特性のばら
つき、例えば、デバイスの電気特性のばらつきの低減化
を図ることができるようになる。
ハ１８の主面１９内の各点におけるリンス開始時期をウ
エハ１８の主面１９で均一にすることが可能となり、エ
ッチング時間の均一性を図ることができるようになる。
その結果、エッチング量ηがウエハ１８の主面１９で均
一となるため、ウェット洗浄処理においてフッ酸などの
エッチング液を用いてシリコン酸化膜３４などが形成さ
れたウエハ１８をエッチングする際に、製品特性のばら
つき、例えば、デバイスの電気特性のばらつきの低減化
を図ることができるようになる。
【００３６】以上説明した本実施の形態の一面を次のよ
うに要約できる。すなわち、本実施の形態の半導体ウエ
ハのウェットエッチング方法は、半導体ウエハ１８のウ
ェットエッチング処理工程とこのエッチング処理工程に
続く洗浄工程とを含み、この洗浄工程において、半導体
ウエハ１８の主面に沿って洗浄液を流通させると共に半
導体ウエハ１８の中心軸を回転軸として半導体ウエハ１
８を回転させるものである。
うに要約できる。すなわち、本実施の形態の半導体ウエ
ハのウェットエッチング方法は、半導体ウエハ１８のウ
ェットエッチング処理工程とこのエッチング処理工程に
続く洗浄工程とを含み、この洗浄工程において、半導体
ウエハ１８の主面に沿って洗浄液を流通させると共に半
導体ウエハ１８の中心軸を回転軸として半導体ウエハ１
８を回転させるものである。
【００３７】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。この実
施の形態２は、エッチング後のリンス中において、半導
体ウエハの回転開始を所定のタイミングで行う装置およ
び方法に関する。
態２を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。この実
施の形態２は、エッチング後のリンス中において、半導
体ウエハの回転開始を所定のタイミングで行う装置およ
び方法に関する。
【００３８】本実施の形態のウェット洗浄装置１０で
は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、洗浄槽１６に設
けられ、エッチング液によるエッチング後のリンス中の
所定のタイミングで所定円周方向（本実施の形態ではウ
エハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８の回転を
開始し、ウエハ１８上でのエッチング量ηが所定の範囲
に収まる程度に任意の期間だけ所定回転数（具体的に
は、毎分０．５〜５回転の範囲）で所定円周方向（本実
施の形態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエ
ハ１８を回動させるエッチング均一性向上手段（１２，
１４，２０および２２）を有する。
は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、洗浄槽１６に設
けられ、エッチング液によるエッチング後のリンス中の
所定のタイミングで所定円周方向（本実施の形態ではウ
エハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８の回転を
開始し、ウエハ１８上でのエッチング量ηが所定の範囲
に収まる程度に任意の期間だけ所定回転数（具体的に
は、毎分０．５〜５回転の範囲）で所定円周方向（本実
施の形態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエ
ハ１８を回動させるエッチング均一性向上手段（１２，
１４，２０および２２）を有する。
【００３９】以上説明したように本実施の形態によれ
ば、ウエハ１８の回転開始を、エッチング液によるエッ
チング後のリンス中の所定のタイミングに統一すること
が可能となり、エッチング時間の均一性を図ることがで
きるようになる。その結果、エッチング量ηがウエハ１
８の主面１９で均一となるため、ウェット洗浄処理にお
いてフッ酸などのエッチング液を用いてシリコン酸化膜
３４などのウエハ１８をエッチングする際に、製品特性
のばらつき、例えば、デバイスの電気特性のばらつきの
低減化を図ることができるようになる。
ば、ウエハ１８の回転開始を、エッチング液によるエッ
チング後のリンス中の所定のタイミングに統一すること
が可能となり、エッチング時間の均一性を図ることがで
きるようになる。その結果、エッチング量ηがウエハ１
８の主面１９で均一となるため、ウェット洗浄処理にお
いてフッ酸などのエッチング液を用いてシリコン酸化膜
３４などのウエハ１８をエッチングする際に、製品特性
のばらつき、例えば、デバイスの電気特性のばらつきの
低減化を図ることができるようになる。
【００４０】次に本実施の形態のウェット洗浄装置１０
の動作（ウェットエッチング方法）について説明する。
本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように複数のウエ
ハ１８，…，１８を、上記２本のウエハ押さえローラー
１２および上記１本のウエハ回転用ローラー２２の合わ
せて３本のローラーのそれぞれに形成されている凹形状
やＶ形状の溝構造のグルーブ４０上に並立させて収納し
た状態で洗浄槽１６内に収納し、続いて、図１（ａ）に
示すように、洗浄槽１６内でのウェット洗浄処理を行
う。
の動作（ウェットエッチング方法）について説明する。
本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように複数のウエ
ハ１８，…，１８を、上記２本のウエハ押さえローラー
１２および上記１本のウエハ回転用ローラー２２の合わ
せて３本のローラーのそれぞれに形成されている凹形状
やＶ形状の溝構造のグルーブ４０上に並立させて収納し
た状態で洗浄槽１６内に収納し、続いて、図１（ａ）に
示すように、洗浄槽１６内でのウェット洗浄処理を行
う。
【００４１】本実施の形態のウェット洗浄処理では、洗
浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ酸等のエッ
チング液を供給して酸化膜等が形成されたウエハ１８を
エッチング処理する。その後に、エッチング処理を停止
させるために、純水リンス吐出チューブ２６から整流板
２８を介してリンス液を供給してリンスを行う。
浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ酸等のエッ
チング液を供給して酸化膜等が形成されたウエハ１８を
エッチング処理する。その後に、エッチング処理を停止
させるために、純水リンス吐出チューブ２６から整流板
２８を介してリンス液を供給してリンスを行う。
【００４２】この際、洗浄槽１６において、エッチング
液によるエッチング後のリンス中の所定のタイミングで
所定円周方向（本実施の形態ではウエハ１８の周縁方向
４４）に沿ってウエハ１８の回転を開始し、ウエハ１８
上でのエッチング量ηが所定の範囲に収まる程度に任意
の期間だけ所定回転数（具体的には、毎分０．５〜５回
転の範囲）で所定円周方向（本実施の形態ではウエハ１
８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８を回動させるエ
ッチング均一性向上工程を実行する。
液によるエッチング後のリンス中の所定のタイミングで
所定円周方向（本実施の形態ではウエハ１８の周縁方向
４４）に沿ってウエハ１８の回転を開始し、ウエハ１８
上でのエッチング量ηが所定の範囲に収まる程度に任意
の期間だけ所定回転数（具体的には、毎分０．５〜５回
転の範囲）で所定円周方向（本実施の形態ではウエハ１
８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８を回動させるエ
ッチング均一性向上工程を実行する。
【００４３】これにより、ウエハ１８の回転開始時期を
エッチング液によるエッチング後のリンス中の所定のタ
イミングに統一することが可能となり、エッチング時間
の均一性を図ることができるようになる。その結果、エ
ッチング量ηがウエハ１８の主面１９で均一となるた
め、ウェット洗浄処理においてフッ酸などのエッチング
液を用いてシリコン酸化膜３４などのウエハ１８をエッ
チングする際に製品特性のばらつき、例えば、デバイス
の電気特性のばらつきの低減化を図ることができるよう
になる。
エッチング液によるエッチング後のリンス中の所定のタ
イミングに統一することが可能となり、エッチング時間
の均一性を図ることができるようになる。その結果、エ
ッチング量ηがウエハ１８の主面１９で均一となるた
め、ウェット洗浄処理においてフッ酸などのエッチング
液を用いてシリコン酸化膜３４などのウエハ１８をエッ
チングする際に製品特性のばらつき、例えば、デバイス
の電気特性のばらつきの低減化を図ることができるよう
になる。
【００４４】実施の形態３．以下、この発明の実施の形
態３を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。この実
施の形態３は、エッチング後のリンス開始前に、ウエハ
の回転を開始する装置及び方法に関する。
態３を図面に基づいて詳細に説明する。なお、上記実施
の形態において既に記述したものと同一の部分について
は、同一符号を付し、重複した説明は省略する。この実
施の形態３は、エッチング後のリンス開始前に、ウエハ
の回転を開始する装置及び方法に関する。
【００４５】本実施の形態のウェット洗浄装置１０で
は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、洗浄槽１６に設
けられ、エッチング液によるエッチング後のリンス開始
前のタイミングで所定円周方向（本実施の形態ではウエ
ハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８の回転を開
始し、ウエハ１８上でのエッチング量ηが所定の範囲に
収まる程度に任意の期間だけ所定回転数（具体的には、
毎分０．５〜５回転の範囲）で所定円周方向（本実施の
形態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１
８を回動させるエッチング均一性向上手段（１２，１
４，２０および２２）を有する。
は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、洗浄槽１６に設
けられ、エッチング液によるエッチング後のリンス開始
前のタイミングで所定円周方向（本実施の形態ではウエ
ハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８の回転を開
始し、ウエハ１８上でのエッチング量ηが所定の範囲に
収まる程度に任意の期間だけ所定回転数（具体的には、
毎分０．５〜５回転の範囲）で所定円周方向（本実施の
形態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１
８を回動させるエッチング均一性向上手段（１２，１
４，２０および２２）を有する。
【００４６】以上説明したように本実施の形態によれ
ば、ウエハ１８の回転開始時期をエッチング液によるエ
ッチング後のリンス開始前の所定のタイミングに統一す
ることが可能となり、エッチング時間の均一性を図るこ
とができるようになる。その結果、エッチング量ηがウ
エハ１８の主面１９で均一となるため、ウェット洗浄処
理においてフッ酸などのエッチング液を用いてシリコン
酸化膜３４などのウエハ１８をエッチングする際に製品
特性のばらつき、例えば、デバイスの電気特性のばらつ
きの低減化を図ることができるようになる。
ば、ウエハ１８の回転開始時期をエッチング液によるエ
ッチング後のリンス開始前の所定のタイミングに統一す
ることが可能となり、エッチング時間の均一性を図るこ
とができるようになる。その結果、エッチング量ηがウ
エハ１８の主面１９で均一となるため、ウェット洗浄処
理においてフッ酸などのエッチング液を用いてシリコン
酸化膜３４などのウエハ１８をエッチングする際に製品
特性のばらつき、例えば、デバイスの電気特性のばらつ
きの低減化を図ることができるようになる。
【００４７】次に本実施の形態のウェット洗浄装置１０
の動作（ウェットエッチング方法）について説明する。
本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように複数のウエ
ハ１８，…，１８を、上記２本のウエハ押さえローラー
１２および上記１本のウエハ回転用ローラー２２の合わ
せて３本のローラーのそれぞれに形成されている凹形状
やＶ形状の溝構造のグルーブ４０上に並立させて収納し
た状態で洗浄槽１６内に収納し、続いて、図１（ａ）に
示すように、洗浄槽１６内でのウェット洗浄処理を行
う。
の動作（ウェットエッチング方法）について説明する。
本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように複数のウエ
ハ１８，…，１８を、上記２本のウエハ押さえローラー
１２および上記１本のウエハ回転用ローラー２２の合わ
せて３本のローラーのそれぞれに形成されている凹形状
やＶ形状の溝構造のグルーブ４０上に並立させて収納し
た状態で洗浄槽１６内に収納し、続いて、図１（ａ）に
示すように、洗浄槽１６内でのウェット洗浄処理を行
う。
【００４８】本実施の形態のウェット洗浄処理では、洗
浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ酸等のエッ
チング液を供給して酸化膜等が形成されたウエハ１８を
エッチング処理する。その後に、エッチング処理を停止
させるために、純水リンス吐出チューブ２６から整流板
２８を介してリンス液を供給してリンスを行う。
浄槽１６の底部から整流板２８を介してフッ酸等のエッ
チング液を供給して酸化膜等が形成されたウエハ１８を
エッチング処理する。その後に、エッチング処理を停止
させるために、純水リンス吐出チューブ２６から整流板
２８を介してリンス液を供給してリンスを行う。
【００４９】この際、洗浄槽１６において、エッチング
液によるエッチング後のリンス開始前のタイミングで所
定円周方向（本実施の形態ではウエハ１８の周縁方向４
４）に沿ってウエハ１８の洗浄槽１６内での回転を開始
し、ウエハ１８上でのエッチング量ηが所定の範囲に収
まる程度に任意の期間だけ所定回転数（具体的には、毎
分０．５〜５回転の範囲）で所定円周方向（本実施の形
態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８
を回動させるエッチング均一性向上工程を実行する。
液によるエッチング後のリンス開始前のタイミングで所
定円周方向（本実施の形態ではウエハ１８の周縁方向４
４）に沿ってウエハ１８の洗浄槽１６内での回転を開始
し、ウエハ１８上でのエッチング量ηが所定の範囲に収
まる程度に任意の期間だけ所定回転数（具体的には、毎
分０．５〜５回転の範囲）で所定円周方向（本実施の形
態ではウエハ１８の周縁方向４４）に沿ってウエハ１８
を回動させるエッチング均一性向上工程を実行する。
【００５０】これにより、ウエハ１８の回転によりウエ
ハ１８の主面１９内の各点におけるリンス開始のタイミ
ングに統一することが可能となり、エッチング時間の均
一性を図ることができるようになる。その結果、エッチ
ング量ηがウエハ１８の主面１９で均一となるため、ウ
ェット洗浄処理においてフッ酸などのエッチング液を用
いてシリコン酸化膜３４などが形成されたウエハ１８を
エッチングする際にる製品特性のばらつき、例えば、デ
バイスの電気特性のばらつきの低減化を図ることができ
るようになる。
ハ１８の主面１９内の各点におけるリンス開始のタイミ
ングに統一することが可能となり、エッチング時間の均
一性を図ることができるようになる。その結果、エッチ
ング量ηがウエハ１８の主面１９で均一となるため、ウ
ェット洗浄処理においてフッ酸などのエッチング液を用
いてシリコン酸化膜３４などが形成されたウエハ１８を
エッチングする際にる製品特性のばらつき、例えば、デ
バイスの電気特性のばらつきの低減化を図ることができ
るようになる。
【００５１】なお、本発明が上記実施の形態に限定され
ず、本発明の技術思想の範囲内において、実施の形態は
適宜変更され得ることは明らかである。また上記構成部
材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、
本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にするこ
とができる。また、各図において、同一構成要素には同
一符号を付している。
ず、本発明の技術思想の範囲内において、実施の形態は
適宜変更され得ることは明らかである。また上記構成部
材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、
本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にするこ
とができる。また、各図において、同一構成要素には同
一符号を付している。
【００５２】
【発明の効果】この発明の請求項１記載の発明は以上説
明したように、半導体ウエハの主面に沿って洗浄液を流
通させながら半導体ウエハを回転させるので、ウエハ回
転によりウエハ内の各点におけるリンス開始時期を均一
にすることが可能となり、エッチング時間の均一性を図
ることができるようになる。その結果、ウエハ内でのエ
ッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつき
の低減化を図ることができるようになるといった効果を
奏する。
明したように、半導体ウエハの主面に沿って洗浄液を流
通させながら半導体ウエハを回転させるので、ウエハ回
転によりウエハ内の各点におけるリンス開始時期を均一
にすることが可能となり、エッチング時間の均一性を図
ることができるようになる。その結果、ウエハ内でのエ
ッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつき
の低減化を図ることができるようになるといった効果を
奏する。
【００５３】請求項２記載の発明は以上説明したよう
に、半導体ウエハの回転を洗浄液の流通中の所定のタイ
ミングで開始させるので、エッチングの均一性を図るこ
とができるようになる。その結果、製品特性のばらつき
の低減化を図ることができるようになるといった効果を
奏する。
に、半導体ウエハの回転を洗浄液の流通中の所定のタイ
ミングで開始させるので、エッチングの均一性を図るこ
とができるようになる。その結果、製品特性のばらつき
の低減化を図ることができるようになるといった効果を
奏する。
【００５４】請求項３記載の発明は以上説明したよう
に、半導体ウエハの回転を洗浄液の流通開始に先立って
開始させるので、エッチングの均一性を図ることができ
るようになる。その結果、製品特性のばらつきの低減化
を図ることができるようになるといった効果を奏する。
に、半導体ウエハの回転を洗浄液の流通開始に先立って
開始させるので、エッチングの均一性を図ることができ
るようになる。その結果、製品特性のばらつきの低減化
を図ることができるようになるといった効果を奏する。
【００５５】請求項４記載の発明は以上説明したよう
に、半導体ウエハを回転自在に保持するとともに回転さ
せるための付勢力を与えるウエハ回転用ローラーと、半
導体ウエハを回転自在に保持する複数のウエハ押さえロ
ーラーとを備えているので、ウエハをウエハ回転用ロー
ラーを用いて確実に回転してエッチング量の面内均一性
の向上を図ると同時に、ウエハ内の各点におけるリンス
開始時期を均一にしてエッチング時間の均一性を図るこ
とができるようになる。その結果、エッチング量が均一
となるため、製品特性のばらつきの低減化を図ることが
できるようになるといった効果を奏する。
に、半導体ウエハを回転自在に保持するとともに回転さ
せるための付勢力を与えるウエハ回転用ローラーと、半
導体ウエハを回転自在に保持する複数のウエハ押さえロ
ーラーとを備えているので、ウエハをウエハ回転用ロー
ラーを用いて確実に回転してエッチング量の面内均一性
の向上を図ると同時に、ウエハ内の各点におけるリンス
開始時期を均一にしてエッチング時間の均一性を図るこ
とができるようになる。その結果、エッチング量が均一
となるため、製品特性のばらつきの低減化を図ることが
できるようになるといった効果を奏する。
【００５６】請求項５〜７記載の発明は以上説明したよ
うに、半導体ウエハの主面に沿って洗浄液を流通させる
と共に半導体ウエハを回転させるので、ウエハ回転によ
りウエハ内の各点におけるリンス開始時期を均一にする
ことが可能となり、エッチング時間の均一性を図ること
ができるようになる。その結果、製品特性のばらつきの
低減化を図ることができるようになるといった効果を奏
する。
うに、半導体ウエハの主面に沿って洗浄液を流通させる
と共に半導体ウエハを回転させるので、ウエハ回転によ
りウエハ内の各点におけるリンス開始時期を均一にする
ことが可能となり、エッチング時間の均一性を図ること
ができるようになる。その結果、製品特性のばらつきの
低減化を図ることができるようになるといった効果を奏
する。
【図１】 本発明の一実施の形態に係るウェット洗浄装
置およびこれを用いたウェットエッチング方法を説明す
るための装置構成図である。
置およびこれを用いたウェットエッチング方法を説明す
るための装置構成図である。
【図２】 従来のバッチ式の洗浄エッチング装置および
これを用いたウェットエッチング方法を説明するための
装置構成図である。
これを用いたウェットエッチング方法を説明するための
装置構成図である。
【図３】 図２のウェットエッチング方法を実行した際
のウエハ内でエッチング量の分布を説明するためのウエ
ハ断面図である。
のウエハ内でエッチング量の分布を説明するためのウエ
ハ断面図である。
【図４】 図２のウェットエッチング方法を実行した際
のウエハ内でエッチング量の分布を説明するためのグラ
フである。
のウエハ内でエッチング量の分布を説明するためのグラ
フである。
【符号の説明】 １０ ウェット洗浄装置、 １２ ウエハ押さえローラ
ー、 １４ ウエハ押さえアーム機構、 １６ 洗浄
槽、 １８ ウエハ、 １９ ウエハの主面（処理対象
面）、 ２０ モーター、 ２１ モーターの駆動軸、
２２ ウエハ回転用ローラー、 ２４ 水流、 ２６
純水リンス吐出チューブ、 ２８ 整流板、 ３４
シリコン酸化膜、 ４０ グルーブ、 ４２ 付勢力、
４４ ウエハ１８の周縁方向、 η エッチング量。
ー、 １４ ウエハ押さえアーム機構、 １６ 洗浄
槽、 １８ ウエハ、 １９ ウエハの主面（処理対象
面）、 ２０ モーター、 ２１ モーターの駆動軸、
２２ ウエハ回転用ローラー、 ２４ 水流、 ２６
純水リンス吐出チューブ、 ２８ 整流板、 ３４
シリコン酸化膜、 ４０ グルーブ、 ４２ 付勢力、
４４ ウエハ１８の周縁方向、 η エッチング量。
Claims (7)
- 【請求項１】 洗浄槽において複数の半導体ウエハを所
定の間隔をおいて平行に支持し、上記洗浄槽にエッチン
グ液を供給して上記半導体ウエハをエッチング処理し、
その後に上記洗浄槽において上記半導体ウエハの主面に
沿って純水からなる洗浄液を流通させるとき、上記半導
体ウエハの中心軸を回転軸として上記半導体ウエハを回
転させるエッチング均一性向上手段を備えたことを特徴
とするウェット洗浄装置。 - 【請求項２】 上記半導体ウエハの回転を上記洗浄液の
流通中の所定のタイミングで開始させる手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１に記載のウェット洗浄装置。 - 【請求項３】 上記半導体ウエハの回転を上記洗浄液の
流通開始に先立って開始させる手段を備えたことを特徴
とする請求項１に記載のウェット洗浄装置。 - 【請求項４】 前記エッチング均一性向上手段は、前記
複数の半導体ウエハの周縁部分に当接した状態で前記半
導体ウエハを回転自在に保持するとともに、前記半導体
ウエハを回転させるための付勢力を与える少なくとも１
つ以上のウエハ回転用ローラーと、 前記複数の半導体ウエハの他の周縁部分に当接した状態
で前記半導体ウエハを回転自在に保持する複数のウエハ
押さえローラーとを備えていることを特徴とする請求項
１乃至３のいずれか一項に記載のウェット洗浄装置。 - 【請求項５】 半導体ウエハのウェットエッチング処理
工程とこのエッチング処理工程に続き且つこのエッチン
グ処理工程と同一の処理槽で行う洗浄工程とを含み、上
記洗浄工程において、上記半導体ウエハの主面に沿って
純水からなる洗浄液を流通させると共に上記半導体ウエ
ハの中心軸を回転軸として上記半導体ウエハを回転させ
ることを特徴とする半導体ウエハのウェットエッチング
方法。 - 【請求項６】 上記半導体ウエハの回転を上記洗浄液の
流通中の所定のタイミングで開始することを特徴とする
請求項５に記載のウェットエッチング方法。 - 【請求項７】 上記半導体ウエハの回転を上記洗浄液の
流通開始に先立って開始することを特徴とする請求項５
に記載のウェットエッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000091923A JP3297417B2 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | ウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法 |
| KR1020010015057A KR20010093683A (ko) | 2000-03-29 | 2001-03-23 | 습식 세정 장치 및 습식 에칭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000091923A JP3297417B2 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | ウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284305A JP2001284305A (ja) | 2001-10-12 |
| JP3297417B2 true JP3297417B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=18607331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000091923A Expired - Fee Related JP3297417B2 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | ウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3297417B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010093683A (ja) |
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| KR100905225B1 (ko) * | 2008-03-11 | 2009-07-01 | 주식회사 영테크 | 화학용액을 이용하는 웨이퍼 처리장치 |
| JP6086105B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-03-01 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| TWI569351B (zh) * | 2015-04-30 | 2017-02-01 | 環球晶圓股份有限公司 | 晶圓旋轉裝置 |
| CN111524834B (zh) * | 2020-04-29 | 2023-08-18 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种多晶硅清洗装置及方法 |
| CN112058786B (zh) * | 2020-08-26 | 2022-02-11 | 杰梯晞精密机电(上海)有限公司 | 一种半导体圆晶清洗装置 |
| CN112435918A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-02 | 江西舜源电子科技有限公司 | 一种半导体材料的清洗装置 |
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2000
- 2000-03-29 JP JP2000091923A patent/JP3297417B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2001
- 2001-03-23 KR KR1020010015057A patent/KR20010093683A/ko not_active Application Discontinuation
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| JP2001284305A (ja) | 2001-10-12 |
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