JP2001015477A

JP2001015477A - 基板処理方法及び基板処理装置

Info

Publication number: JP2001015477A
Application number: JP11181685A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiro Uozumi; 宜弘魚住; Soichi Nadahara; 壮一灘原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-06-28
Filing date: 1999-06-28
Publication date: 2001-01-19

Abstract

(57)【要約】【課題】保持具自体からの汚染の低減、エッチング形状
の均一性、高速回転、薬液の飛散の低減、処理時間の短
縮化を図る。【解決手段】スピンベース１１は、図示しないモータに
電動連結されて回転されるシャフト１２の上端部に一体
的に連結され、回転可能なものとなっている。スピンベ
ース１１には基板１３の外周端部に当接して基板を保持
する３個のチャックピン１４（１４ａ〜１４ｃ）が設け
られている。基板１３は外周端部がチャックピン１４に
３カ所以上で保持され、チャックピン１４ａは、チャッ
クピン１４ａに同軸接続されたギアＡ１６と、シャフト
１２と同軸に設けられシャフト１２の回転に応じて回転
することがない太陽歯車１７と、ギアＡ１６と太陽歯車
１７の間に組み込まれた、ギアＢ１８及びクラッチ機構
１９及びギアＣ２０によって、スピンベース１１の回転
時に、チャックピン１４ａが回転する構造となってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板，液晶
基板，磁気ディスクなどの基板の処理技術に関するもの
であり、特に基板を回転させながら洗浄，エッチング，
リンス，乾燥等を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体集積回路を製造する工程に
おいて配線や電極やバリアメタルのような導電体とし
て、ゲートやキャパシタなどの絶縁体，誘電体膜として
様々な金属やそのシリサイド、酸化物・窒化物などとい
った金属化合物が用いられている。具体的には、Ｗ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｒｕなどの純金属やそれらの合
金、ＴｉＮ，ＷＮ，ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，ＢＳＴ（（Ｂ
ａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃），ＳＲＯ（ＳｒＲｕＯ₃），ＰＺ
Ｔ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃），ＳＢＴ（ＳｒＢｉ ₂Ｔ
ａ₂Ｏ₉）やＴｉＳｉ，ＣｏＳｉ，ＷＳｉなどといった
金属の化合物が用いられる。また、金属のみならず有機
物等のカーボン系の物質も大いに用いられるようにな
り、レジストや反射防止膜をはじめ、最近では塗布型の
絶縁膜に有機物質が用いられている。

【０００３】これら不純物となり得る元素を含む膜をシ
リコン基板やアモルファスシリコン又はポリシリコン、
熱酸化・窒化やスパッタリング法、ＣＶＤ法などにより
堆積されたシリコン酸化物系，シリコン窒化物系の膜な
どの上部に堆積すると、それら膜中に不純物原子が打ち
込まれたり、拡散したりする。従って、完全にそれらの
影響を無くすためには、それらシリコン膜やシリコン酸
化膜，シリコン窒化膜をフッ酸やフッ化アンモニウム、
燐酸、フッ硝酸などの薬液を用いてエッチングしなけれ
ばならない。

【０００４】これら金属や化合物は、スパッタリング法
やＣＶＤ法、ゾル−ゲル法、或いはメッキ法などにより
堆積される。また、カーボン系の膜はスパッタリング法
やスピン塗布法などにより堆積される。これら金属や有
機物の汚染があると、ゲート絶縁膜の耐圧不良やＰＮジ
ャンクションのリークを引き起こしたり、配線間のリー
ク等を引き起こすことがわっかており、除去若しくは低
減する必要がある。しかしながら、これらの膜が堆積さ
れた基板内部に拡散するのを防ぐだけでは不十分で、他
の基板への汚染をも防ぐ必要がある。

【０００５】先に列挙したような堆積方法で堆積した場
合、これら不純物が基板のベベル部（端部）や裏面とい
った、様々な製造装置の搬送装置が接触する部分にも堆
積、付着する。ベベル部や裏面が汚染された基板を他の
装置、例えば露光装置などで処理を行うと、その搬送装
置はたいていの場合汚染されたベベル部や裏面に接触す
ることにより搬送する。すると、その搬送装置に不純物
が付着し、汚染される。露光装置などは、様々な基板の
処理を行うため、その後に他の基板の処理を行った場
合、その搬送装置を介して汚染が転写される。

【０００６】そのため、基板のベベル部や裏面に付着す
る堆積物を除去する必要がある。基板のベベル部や裏面
に付着する堆積物を除去する方法としては、ベースに対
向して保持された基板を回転させながら、ベースと基板
との間にエッチング液を供給することによって、ベベル
部及び裏面のエッチングを行うというものである。この
時、エッチング液の供給量及び基板の回転数などを制御
することによって、基板表面へのエッチング液の回り込
み量を調節することができ、基板の裏面及びベベル部に
選択的にエッチング液を供給することができる。

【０００７】基板の回転を行いつつ、薬液を供給する装
置は、ベベル部のエッチング以外にも、基板表面のエッ
チングや基板の洗浄を行う場合にも用いられる。また、
薬液を供給せずに、高速に回転させれば洗浄後の基板の
乾燥にも用いることができる。

【０００８】基板を回転させつつエッチング液等の薬液
を供給する装置としては以下に示すような装置がある。
例えば、基板を保持・回転する装置としては、特開平１
０−１３７６６３号公報に、基板の裏面側を真空チャッ
クで大きく保持し、その保持具を支持し回転させるシャ
フトとを具備した基板処理装置が提案されている（装置
Ａ）。

【０００９】また、特開平８−１３０２０２号公報に
は、基板を保持する複数のアーム５１と、複数のアーム
を保持すると共にモータによって回転するシャフトを具
備する装置が提案されている（装置Ｂ）。

【００１０】また、特開平１０−１３５１７２号公報に
は、基板を保持するチャックが設けられたベースと、ベ
ースを支持・回転させるシャフトとを具備する装置が提
案されている（装置Ｃ）。

【００１１】また、特開平２−１９７１２６号公報に
は、スライドアームに設置されているローラー状の保持
具をモータで高速回転させることにより、基板を回転さ
せる装置が提案されている（装置Ｄ）。

【００１２】また、特開平８−２６４６２６号公報に
は、上下の保持具の中心部から吐出された流体によるベ
ルヌーイ効果を利用して基板を非接触で保持し、上部Ｎ
₂ノズル及び下部Ｎ₂ノズルからＮ₂を噴出することに
より基板の回転・停止させる装置が提案されている（装
置Ｅ）。

【００１３】これらの装置は、基板の表面・裏面の両側
にノズルを有することにより、基板の表・裏面処理を行
うことができる。ところが、装置Ａを用いて処理を行っ
た場合には、裏面側を直接チャックするために、保持具
自体からの金属・有機物などのパーティクルの汚染とい
う問題がある。また、チャックされた面は当然の事なが
ら薬液等で処理されず、洗浄が不十分であったり、エッ
チングの均一性に欠けるという問題がある。

【００１４】また、装置Ｂや装置Ｃを用いて処理を行っ
た場合には、基板の側面を保持するため装置Ａのように
裏面側に薬液が供給されない部分はほとんどなく、保持
具との接触面積も装置Ａに比べれば非常に小さい。とこ
ろが、それでも接触部分が汚染の原因となったり、保持
されている部分に薬液が入り込まず、その部分は処理さ
れないといった問題があった。この問題を解決するため
に、保持具の大きさを小さくしたり、保持部分をスポン
ジ状にすることによって毛細管現象を利用して薬液を染
み込ませるといった方法も考えられているが、現実には
完全に薬液が入り込まずに処理にムラができてしまうと
いった問題が発生する。また、このような保持具を用い
ると、処理後のリンスの際に、基板の接触部及び保持具
自体のリンスが不十分なために、エッチングがストップ
しなかったり、乾燥の際にそこに残った薬液や純水など
がパーティクルやウォーターマークの原因になるという
問題が発生する。

【００１５】また、装置Ｄを用いて処理を行った場合に
は、基板に対してローラー状保持具の直径が非常に小さ
いため、基板を数百ｒｐｍで回転させようとすると、ロ
ーラー状保持具は数千ｒｐｍ以上の非常に高速で回転さ
せなければならず、通常乾燥に用いられるような数千ｒ
ｐｍで基板を回転させることができない。そのため、処
理後は、例えば装置Ｂを具備するリンス・乾燥チャンバ
に搬送して乾燥させなければならないという問題があっ
た。また、このような機構を持った装置を用いて、表面
には影響を与えずに、裏面及び表面のベベル部のみを処
理するために、薬液を裏面側のみに吐出して処理を行う
と、基板及びローラー状保持具を伝って表面側に回り込
んだ薬液が、ローラー状保持具が非常に高速に回転して
いるために、表面全体に振り飛ばされ、表面に薬液の飛
散跡が多数観察される。これは、非常に問題である。同
様な処理を装置Ｂや装置Ｃを具備する装置で行ったとこ
ろ、表面側への薬液の飛散跡は少なく良好であったが、
保持具の接している部分及び保持具の陰になって薬液が
回り込まない部分の処理が行われず、当初の要求を満た
さないため問題があることが分かった。

【００１６】また、装置Ｅでは、回転の加速・減速に流
体を用いているために、基板を目的の回転数まで上昇さ
せるのに非常に時間がかかってしまい、１枚の基板を処
理するために必要なトータル時間が、他の装置に比べて
非常に長く、スループットが非常に悪いという問題があ
る。また、薬液の回り込み深さは、基板の回転数と薬液
の流量に大きく依存するため、ベベル部の処理領域を任
意に制御するには、その両者を独立に制御できることが
重要であるが、流体を用いて回転させる方法では、ベベ
ル部の回り込み量の制御ができない問題がある。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の基板処理装置である装置Ａには、保持具自体からの基
板・有機物などのパーティクルの汚染、更には基板裏面
側の処理が行うことができないという問題があった。ま
た、装置Ｂ，Ｃでは、保持部の接触部には薬液が入り込
まず、処理を行うことができない部位が発生するという
問題があった。また、回転するローラーで基板の保持・
回転を行う装置Ｄには、基板に高速回転を与えることが
困難であるために生じる乾燥性能の不足、さらにはロー
ラーの回転時の薬液の飛散という問題があった。また、
装置Ｅを用いた処理の場合には、低スループット、並び
にベベル部の処理領域の制御性が低いという問題があっ
た。

【００１８】上述した装置が抱える問題を全て同時に解
決できる基板の保持方法として、基板を保持する３個の
保持具を２セット用意し、処理中に基板を保持する保持
具を１０秒ごとに持ち替えるというシーケンスで処理を
行う装置Ｆを用いて、裏面側からの回り込みによるベベ
ル部の処理を行った。また、６つの保持具を用いて基板
の側部を保持し、同様の処理中にそのうちの一つが基板
から離れるような機構を具備する装置Ｇを用いて処理を
行った。

【００１９】両者とも保持具の陰になって全く処理され
ない部分はなかったが、前者では陰の部分も完全に処理
を行うための処理時間が装置Ｂに比べて倍必要であり、
後者では保持具が離れている時間が３秒と短いため、保
持されていない部分が１２０秒で処理が終了する場合、
保持部が完全に処理されるためにはその２０倍の時間が
必要であり、スループットが非常に悪いとという問題が
あった。

【００２０】本発明の目的は、保持具自体からの汚染の
低減、エッチング形状の均一性、高速回転、薬液の飛散
の低減、処理時間の短縮化を図り得る基板処理方法及び
基板処理装置を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】［構成］本発明は、上記
目的を達成するために以下のように構成されている。

【００２２】（１）本発明（請求項１）は、基板を回転
させて該基板の乾燥処理を行う基板処理方法であって、
前記基板に対向し、該基板の外周端部に当接して該基板
を保持するチャックピンが設けられたスピンベースを所
定軸回りに回転させて前記基板に第１の回転を与えると
ともに、前記チャックピンを回転させて前記基板に第２
の回転を与えて該基板と該チャックピンとの当接位置を
変化させつつ、前記基板の乾燥処理を行うことを特徴と
する。

【００２３】（２）本発明（請求項２）は、基板を回転
させつつ該基板に処理液を供給して、該処理液による基
板の処理を行う基板処理方法であって、前記基板に対向
し、該基板の外周端部に当接して該基板を保持するチャ
ックピンが設けられたスピンベースを所定軸回りに回転
させて前記基板に第１の回転を与えるとともに、前記チ
ャックピンを回転させて前記基板に第２の回転を与えて
該基板と該チャックピンとの当接位置を変化させつつ、
前記処理液による基板処理を行うことを特徴とする。

【００２４】（３）本発明（請求項３）は、基板を回転
させつつ該基板に薬液を供給して薬液処理を行った後、
該基板を回転させて該基板に洗浄水を供給して水洗処理
を行い、更に該基板を回転させて乾燥処理を行う基板処
理方法であって、前記薬液処理，水洗処理及び乾燥処理
を、前記基板に対向し、該基板の外周端部に当接して該
基板を保持するチャックピンが設けられたスピンベース
を所定軸回りに回転させて前記基板に第１の回転を与え
るとともに、前記チャックピンを回転させて前記基板に
第２の回転を与えて該基板と該チャックピンとの当接位
置を変化させつつ、行うことを特徴とする。

【００２５】（４）本発明（請求項４）は、基板を回転
させて該基板にエッチング液を供給して該基板のベベル
部のエッチング処理を行う基板処理方法であって、前記
基板に対向し、該基板の外周端部に当接して該基板を保
持するチャックピンが設けられたスピンベースを所定軸
回りに回転させて前記基板に第１の回転を与えるととも
に、前記チャックピンを回転させて前記基板に第２の回
転を与えて該基板と該チャックピンとの当接位置を変化
させつつ、前記基板と前記スピンベースとの間の空間に
エッチング液を供給して前記基板のベベル部のエッチン
グを行うことを特徴とする。

【００２６】（５）本発明（請求項５）は、所定の軸回
りに回転され、載置される基板と対向する対向面を有す
るスピンベースと、このスピンベースに設けられ、前記
載置される基板の外周端部に当接して該基板を回転させ
るチャックピンとを具備してなることを特徴とする。

【００２７】本発明（請求項５）においては、前記スピ
ンベースの回転軸付近には、前記基板の前記スピンベー
ス側の面と、前記スピンベースの対向面との間の空間
に、前記スピンベースの対向面の回転中心部近傍から薬
液或いはガスの少なくとも一方を供給するためのパイプ
が設けられていることが好ましい。

【００２８】［作用］本発明は、上記構成によって以下
の作用・効果を有する。

【００２９】スピンベースに与えられる第１の回転によ
り、目的の回転数まで短時間で到達することができる。
また、基板を高速に回転させることができる。第１の回
転と同時に、チャックピンの回転によって与えられる第
２の回転により、基板とチャックピンとの当接位置が常
に変化し、薬液が回り込まない部分が生じる事がないの
で、短時間で薬液又は処理液による処理を行うことがで
きる。

【００３０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。

【００３１】［第１実施形態］図１は、本発明の第１実
施形態に係わる基板処理装置の構成を示す図である。図
１（ａ）は基板処理装置を側面から見た図であり、図１
（ｂ）は平面図である。

【００３２】図１に示すように、スピンベース１１は、
図示しないモータに電動連結されて回転されるシャフト
１２の上端部に一体的に連結され、回転可能なものとな
っている。スピンベース１１には基板１３の外周端部に
当接して基板を保持する３個のチャックピン１４（１４
ａ〜１４ｃ）が設けられている。なお、基板１３の外周
端部に当接するチャックピン１４の個数は３個以上であ
っても良い。なお、図１（ａ）において、複雑になるの
でチャックピン１４ｃの図示を省略している。

【００３３】スピンベース１１は、ＳＵＳ板に耐薬液性
が高いＳｉＣでコーティングしたものであり、加工性及
び水平出しが比較的容易で、薬液耐性を持った構造とな
っている。また、シャフト１２内の回転軸近傍には、エ
ッチング液や純水等の処理液やガスを供給するためのテ
フロン製の下部ノズル１５が設けられている。

【００３４】基板１３は外周端部がチャックピン１４に
３カ所以上で保持され、スピンベース１１から離れた状
態で水平保持される。基板１３を保持する際の、基板１
３とベース１１の水平度が重要であり、図２に示すよう
に、くびれを持った断面形状のチャックピン１４を用い
ることにより水平度を出すことが可能となる。

【００３５】チャックピン１４ａは、チャックピン１４
ａに同軸接続されたギアＡ１６と、シャフト１２と同軸
に設けられシャフト１２の回転に応じて回転することが
ない太陽歯車１７と、ギアＡ１６と太陽歯車１７の間に
組み込まれた、ギアＢ１８及びクラッチ機構１９及びギ
アＣ２０によって、スピンベース１１の回転時に、チャ
ックピン１４ａが回転する構造となっている。そして、
チャックピン１４ｂ，ｃにも、それぞれのピン１４に同
軸に接続されたローラー２１及びベルト２２によって、
回転が与えられる。そして、チャックピンの回転によっ
て、基板１３に（第２の）回転を与える構造となってい
る。

【００３６】なお、それぞれのピン１４がピンを回転さ
せるための歯車機構を有していても良い。また更には、
図３に示すように、チャックピンに同軸にモータ３１が
接続されていても良い。なお、回転するチャックピンが
一つで、他のピンが固定されずに自在に回転するように
なっていても良い。

【００３７】チャックピン１４ａには、スピンベース１
１の回転をギアＡ１６と太陽歯車１７の間に組み込まれ
るギアのギア比を適宜選択することによって、任意の回
転数に変更した回転が与えられる。クラッチ機構１９に
よってチャックピン１４ａを回転させずに固定しておく
こともできる。

【００３８】次に、本装置を用いた実際の基板処理につ
いて説明する。処理条件としては、例えばスピンベース
１１から基板１３までの距離を１０ｍｍ、基板１３から
回転板２３までの距離を１．５ｍｍに設定し、その後両
者を３００ｒｐｍで回転させると同時に、チャックピン
１４の回転数をスピンベース１１及び回転板２３の回転
数の１／１０に落として３０ｒｐｍで回転させた。チャ
ックピン１４の直径が１０ｍｍ、基板１３として直径２
００ｍｍのシリコン基板を用いたため、チャックピン１
４の回転により与えられる基板の回転数は、３０×１０
π／２００π＝１．５であり、スピンベース１１の回転
数３００ｒｐｍに対し高々１．５ｒｐｍの変化しかな
く、ピン１４による回転がベース１１による回転にほと
んど寄与しないことが分かる。今後、基板の直径が３０
０ｍｍ、４００ｍｍと増加していくと、その影響はます
ます小さくなり、基板１３の回転はほとんどベース１１
の回転と見なすことができるようになる。

【００３９】このような条件で、熱酸化膜上にＡｌを堆
積させた直径２００ｍｍのシリコン基板を回転させなが
ら、上部ノズル２４から窒素ガスのみを０〜２００l/mi
n、下部ノズル１５からは塩酸を０．４〜２．０l/min吐
出して、シリコン基板のベベル部及び裏面に堆積したＡ
ｌをエッチングした。この時、薬液は、基板の裏面側か
ら側面を伝って表面に０〜４ｍｍほど回り込む。ベベル
部への薬液の回り込み量は、回転数や薬液流量、窒素ガ
ス流量等により任意に制御することが可能である。その
ため、この現象を利用して基板の表面側をレジスト等で
保護することなく、基板の裏面とベベル部のみのエッチ
ングを行うことができ、実際に本実施形態でも表面を保
護せずにエッチング・洗浄を行った。また、塩酸処理
後、下部ノズルからフッ酸を吐出することにより、Ａｌ
の下層に形成されている熱酸化膜を１０ｎｍほどエッチ
ングした。

【００４０】この処理後、基板裏面及びベベル部を全反
射蛍光Ｘ線法により分析したところ、Ａｌ濃度が検出限
界以下になっていることが分かり、他の装置への汚染を
防ぐことが可能となった。

【００４１】Ａｌのエッチングを行う際に、塩酸の他
に、硝酸などの酸や、アンモニア水や水酸化ナトリウム
水溶液等のアルカリ、塩酸と過酸化水素水、硫酸と過酸
化水素水、アンモニア水と過酸化水素水のような混合薬
液を用いても処理が可能であった。

【００４２】次に、ＴＥＯＳ膜上にＣｕ膜をスパッタリ
ング法やメッキ法により堆積したシリコン基板に対して
ベベル部及び裏面のエッチング及び洗浄を行った。それ
ぞれの条件は、前述したＡｌの場合と同様であり、薬液
として硝酸を用いた。基板の裏面及びベベル部のＣｕの
エッチングを行い、その後ＴＥＯＳ膜をフッ酸を用いて
エッチングした。本装置を用いた処理の結果、Ｃｕが検
出限界以下まで除去できていることが分かった。

【００４３】Ｃｕは、エッチング液として硝酸、熱濃硫
酸や塩酸と過酸化水素水の混合液、アンモニア水、シア
ン化カリウム水溶液などのように、酸化力を持った（酸
素が存在する）酸或いは錯体イオンを造ることにより溶
解することができる溶液によりエッチングすることがで
きる。また硝酸や塩酸と過酸化水素水との混合液のよう
に、酸化力を持った溶液でエッチングを行うと、エッチ
ング端部に腐食部分が残ることがある。従って、最後に
酸化力が弱い塩酸やフッ酸などの薬液でエッチング端部
を処理することによって腐食部をエッチングし最後に純
水でリンスすると良い。

【００４４】堆積されたＣｕのエッチングが終了しＴＥ
ＯＳ膜が露出した後、続いてフッ酸などの薬液で裏面側
及びベベル部のＴＥＯＳ膜のエッチングを行った。処理
後に測定した全反射蛍光Ｘ線測定によりＴＥＯＳ膜に打
ち込まれたり拡散したＣｕが除去されていることが確認
された。

【００４５】次に、基板を３００ｒｐｍで回転させなが
ら、下部ノズルから１重量％希釈のフッ化水素酸を吐出
し、表面側のベベル部のシリコン基板の熱酸化膜のエッ
チング量が全ての部分で１０ｎｍになるまで行った。こ
のエッチング量は、保持具の影響のない部分では、１２
０秒間で処理が終了する条件である。エッチング後、純
水リンスを６０秒間、乾燥を１５００ｒｐｍで４０秒間
行った。

【００４６】つまり全処理が終了するのに必要な時間
は、最短で２２０秒間である。エッチング処理後のベベ
ル部分の形状、裏面の形状、表面側の薬液飛散の様子、
並びに処理に要した時間を表１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】なお、表１において、装置Ａ〜Ｇは、「従
来の技術」及び「発明が解決しようとする課題」で記し
た装置に対応しているので、それぞれの装置についての
説明を省略する。

【００４９】装置Ａでは保持している基板裏面の処理は
行えず、装置Ｂ，Ｃでは保持具の陰になっている部分の
処理を行うために１回目の処理後に基板の位置を手動で
変化させて再び同一の処理を行っている。また、単にロ
ーラー状保持具のみで回転を与える装置Ｄでは基板の回
転数を１５００ｒｐｍまで上げられず乾燥を行うことが
できなかった。また、装置Ｅでは回転数の加・減速に時
間がかかってしまい、処理に約３００秒も必要であっ
た。また、装置Ｆは裏面形状，薬液飛散及び処理時間は
良好であるが、ベベルの形状が良くない。また、装置Ｇ
は、ベベル形状，裏面形状及び薬液飛散は良好であった
が、処理時間が長い。

【００５０】これらの結果に対し、本装置は、処理が最
短の２２０秒で完了し、また、ベベル部及び裏面へのエ
ッチング処理の結果、表面への薬液の飛散のどれをとっ
ても良好であった。

【００５１】次に、８インチのシリコン基板の自然酸化
膜剥離処理として０．５重量％の希釈フッ化水素酸を３
００ｒｐｍで３０秒、純水リンスを３０秒、１５００ｒ
ｐｍによる乾燥を３０秒の処理を行った。そのときの
０．２μｍ以上のサイズの基板表裏面のパーティクルの
増加量を求めた。その結果を図４に示す。

【００５２】ただし、装置Ａでは剥離処理が行えない裏
面側、また装置Ｄでは乾燥処理が行えなかったため全面
にウォーターマークが発生していまい、パーティクルカ
ウンタで測定した結果、パーティクルが激増してしまっ
ている。また、装置Ｅも基板の回転数を１５００ｒｐｍ
まで上昇させるのに時間がかかるため、装置Ｄほどでは
ないが、ウォーターマークが多数発生している。

【００５３】そこで、図４では、本装置及び装置Ｂ，Ｃ
のみを示す。また、装置Ｆ，Ｇは、装置Ｂと大差がなか
った。装置Ｂ，Ｃでは保持具に付着した薬液が除去しき
れず、乾燥時に基板に逆吸着することによって、パーテ
ィクルが増加しているのに対し、本装置は基板に当接し
て保持するチャックピン自体が回転することによりリン
ス時に基板と同時に洗浄され、パーティクルの発生が抑
制されていると考えられる。

【００５４】以上説明したように、本装置によれば、処
理後のパーティクルの増加を抑制することができ、また
基板の表面，ベベル部及び裏面といった各部分を非常に
制御性良く、且つスループットが高い状態で基板の処理
を行うことができる。

【００５５】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、上記実施形態ではＡｌ及びＣ
ｕ膜のエッチング処理について述べたが、これらに限る
ものではなくＴｉＮ，ＷＮ，ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，（Ｂ
ａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃，ＳｒＲｕＯ₃，Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ₃，ＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉やＴｉＳｉ，ＣｏＳ
ｉ，ＷＳｉ膜等のエッチング処理にも適用することがで
きる。また、エッチング液としては、フッ酸，フッ化ア
ンモニウム，燐酸，フッ硝酸などを用いることができ
る。その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することが可能である。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、前
記基板に対向し、該基板の外周端部に当接して保持する
チャックピンが設けられたスピンベースを所定軸回りに
回転させて前記基板に第１の回転を与えるとともに、前
記チャックピンを回転させて前記基板に第２の回転を与
えて該基板と該チャックピンとの当接位置を変化させる
ことによって、保持具自体からの汚染の低減、エッチン
グ形状の均一性、高速回転、薬液の飛散の低減、処理時
間の短縮化を図り得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係わる基板処理装置の構
成を示す図。

【図２】図１の基板処理装置のチャックピン部分を示す
図。

【図３】基板処理装置のチャックピンの回転機構の変形
例を示す図。

【図４】エッチング処理，洗浄処理及び乾燥処理後のパ
ーティクルの増加量を示す図。

【符号の説明】

１１…スピンベース１２…シャフト１３…基板１４…チャックピン１５…下部ノズル１６…ギアＡ１７…太陽歯車１８…ギアＢ１９…クラッチ機構２０…ギアＣ２１…ローラー２２…ベルト２３…回転板２４…上部ノズル３１…モータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3L113 AA04 AB08 AC28 AC31 AC48 AC63 AC65 AC76 AC78 AC90 BA34 CA11 CA15 DA07 DA10 DA24 DA26 5F043 AA22 AA28 BB15 BB19 DD13 EE07 EE08 GG02 GG04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を回転させて該基板の乾燥処理を行う
基板処理方法であって、前記基板に対向し、該基板の外周端部に当接して該基板
を保持するチャックピンが設けられたスピンベースを所
定軸回りに回転させて前記基板に第１の回転を与えると
ともに、前記チャックピンを回転させて前記基板に第２の回転を
与えて該基板と該チャックピンとの当接位置を変化させ
つつ、前記基板の乾燥処理を行うことを特徴とする基板処理方
法。
【請求項２】基板を回転させつつ該基板に処理液を供給
して、該処理液による基板の処理を行う基板処理方法で
あって、前記基板に対向し、該基板の外周端部に当接して該基板
を保持するチャックピンが設けられたスピンベースを所
定軸回りに回転させて前記基板に第１の回転を与えると
ともに、前記チャックピンを回転させて前記基板に第２の回転を
与えて該基板と該チャックピンとの当接位置を変化させ
つつ、前記処理液による基板処理を行うことを特徴とする基板
処理方法。
【請求項３】基板を回転させつつ該基板に薬液を供給し
て薬液処理を行った後、該基板を回転させて該基板に洗
浄水を供給して水洗処理を行い、更に該基板を回転させ
て乾燥処理を行う基板処理方法であって、前記薬液処理，水洗処理及び乾燥処理を、前記基板に対向し、該基板の外周端部に当接して該基板
を保持するチャックピンが設けられたスピンベースを所
定軸回りに回転させて前記基板に第１の回転を与えると
ともに、前記チャックピンを回転させて前記基板に第２の回転を
与えて該基板と該チャックピンとの当接位置を変化させ
つつ、行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】基板を回転させて該基板にエッチング液を
供給して該基板のベベル部のエッチング処理を行う基板
処理方法であって、前記基板に対向し、該基板の外周端部に当接して該基板
を保持するチャックピンが設けられたスピンベースを所
定軸回りに回転させて前記基板に第１の回転を与えると
ともに、前記チャックピンを回転させて前記基板に第２の回転を
与えて該基板と該チャックピンとの当接位置を変化させ
つつ、前記基板と前記スピンベースとの間の空間にエッチング
液を供給して前記基板のベベル部のエッチングを行うこ
とを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】所定の軸回りに回転され、載置される基板
と対向する対向面を有するスピンベースと、このスピンベースに設けられ、前記載置される基板の外
周端部に当接して該基板を回転させるチャックピンとを
具備してなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】前記スピンベースの回転軸付近には、前記
基板の前記スピンベース側の面と、前記スピンベースの
対向面との間の空間に、前記スピンベースの対向面の回
転中心部近傍から薬液或いはガスの少なくとも一方を供
給するためのパイプが設けられていることを特徴とする
請求項５に記載の基板処理装置。